「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, a power MISFET source area and protection diode n^+-type semiconductor area 15 are formed in the same process.例文帳に追加

また、パワーＭＩＳＦＥＴのソース領域と保護ダイオードのｎ^＋型半導体領域１５を同一工程で形成する。 - 特許庁

To provide an optical module in which light beams having the wavelength being used in optical communication are monitored with a good S/N ratio.例文帳に追加

光通信で用いられる波長の光を良好なＳ／Ｎ比でモニタすることが可能な光モジュールを提供する。 - 特許庁

To perform signal processing with signal level amplification, while preventing the problem of deterioration in the S/N ratio, in an imaging apparatus.例文帳に追加

撮像装置において、Ｓ／Ｎ劣化の問題が生じないようにしつつ、信号レベル増幅を伴う信号処理をする。 - 特許庁

To provide an X-ray CT apparatus obtaining a high contrast tomographic image improved in an S/N in dual energy imaging.例文帳に追加

デュアルエネルギー撮影において、Ｓ／Ｎが向上しコントラストが高い断層像を得るＸ線ＣＴ装置を提供する。 - 特許庁

The filter 14 eliminates a signal component in an audible band from the n-harmonic signal generated in the class C amplifier 12.例文帳に追加

フィルタ１４は、Ｃ級増幅器１２で発生したｎ高調波信号から可聴帯域の信号成分を除去する。 - 特許庁

A P-type second drain region 6 is formed in an N-type well region 4 formed in a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２に形成されたＮ型ウェル領域４にＰ型第２ドレイン領域６が形成されている。 - 特許庁

Sensors 1-1 to 1-n respectively measure states of fire, such as smoke densities or temperatures, in respective rooms in a building.例文帳に追加

センサ１−１〜１−ｎは、各々、建物内の各室における煙濃度、または温度等の火災の状態を測定する。 - 特許庁

The level V2 of the received waves in the point of time of a reference clock n+1 immediately after the point a, i.e., in a point c, is found.例文帳に追加

ゼロクロスポイントａの直前の基準クロックｎの時点、即ちｂ点での受信波のレベル−Ｖ１を求める。 - 特許庁

In a communication system expressed with Fig. 4, a master ECU 200 instructs each of door servos 110, 120 and 130 to set an address n if a counter value thereof is set at θn (n = 1, 2, 3).例文帳に追加

マスタＥＣＵ２００は、各ドアサーボ１１０，１２０，１３０に対してカウンタ値が（θｎ）（ｎ＝１，２，３）にセットされているドアサーボはアドレスｎを設定するように指示する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of executing image processing, the apparatus converting an image of 1-bit shade depth into an output image of N-bit (N≥2) tone depth at high speed in image processing.例文帳に追加

画像形成装置おける画像処理において、濃淡深度が１ビットのイメージを濃淡深度がＮビット（Ｎ≧２）の出力イメージに高速に変換処理を行うこと。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an N-channel MOSFET unit cell that is arranged in a mesh or offset mesh shape, and a source N+ is formed at a region excluding the corner of the unit cell.例文帳に追加

メッシュ或いはオフセットメッシュに配置されたＮチャンネル型ＭＯＳＦＥＴユニットセルを備え、前記ユニットセルのコーナー部を除いた領域にソースＮ＋を形成する。 - 特許庁

In the interface of the n-type AlGaN electron-donor layer 3 and the n-type InAlGaN cap layer 4, the bottoms of the conduction bands of the two layers substantially are uninterrupted.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層３とｎ型ＩｎＡｌＧａＮキャップ層４との界面において、それぞれの伝導帯の下端が実質的に連続する。 - 特許庁

In a region RB, a P-type well 4a to be a base B, an N+ diffusion region 15a to be an emitter E, and a bottom N-type well 6 to be a collector C are formed.例文帳に追加

