「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type low concentration diffusion layer 9 is formed in facing to the p-type low concentration diffusion layer 7 and the p-type high concentration diffusion layer 8 through the n-type epitaxial layer 5.例文帳に追加

ｎ型低濃度拡散層９は、ｎ型エピタキシャル層５を介してｐ型低濃度拡散層７及びｐ型高濃度拡散層８と対向して形成される。 - 特許庁

Consequently, the αaxis passes the reference point (m degrees of north latitude and n degrees of east longitude) and the coordinates of the reference point in the virtual coordinate system is 0 degree of north latitude and (n) degrees of east longitude.例文帳に追加

これによってα軸が基準点（北緯ｍ度、東経ｎ度）を通るようになり、この仮想座標系における基準点の座標は（北緯０度、東経ｎ度）となる。 - 特許庁

To provide a hydrogenation catalyst capable of highly efficiently manufacturing n-propyl acetate in the manufacture of n-propyl acetate by hydrogenating allyl acetate using a hydrogenation catalyst.例文帳に追加

水素化触媒を用いて酢酸アリルを水素化し、酢酸ｎ−プロピルを製造するにあたり、酢酸ｎ−プロピルを高効率に製造できる水素化触媒を提供すること。 - 特許庁

(i) an organic compound including a substituent group containing N atoms and/or S atoms, (ii) a heterocyclic compound containing N atoms and/or S atoms in a ring structure.例文帳に追加

（ｉ）Ｎ原子及び／又はＳ原子を含む置換基を有する有機化合物（ｉｉ）環構造中に、Ｎ原子及び／又はＳ原子を含む複素環式化合物 - 特許庁

To provide a method for synthesizing N-[N-(3,3-dimethylbutyl)-L-α-aspartyl]-L-phenylalanine 1-methyl ester (neotame) efficiently, inexpensively and in high purity.例文帳に追加

Ｎ−［Ｎ−（３，３−ジメチルブチル）−Ｌ−α−アスパルチル］−Ｌ−フェニルアラニン１−メチルエステル（ネオテーム）を効率的で廉価にかつ高純度で合成する方法を提供する。 - 特許庁

This p-channel power MOSFET includes an n-type polysilicon linear field plate electrode and an n-type polysilicon linear gate electrode in each trench thereof.例文帳に追加

本願の一つの発明は、Ｎ型ポリシリコン線状フィールドプレート電極およびＮ型ポリシリコン線状ゲート電極を各トレンチ部に有するＰチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

The plurality of impellers 12 are layered to keep shift angles θ in a range of (1.2×360°/(N×M))≤θ≤(360°/N) between adjacent impellers 12.例文帳に追加

複数の羽根車１２は、隣接する羽根車１２間で（１．２×３６０°／（Ｎ×Ｍ））≦θ≦（３６０°／Ｎ）の範囲内のずらし角度θが生じるように積層される。 - 特許庁

Furthermore, control voltages Vg1-Vgn are applied from the other side in terminals (Vg1-Vgn) 9-1 to 9-n of the plurality of capacitors (C1-Cn) 6-1 to 6-n.例文帳に追加

また、複数のキャパシタ（Ｃ１〜Ｃｎ）６−１〜６−ｎにおける他方の端子（Ｖｇ１〜Ｖｇｎ）９−１〜９−ｎからは、制御電圧Ｖｇ１〜Ｖｇｎを印加する。 - 特許庁

This apparatus 200 for creating correction data creates correction data Δ[1] to Δ[K] used in the correction of detection data D [m, n] indicating the amount of light that a light receiving element E receives.例文帳に追加

補正用データ生成装置２００は、受光素子Ｅの受光量を示す検出データＤ[m,n]の補正に使用される補正用データΔ[1]〜Δ[K]を生成する。 - 特許庁

Between the p+ type impurity region 33 and the PMOS 15, an n+ type impurity region 32 is formed in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

In a first memory block MB0, addresses 0 to n-1 are assigned to first bits of a memory cell MC respectively, and addresses n to 2n-1 are assigned to second bits respectively.例文帳に追加

第１メモリブロックＭＢ０において、メモリセルＭＣの第１ビットにはそれぞれ０〜ｎ−１のアドレスを、第２ビットにはそれぞれｎ〜２ｎ−１のアドレスを割り当てる。 - 特許庁

With such a pattern, the breakdown voltage in a case where the first n source region 12 is made to have high potential can be made higher than that of a case where the second n source region 14 is made to have high potential.例文帳に追加

このパターンにすることで、第１ｎソース領域１２を高電位にした場合に第２ｎソース領域１４を高電位にする場合より高耐圧にできる。 - 特許庁

The default for n is 1, meaning that if there are any dots in a name, the name will be tried first as an absolute name before any search list elements are appended to it. 例文帳に追加

n のデフォルトは 1 である。 これは、名前にドットがある場合、search list の要素が付加される前に、その名前が完全な名前として最初に試されるということを意味している。 - JM

An optically active N-acylaspartic acid is reacted with an alcohol to produce the optically active asparagine ester derivative in which the derivative is esterified and the N-acyl group is deprotected simultaneously.例文帳に追加

