「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

A first mark of M×m rows and N×n columns (6 rows and 6 columns) is formed on a photosensitive substrate via a reticle by repeating m×n (e.g., 2×2) times of shot exposure, for arranging the first mark in M rows and N columns (e.g. 3 rows and 3 columns) at specified column interval and row interval.例文帳に追加

レチクルを介して、感光基板上に、所定の列間隔及び行間隔でＭ行Ｎ列（例えば３行３列）に第１マークを配するショット露光をｍ×ｎ回（例えば２×２）繰返して該感光基板上にＭ×ｍ行Ｎ×ｎ列（６行６列）の第１マークを形成する。 - 特許庁

The pressurizing chamber 6-1, 6-n at each end has a width wider than those of other pressurizing chamber 6-2,..., 6-(n-1) so that a conductive bonding member 14 projecting when a top plate 13 is bonded to an intermediate piezoelectric body 12 does not adhere the inner wall being deformed in shear mode.例文帳に追加

配列の両端に設けられる加圧室６-1、６-nは、それぞれ、加圧室幅を他の加圧室６-2〜６-(n-1)の加圧室幅より幅広にし、中間圧電体１２に天板１３を接着する際に食み出した導電接合部材１４が剪断モ−ド変形する内壁にまで付着しないようにする。 - 特許庁

In image processing for repetitively executing a set of processes including unit processes of N kinds (N is an integer of 3 or over), prior to the execution of each set of processes, N kinds of unit processes are assigned to M sets (M is an integer of 2 or over and less than N) of processing sections for executing the unit processes.例文帳に追加

Ｎ種類（Ｎは３以上の整数）の単位処理を含む処理集合を繰り返し実行する画像処理において、各処理集合の実行に先立って、単位処理を実行するためのＭ個（Ｍは２以上でＮ未満の整数）の処理部にＮ種類の単位処理を割り当てる。 - 特許庁

In the film deposition method, film deposition is carried out according to a plasma CVD process using any material for the insulating film selected from n-butyl dimethyl methoxy silane, n-butyl methyl silane, n-butylidene methyl methoxy silane, n-butylidene silanon, allyl dimethyl methoxy silane, allyl methyl silanon, allylidene methyl methoxy silane, allylidene silanon, vinyl ethyl methyl methoxy silane, vinyl ethyl silanon, etc.例文帳に追加

絶縁膜用材料として、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルメチルシラノン、ｎ−ブチリデンメチルメトキシシラン、ｎ−ブチリデンシラノン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルメチルシラノン、アリリデンメチルメトキシシラン、アリリデンシラノン、ビニルエチルメチルメトキシシラン、ビニルエチルシラノンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。 - 特許庁

Logic circuits 14-1 to 14-7 perform a prescribed logical operation on the basis of the signals 102 to 106, and defines an output 108-n of a logic circuit 14-n as 1 and outputs of the other logic circuits as 0 if an error is included in the n-th bit (1 ≤ n ≤ 7) of the received code 100.例文帳に追加

論理回路１４−１〜１４−７は、信号１０２ 〜１０６ に基づいて所定の論理演算を行い、受信符号１００ のｎビット目（１≦ｎ≦７）に誤りが含まれる場合には論理回路１４−ｎの出力１０８−ｎ を１とし、その他の論理回路は出力を０とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

A focus data creating part 3 creates focus data relative to the transmission of inside the two-dimensional array 2 and focus data relative to the receiving of the inside of the sub arrays SA(n), and the data are stored in data storage means D(n, i) and supplied to the transmission circuits P(n, i) and the receiving sub beam formers RB(n).例文帳に追加

フォーカスデータ発生部３は、２次元アレイ２の内部の送信に関する相対のフォーカスデータと、サブアレイＳＡ（ｎ）の内部の受信に関する相対のフォーカスデータを発生し、データ記憶手段Ｄ（ｎ、ｉ）に記憶され、送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）と受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）に供給される。 - 特許庁

A stacker crane 8 for moving between a warehousing-delivery station 18 arranged on the ground and the parking garage Pm-n arranged in the parking shelf part and exclusive to the prescribed dwelling units Hm-n of the prescribed floor, is attached to the apartment building along the parking shelf part.例文帳に追加

そして、地上に設けた入出庫ステーション１８と、駐車棚部に設けた所定の階の所定の住戸Ｈ_m-n の専用の駐車場Ｐ_m-n との間を移動し、且つ、それらの間で車両を移送することができるスタッカークレーン８を、駐車棚部に沿ってマンションに付設した。 - 特許庁

