「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

(In the general formula (1), X represents general formula (2), n is 1-4, and L is an aromatic fused ring.)例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｘは一般式（２）を表し、ｎは１〜４。Ｌは芳香族縮合環。） - 特許庁

The formation of a parasitic thin film transistor in the side channel 16 of the n-type thin film transistor 4 can be prevented.例文帳に追加

ｎ型薄膜トランジスタ４のサイドチャネル部16での寄生薄膜トランジスタの形成を防止できる。 - 特許庁

To improve an S/N characteristic by increasing the quantity of accumulated charge in a pixel, without imposing a load on an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜に負担をかけず、画素の蓄積電荷量を増大し、Ｓ／Ｎ特性を改善する。 - 特許庁

Abnormality information is mailed to a person n charge of sales and a person in charge of the development of equipment, etc.例文帳に追加

また異常情報は、販売担当者及び機器等の開発担当者にメール送信される。 - 特許庁

To provide an optical system improved in S/N by obtaining EIT signal whose signal strength is uniform.例文帳に追加

信号強度の揃ったＥＩＴ信号を得てＳ／Ｎを向上させた光学系を提供する。 - 特許庁

In an N-th time slot, a user selection section 6 selects one or more mobile stations.例文帳に追加

ユーザ選択部６は、第Ｎ番目のタイムスロットのときに、１個以上の移動局を選択する。 - 特許庁

To provide a high-density and recordable perpendicular magnetic recording medium in which an S/N ratio is improved.例文帳に追加

ＳＮ比が改善された高密度で記録可能な垂直磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To improve resolution of images by improving S/N in a radiographic image reader.例文帳に追加

放射線画像読取装置において、Ｓ／Ｎ比を改善して画像の解像力を向上させる。 - 特許庁

A charge charged in a capacitor 22 is emitted to a discharge circuit 20 to carry a current through a nugget N.例文帳に追加

コンデンサ２２に充電した電荷を放電回路２０に放出してナゲットＮに電流を流す。 - 特許庁

Electric current, which is N times as large as the electric current loaded to the EL element 15, is programmed in a capacitor 19.例文帳に追加

コンデンサ１９にはＥＬ素子１５に流す電流のＮ倍の電流をプログラムする。 - 特許庁

To shorten the calculation time when simulating temporal development of a vector field in n dimensions.例文帳に追加

ｎ次元におけるベクトル場の時間発展をシミュレーションする際にその計算時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a servo pattern stable for a long period of time, easy to be written and excellent in S/N ratio.例文帳に追加

長期間にわたり安定で、書き込みやすく、Ｓ／Ｎの優れるサーボパターンを提供する。 - 特許庁

A p-type GaAs layer 2 in a thickness of 300 nm is formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上へ厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＡｓ層２を形成する。 - 特許庁

Then, a resist layer 15 is formed which covers the exposed N^+ layer 8 in the contact hole 13.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１３内で露出したＮ^＋層８を被覆するレジスト層１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device for carrying out high-density recording of digital data in high S/N ratio as a hologram.例文帳に追加

デジタルデータを高Ｓ／Ｎでホログラムとして高密度記録する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sustained-release pharmaceutical preparation of N-acyl pyrrolidine carbonitrile derivative having an amino group in the molecule.例文帳に追加

分子内にアミノ基を有するＮ−アシルピロリジンカルボニトリル誘導体の徐放性製剤の提供。 - 特許庁

In the forming region of the recess 13, the n-type semiconductor region 6 is removed.例文帳に追加

この窪み１３の形成領域では上記ｎ型の半導体領域６が除去される。 - 特許庁

The device then calculates the number of production of the products in the month of N from the breakdown of the number.例文帳に追加

そして、前記台数内訳からＮ月における製品の生産台数を算出する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which exhibits a high C/N (low noise) in high-density magnetic recording.例文帳に追加

高密度磁気記録において高いＣ／Ｎ（低ノイズ）を示す磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

The data are bundled for every two pieces of data in the channel direction and the row direction for improving the S/N of the data.例文帳に追加

データのＳ／Ｎ改善のためにチャネル方向，列方向に２つずつデータを束ねる。 - 特許庁

In this printer 1, a number of revolution N of a driving motor 6 is controlled by a control device 8.例文帳に追加

プリンタ１においては、制御装置８により駆動モータ６の回転数Ｎが制御される。 - 特許庁

(n) Officials to whom the Designated Service Salary Schedule in Appended Table No. 10 of the Regular Service Remuneration Act is applied 例文帳に追加

カ　一般職給与法別表第十指定職俸給表の適用を受ける職員 - 日本法令外国語訳データベースシステム

It was established by donations from Jonathan N HARRIS of New London (State of Connecticut), Connecticut in the United States of America. 例文帳に追加

アメリカ合衆国コネティカット州ニューロンドン(コネチカット州)のJONATHANN.HARRISの寄付によって建設された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A Schottky electrode 19 forms a Schottky junction in the first n-type gallium nitride system semiconductor layer 17.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。 - 特許庁