領域ＲＢには、ベースＢとなるＰ型ウェル４ａ、エミッタＥとなるＮ＋拡散領域１５ａおよびコレクタＣとなるボトムＮ型ウェル６が形成されている。 - 特許庁

In a method for producing the compound, an N-allyiminonitrobenzene compound is reacted with a diamono dinucleophile to form the α-amino-N-allylamidinonitrobenzene compound.例文帳に追加

Ｎ−アリルイミノニトロベンゼン化合物とジアミノ二求核剤とを反応させて、α−アミノ−Ｎ−アリルアミジノニトロベンゼン化合物を生成せしめる方法及びそれによって得られる化合物。 - 特許庁

A control unit generates first to N-th control signals respectively controlling activation / deactivation of the first to N-th unit delay cells in response to an operation active signal.例文帳に追加

制御部は、動作活性信号に応答して前記第１乃至第Ｎの単位遅延セルの活性及び非活性を制御する第１乃至第Ｎの制御信号を発する。 - 特許庁

On receiving the bit transmitted in the selected communication channel position, the second system 110 decodes N ACK/NACK responses based on the bit transmission position and the bit.例文帳に追加

第二のシステム１１０は、通信チャネルの選択された位置で送られたビットを受信すると、ビットが送られた位置およびビットに基づいて、N個のACK/NACK応答をデコードする。 - 特許庁

An n-type GaAs layer 2, an n-type AlGaAs layer 3 and a non- doped GaAs layer 4 are formed on a semiinsulative GaAs substrate 1 in the order of these layers 2, 3 and 4.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にｎ型のＧａＡｓ層２、ｎ型のＡｌＧａＡｓ層３、およびノンドープのＧａＡｓ層４がこの順に形成されている。 - 特許庁

When displaying a gradation in n bits (n: integer), each bit of the gradation represented by binary digits is divided into three bit group, and one frame is divided into two sub-frame groups.例文帳に追加

ｎビット（ｎは整数）で階調を表現する場合、２進数で表示される階調の各ビットを３個のビット群に分け、１フレームを２個のサブフレーム群に分割する。 - 特許庁

Then, an n-type collector diffusion layer 14 connected to an input/output line 21 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加

次に、Ｐ型拡散層１１と接しているＮ型拡散層のうち、入出力ライン２１と接続されているＮ型コレクタ拡散層１４を抽出する。 - 特許庁

Besides, a real sending port is determined out of the representative sending ports by referring to translation maps 22a-1 to 22a-N in sending port translating parts 22-1 to 22-N.例文帳に追加

また、送出先ポート変換部２２−１〜２２−Ｎの変換マップ２２ａ−１〜２２ａ−Ｎを参照して代表送出先ポートから実際の送出先ポートを決定している。 - 特許庁

In the photodetector, an n-InP layer 34, an i-InGaAs layer 36, and a p-InP layer 38 are continuously formed on an n-InP substrate 32 by the MOCVD method, etc.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板３２上に、ＭＯＣＶＤ法等によりｎ−ＩｎＰ層３４，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層３６，ｐ−ＩｎＰ層３８を連続成長する。 - 特許庁

In the case of the n-up print, a scanner 2 reads an original and generates a magnified or reduced image matching the number (n), the original size and a printing out paper size.例文帳に追加

ｎ−ｕｐ印刷時に、スキャナ２で原稿を読込み、ｎの数と原稿サイズと印刷する出力用紙サイズに合わせた拡大あるいは縮小したイメージを作成する。 - 特許庁

In the top cover, recessed and projected parts are formed, to prevent the positioning of the nodes of vibration mode (0, n)(n=2, 3, 4) directly above the optical head, at the critical rotational speed of the disk.例文帳に追加

トップカバーに、ディスクの臨界回転速度における振動モードの（０，ｎ）（ｎ＝２，３，４）モードの節が光学ヘッドの真上部に位置するのを回避する凹凸部を形成した。 - 特許庁

In addition, a fatty amide, preferably at least one kind selected from among an amide stearate, an amide N,N'-ethylenebisstearate and an amide palmitate, is added to a heat-sensitive recording layer.例文帳に追加

