「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

When the shift lever is moved from D to N to D or from R to N to R, the supply of hydraulic pressure to an engagement element which is engaged in the D or R range is retarded until an input rpm in the N range is restored to a desired rpm or higher.例文帳に追加

シフトレバーがＤ→Ｎ→ＤまたはＲ→Ｎ→Ｒに切り替えた場合に、Ｎレンジ状態での入力回転数が目標回転数以上に復帰するまでの間、ＤまたはＲレンジにおいて係合される係合要素への油圧供給を遅延させる。 - 特許庁

When upper component values from a topmost digit to n+1 digit among an addition/subtraction result in the calculation digit number n+m become zero about addition/subtraction inside the calculation expression, a CPU 20 performs correction to make an addition/subtraction result in the calculation digit number n zero.例文帳に追加

そして、ＣＰＵ２０は、計算式中の加減算について、計算桁数ｎ＋ｍでの加減算結果のうち最上位桁からｎ＋１桁までの上位成分値が０になった場合に、計算桁数ｎでの加減算結果を０とする補正を行う。 - 特許庁

A static capacitor 3 (4) is respectively connected in series with a gate terminal of a P channel transistor(TR) (an N-channel TR) in an analog switch 2 with a configuration of parallel connection between the N and P channel TRs and a control signal output section that controls the operation of the N, P-channel TRs.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタとＰチャネルトランジスタとが並列接続された構成からなるアナログスイッチ２のゲート端子とこれらＮ、Ｐチャネルトランジスタを動作制御する制御信号出力部との間にそれぞれ静電容量３，４を直列接続する。 - 特許庁

In a transmission part constituted in an I/F part 20A, voice band signals inputted from input terminals 201-1, 201-2 to 201-n of input ports 1 to n are converted to digital data by A/D conversion parts 203-1, 203-2 to 203-n.例文帳に追加

Ｉ／Ｆ部２０Ａ内に構成された送信部において、各ポート１〜ｎの入力端子２０１−１，２０１−２，〜，２０１−ｎから入力される音声帯域信号は、各々、Ａ／Ｄ変換部２０３−１，２０３−２，〜，２０３−ｎでディジタルデータに変換される。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, an undoped GaN buffer layer 3, an n-type GaN layer 3 and a p-type GaN layer 4 are formed in sequence on a saphire substrate 1, and a part between the p-type GaN layer 4 and the n-type GaN layer 3 is removed to expose the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープのＧａＮバッファ層２、ｎ型ＧａＮ層３およびｐ型ＧａＮ層４を順に形成し、ｐ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層３までの一部領域を除去し、ｎ型ＧａＮ層３を露出させる。 - 特許庁

In the method for producing the polyuronic acid salt, a low crystallinity cellulose having crystallinity of 0-30% is electrolytically oxidized in the presence of one or more mediators selected from N-oxyl compound, oxime compound, N-hydroxy compound, nitroso compound and N-oxy compound.例文帳に追加

Ｎ−オキシル化合物、オキシム化合物、Ｎ−ヒドロキシ化合物、ニトロソ化合物、及びＮ−オキシ化合物から選ばれる１種以上のメディエーターの存在下で、結晶化度が０〜３０％の低結晶性セルロースを電解酸化するポリウロン酸塩の製造方法である。 - 特許庁

A drive circuit in N-channel metallic oxide film semiconductor(NMOS) includes a boost gate stack formed on a substrate and having source and drain formed in low density N-type implantation step, and an N-drive circuit joined with the boost gate stack.例文帳に追加

Ｎチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）ドライブ回路（およびそれを作る方法）は、基板に形成された、低濃度Ｎ型打込みで形成されたソースおよびドレインを有するブースト・ゲート・スタック、およびそのブースト・ゲート・スタックに結合されたＮドライブ回路を含む。 - 特許庁

The write data path includes 2N write data buffers which are configured to store the 2N data bits, 2N switches, and N data lines which are configured to connect at least N of the 2N switches to the memory cell array in order to write therein N data bits in parallel.例文帳に追加

書込みデータ経路は、２Ｎ個のデータビットを保存する２Ｎ個の書込みデータバッファと、２Ｎ個のスイッチと、並列にＮ個のデータビットをメモリセルアレイに書き込むために２Ｎ個のスイッチのうち少なくともＮ個とメモリセルアレイとを連結させるＮ個のデータラインを含む。 - 特許庁

The array antenna has n (n≥2) pieces of reflection plates and n-pieces of antenna elements arranged in a first direction, wherein the reflection plates are each arranged in the first direction for each antenna element and the antenna elements are each arranged on the main reflection surface of each of the reflection plates.例文帳に追加

