| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19373件
In one embodiment, the N-channel input signal is converted into the frequency domain on a frame-by-frame basis, and the overall spectral loudness of the N-channel input signal is estimated.例文帳に追加
一つの実施例においては、N−チャネル入力信号がフレーム毎に周波数領域に変換され、N−チャネル入力信号の総スペクトルラウドネスが推定される。 - 特許庁
The image data strings distributed to each pixel are stored in the final line address of the N-th scanning and the first line address of the N+1th scanning of a memory 321.例文帳に追加
メモリ321には、画素ごとに振り分けられた画像データ列が、N回目走査の最終ラインのアドレスとN+1回目走査の1ライン目のアドレスに格納される。 - 特許庁
On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加
P型単結晶シリコン基板50上にN型のエピタキシャル・シリコン層51を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層51内にP型ウエル領域52を設ける。 - 特許庁
This method for producing the aromatic aldehyde (I) is characterized by reacting the aromatic compound (II), the N,N-dimethylformamide and the phosgene in a halogenated aromatic hydrocarbon, hydrolyzing the reaction product and then rectifying the obtained reaction mixture.例文帳に追加
ハロゲン化芳香族炭化水素中で芳香族化合物(II)、N,N−ジメチルホルムアミドおよびホスゲンを反応させたのち加水分解して得た反応混合物を精留する。 - 特許庁
The display controllers 1-1 to 1-n are connected in order so that the respective display devices 2-1 to 2-n constitute a multiscreen system.例文帳に追加
表示制御装置1−1〜1−nは、表示装置2−1〜2−nによりマルチスクリーンが形成されるように第1番目から第n番目まで順に接続されている。 - 特許庁
In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加
窒化物半導体からなる、n型コンタクト層を含むn型層と、活性層と、p型コンタクト層を含むp型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁
A multiple layer 5 is formed on the bottom and side surfaces of the trench 4 and on the layer 3 between the trenches 4, in which n^- layers 5a and n^+ layers 5b are alternately laminated.例文帳に追加
トレンチ4の底面と側面およびトレンチ4間のベース層3の上面に多重層5が形成され、n^-層5aとn^+層5bが交互に配されている。 - 特許庁
As a result, a chemical bond is present between Ti and N atoms in the crystals and the Ti-O-N film absorbs visible light to develop a photocatalytic function.例文帳に追加
これによって、その結果として結晶中にTiとN原子間の化学的結合が存在することになり、可視光を吸収して光触媒機能を発揮する。 - 特許庁
METHOD FOR BACK-EXTRACTING Am (III), Pu (IV) IN ORGANIC SOLVENT BY USING NITRIC ACID SOLUTION HAVING CONCENTRATION NOT LOWER THAN 0.1 M AND CONTAINING DISSOLVED N,N-DIPROPYL-DIGLYCOLAMIDE ACID (PDGAA) COMPOUND例文帳に追加
有機溶媒中のAm(III),Pu(IV)をN,N−ジプロピルジグリコールアミド酸(PDGAA)化合物を溶解した0.1M以上の濃度の硝酸溶液を用いて逆抽出する方法 - 特許庁
An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加
Nドレイン領域33はトレンチ35の底部を通りPエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てN+基板32とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁
The determination of the integer value bias is judged in N precision determination 213, when the dispersion σN is smaller than 0.25, and when the each integer value bias includes an integer value within a dispersion range.例文帳に追加
N精度判定213では、分散σ_Nが0.25より小さくて、各整数値バイアスが分散の範囲内に整数値を含んでいる場合に整数値バイアスが確定したと判断する。 - 特許庁
In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.例文帳に追加
GaN系半導体発光素子1は、n型のGaN基板2上に、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5が順次積層されている。 - 特許庁
(S)-(-)-N-α-methylbenzylmaleimide is subjected to asymmetrically anionic polymerization in the presence of an optically active ligand to produce the objective optically active (N-α-methylbenzylmaleimide).例文帳に追加