光学活性Ｎ−アシルアスパラギン酸をアルコールと反応させることで、エステル化すると同時にＮ−アシル基が脱保護された光学活性アスパラギンエステルを製造する。 - 特許庁

The 2-methylfuran, phosgene and N,N-dimethylformamide are allowed to react at 45°C or higher in a solvent of hydrocarbon, and then the reaction mixture is subjected to hydrolysis.例文帳に追加

炭化水素からなる溶媒中で２−メチルフラン、ホスゲン及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを４５℃以上で反応させた後、該反応混合物を加水分解処理する。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity N,N'-diacyl- substituted homocystine substantially free from byproducts such as a monoacyl body and an ester body in good productivity.例文帳に追加

実質的に、モノアシル体やエステル体等の副生物を含まない高純度のＮ，Ｎ’−ジアシル基置換ホモシスチンを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The modular multiplication in congruence n includes at least a stage generating a pseudo-random number z and a stage adding to the result the product of the number z and n.例文帳に追加

合同ｎにおけるモジュラー乗算は、少なくとも擬似乱数ｚを生成するステージ、及びその結果へ、ｎによる前記数との積を加算するステージを含む。 - 特許庁

The N-oxyl compound remaining in an oxidation pulp is extracted into supercritical carbon dioxide by bringing the oxidation pulp into contact with the supercritical carbon dioxide and is removed.例文帳に追加

酸化パルプを超臨界二酸化炭素と接触させることにより、酸化パルプ中に残留するN−オキシル化合物を超臨界二酸化炭素中に抽出して除去する。 - 特許庁

After implanting impurity ions for forming the N type diffusion region 25, the N type diffusion region 25 is diffused in a γ-shape under a gate electrode 22 by heat treatment.例文帳に追加

そして、Ｎ型の拡散層２５を形成する不純物をイオン注入した後、熱処理により、Ｎ型の拡散層２５をゲート電極２２下方で、γ形状に拡散する。 - 特許庁

(In the general formula (I), Rx represents an alkyl group or an aryl group, m is an integer of 1-3, n is an integer of 0-2, and m+n=3 is satisfied.)例文帳に追加

一般式（Ｉ）（一般式（Ｉ）中、Ｒｘはアルキル基またはアリール基を示す。ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数である。但し、ｍ＋ｎ＝３である。） - 特許庁

The in-module CPU 53 generates the driving waveforms for driving the motors 31-1 to 31-n and controls the converter 51 and the inverters 52-1 to 52-n.例文帳に追加

モジュール内ＣＰＵ５３は、電動機３１−１〜３１−ｎを駆動するための駆動波形の生成を行い、コンバータ部５１およびインバータ部５２−１〜５２−ｎを制御する。 - 特許庁

In this case, Mg is diffused into a region of the upper n^--GaN layer 11 from the lower p-GaN layer 13 together with the regrowth of the n^--GaN layer 11.例文帳に追加

このとき、ｎ^- −ＧａＮ層１１の再成長とともに、下層のｐ−ＧａＮ層１３からその上方のｎ^- −ＧａＮ層１１の領域中にＭｇが拡散する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

The phase comparison circuit has N track-and-hold circuits for tracking and holding N-phase clock signals CLK in synchronization with a rising edge of input data signal DIN.例文帳に追加

それぞれ、Ｎ相クロック信号ＣＬＫの各クロック信号を、受信データ信号ＤＩＮの立ち上がりに同期してトラックホールドするＮ個のトラックホールド回路を備える。 - 特許庁

In the well region 11, an N- type source/drain region 151 is stretched from below the N+ type parts 131 on both sides of the gate electrode 13 to below a side wall insulating film 14.例文帳に追加

ウェル領域１１においてゲート電極１３両端のＮ^+ 型部分１３１下から側壁絶縁膜１４下に亘ってＮ^- ソース，ドレイン領域１５１が延在している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a photodiode having a p-type semiconductor layer 11, an n-type semiconductor layer 12, and an n-type cathode region 15 in this sequence on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。 - 特許庁

If N vehicles are present in the operation management section, N+1 time of polling comprised of pole signals destined to the vehicles and one pole signal X is performed.例文帳に追加

これに対し、運行管理区間にＮ個の車両が存在していれば、各車両にあてたポール信号及び１個のポール信号ＸからなるＮ＋１回のポーリングを行う。 - 特許庁

In this case, the delay time is n times an average period of the first horizontal synchronization signal when the deviation of the first and the second laser beams is n on the reflection face of the rotating polygon mirror.例文帳に追加

ここで、回転多面鏡の第１と第２のレーザー・ビームの反射面のズレがｎのときに、遅延を第１の水平同期信号の平均周期のｎ倍の時間とする。 - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁

The photonic crystalline layer 13 is formed between the n-type cladding layer 12 and the p-type cladding layer 16 or in the n-type cladding layer 12 or the p-type cladding layer 16.例文帳に追加