ｎ（ｎ≧２）個の反射板と、第１の方向に配置されるｎ個のアンテナ素子とを有し、前記各反射板は、前記各アンテナ素子毎に前記第１の方向に配置され、前記各アンテナ素子は、前記各反射板の主反射面上に配置される。 - 特許庁

The updating part 610 has a comparator 612 comparing a number n+1 in which the frequency 1 is added to the frequency of erasing (n) stored in the nonvolatile frequency storing memory 600 with a predetermined erasure restriction frequency N, erasing operation is restricted based on the comparison result.例文帳に追加

更新部６１０は、不揮発性回数記憶メモリ６００に記憶された消去回数ｎに回数１を加えた数ｎ＋１を、予め定められた消去制限回数Ｎとを比較する比較器６１２を有し、比較結果に基づいて消去動作を制限する。 - 特許庁

Luminous and non-luminous combination pattern in the n-th to m-th subfields (m and n are positive integers smaller than the number of all subfields, and m>n) in 1st to 4th pixels P1 to P4 vertically and laterally adjacent to respective areas on a PDP are different from one another.例文帳に追加

ＰＤＰの各領域の上下左右に隣接する第１〜第４の画素Ｐ１〜Ｐ４におけるｎ〜ｍ（ｍおよびｎは全サブフィールド数より小さい正の整数であり、ｍ＞ｎである）番目のサブフィールドの発光および非発光の組み合わせパターンがそれぞれ異なる。 - 特許庁

The imaging sensor 101 comprises: a fist line in which N (N is an integer greater than or equal to 2) pieces of the focus detection pixels S1 and S2 are arranged; and a second line in which M (M is a natural number less than N) pieces of the focus detection pixels S1 and S2 are arranged.例文帳に追加

撮像素子１０１は、前記焦点検出用画素Ｓ１、Ｓ２がＮ個（Ｎは２以上の整数）配置された第１のラインと、焦点検出用画素Ｓ１、Ｓ２がＭ個（ＭはＮよりも小さい自然数）配置された第２のラインと、を有する。 - 特許庁

The value calculated by '(N-nMD)^2+(N-nTD)^2' is 0.08 or less, wherein N denotes the refractive index of the particles contained; nMD denotes the refractive index of the film in the continuous film forming direction; and nTD denotes the refractive index of the film in the direction perpendicular to the continuous film forming direction.例文帳に追加

含有粒子の屈折率をＮ、連続製膜方向のフィルム屈折率をｎＭＤ、連続製膜方向と垂直方向のフィルム屈折率をｎＴＤとしたときに、「（Ｎ−ｎＭＤ）^2＋（Ｎ−ｎＴＤ）^2」にて計算される値が０．０８以下である。 - 特許庁

In the case of obtaining an average value of bit data configuring a data block 21, the number of bit data is approximated in advance as an approximate value 2^n/(a0×2^0+a1×2^1+...+ak×2^k+...), where n and k are an integer of 0 or over, and ak is a coefficient and 0 or 1.例文帳に追加

データブロック２１を構成するビットデータの平均値を求めるにあたって、ビットデータの数を予め近似値２^n／（ａ０・２^0＋ａ１・２^1＋…＋ａｋ・２^k＋…）（ｎおよびｋは０以上の整数であり、ａｋは係数であって０または１である。）で近似しておく。 - 特許庁

Inductors 1201-1 to 1201-n are connected in series between a load resistor 701 and a transistor 704 at the first stage, and gates of transistors 1203-1 to 1203-n provided in parallel at the second stage are connected to the inductors 1201-1 to 1201-n, respectively.例文帳に追加

１段目の負荷抵抗器７０１とトランジスタ７０４の間にインダクタ１２０１−１〜１２０１−ｎを直列に接続し、２段目に並列に設けられたトランジスタ１２０３−１〜１２０３−ｎのゲートをインダクタ１２０１−１〜１２０１−ｎにそれぞれ接続する。 - 特許庁

In this method for producing a pyrene derivative, reaction is performed with respect to a pyrene derivative having a t-butyl group in an organic solvent excluding tetrahydrofuran (for example, methyl ethyl ketone, 2-methyltetrahydrofuran, N,N-dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone) by using halogenated succinimide as a halogenation agent.例文帳に追加

