| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19373件
When read-out of a document is started in copy job, a page counter N is initialized to 1.例文帳に追加
コピージョブで原稿の読込みを開始する際にページカウンタNを1に初期化する。 - 特許庁
A p-well 131 is formed in a main surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加
n型不純物領域121の主面内にはpウェル131が形成されている。 - 特許庁
To provide a depression type n-channel MOS transistor having less variations in the threshold voltage.例文帳に追加
閾値電圧ばらつきが少ないデプレッション型NチャネルMOSトランジスタを提供する。 - 特許庁
In addition, features of the edge are extracted using the n-th differential of the edge data after filtered.例文帳に追加
また、フィルタリング後のエッジデータのn次微分を用いてエッジの特徴を抽出する。 - 特許庁
The magnet 1 has portions magnetized with S pole and N pole alternately in the circumferential direction.例文帳に追加
マグネット1は、周方向にS極及びN極が交互に着磁された着磁部を備える。 - 特許庁
To eliminate troublesomeness in performing N-up printing with a plurality of sizes.例文帳に追加
複数の大きさでN−up印刷を行う際の煩わしの解消を図るようにする。 - 特許庁
The garbage N generated inside the constructs is dispersed in an earthworm breeding bed 1 of the roof D1.例文帳に追加
建築物内で発生した生ゴミNを屋上D1のミミズ飼育床1に散布する。 - 特許庁
In addition to that, extraction strength of the lawn G to the face of the slope N can be enhanced.例文帳に追加
加えて、法面Nに対する芝生Gの引き抜き強度を高めることができる。 - 特許庁
In addition, the terminal N1 is grounded via n-Trs 24, 30 and 32.例文帳に追加
端子N1を更にn-Tr24、およびn-Tr30および32を介して接地する。 - 特許庁
In the above formulas, m, n, p, q, and r are an integer of 1-4.例文帳に追加
なお、上記のm、n、p、qおよびrは各々独立した1〜4の整数である。 - 特許庁
A plurality of P wells 20 used as sensor nodes are formed in the deep N well.例文帳に追加
センサノードとして使用される複数のPウエル20が深いNウエルに形成される。 - 特許庁
N-type diffusion layers 25 and 26 are formed in a surface parts of the p-type wells 22 and 24.例文帳に追加
p型ウェル22及び24の表面部には、n型拡散層25、26が形成される。 - 特許庁
To reduce shock by correctly controlling idle rotation number in N to D selection after starting.例文帳に追加
始動後のN→Dセレクトに際し、アイドル回転数を的確に制御して、ショックを低減する。 - 特許庁
In the top face of a p^- substrate 200, an n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加
p^-基板200の上面内に、n型不純物領域121が形成されている。 - 特許庁
To provide a perpendicular magnetic recording medium that is superior in resistance to the thermal disturbance and has a high S/N ratio.例文帳に追加
高S/N比と熱擾乱耐性の高い好適な垂直磁気記録媒体を得る。 - 特許庁
To provide a method, in which the amino acid sequence at the N- terminal of a protein is determined efficiently.例文帳に追加
タンパク質のN末端アミノ酸配列を効率的に決定する方法を提供する。 - 特許庁
To reduce a transfer time and transfer frequency in an n-dimensional torus type distribution processing system.例文帳に追加
n次元トーラス型分散処理システムにおける転送時間、転送回数を少なくする。 - 特許庁
This thioacetal compound is a compound expressed by the following general formula [provided that (m) and (n) in the formula are each 1-4 integer].例文帳に追加
新規なチオアセタ−ル化合物は、下記一般式(1)で表される化合物である。 - 特許庁
To provide a molecule battery memory device in which a S/N ratio during read-out is improved.例文帳に追加
読み出し時におけるS/N比が改善された分子電池メモリ装置を提供する。 - 特許庁
To carry out reproduction with a high S/N ratio irrespective of variance in hologram recording medium.例文帳に追加
ホログラム記録媒体等のばらつきにかかわらず、良好なS/N比で再生する。 - 特許庁
A floating-current blocking region 8 is formed in a part of the n^- type GaN layer 6.例文帳に追加
n型のGaN層6の一部に浮遊電流ブロック領域8が形成されている。 - 特許庁
Another n^+-layer 17 is formed partially in the upper surface of the p-type well layer 14.例文帳に追加
n^+層17は、p型ウェル層14の上面内に部分的に形成されている。 - 特許庁
To improve an S/N ratio of a received signal obtained in a continuous wave Doppler spectrum mode.例文帳に追加
連続波ドプラスペクトラムモード等において得られる受信信号のS/Nを改善する。 - 特許庁
The first diode D1 is formed in the N-type well common to the first transistor M1.例文帳に追加