フォトニック結晶層１３は、ｎ型クラッド層１２とｐ型クラッド層１６との間、ｎ型クラッド層１２中、またはｐ型クラッド層１６中のいずれかに形成される。 - 特許庁

The transmission line is estimated in channel estimation parts 3-1 to 3-N based on reception signals received from multiple moving machines through the antennas 1 to N.例文帳に追加

複数の移動機それぞれからアンテナ１〜Ｎを介して受信した受信信号に基づいてチャネル推定部３−１〜３−Ｎにおいて伝搬路推定を行う。 - 特許庁

Then properly matching its vibration amount with timing of capturing image data can shift a mean position of the center of gravity by 1/n pixel (n is an integer) in the main scanning direction.例文帳に追加

そしてその振動量と画像データを取り込むタイミングを適正に合わせることによりがその重心の平均位置が１／ｎ画素（ｎは整数）主走査方向にずらす。 - 特許庁

In addition, a barrier metal film 110 and the n^--drain layer 101 are Schottky-joined and the surface of the n^--drain layer 101 is roughed with the inverse sputtering.例文帳に追加

さらに、バリアメタル膜１１０とＮ^−型ドレイン層１０１とをショットキー接合するとともに、Ｎ^−型ドレイン層１０１の表面を逆スパッタリングして粗面化した。 - 特許庁

In the general formula (I), compounds wherein, (m) is 1, (n) is 5-18, R3 is an alkyl having ≤n number of carbon atoms, are preferable.例文帳に追加

上記一般式（Ｉ）において、ｍが１であり、ｎが５〜１８であり、Ｒ_３が炭素原子数がｎと同じか又はｎより小さいアルキル基である化合物が好ましい。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加

ＳＯＩ層３内にＮ^+拡散領域１１が選択的に形成され、Ｎ^+拡散領域１１の全周辺領域を覆って完全分離領域４が形成される。 - 特許庁

The element area is formed in a buried n^+ type region 12 formed on the buried insulating film 11 and an n-type semiconductor substrate 13 formed on the upper surface of the region 12.例文帳に追加

また、素子領域は、埋め込み絶縁膜１１上の埋め込みｎ^+ 型領域１２と、その上面に形成されたｎ型半導体基板１３に形成されている。 - 特許庁

A concentration inclination region 13 where impurity concentration continuously drops from that of the n buffer region 12b is formed in the n^- semiconductor region 12a.例文帳に追加

ｎ- 半導体領域１２ａには、その不純物濃度がｎバッファ領域１２ｂの不純物濃度から連続的に低下する濃度傾斜領域１３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor memory arbitrarily specifies L data positions in N data (L<N) specified by a second address which indicates positions of data groups and reads the data from the specified data position.例文帳に追加

半導体メモリは、データ群の位置を示す第２アドレスで指定されるＮ個のデータ中のＬ（Ｌ＜Ｎ）個のデータ位置を任意に指定し、指定されたデータ位置からデータを読み出す。 - 特許庁

An N^+ dispersion layer 16 introducing the N type impurity is formed in a monocrystal silicon layer 11 with an element formation area 5 divided by the insulation separation trench 6.例文帳に追加

絶縁分離トレンチ６により区画された素子形成領域５間の単結晶シリコン層１１にはＮ型不純物を導入されたＮ^＋拡散層１６が形成される。 - 特許庁

A transistor for noise detection included in the noise detecting circuit 200 has a floating N well transistor capable of adaptively optimizing the potential of an N well.例文帳に追加

ノイズ検出回路２００に含まれるノイズ検出用トランジスタは、Ｎウエルの電位を適応的に最適化することができるフローティングＮウエルトランジスタによって構成される。 - 特許庁

The n-type cladding layer 12 includes n-type impurities at least in the first semiconductor layer 12A of the first and second semiconductor layers 12A, 12B.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１２は、第１半導体層１２Ａおよび第２半導体層１２Ｂのうち少なくとも第１半導体層１２Ａにｎ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

The glycoconjugate is composed of Neisseria meningitidis serotype B capsular oligosaccharide derivative (MenB OS derivative) in which sialic acid residue N-acetyl groups are substituted with N-acyl groups.例文帳に追加

本発明は、シアル酸残基Ｎ−アセチル基がＮ−アシル基で置換されているNeisseriameningitidis血清型B莢膜オリゴサッカライド誘導体（MenB OS誘導体）から形成される複合糖質に関する。 - 特許庁

A source electrode 110 and a drain electrode 112 are respectively formed in a profile of contacting the n^+-type GaN semiconductor layer 106 and the n^+-type GaN semiconductor layer 104.例文帳に追加

ｎ＋型ＧａＮ半導体層１０６及びｎ＋型ＧａＮ半導体層１０４に接する形でそれぞれソース電極１１０及びドレイン電極１１２が形成される。 - 特許庁

The device allows a user to analyze N! kinds of possible scheduling routine (algorithm) in the configuration of a desired multi-cluster tool and the process sequence of a desired N step.例文帳に追加

この装置により、任意のマルチクラスタツールの構成及び任意のＮステップの処理シーケンスに対して、ユーザがＮ！通りの可能なスケジューリングルーチン（アルゴリズム）を分析することができる。 - 特許庁