また、感熱記録層に脂肪酸アマイドを、好ましくは、ステアリン酸アマイド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビスステアリン酸アマイド、パルミチン酸アマイドから選ばれる少なくとも１種を添加する。 - 特許庁

Belt bending stiffness of the double cogged V-belt is 600-1,200 N/mm^3 and dynamic compression spring constant in a belt width direction is 15,000 N/mm or more.例文帳に追加

ダブルコグドＶベルトＢは、ベルト曲げ剛性が６００〜１２００Ｎ／ｍｍ^3であり、且つ、ベルト幅方向の動的圧縮バネ定数が１５０００Ｎ／ｍｍ以上である。 - 特許庁

To prevent degradation in S/N ratio of a received signal even when a number of channels are multiplexed or a short code period is set.例文帳に追加

多重化するチャンネル数が大きい場合、あるいは符号周期が短く設定されている場合においても、受信信号のS/N比が低下するという問題が生じない。 - 特許庁

In formulas (1) and (2), n and n' are each an integer of 0-4; m and m' are each an integer of 0-3; and R and R' are each a hydrophilic group having at least three hydroxyl groups.例文帳に追加

（式中、ｎ及びｎ’は０〜４の整数を表し、ｍ及びｍ’は０〜３の整数を表し、Ｒ及びＲ’は水酸基を３つ以上有する親水基を表す） - 特許庁

Further, each of the n sub-frames is divided into k sub-frames each having a lighting period length that is about 1/k of each of the n sub-frames, and one of these is provided in each of the k sub-frame groups.例文帳に追加

そしてさらに、ｎ個の各サブフレームを、概ね１／ｋの長さの点灯期間を有するｋ個のサブフレームに分割し、ｋ個の各サブフレーム群に１個ずつ配置する。 - 特許庁

This device is constituted by providing a storage area 2 to store an optional column in (n) columns of an image area 1 so that rows about a several percent of (n) are stored.例文帳に追加

イメージ領域１のｎ列中の任意の列を蓄積するためのストレージ領域２を設け、ｎの数パーセント程度の行が蓄積できるように構成される。 - 特許庁

In the formula, A represents H or OH; R_1 represents a divalent group; E represents an amide coupling; R_n represents a cyclic connecting group; m is 0 or more and n is 2 or more satisfying m+n=3; and Z represents a triazine ring.例文帳に追加

（ＡはＨ，ＯＨ，Ｒ_１は２価の基，Ｅはアミド結合，Ｒ_ｎは環状連結基，ｍは０以上，ｎは２以上でｍ＋ｎ＝３，Ｚはトリアジン環を有す） - 特許庁

When the diode is in its reverse bias state, the second p-type region 14 under the n^+-type region 12 has nearly the same voltage as the first n^+-region 12.例文帳に追加

ダイオードが逆バイアス状態にあるとき、Ｎ^＋型領域１２真下の第２のＰ型領域１４はほぼ第１のＮ^＋型領域１２と同一の電圧となる。 - 特許庁

The gamma-characteristic adjusting block 21 has an every block table 21T dividing a display into blocks in (n) lines and (n) rows and being composed of gamma-characteristic tables at every block.例文帳に追加

このガンマ特性調整ブロック２１は、ディスプレイをｎ行ｎ列のブロックに分割して、ブロック毎のガンマ特性テーブルから構成されたブロック別テーブル２１Ｔを備える。 - 特許庁

The parameter Z_L(n) shows behavior similar to bi-coherence, and when the value of the parameter Z_L(n) is smaller than a predetermined value, it is determined that any abnormality is caused in the object to be monitored.例文帳に追加

Ｚ_Ｌ （ｎ）はバイコヒーレンスと同様の挙動を示し、Ｚ_Ｌ （ｎ）の値が所定値よりも小さいときは監視対象に異常が発生したと判定する。 - 特許庁

The objective composite cord has the cord structure in which 2-11 metallic element wires and 1-5 high-molecular fibers melting at 50-200°C are twisted together into the 1×n structure (n is an integer of 3-12).例文帳に追加

