「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

In the formula, R^1 shows a 6-18C alkyl group and n shows an integer of 1-6.例文帳に追加

式中、Ｒ^1は炭素数６〜１８のアルキル基を示し、ｎは１〜６の整数を示す。 - 特許庁

Further, in the subsequent nitriding treatment, the compositional ratio of an (Al, Si) N inhibitor is controlled.例文帳に追加

また、その後の窒化処理において（Ａｌ，Ｓｉ）Ｎインヒビターの組成比の調整を行う。 - 特許庁

To reduce diodes so as to simplify a structure in an N-key rollover keyboard apparatus.例文帳に追加

Ｎキーロールオーバーのキーボード装置におけるダイオード削減と構成の簡素化を目的とする。 - 特許庁

A first inductor 310 is provided in the n-th wiring layer of the multilayer wiring layer 400.例文帳に追加

第１インダクタ３１０は、多層配線層４００の第ｎ配線層に設けられている。 - 特許庁

An N layer 101 and a P layer 102 are formed in a semiconductor substrate such as silicon.例文帳に追加

シリコン等の半導体基板内にＮ層１０１と、Ｐ層１０２とを形成する。 - 特許庁

To provide a loop filter in a phase synchronization circuit that improves the C/N.例文帳に追加

Ｃ／Ｎを改善することができる位相同期回路におけるループフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive Karman vortex flowmeter of simple constitution enhanced in an S/N ratio.例文帳に追加

簡潔な構成により安価で、Ｓ／Ｎ比が向上された渦流量計を提供する。 - 特許庁

MEMORY ARCHITECTURE FOR PARALLEL DATA ACCESS IN ARBITRARY DIMENSION OF N-DIMENSIONAL RECTANGULAR DATA ARRAY例文帳に追加

Ｎ次元矩形データアレイの任意の所与次元におけるパラレルデータアクセスのためのメモリアーキテクチャ - 特許庁

N-type gate electrodes 5 are embedded in the trenches T respectively through the intermediary of gate insulating films 4.例文帳に追加

トレンチＴにゲート絶縁膜４を介してＮ型のゲート電極５が埋め込まれている。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING LINE CONNECTING N PIECES OF POINTS IN SOFTWARE FOR GAME AND PLOTTING DEVICE例文帳に追加

遊戯用ソフトウエアにおけるＮ個の点を連結する線の作成方法および描画装置 - 特許庁

To provide a process for producing N-acylamino acid (3) in a good yield.例文帳に追加

Ｎ−アシルアミノ酸（３）を良好な収率で製造する方法方法を提供すること。 - 特許庁

A P-diffusion layer 7 as a base region is formed in the N--epitaxial layer 4.例文帳に追加

そのｎ^-エピタキシャル層４に、ベース領域としてのｐ拡散層７が形成されている。 - 特許庁

In a hub mode, the up/downstream port circuit 60-n performs a downstream port operation.例文帳に追加

そして、ハブモードでは、アップ／ダウンストリームポート回路６０−ｎがダウンストリームポート動作を行う。 - 特許庁

The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加

ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。 - 特許庁

We inquired to the elementary schools, kindergartens and nursery schools in the vicinity of the location of the crime, but例文帳に追加

現場付近の小学校と幼稚園 それとn保育園にも照会をかけましたが - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

He was the first patient I was in charge of. I was nervous and例文帳に追加

初めて一人で患者を任されて緊張していたn僕の気持ちなんておかまいなし - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

I want her to be able to enjoy her life in high school with all her friends.例文帳に追加

今はまだ周りのみんなと同じ高校生活をn思いっきり楽しませてあげたい。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

An N^+ type source layer 26 is formed in the inner region of the P type well 23.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２３の内方の領域にはＮ^+型ソース層２６が形成されている。 - 特許庁

The thinning-out frequency M is a frequency with which ink ejection is thinned out in N number of paths.例文帳に追加

間引き回数Ｍとは、Ｎ回のパスのうちインクの吐出を間引く回数である。 - 特許庁

In the remote monitoring/operation system, the respective tasks 1-1 to 1-n asynchronously transmit requests to a request transmission queue 2 first.例文帳に追加

各タスク１−１〜１−ｎは、非同期で要求送信キュー２に要求を送る。 - 特許庁

The recording medium MEM is divided into a plurality (N-sets in Figure) of storage areas.例文帳に追加

記録媒体ＭＥＭは、複数（本図ではＮ個）に記憶領域に分割されている。 - 特許庁

In a frame sync method, a receiver searches for the presence of an N-symbol long unique word pattern.例文帳に追加

フレームシンク方法において、受信器はＮシンボル長のユニークワードパターンの存在を探す。 - 特許庁

This projection lens for a lamp is characterized in that a rotationally asymmetric and elliptic collimating lens has a 2α-degree central angle (α=180/N and N is an integer not less than 3), and is formed in such a shape that N pieces of bilaterally symmetrical fan-shaped lens portions are arranged in the circumferential direction.例文帳に追加

