| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19373件
To provide a soft magnetic material, which does not contain a gas element such as N, O or the like difficult in control in an atmosphere in sputtering and is manufactured easily and in which stable soft magnetic characteristics can be obtained and which has excellent soft magnetic characteristics in a high-frequency range and large saturation magnetization.例文帳に追加
スパッタリング時に雰囲気制御が困難なNやOなどの気体元素を含有せず、製造が容易であり、安定した軟磁気特性を得ることができ、かつ高周波域における軟磁気特性に優れ、飽和磁化の大きな軟磁性材料の提供。 - 特許庁
To provide a low cost magnetic recording medium in which the electromagnetic transducing characteristics are good even in a recording/reproducing system combined with an MR head, in which a C/N or a S/N at a high density recording region is greatly improved in particular, and in which the productivity is excellent.例文帳に追加
ＭＲヘッドを組み合わせた記録再生システムにおいても電磁変換特性が良好で特に高密度記録領域でのＣ／ＮまたはＳ／Ｎが格段に改良された、生産性に優れ、低価格な磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁
In this method for producing a vinylpyrrolidone-based polymer by polymerizing an N-vinylpyrrolidone-containing polymerizable monomer component, N-vinylpyrrolidone having ≤500 ppm γ-butyrolactone content is used as the N-vinylpyrrolidone and/or N-vinylpyrrolidone obtained without using acetylene as a raw material is used as the N-vinylpyrrolidone.例文帳に追加
Ｎ−ビニルピロリドンを含む重合性単量体成分を重合するビニルピロリドン系重合体の製造法において、前記Ｎ−ビニルピロリドンとして、γ−ブチロラクトンの含有量が５００ｐｐｍ以下であるＮ−ビニルピロリドンを用いること、および／または、前記Ｎ−ビニルピロリドンとして、アセチレンを原料とせずに得られたＮ−ビニルピロリドンを用いること、を特徴とする。 - 特許庁
In the data packet transfer device, when data packet of n packet and (n+1) packet transmitted from an XMODEM communicator 5 is received at step S101, an XMODEM communicator 15 transmits ACK(n), i.e. an affirmative response indicative of normal reception of the n packet to the XMODEM communicator 5, at first, and performs reception processing of the (n+1) packet.例文帳に追加
ＸＭＯＤＥＭ通信部１５は、ステップＳ１０１にてＸＭＯＤＥＭ通信部５から送信されたｎパケットとｎ+１パケットのデータパケットを受信すると、まず、ｎパケットについて正常に受信した旨を示す肯定応答であるＡＣＫ（ｎ）をＸＭＯＤＥＭ通信部５へ送信し、ｎ+１パケットの受信処理を行う。 - 特許庁
The 4,4'-butylidenebis(6-tert-butyl-3-methylphenol) is obtained by the reaction of 6-tert-butyl-3-methylphenol and n-butylaldehyde in the presence of N,N-diethylhydroxylamine and has a degree of purity of 99.6% or more and hue (APHA) of 10 or less, wherein the content of the N,N-diethylhydroxylamine is less than 1 ppm.例文帳に追加
Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンの存在下に６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノールとｎ−ブチルアルデヒドを反応させて得られる、純度が９９．６％以上で色相（ＡＰＨＡ）が１０以下であり、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンの含有量が１ｐｐｍ未満であることを特徴とする、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノール）。 - 特許庁
(2) The optical disk described in (1) is characterized in that phase shift of +2π×2πP/λ/N is performed in the phase shift parts by defining the track pitch as P, defining wobble wavelength as λ and defining N as the number of the phase shift parts in one rotation of the disk.例文帳に追加
（２）トラックピッチをＰ、ウォブル波長をλ、Ｎをディスク１回転中の位相シフト部の個数として、位相シフト部では、＋２π×２πＰ／λ／Ｎの位相シフトがされていることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。 - 特許庁
In an oxide thin film 2, as shown in Fig.1(b), a dope oxide layer 2a in which the n-type (electron conduction type) impurity is doped, and an undope oxide layer 2b in which the n-type impurity is not doped are laminated alternatively and repeatedly.例文帳に追加
酸化物薄膜２は、図１（ｂ）に示されるように、ｎ型（電子伝導型）不純物をドーピングしたドープ酸化物層２ａと、ｎ型不純物をドーピングしないアンドープ酸化物層２ｂとが交互に繰り返し積層されている。 - 特許庁
In this server device 100, a transmission control part 102 simultaneously and respectively transmits a plurality of streams in a storage device 101 to reproducing devices 200-1 to 200-N through a transmission path 300 in each fragment with time division in real time.例文帳に追加
サーバ装置１００は、送信制御部１０２により、記憶装置１０１内の複数のストリームを、それぞれ、フラグメント毎に、時分割で、伝送路３００を介して、再生装置２００-1〜２００-Nに同時にリアルタイム送信する。 - 特許庁