ハロゲン化剤としてハロゲン化スクシンイミドを使用し、テトラヒドロフランを除く有機溶媒(例えば、メチルエチルケトン、２−メチルテトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなど）中でｔ−ブチル基を有するピレン誘導体に反応させるピレン誘導体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method by which N-acetyllactosamine can be synthesized in a higher yield than that of a conventional method in the enzymic method for synthesizing the N-acetyllactosamine by making the enzyme having galactose transfer actions act on N-acetylglucosamine and lactose used as a substrate.例文帳に追加

Ｎ-アセチルグルコサミンとラクトースとを基質として用いて、ガラクトース転移作用を有する酵素を作用させることによるＮ-アセチルラクトサミンの酵素合成法において、従来法より高収率でＮ-アセチルラクトサミンを合成することができる方法を提供する。 - 特許庁

Further, when a p-type impurity region 4 is formed on the n-type impurity region 3, only the n-type impurity region 3 is formed, in advance, or that both the n-type impurity region 3 and the p type impurity region 4 can be formed in advance.例文帳に追加

また、ｎ型不純物領域３の上にｐ型不純物領域４を形成する場合、ｎ型不純物領域３だけを先に形成したり、あるいは、ｎ型不純物領域３とｐ型不純物領域４の両方を先に形成することが可能である。 - 特許庁

As a result, a bit plane arithmetic section 107 receives n-sets of m-bit data in source data 1 stored in a source register, respectively integrates bit information at the same bit location of the n-sets of data and generates m-sets of n-bit element data.例文帳に追加

この結果、ビットプレーン演算部１０７は、ソースレジスタに格納されている、ソースデータ１内の、画像に関するｍビットのｎ個のデータを入力し、各ｎ個のデータの同じビット位置にあるビット情報をそれぞれまとめ、ｎビットの要素データをｍ個生成する。 - 特許庁

A first encoding means encodes in a intramode the video signal of at least one field or one frame in a processing unit by defining the video signal of n fields or n frames (n is an integer being not less than two) as the processing unit, and stores the resultant video signal as a reference picture.例文帳に追加

ｎフィールドまたはｎフレーム（ｎは２以上の整数）の映像信号を処理単位とし、第１の符号化手段は、該処理単位中の少なくとも１フィールドまたは１フレームの映像信号をイントラモードで符号化し、参照画像として蓄積する。 - 特許庁

A control part for controlling a suspension, a voice coil motor and a recording and reproducing head controls the n-th recording column so as to be partially overlapped on the (n-1)-th recording column, precedingly formed, in the radial direction of a magnetic recording medium 3 in forming the n-th recording column.例文帳に追加

サスペンション、ボイスコイルモータ及び記録再生ヘッドを制御する制御部が、ｎ番目の記録列を形成する際に、直前に形成されるｎ−１番目の記録列と磁気記録媒体３の半径方向に部分的に重複するように制御する。 - 特許庁

In the SIMD type microprocessor, each of the PEs includes an arithmetic part including n (n is a natural number being two or more) arithmetic circuits and performing the processing of maximally n kinds of data at once by the arithmetic circuits.例文帳に追加

本発明のＳＩＭＤ型マイクロプロセッサでは、各ＰＥは、ｎ個（ｎは２以上の自然数）の演算回路を含みこれら演算回路によって一度に最大ｎ個のデータ処理を行う演算部を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Signals received by a plurality of antennas 10-1-10-N are amplified in reception high frequency parts 20-1-20-N, a reception level is detected by reception level detection circuits 30-1-30-N and the detected result is supplied to a control circuit 70.例文帳に追加

複数のアンテナ１０−１〜Ｎにより受信された信号を受信高周波部２０−１〜Ｎで増幅し、受信レベル検出回路３０−１〜Ｎにより受信レベルを検出し、検出結果は制御回路７０に供給される。 - 特許庁

The mirror element 30 includes an (n) type SiC substrate 1 having (n) type impurities introduced at least in its main surface and a transparent electrode 15 which is formed on the main surface of the (n) type SiC substrate 1 and can transmit light.例文帳に追加

ミラー素子３０は、少なくとも主表面にｎ型の不純物が導入されたｎ型ＳｉＣ基板１と、ｎ型ＳｉＣ基板１の主表面上に形成され、光を透過可能な透明電極１５とを備えている。 - 特許庁

Stream data to be recorded to an optical recording medium where 1st to (n)th recording layers are formed in order from a laser light incidence side are divided into 1st to (n)th blocks by amounts of data recorded to the 1st to (n)th recording layers.例文帳に追加

レーザ入射側からみて順に第１〜第ｎの記録層が形成された光記録媒体に対して記録するストリームデータを、第１〜第ｎの各記録層に記録するデータ量毎に第１〜第ｎのブロックに分割する。 - 特許庁