非回転対称かつ楕円形状のコリメートレンズのうち中心角が２α度（α＝１８０／Ｎ、Ｎは３以上の整数）、かつ、左右対称の扇形レンズ部分を、周方向にＮ個配置した形状に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Electromagnetic field fluctuation generating in underground is detected from the condition of fluctuation in received electric field strengths of m×n pieces while measuring electromagnetic fields generating from RFID tags of m (m≥1) provided in a monitored space by tag readers of n (n≥1) along with distinguishing the RFID tags.例文帳に追加

監視空間に設置されたｍ個（ｍ＞＝１）のRFIDタグから発生する電磁界をｎ個（ｎ＞＝１）のタグリーダで前記RFIDタグごとに識別しつつ測定し、ｍ×ｎ個の受信電界強度の変動の様子から地中で発生した電磁場変動を検出する。 - 特許庁

If N assignment requests are transmitted in the order from 1st one to Nth one, the SIP server (1) assigns N different extension numbers to the original IDs included in the N assignment requests in the order from 1st one to Nth one.例文帳に追加

ＳＩＰサーバ（１）は、Ｎ個の割当要求が１番目からＮ番目までこの順で送信されたときに、Ｎ個の割当要求に含まれる固有ＩＤのそれぞれに対して、各々異なるＮ個の内線番号を１番目からＮ番目までこの順で割り当てる。 - 特許庁

In a numerical expression of (Nsp/Ntr)=(N+ε)/J, J: an integer of 1-20, N: a positive integer, ε: a decimal less than 1 in an absolute value, N/J: an irreducible improper fraction or proper fraction by a combination of mutually prime integers and a value of becoming minimum in an absolute value of ε/J.例文帳に追加

（Ｎｓｐ／Ｎｔｒ）＝（Ｎ＋ε）／Ｊ数式中Ｊ：１〜２０の整数、Ｎ：正の整数、ε：絶対値が１未満の小数であり、Ｎ／Ｊは互いに素な整数の組合せによる既約の仮分数または真分数であり、ε／Ｊの絶対値が最小となる値である。 - 特許庁

In the inverter, each arm A contains normally-on elements P and N-channel MOS transistors Q connected in series, built-in diodes D for the N-channel MOS transistors Q are used as free wheel diodes and the breakdown voltage of each N-channel MOS transistor Q is 10 to 50 V.例文帳に追加

このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。 - 特許庁

The retaining part is formed of an N-shaped bending part 12 of bending and forming a plate in a substantially N shape in a side view by projecting forward, and an upward acute angle tip part 13 is arranged in the N-shaped bending part 12 so as to retain the outer wall material 2.例文帳に追加

係止部は、平板を側面視で略Ｎ形に且つ前方に突出して屈曲形成されたＮ形屈曲部１２から形成され、Ｎ形屈曲部１２には上向きの鋭角先端部１３が外壁材２を係止するように設けられる。 - 特許庁

Consequently, a selector 31 extracts the minimum code specified with bl[N] among a plurality of minimum standards stored in the code_min[N], and an adding circuit 32 performs processing for adding the minimum code to the value stored in code_fin[N] in parallel, and defines the added results as a code assigned to the character.例文帳に追加

これにより、セレクタ３１が、ｃｏｄｅ＿ｍｉｎ［Ｍ］に格納された複数の最小基準のうちｂｌ［Ｎ］で指定された最小符号を取り出し、加算回路３２が、これをｃｏｄｅ＿ｆｉｎ［Ｎ］に格納された値に加算する処理を並列に行い、その結果を文字に割り当てられた符号とする。 - 特許庁

In the state of setting WB bracketing (negative decision in step S15), when the inequality of N≥n is not set up between the number N of remaining frames and the parameter on the number of times of bracketing recording, the arithmetic circuit 101 prohibits the photographing operation (negative decision in step S17).例文帳に追加

演算回路１０１は、ＷＢブラケティングが設定されている（ステップＳ１５を否定判定）状態で、残コマ数Ｎとブラケティング記録回数パラメータｎとの間にＮ≧ｎが成立しない場合に撮影動作を禁止（ステップＳ１７を否定判定）する。 - 特許庁

As shown in formulas [(2Y), (6Z) and (6)], by reacting the iridium metal complex having an N,N-trans structure obtained by a conventional method in the presence of a compound having a hydride, isomerization progresses to obtain the iridium metal complex having the N,C-trans structure in a high efficiency.例文帳に追加

下式で例示されるように、従来法で得られるＮ，Ｎトランス構造のイリジウム金属錯体化合物を、ヒドリドを有する化合物の存在下で反応させると、異性化が進行し、高効率でＮ，Ｃトランス構造のイリジウム金属錯体化合物が得られる。 - 特許庁