In a vertical MOSFET composed of a cell portion and a termination portion, a super-junction structure in which an n pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are provided in the cell portion and n pillar layers 21 and p pillar layers 22 are provided in the termination portion is formed.例文帳に追加
セル部及び終端部からなる縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、セル部にｎピラー層３及びｐピラー層４を設け、終端部にｎピラー層２１及びｐピラー層２２を設けたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁
One or more plants 31 are placed, together with earth 21 serving as the culture medium in the pot 10, and in earth 42 brought from some other area via the pot 10, where the earth 42 is water-retentive and put in a place N in which the plants are planted.例文帳に追加
施工面Ｎに保水性の客土材４２を投入し、ポット１０を介して培土２１とともに植物３１を客土材４２に植え込む。 - 特許庁
The noise amount of the noise pattern is one or smaller in 8-bit data and the operation in the overshoot drive section 3 made in n-bit data.例文帳に追加
上記ノイズパターンのノイズ量が、８ビットデータにおける１以下であり、かつ、オーバーシュート駆動部３の演算をｎビットデータで行う。 - 特許庁
As a result, magnetic flux density B generated in the N type layer 1 can be increased in the neighborhood of a source wiring layer 8a installed in the trench 20.例文帳に追加
これによりトレンチ２０内に配設されたソース配線層８ａ近傍のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高める。 - 特許庁
The addition of n-ZnO to Ru/AC resulted in a pronounced increase in the degree of dispersion of Ru and in the acidic/basic sites concentration ratio.例文帳に追加
Ｒｕ／ＡＣにｎ−ＺｎＯを添加した結果、Ｒｕの分散度および酸性／塩基性部位濃度比が顕著に増大した。 - 特許庁
To reduce deterioration of required C/N by correcting nonlinear distortion in a satellite repeater, etc. in a modulator side of a transmission apparatus in advance.例文帳に追加
衛星中継器等による非線形歪を事前に送信装置の変調器側で補正し、所要Ｃ／Ｎの劣化を軽減させる。 - 特許庁
In the meantime, when the image demand has not been set (S22; N), the printing data is immediately printed (S24).例文帳に追加
一方、設定されていなければ（Ｓ２２；Ｎ）、直ちに当該印刷データを印刷する（Ｓ２４）。 - 特許庁
TiO_2 in a photocatalytic n-type semiconductor is deposited on or applied to a surface of a metallic material.例文帳に追加
金属材料の表面に光触媒ｎ型半導体のＴｉＯ_2を付着または塗布する。 - 特許庁
A crystal voltage controlled oscillator 1 is used in order to get a high S/N ratio of the output signal.例文帳に追加
出力信号のＳ／Ｎが高くするために水晶電圧制御発振器１を用いる。 - 特許庁
The n-side electrode is provided in the region not including the light-emitting layer on the second surface.例文帳に追加
ｎ側電極は、第２の面における発光層を含まない領域に設けられている。 - 特許庁
To provide an imaging apparatus and an imaging method with which a photographed image with an excellent S/N is acquired without using a tripod in photographing a night scene.例文帳に追加
夜景撮影時に三脚を使用せず、良好なＳ／Ｎの撮影画像を取得する。 - 特許庁
Two N+ regions 13 as source regions are formed in a region of the P well 4.例文帳に追加
Ｐウェル４の領域には、ソース領域としての２つのＮ+領域１３が形成されている。 - 特許庁
In the formula (I), R denotes a 1-6C alkanediyl group, and n denotes an integer of 1 to 2.例文帳に追加
［式（Ｉ）中、Ｒは炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、ｎは１〜２の整数を表す。 - 特許庁
In the equation, W denotes a horizontal width of a filter range and n denotes threads per inch (a number of V-shape) of the double-pleat type filter member.例文帳に追加
式中 Ｗ：フィルタ枠の横巾ｎ：ダブルプリーツ型濾材の山数（Ｖ字型の数） - 特許庁
N pieces of modulators 121 are connected to each optical waveguide 117 in series.例文帳に追加
各光導波路１１７にはそれぞれＮ個の変調器１２１が直列に接続されている。 - 特許庁
The frequency information of N pieces of sets of words appearing in the generated word string is generated (process 7).例文帳に追加
この生成単語列に出現するＮ個組単語の頻度情報を生成する（工程７）。 - 特許庁
The periphery of the drain/drift section 22 is constituted in the withstand voltage structure section composed of the parallel p-n structure.例文帳に追加
ドレイン・ドリフト部２２の周りは並列ｐｎ構造から成る耐圧構造部となっている。 - 特許庁
In the extraction region, a P-type layer 11 is provided on an N^- drift layer 1.例文帳に追加
抜き取り領域において、Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型層１１が設けられている。 - 特許庁
The N pieces of packets are successively assigned to the K pieces of memory control parts 132 in the order of transmission.例文帳に追加