In an embodiment, a multi-port optical switch has N one-input, M-output optical switches (M: an integer of ≥N-1), which are interconnected through N-1 output ports.例文帳に追加

一実施形態では、マルチポート光スイッチは、Ｎ個の１入力Ｍ出力光スイッチ（ＭはＮ−１以上の整数）を備え、各１入力Ｍ出力光スイッチは、それぞれＮ−１個の出力ポートを介して相互に接続される。 - 特許庁

In a digital data transmission method, the digital data of N (N is an integer of 2 or more and N>M) channels are transmitted through the transmission system capable of transmitting digital data of M (M is an integer of 1 or over) channels with a first sampling frequency.例文帳に追加

第１のサンプリング周波数のＭ（Ｍは１以上の整数）チャンネル分のデジタルデータを伝送可能な伝送系により、Ｎ（Ｎは２以上の整数で、Ｎ＞Ｍ）チャンネルのデジタルデータを伝送するようにするデジタルデータ伝送方法である。 - 特許庁

The element part of semiconductor device 1 comprises an n+ type semiconductor substrate 11; an n- type drift layer 12; a p- type base layer 13; and an n+ type source layer 14 or a p+ type contact layer 15 selectively formed in turn.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置１の素子部は、ｎ＋型半導体基板１１、ｎ−型ドリフト層１２、ｐ−型ベース層１３、及び選択的形成のｎ＋型ソース層１４またはｐ＋型コンタクト層１５を順に有する。 - 特許庁

A second electrode 11 is provided on the first n-type region 1 such that it is spaced apart from the p-type region 2 by the first n-type region 1 and at least a part thereof is in contact with the first n-type region 1.例文帳に追加

第２の電極１１は、第１のｎ型領域１によってｐ型領域２と隔てられかつ少なくとも一部が第１のｎ型領域１に接するように第１のｎ型領域１上に設けられている。 - 特許庁

In the main surface of the p-substrate 200, an (n) buried layer 26 is formed which comes into contact with a bottom surface of the n-type impurity region 121 so as not to protrude toward the (p) well 144b more than the side face of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｐ^-基板２００の主面内には、ｎ型不純物領域１２１の側面よりもｐウェル１４４ｂ側に突出しないように、ｎ型不純物領域１２１の底面に接するｎ埋め込み層２６が形成されている。 - 特許庁

A thinning process is executed such that dot recording is not carried out in one or more but less than N times (N is an integer of two or more) main-scanning paths, when the dot recording is completed for main-scanning lines by N times main-scanning paths.例文帳に追加

Ｎ回（Ｎは２以上の整数）の前記主走査パスにより主走査ラインに対して前記ドット記録を完了する場合に、１回以上Ｎ回未満の主走査パスにおいてドット記録を行わない間引き処理を実行する。 - 特許庁

Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード２１と平面的に重なりをもって、フォトダイオード２１よりも第１面側に、ｎ型のフローティングディフュージョン３３と、ゲート電極３２のｎ型のドレイン領域３４およびｎ型のソース領域３５が形成されている。 - 特許庁

The n^+ source area 22 includes a first n^+ source region 221, arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222, which is arranged extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21.例文帳に追加

そして、ｎ^＋ソース領域２２は、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在するように配置される第２ｎ^＋ソース領域２２２とを含んでいる。 - 特許庁

This device calculates, in a subtractor 7, an error signal e (n) between a mixed signal d (n) of speech Cs from a microphone 8 and audio Cn, and a summed signal y (n) of a 1st and 2nd FIR filters 4 and 5 forming an adaptive filter.例文帳に追加

減算器７において、マイク８からの音声ＣｓとオーディオＣｎの混合した信号ｄ（ｎ）と、適応フィルタを構成する第１及び第２ＦＩＲフィルタ４，５の加算信号ｙ（ｎ）との誤差信号ｅ（ｎ）を演算する。 - 特許庁

Thereby, even if n type impurities injected in forming the n^+ type source region 4 intrude to a deep position relative to a desired depth of the n^+ source region 4, it is compensated by the p^+ type layer 6.例文帳に追加

これにより、ｎ^+型ソース領域４を形成する際に注入されたｎ型不純物がｎ^+型ソース領域４の所望深さよりも深い位置まで入り込んだとしても、それをｐ^+型層６にて補償することが可能となる。 - 特許庁

A one-side conductive thyristor 100 includes a thyristor part 110 composed of a p-region 1, an n-region 2, a p-region 3, and an n-region 4 which are joined in order and a diode part 120 composed of the n-region 2 and the p-region 3 which are joined together.例文帳に追加