In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.例文帳に追加

半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁

In this case, when operation verification is carried out when the source instrument 11 is connected to a sink instrument 12-N, it is unnecessary to connect the sink instrument 12-N.例文帳に追加

この場合、ソース機器１１とシンク機器１２−Ｎとが接続されたときの動作検証を行うときには、シンク機器１２−Ｎを接続する必要はない。 - 特許庁

To provide an advantageous method for smelting a high cleanliness steel of which the amounts of N, S and P in the molten steel are controlled to each about 20 ppm or less N, 9 ppm or less S, and 45 ppm or less P.例文帳に追加

溶鋼中のＮ、ＳおよびＰ量をそれぞれ、〔Ｎ〕≦20ppm、〔Ｓ〕≦９ppm、〔Ｐ〕≦45ppm程度とした高清浄鋼の有利な溶製方法を提案する。 - 特許庁

Then, a setting signal SEREN which is another clock is set to a high level to transfer and store the odd-number data in flip-flops F21, F23, ..., F2[n-1].例文帳に追加

その後、別のクロックである設定信号ＳＥＲＥＮをハイレベルにして奇数番目のデータをフリップフロップＦ２１、Ｆ２３、・・・、Ｆ２[n-1]に転送して格納する。 - 特許庁

Forwarding processing processor cores 41-2 to 41-M dispose of the packets in the N-th bucket 31-N every time forwarding processing is executed predetermined times.例文帳に追加

フォワーディング処理プロセッサコア４１−２〜Ｍは、フォワーディング処理を所定回数実行するごとに１回ずつ、第ｎバケット３１−Ｎのパケットを廃棄する。 - 特許庁

An LCD 13 is a nearly square liquid crystal display (1:1=n:n) which displays a picture in a display area with the ratio of the length to the width being 1:n (n>1).例文帳に追加

ＬＣＤ１３は、縦横比が１：ｎ（ｎ＞１）の表示領域に画像を表示する略正方形（１：１＝ｎ：ｎ）の液晶表示器からなる。 - 特許庁

In the memory mat of this semiconductor memory, MCSLs are provided at every (n) pieces of column addresses and (n) lines of SCSLs are arranged at every one line of the MCSLs.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のメモリマットには、列アドレスｎ個ごとにＭＣＳＬが設けられ、ＭＣＳＬ１本ごとにｎ本のＳＣＳＬが配置される。 - 特許庁

To realize highly precise inspection by compensating for a signal error in the inspection of a magnetic disk or a magnetic head which uses the parallel operation of the number N of A/D conversion circuits.例文帳に追加

N個のA/D変換回路の並列動作を用いた磁気ディスクまたは磁気ヘッドの検査において、信号の誤差を補償し、高精度な検査を実現する。 - 特許庁

When max-sfb=0 ('YES' in S23), the orthogonal conversion section outputs a time region signal of z(i-1, n+N/2) as is (S25).例文帳に追加

ｍａｘ＿ｓｆｂ＝０の場合には（Ｓ２３でＹＥＳ）、直交変換部は、ｚ（ｉ−１，ｎ＋Ｎ／２）を時間領域信号としてそのまま出力する（Ｓ２５）。 - 特許庁

Here, if the decision making ends in failure at a step S102 (N at S103), tilt decision processing is performed first (S108) and after the tilt of the image is corrected, the direction of the image is decided again (S110).例文帳に追加

ここで、ステップS102で判別に失敗したときは（S103、N）、まず、傾き判別処理を行い（S108）、画像の傾き補正後に再度画像の方向を判別する（S110）。 - 特許庁

A PC prepares print data that a print device use to perform multi-path type printing in which printing is completed by having an ink head scan N (N≥2) times.例文帳に追加

ＰＣは、インクヘッドをＮ（Ｎ≧２）回走査させて印刷を完成するマルチパス方式を印刷装置に実行させるための印刷データを作成する。 - 特許庁

The formula (1) is SiH_nX_4-n [in the formula, (n) is an integer of 0-3, each of Xs expresses an atom selected from a group comprising F, Cl, Br and I.例文帳に追加

ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ（１）［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。 - 特許庁

The top layer of an (n) semiconductor substrate 11 is provided with a trench gate structure and a (p) well area 13, and an (n) cathode area 14 is provided in the well area 13.例文帳に追加

ｎ半導体基板１１の表面層にトレンチゲート構造とｐウェル領域１３を設け、ウェル領域１３内にｎカソード領域１４を設ける。 - 特許庁

Next, in nodes whose node numbers are even numbers of 1 to N/2, a path set counterclockwise out of paths through the N/2 pieces of links is deleted.例文帳に追加

次に、ノード番号が１〜Ｎ／２までの偶数のノードにおいてＮ／２本のリンクを経由するパスのうち反時計回りに設定されているパスを削除する。 - 特許庁