Ｎ個のパケットはその送出順にＫ個のメモリ制御部１３２に順番に割り当てられる。 - 特許庁
Realizing an N:1 redundancy changeover method results in an effect of the reduced number of required equipment.例文帳に追加
Ｎ：１冗長切替方式の実現により機器所要数を削減できる効果がある。 - 特許庁
Light emitting elements are arranged two-dimensionally in n row ×l column (l is an integer of 1 or more).例文帳に追加
そして、発光素子は、ｎ行×ｌ列（ｌは１以上の整数）に２次元配列される。 - 特許庁
To improve the C/N characteristics of each PLL circuit in a two- system PLL circuit device.例文帳に追加
２系統ＰＬＬ回路装置において、各々のＰＬＬ回路のＣ／Ｎ特性を向上させる。 - 特許庁
The maximum number(n) of the detectors 8 is 15% of the number of the fuel assemblies in the core.例文帳に追加
検出器（８）の最大個数ｎは炉心内の燃料集合体の数の１５％である。 - 特許庁
To provide a servo pattern stable over a long period of time, easy to be written, and excellent in S/N ratio.例文帳に追加
長期間にわたり安定で、書き込みやすく、Ｓ／Ｎの優れるサーボパターンを提供する。 - 特許庁
Both the FG transistor 16 and the SG transistor 18 are formed in a first n well 12.例文帳に追加
ＳＧトランジスタ１６とＦＧトランジスタ１８は、両方とも、第１のｎウエル１２に形成される。 - 特許庁
The received signal is subjected to FFT of N points in FFT units 203-1 through 203-R.例文帳に追加
受信信号に対し、ＦＦＴ部２０３−１〜２０３−ＲはＮポイントのＦＦＴを行う。 - 特許庁
To allow a region where p/n-type inversion is caused to be formed in a depth range deeper than before.例文帳に追加
ｐ／ｎ型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とする。 - 特許庁
Since a transistor MN1 (N-MOS) is in a diode connection state at that time, a reverse current is blocked.例文帳に追加
このとき、ＭＮ１（ＮＭＯＳ）はダイオード接続となっているので、逆流電流は阻止される。 - 特許庁
The slippage resistance is preferably 550-1,200 N in both of the warp direction and the weft direction.例文帳に追加
滑脱抵抗力がタテ方向とヨコ方向共に５５０〜１２００Ｎであることが好ましい。 - 特許庁
The method also comprises the steps of increasing an amount of the nitrogen in the carrier gas to 50%, and growing an n+-type SIC contact layer 107.例文帳に追加
キャリアガス中の窒素の量を50%に増加させ、ｎ^+-SiCコンタクト層１０７を成長する。 - 特許庁
WIRELESS BASE STATION DEVICE AND N+1 REDUNDANT METHOD FOR WIRELESS MEANS IN THE WIRELESS BASE STATION DEVICE例文帳に追加
無線基地局装置及び無線基地局装置における無線手段のＮ＋１冗長方法 - 特許庁
To provide a semiconductor infrared radiation detecting element, in which a dark current is small and S/N is high.例文帳に追加
暗電流が小さく、高いＳ／Ｎを有する半導体赤外線検出素子を提供する。 - 特許庁
To provide a printer capable of effectively preventing unintended N-in-one printing from being performed.例文帳に追加
意図しないＮｉｎ１印刷の実行を有効に防止することのできるプリンタを提供する。 - 特許庁
Also, in the read circuit, the semiconductor circuit memory device has an N-type transistor connected to the read column selection signal.例文帳に追加
さらに、リード回路内に、リードカラムセレクション信号に接続されたＮ型トランジスタを有する。 - 特許庁
A frame division section 2 divides data before compression which are in a memory 1 into first to (n)th frames.例文帳に追加
フレーム分割部２は、メモリ１内の圧縮前のデータを第１〜第ｎのフレームに分割する。 - 特許庁
In formula (1), X is a group represented by formula (2) and n is 0 or a positive integer.例文帳に追加
なお、式（１）において、Ｘは式（２）で表される基を表し、ｎは０又は正数を表す。 - 特許庁
In addition, the ink composition may contain as the polymerizable compound an N-vinylformamide having a content of 35% or less.例文帳に追加
さらに重合性化合物として、３５％以下のＮ−ビニルフォルムアミドを含有してもよい。 - 特許庁
In the p-type diffusion layer 5, an n-type diffusion layer 8 as a backgating region is formed.例文帳に追加
Ｐ型の拡散層５には、バックゲート領域としてのＮ型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁
In addition, the supply line is connected to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53.例文帳に追加
そして、そして、Ｎ型シリコン基板５１及び金属膜５３には、電源線が接続されている。 - 特許庁
Each pattern selecting block maintains n-pieces of pattern select data for selecting pattern data in a register.例文帳に追加
各パタン選択ブロックはパタンデータを選択するためのパタンセレクトデータをレジスタにｎ個保持する。 - 特許庁
The n-layer 3 can be formed on the p-layer at a low temperature, resulting in preventing the interface from deteriorating.例文帳に追加
ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。 - 特許庁
This touch sensor device includes a plurality of sensor units arranged in the form of an M×N matrix.例文帳に追加
本発明のタッチセンサー装置は、Ｍ×Ｎマトリクス配列された複数のセンサーユニットを有する。 - 特許庁
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