片導通サイリスタ１００は、ｐ領域１とｎ領域２とｐ領域３とｎ領域４とが順に接合されるサイリスタ部１１０と、ｎ領域２とｐ領域３とが接合されたダイオード部１２０とを有する。 - 特許庁

This selection method has a first process for setting the number N of polymorphism portions of the variation set in a range satisfying (N_H-1)≤2^N-1 to the kind N_H of the "haplotype" to be identified, and selecting a plurality of "variation set" candidates allowing the identification between the "haplotypes".例文帳に追加

識別すべき「ハプロタイプ」の種類Ｎ_Hに対して、変異セットの多型部位数Ｎを（Ｎ_H−１）≦２^N-1を満たす範囲に設定し、「ハプロタイプ」相互の識別が可能な「変異セット」候補を複数選別する第１の工程を具えている。 - 特許庁

After a large number of nuts N are loaded into a crate 2 and immersed in a solution of a loosening prevention agent A, the loosening prevention agent A is wiped off from the outer faces of the nuts N to form a coating film of the loosening prevention agent A on the inner faces of the nuts N.例文帳に追加

多数のナットＮをざる２に投入して弛み止め剤Ａの溶液中に浸漬した後、ナットＮの外面から弛み止め剤Ａを拭き取り、ナットＮの内面に弛み止め剤Ａの塗膜を形成したのである。 - 特許庁

N digitized samples I(n) and Q(n) represent in-phase and quadrature (I-Q) components, respectively, of a down-converted signal from a receiver, which are generated from a quadrature demodulator or modulator having I-Q imbalance.例文帳に追加

Ｎ個のディジタル化サンプルＩ（ｎ）およびＱ（ｎ）は、受信機からのダウンコンバート信号の同相および直交（Ｉ−Ｑ）成分をそれぞれ表し、Ｉ−Ｑ不平衡を有する直交復調器または直交変調器から生成される。 - 特許庁

The plurality of light emitting points 17 are arrayed on lattice points of a parallelogram having M×N (M and N are integers of 6 or larger) lattice points, and not arranged on (M-4)×(N-4) lattice points located in the center.例文帳に追加

複数の発光点１７は、Ｍ×Ｎ（Ｍ，Ｎは６以上の整数）の格子点をもつ平行四辺形の格子点上に配列され、かつ、中央に位置する（Ｍ−４）×（Ｎ−４）個の格子点上には配置されていない。 - 特許庁

The first photonic crystal is formed in a cycle of λ/n or more and 10λ/n or less, wherein n denotes an index of refraction of the first conductivity type semiconductor layer and λ denotes a wavelength of light emitted from the active layer.例文帳に追加

前記第１フォトニック結晶は、ｎを前記第１導電型半導体層の屈折率とし、λを前記活性層から放出される光の波長としたときに、λ／ｎ以上及び１０λ／ｎ以下の周期に形成される。 - 特許庁

To provide a method for readily and rapidly measuring N-myristoyl transferase (NMT) activities in high sensitivity; to provide a kit for measuring the N-myristoyl transferase activities; and to provide a method for screening a material inhibiting the N-myristoyl transferase activities.例文帳に追加

Ｎ−ミリストイルトランスフェーゼ（ＮＭＴ）活性を簡便かつ迅速に、しかも高感度で測定する方法、Ｎ−ミリストイルトランスフェラーゼ活性測定用キット、及びＮ−ミリストイルトランスフェラーゼ活性阻害物質のスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The capacitive element C_1 is formed in an n-well 8 of a substrate 1, and is configured mainly by the gate oxide film 9B, the gate electrode 10E, and an n^+ semiconductor region 13 for applying ground voltage to the n-well 8.例文帳に追加

容量素子Ｃ_１は、基板１のｎ型ウエル８に形成され、主としてゲート酸化膜９Ｂ、ゲート電極１０Ｅおよびｎ型ウエル８に接地電圧を印加するためのｎ^＋型半導体領域１３によって構成される。 - 特許庁

Optical modulators 30.1 to 30.n modulate a laser beam received from light sources 20.1 to 20.n in light intensity to generate optical signalsaccording to data signals 1 to n superposed with reference signals by multiplexers 100.1, 100.2.例文帳に追加

光変調器３０．１，３０．ｎは、掛算器１００．１，１００．２により基準信号を重畳されたデータ信号１，データ信号ｎに応じて、光源２０．１，２０．ｎから受けたレーザ光を光強度変調して光信号を生成する。 - 特許庁