２〜１１本の金属素線と１〜５本の融点が５０〜２００℃の高分子繊維を撚り合わせてなる１×ｎ構造（ｎは３〜１２の整数）の複合コード。 - 特許庁

In this case, when a frequency adjustment signal 109 is, e.g. (n), a value (n) is added to/subtracted from a value set to an operation counter 106A to adjust a period of the operation counter 106A.例文帳に追加

この際、周波数調整信号１０９が、たとえばｎであれば動作カウンタ１０６Ａにセットする値にｎを加減して、動作カウンタ１０６Ａの周期を調整する。 - 特許庁

(5) The second quantity of light correction data is corrected furthermore for the n-th light emitting element in order to determine a specified applying power level based on the correction target value Q(n).例文帳に追加

（５）ｎ番目の発光素子に対し、補正目標値Ｑ（ｎ）に基づいて、所定の印加電力値を求めるべく、さらに第２の光量補正データを補正する。 - 特許庁

The terminal connection structure further includes a winding portion 2 in which the number of superconductor layers is n layers (four layers) at a point immediately before a point where the superconductor layers are brought into contact with the usual conductive terminal hardware F1.例文帳に追加

そして、超電導導体層が常電導端末金具F1と接触する直前箇所で、超電導導体層がn層(4層)である巻回部2を備える。 - 特許庁

After the lapse of a fixed time from the state of no call from the portable read/write unit 2, each of ID cards 1-1 to 1-n erases an ID in a storage part 13.例文帳に追加

ＩＤカード1-1〜1-nは携帯型リード／ライトユニット２からの呼び出しがない状態になってから一定時間経過した場合、記憶部13内のＩＤを消去する。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 12, an n-type organic semiconductor film 13, a p-type organic semiconductor film 14, and a p-type transparent conductive film 15, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１２、ｎ型有機半導体膜１３、ｐ型有機半導体膜１４及びｐ型透明導電膜１５がこの順に積層されている。 - 特許庁

The photonic crystal structure is formed in an n-type region of a group III nitride semiconductor structure, including an active region sandwiched between an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ｎ型領域及びｐ型領域間に挟まれた活性領域を含むＩＩＩ族窒化物半導体構造のｎ型領域に形成された光結晶構造。 - 特許庁

A field-effect transistor comprises a nitride semiconductor laminate structure 2 in which an n-type GaN layer 3, a p-type GaN layer 4, and an n-type GaN layer 5 are laminated.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。 - 特許庁

A temporary mean value n is computed, and a relative optimum range is further set through the use of the temporary mean value n to remove data outside the relative optimum range in S103.例文帳に追加

そしてＳ１０３で仮平均値ｎが演算され、その仮平均値ｎを利用してさらに相対適正範囲が設定され、それから外れるデータが除外される。 - 特許庁

Thus, the reader/writer judges that the IC card of the communication system (n) exists, and executes ordinary communication operation with the IC card in the communication system (n) later.例文帳に追加

これにより、リーダライタは、通信方式ｎのＩＣカードが存在すると判断し、以後においては通信方式ｎでＩＣカードと通常通信動作を実行する。 - 特許庁

For instance, an I picture In+2, a B picture Bn and the B picture n+1 and the sound data An+2, the sound data An and the sound data An+1 corresponding to them are gathered and recorded.例文帳に追加

例えば、ＩピクチャＩn+2、ＢピクチャＢn、およびＢピクチャn+1と、それらに対応する音声データＡn+2、音声データＡn、および音声データＡn+1がまとまって記録されている。 - 特許庁

In the n+ diffusion region 4a of the protective diode 1, an i-diffustion region 12 is formed at the bottom surface part of the n+ diffusion region 4a, by using an ion implantation method or the like.例文帳に追加

保護ダイオード１のｎ＋拡散領域４ａには、イオン注入法等を用いて、ｎ＋拡散領域４ａの底面部にｉ拡散領域１２が形成されている。 - 特許庁