(S)−(−)−N−α−メチルベンジルマレイミドを光学活性配位子存在下、不斉アニオン重合することにより光学活性ポリ(N−α−メチルベンジルマレイミド)を得る。 - 特許庁
An edge input photodiode 10 is provided with a laminate in which an intrinsic semiconductor 16 is formed between p-n junction layers 14, 15 comprising n-type and p-type semiconductors containing InGaAsP.例文帳に追加
n型およびp型のInGaAsPから成る半導体pn接合層14、15間に真性半導体層16を有する積層体を備える端面受光型フォトダイオード10。 - 特許庁
A p-type substrate region 3 and a high-concentration n-type source region 8 are successively formed on n-type drain regions 1 and 2 in a semiconductor substrate S.例文帳に追加
半導体基板S内におけるN型ドレイン領域1及び2の上にP型基板領域3及び高濃度N型ソース領域8が順次形成されている。 - 特許庁
To provide a method for preparing a granulated product of N,N- dicyclohexyl-2-benzothiazolesulfenamide free from dust scattering property, excellent in fluidity and having good dispersion into rubber.例文帳に追加
粉塵飛散性がなく、流動性に優れ、ゴムへの分散性が良好なN,N−ジシクロヘキシル−2−ベンゾチアゾールスルフェンアミドの造粒品を製造する方法を提供する。 - 特許庁
sig_peptide signal peptide coding sequence; coding sequence for an N-terminal domain of a secreted protein; this domain is involved in attaching nascent polypeptide to the membrane; leader sequence 例文帳に追加
sig_peptideシグナル・ペプチド・コード化配列。分泌タンパク質のN-末端ドメインについてのコード化配列。このドメインは発生期ポリペプチドを膜に付加することに関与する。リーダー配列 - 特許庁
transit_peptide transit peptide coding sequence; coding sequence for an N-terminal domain of a nuclear-encoded organellar protein; this domain is involved in post-translation alimport of the protein into the organelle 例文帳に追加
transit_peptide transit peptideコード化配列。核コード化細胞器官タンパク質のN-末端ドメインについてのコード化配列。このドメインは当該タンパク質の細胞器官への翻訳後導入に関与する。 - 特許庁
In formula (1), X is an electron withdrawing group without containing an aromatic ring; Y is a single bond or -(CH_2)_p- (p is 1-10); m+n+l=1; m>0; n>0; and 1≥0.例文帳に追加
[式(1)中、Xは芳香環を含まない電子求引基、Yは単結合又は−(CH_2)_p−(pは1〜10)であり、m+n+l=1、m>0、n>0、l≧0である。 - 特許庁
An n^--type epitaxial layer 7 is formed on the inner wall surface of the trench 6, and a p^+-type layer 8 is formed on a part opposite to the side wall surface of the trench 6 in the n^--type epitaxial layer 7.例文帳に追加
トレンチ6の内壁面にN^−型エピ層7と、N^−型エピ層7のうちトレンチ6の側壁面と対向する部分の上にP^+型層8を形成する。 - 特許庁
A WDM 30 multiplexes the outputs from modulators in N-sets of optical paths 14a-n to generate a WDM channel output signal from a reproduction repeater.例文帳に追加
14a〜nのN本の光路内の変調器からの出力はWDM30に於て多重化され、再生中継器からのWDMチャネル出力信号を生成する。 - 特許庁
At a surface layer in the n^- epitaxial layer 2, a p well region 3 is formed, and at the same time an n^+ source region 4 is formed at the surface layer section of the p well region 3.例文帳に追加
n^-エピタキシャル層2における表層部にはpウエル領域3が形成されるとともに、pウエル領域3の表層部にはn^+ソース領域4が形成されている。 - 特許庁
In this case, the relation n*Bc1=m*Bc2 is made to hold, where Bc1 is a 1st channel bandwidth, Bc2 is a 2nd channel bandwidth, and n and m are integers which are 1 or larger.例文帳に追加
このとき、第1のチャネル帯域幅をB_C1とし、第2のチャネル帯域幅をB_C2とし、n及びmを1以上の整数として、n*B_C1=m*B_C2となるよう設定する。 - 特許庁
Then the diameter Dp of the pressure roller 42 and a nip width N in a circumferential direction between the heat roller 41 and pressure roller 42 are so related that 0.24<N/Dp<0.6 holds.例文帳に追加
そして、加圧ローラ42の径Dpと、加熱ローラ41と加圧ローラ42との周方向におけるニップ幅Nとの関係が、式0.24<N/Dp<0.6を満たしている。 - 特許庁