In the formula, R_5, R_6 and R_7 each represents a hydrogen atom or a methyl group; and n denotes an integer.例文帳に追加

（式中、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７は、水素原子またはメチル基を表す。また、ｎは整数を表す。） - 特許庁

The extracted N-oxyl compound can be also reused in the oxidation of the cellulose-based raw material.例文帳に追加

抽出したＮ−オキシル化合物を、セルロース系原料の酸化に再利用することもできる。 - 特許庁

COMBINATORIAL DNA LIBRARY FOR PRODUCING MODIFIED N-GLYCAN IN LOWER EUKARYOTE例文帳に追加

改変されたＮ−グリカンを下等真核生物において産生するためのコンビナトリアルＤＮＡライブラリー - 特許庁

To obtain a tetra-n-butylammonium bromide hydrate slurry-based heat storage material reduced in corrosivity.例文帳に追加

腐食性が低減された臭化テトラｎ−ブチルアンモニウム水和物スラリー系蓄熱材を提供する。 - 特許庁

ENHANCEMENT OF SHORT-CIRCUIT CURRENT BY USE OF WIDE BAND GAP N LAYER IN PIN AMORPHOUS SILICON PHOTOCELL例文帳に追加

ｐｉｎアモルファスシリコン光電池に於ける広帯域ギャップｎ層を使用した短絡電流の強化 - 特許庁

The N type diffusion layer 8 is diffused in a γ-shape at least under a gate electrode 9.例文帳に追加

Ｎ型の拡散層８は、少なくともゲート電極９下方で、γ形状に拡散している。 - 特許庁

An element separation film 2 is further formed in the n well 3 to separate the plurality of semiconductor elements.例文帳に追加

Ｎウエル３に、複数の半導体素子を分離するように素子分離膜２をさらに形成する。 - 特許庁

To ensure high speed restoring in a (k, n) threshold variance method using XOR.例文帳に追加

ＸＯＲを用いた（ｋ、ｎ）閾値分散法において、秘密情報の高速な復元を可能とする。 - 特許庁

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。 - 特許庁

To suppress unnecessary power consumption by properly controlling driving of a motor driven oil pump in the N range.例文帳に追加

Ｎレンジ中の電動式オイルポンプの駆動を適切に制御し、不要な電力消費を抑える。 - 特許庁

The P-type electrode Lp is larger in area than the N-type electrode Ln.例文帳に追加

Ｐ型電極ＬｐとＮ型電極Ｌｎとでは、Ｐ型電極Ｌｐの方が面積が広い。 - 特許庁

Thus, an excellent contact is attained in both of the p pad electrode and the n electrode.例文帳に追加

これにより、ｐパッド電極とｎ電極の双方で良好なコンタクトを取ることができる。 - 特許庁

The flame retardant has a solubility in n-hexane at 20°C of ≥0.1 wt.%.例文帳に追加

上記難燃剤は，ノルマルヘキサンに対する溶解度が２０℃において０．１ｗｔ％以上である。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-N JUNCTION IN SEMICONDUCTOR MODULE, FLAME DETECTOR, MOS TRANSISTOR AND IMAGE SENSOR例文帳に追加

半導体モジュールにおけるｐｎ接合の製造方法、炎検知器、ＭＯＳトランジスタおよびイメージセンサ - 特許庁

In order to form an N source 5a, arsenic ions are implanted into the gate electrode 3a from its edge.例文帳に追加

また、Ｎソース５ａを形成するために、ゲート電極３ａのエッジからヒ素を注入する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR TRANSMITTING VARIABLE LENGTH CODED DATA IN LOW S/N RATIO ENVIRONMENT例文帳に追加

低Ｓ／Ｎ比環境で可変長コード化データの送信を可能にするための方法および装置 - 特許庁

On the exposed layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As in the recess, a T-shaped gate electrode is formed.例文帳に追加

凹部内の露出したｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５上にＴ型ゲート電極１１が形成される。 - 特許庁

The magnets 3A-3G are arranged so that an N-pole and an S-pole of respective magnet face in alternate direction.例文帳に追加

各磁石３Ａ〜３Ｇは、Ｎ極とＳ極とが上下互い違いになるように配列される。 - 特許庁

In the example of N=4 and (p=2, q=3, r=1), an orbit having the cycle of 2^4 exists (Figure A).例文帳に追加

Ｎ＝４で（ｐ＝２，ｑ＝３，ｒ＝１）の例では、２^4の周期を持つ軌道が存在する（図１Ａ）。 - 特許庁

Processing in and after S14 is repeated until photographing of spectral images for n bands is completed (S21).例文帳に追加

帯域数ｎ枚の分光画像を撮影済みとなるまでＳ１４からの処理を繰り返す（Ｓ２１）。 - 特許庁

An n+-type drain contact layer 6 is formed in a position detached from the base layer 4 of the drain layer 3.例文帳に追加

ドレイン層３のベース層４から離れた位置にｎ^+型ドレイン・コンタクト層６が形成される。 - 特許庁