第1ダイオードD1は第1トランジスタM1と共通のN型ウェル内に形成される。 - 特許庁
In the formula (1), m represents an integer of ≥11, and n represents an integer of ≥22.例文帳に追加
(式(1)中、mは11以上の整数を表し、nは22以上の整数を表す) - 特許庁
In general formula (1), A^1 and A^2 each independently represents N, -CH or -CR.例文帳に追加
一般式(1)中、A^1、A^2はそれぞれ独立にN、−CH又は−CRを表す。 - 特許庁
A plurality of OLTs (Optical Line Terminals) (12-1 to 12-n) can be equipped in a center station (10).例文帳に追加
センター局(10)には複数のOLT(Optical Line Terminal)(12−1〜12−n)を配備可能である。 - 特許庁
STEEL FOR CONSTRUCTION IN 490 N/mm2 CLASS HAVING EXCELLENT FIRE RESISTANCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
耐火性の優れた490N/mm2級建築用鋼ならびにその製造方法 - 特許庁
And (3) number of hydroxy remaining in the reaction products is ≤0.4×(n+2).例文帳に追加
(3)反応生成物に残存する水酸基数が、0.4×(n+2)以下の範囲のもの。 - 特許庁
N pieces of an incoming constituent wave are simulated by using the complex signals (I1, Q1) to (IN to QN).例文帳に追加
複素信号(I1,Q1)〜(IN,QN)を用いてN個の到来素波を模擬する。 - 特許庁
An N+ type drain layer 25 is formed in a surface of the second region 21B.例文帳に追加
第2の領域21Bの表面にはN+型のドレイン層25が形成されている。 - 特許庁
To improve a measurement precision by increasing an S/N ratio in a non-invasive glucose concentration measurement.例文帳に追加
非侵襲的なグルコース濃度測定において、S/N比を上げて測定精度を向上する。 - 特許庁
To suppress background and improve an S/N ratio in luminescence measurement of marine ostracod crustacean organisms.例文帳に追加
ウミホタル系生物発光測定を行う際のバックグラウンドを低下し、S/N比を改善する。 - 特許庁
An N^+-type diffusion layer 6 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加
P−型の拡散層5の表面にN+型の拡散層6が形成されている。 - 特許庁
Such a processing is repeated n/2 times, and totaling of the multiplication value is performed in a totaling circuit 6.例文帳に追加
このような処理をn/2回繰り返して乗算値を累算回路6で累算する。 - 特許庁
A photonic crystal structure is formed in an n-type layer of a III-nitride light emitting device.例文帳に追加
フォトニック結晶構造は、III窒化物発光デバイスのn型層内に形成される。 - 特許庁
In the base station retrieval processing, the hand-over selection level is set to the reception level R(n)+NS.例文帳に追加
基地局検索処理では、ハンドオーバ選択レベルを受信レベルR(n)+NSとする。 - 特許庁
The internet N interconnects a command server 30 and a terminal 42 in a user's home 40.例文帳に追加
コマンドサーバ30と、ユーザ宅40の端末装置42とをインターネットNで接続する。 - 特許庁
While the speed is in an N range, the valve 9 is positioned at the neutral position for making the automatic transmission neutral.例文帳に追加
Nレンジ時は弁9をNP位置にして自動変速機を中立状態にする。 - 特許庁
The trench 9 is embedded with a polysilicon 16, in which N-type impurities are introduced.例文帳に追加
トレンチ9は、N型不純物が導入されたポリシリコン16により埋設されている。 - 特許庁
In the formula, R is a sulfonic acid a or phosphoric acid, and n is an integer of 1-8,000.例文帳に追加
ただし、式中のRはスルホン酸またはリン酸、nは1〜8000の整数を示す。 - 特許庁
To manufacture (Al, Ga, In) N compound semiconductor without performing an anneal process.例文帳に追加
(Al、Ga、In)N系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。 - 特許庁
The radial distance (d) in the front end parts 51a, 61a, 71a and 81a is shorter than the peripheral length N.例文帳に追加
前端部51a,61a,71a,81aでの径方向距離dは周方向長さNよりも短い。 - 特許庁
A second trench 16b and a third trench 16c are formed in an n^- drift region 3a.例文帳に追加
n^-ドリフト領域3aに第2のトレンチ16bと第3のトレンチ16cを形成する。 - 特許庁
Tensile force of the gutter spring 24 when using is regulated in a range at 0.1-1.0 N.例文帳に追加
使用時に於ける上記ガータスプリング24の張力を、0.1〜1.0Nの範囲に規制する。 - 特許庁
To improve fidelity and a S/N ratio by removing a phase noise in a reflected signal.例文帳に追加
反射信号における位相性雑音を除去し、忠実度とS/N比を高める。 - 特許庁
The extracted ADV_PCK is temporarily stored in a plurality of reception buffers #1 to #N.例文帳に追加
抽出されたADV_PCKは複数の受信バッファ#1〜#Nにより一時蓄積される。 - 特許庁
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