An image processing apparatus converts image data into an index (N=4 in the figure) by using a conversion table for converting a bit string having 2N digits into an N-digit index having three values.例文帳に追加
画像処理装置は、2N桁のビット列をN桁の3値のインデックスに変換するための変換テーブルを用いて、画像データをインデックスに変換する(図ではN=4)。 - 特許庁
Data y_0 to y_n-1 forming a series of n data {y_0, y_1, ..., y_n-1} are sequentially supplied to a prediction device 100 and stored in memories 131-0 to 131-(n-1).例文帳に追加
n個のデータ列{y_0,y_1,・・・,y_n-1}を構成するデータy_0乃至y_n-1が予測装置100に順次供給され、メモリ131−0乃至131−(n−1)に記憶される。 - 特許庁
P pieces of note numbers n(d1, 1)-n(d1, P) are extracted in order of the magnitude of the effective strength to be arranged on time positions corresponding to respective unit sections on P pieces of tracks.例文帳に追加
実効強度の大きい順にP個のノートナンバーn(d1,1)〜n(d1,P)を抽出し、P個のトラック上の各単位区間に対応する時間位置に配置する。 - 特許庁
Furthermore, dark sections are ordered in descending order of their areas, and a dark section is decided as the print contamination, whose area size is counted as (n+1)th or smaller, (where n is the number of printed sections).例文帳に追加
また、暗部を面積の大きい順に順序づけし、面積の大きさが(n+1)番目以下(nは印刷部の個数)となる暗部を印刷汚れとする。 - 特許庁
In the invention, n first distortion sensors attached on a sidewall part on one side, n second distortion sensors attached on a sidewall part on the other side and a tire angle sensor are used.例文帳に追加
一方側のサイドウォール部に取り付くn個の第1の歪センサと、他方側のサイドウォール部に取り付くn個の第2の歪センサと、タイヤ角度センサとを用いる。 - 特許庁
An output N-channel LD MOS 4 in the high-side switch circuit 1 is interrupted when a control N-channel LD MOS 15 is conductive and conductive when the MOS 15 is not conductive.例文帳に追加
ハイサイドスイッチ回路1において、出力用のNチャネルLDMOS4は、制御用のNチャネルLDMOS15のオン状態でオフされ、オフ状態でオンされる。 - 特許庁
After the lapse of designated time the values of another parameter E(2) and H(3), and the value of En+1 and the value of Hn+1 in the next time step are calculated from the read out values.例文帳に追加
所定時間経過後、別のパラメータのE^(2) とH^(3) の値を読み出し、読み出された値から次のタイム・ステップにおけるE^n+1 の値、H^n+1 の値を算出する。 - 特許庁
Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加
そして、ノイズ信号を出力した後、N型浮遊拡散層FDに保持したポテンシャルをN型浮遊拡散層FD1に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁
The method of producing 4-[3-isopropyl-5-(6-phenylpyridin-3-yl)-4H-1,2,4-triazol-4-yl]-2,1,3-benzoxadiazole or its salt is characterized in that N-2,1,3-benzoxadiazol-4-yl-6-phenylnicotineamide is an intermediate therefor.例文帳に追加
N-2,1,3-ベンゾオキサジアゾール-4-イル-6-フェニルニコチンアミドを中間体とすることを特徴とする、4-[3-イソプロピル-5-(6-フェニルピリジン-3-イル)-4H-1,2,4-トリアゾール-4-イル]-2,1,3-ベンゾオキサジアゾール又はその塩の製造法。 - 特許庁
In a planar view, a distance between the n-side electrode and the p-side electrode is greater than a sum of thicknesses of the n-type semiconductor layer, the light-emitting layer, and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加
平面視において、n側電極とp側電極との間隔は、n型半導体層、発光層及びp型半導体層の厚さの合計よりも大きい。 - 特許庁
An n-type transparent conductive film 16, a mixed film 17 of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, and a p-type transparent conductive film 18, are stacked in this sequence.例文帳に追加
n型透明導電膜16、p型有機半導体とn型有機半導体との混合膜17及びp型透明導電膜18がこの順に積層されている。 - 特許庁
When the GOP of compressed image data of an MPEG encoding system [Simple Profile] is inputted, I-VOP is saved and the average value: Vav(n) of the data amount of a VOP in the GOP is obtained (S4-S9).例文帳に追加
MPEG符号化方式[Simple Profile]の圧縮画像データのGOPが入力されると、I-VOPをセーブして、GOP内のVOPのデータ量の平均値:Vav(n)を求める(S4〜S9)。 - 特許庁
To provide an S/N estimating circuit with which it is not necessary to discriminate the kind of a phase modulating system and the estimate of an S/N can be provided in a short time.例文帳に追加
位相変調方式の種類の判別を不要とすることができ、SN比の推定値を短時間で得ることができるSN比推定回路を提供する。 - 特許庁
When a device 5-n is integrated in the device test diagnosis system, a message indicating the integration of a new device is sent from the device 5-n to an I/O control device 4-1.例文帳に追加
デバイス5−nが組込まれた場合、デバイス5−nから新しくデバイスが組込まれたというメッセージが入出力制御装置4−1に送られてくる。 - 特許庁
Also, in the case that the free capacity of the information storage parts 31-1 to 31-n is small, memory processing parts 32-1 to 32-n borrow the other information storage part and store the device information.例文帳に追加
また情報格納部31−1〜nの空き容量が少ない場合は、メモリ処理部32−1〜nが他の情報格納部を借用して、装置情報を格納する。 - 特許庁
The anti-I-κBα(1-75) antibody is obtained by expressing in large amounts, a partial peptide I-κBα(1-75) of from the N-terminal to the 75th amino acid of human I-κBα and by immunizing rabbits.例文帳に追加
ヒトI-κBαのN末端から75番目のアミノ酸までの部分ペプチドI-κBα(1-75)を大量発現し、ウサギに免疫することで抗I-κBα(1-75)抗体を得る。 - 特許庁
In a nonvolatile memory 13, the data about the average current consumption of loads 4-1 to 4-n and an ECU 9 and the data indicating the discharge characteristic of an on-vehicle battery 1 are stored.例文帳に追加
不揮発性メモリ13には、負荷4-1〜4-n及びECU9の平均消費電流についてのデータと、車載バッテリ1の放電特性を示すデータが記憶される。 - 特許庁
In the formula, M is Fe, Ru, Ir, Co, Cr, Mn, Rh, Re or Os, a is 0, 1 or 2, L is a leagand other than CN, and n is 2, 3 or 4.例文帳に追加
一般式(I) [M(CN)_6-aL_a]^n- 式中、M:Fe、Ru、Ir、Co、Cr、Mn、Rh、Re、Os a:0、1又は2 L:CN以外の配位子 n:2、3または4 - 特許庁
This device is made to have a structure in which an n type reversal part 35 is provided on a part of a surface layer of a p type frame part 30 and a p+ type electric circuit 36 is provided on the n type inversion part 35.例文帳に追加
p型の枠部30の表層の一部にn型の反転部35を設け、n型の反転部35にp^+型の電路36を設けた構造とする。 - 特許庁
An N counter 16 counts not only the number of rising edges but also the number of falling edges in the output of the 1/2 fixed frequency divider 21 without increasing the input frequency to the N counter 6.例文帳に追加
Nカウンタ16への入力周波数を上げることなく、1/2固定分周器21出力の立上りエッジの数だけでなく、立下りエッジの数もカウントする。 - 特許庁
In the I/O circuit, clamp circuits (a fourth PMOS transistor M7, a fifth PMOS transistor M8) are included, and a voltage of an N-well of a first PMOS transistor M1 is clamped by using the clamp circuits M7, M8.例文帳に追加
入力/出力回路はクランプ回路(第4 PMOSトランジスタM7,第5PMOSトランジスタM8)を含み、クランプ回路M7,M8により、第1 PMOSトランジスタM1のNウエルの電圧がクランプされる。 - 特許庁
The element 24 is a p-n diode, constituted of a p-type well and an n+-type diffused region 26 provided in the p-type well and allows negative charges to escape to a p-side substrate.例文帳に追加
第1の保護素子は、pウエルと、pウエル内に設けられたn^+ 拡散領域26とから構成されたpnダイオードであって、負の電荷をp側基板に逃がす。 - 特許庁
When gradations are represented with (n) bits (n: an integer), each bit of a gradation represented in binary notation is divided into three bit groups, and one frame is divided into two subframe groups.例文帳に追加
nビット(nは整数)で階調を表現する場合、2進数で表示される階調の各ビットを3個のビット群に分け、1フレームを2個のサブフレーム群に分割。 - 特許庁
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