This cosmetic for the eyebrows, improving a makeup-lasting effect, is characterized by containing vinyl pyrrolidone-N,N-dimethylaminoethylmethacrylic acid copolymer diethyl sulfate of cationic polymer as a coating film-forming agent in a gel comprising an anionic polymer and vinyl acetate-vinyl pyrrolidone copolymer.例文帳に追加

アニオン性ポリマー及び酢酸ビニル・ビニルピロリドン共重合体で構成されるゲルに皮膜形成剤としてカチオン性ポリマーであるビニルピロリドン・N,N-ジメチルアミノエチルメタクリル酸共重合体ジエチル硫酸塩を含有することで化粧もち効果を向上させ、眉毛用化粧料を提供することを可能とした。 - 特許庁

A final magnetic switch 2 of a magnetic pulse compression circuit 10 is provided with a parallel circuit where two serial circuits configured by serially connecting a saturable reactor (reactor for compression) 21-n for magnetic compression and a saturable reactor (reactor for switching) 22-n for circuit switching are connected in parallel.例文帳に追加

磁気パルス圧縮回路１０の最終段の磁気スイッチ部２に、磁気圧縮用可飽和リアクトル（圧縮用リアクトル）２１-nと回路切替用可飽和リアクトル（切替用リアクトル）２２-nとが直列接続された２つの直列回路が互いに並列に接続されている並列回路を備える。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁

In the polarization measuring device or the measuring system equipped with a polarizer array, the polarizer array has a plurality of rows, and each row has a domain wherein each transmission polarization axis is shifted from a prescribed direction respectively as much as 180(1/n)°, 180(2/n)°, etc., 180{(n-1)/n}°.例文帳に追加

上記の課題は，偏光子アレイを具備する偏光測定器や測定システムであって，偏光子アレイが複数の行を有し，各行は，透過偏光軸が所定の方向から１８０（１／ｎ）°，１８０（２／ｎ）°，・・・，及び１８０{（ｎ−１）／ｎ}°ずれた領域を有するものにより解決される。 - 特許庁

Correction information R(m) including a correction value for distortion correction and a flag for the thinning processing is stored in a line memory 13, and the correction information R(m) is read at a timing synchronized with the input of image signals A(n) and inputted to a distortion correction circuit 11 together with the image signals A(n).例文帳に追加

ラインメモリ１３に、歪み補正のための補正値と間引き処理のためのフラグとを含む補正情報Ｒ(m)を記憶し、この補正情報Ｒ(m)を画像信号Ａ(n)の入力に同期するタイミングで読み出して画像信号Ａ(n)と共に歪み補正回路１１に入力する。 - 特許庁

An n+-type drain diffused region 2 is formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11; and a drift region 1a, a p-type well diffused region 4, an n+-type source diffused layer 3 and a n+-type base diffused region 9 are formed so as to surround the diffused region 2.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内に、ｎ^+形ドレイン拡散領域２が形成され、ドリフト領域１ａ、ｐ形ウェル拡散領域４、ｎ^+形ソース拡散領域３、ｐ^+形ベース拡散領域９がｎ^+形ドレイン拡散領域２を囲むように形成されている。 - 特許庁

By the constitution, a charge read time in an area (valid image area) where X-rays are actually made incident on the FPD is calculated, and an image data acquisition period is set so as to be 1/n (n is an integer ≥2) of the irradiation period of the X-rays on the basis of the time.例文帳に追加

これらの構成により、実際にＸ線がFPDに入射する領域（有効画像領域）における電荷の読み出し時間を算出し、この時間に基づいて、Ｘ線の照射周期の1／n(nは2以上の整数)となるように画像データ取得周期を設定する。 - 特許庁

This method for producing an allylated ketone, comprising allylating a ketone or an N-acylhydrazone with a boron-containing allylating agent represented by formula XXXIX (wherein, R^3 is H or an aliphatic hydrocarbon group), is characterized by using monvalent or zero-valent indium in an amount of 1 to 50 mol% based on the ketone or the N-acylhydrazone as a catalyst.例文帳に追加

式XXXIX（式中、Ｒ^３は水素原子又は脂肪族炭化水素基）で表される、ホウ素を含むアリル化剤によってケトン又はN-アシルヒドラゾンをアリル化するアリル化ケトンの製造方法であって、ケトン又はN-アシルヒドラゾンに対し１〜５０mol%の１価又は０価のインジウムを触媒として用いる。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

A first N-type conductive region 2 and a second N-type conductive region 3 are formed on a P-type semiconductor substrate 1; and first P-type conductive regions 4, 5 and 6 inside the first N-type conductive region 2 and second P-type conductive regions 7, 8 and 9 inside the second N-type conductive region 3 are formed in point symmetry.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域３を形成し、第１N型導電領域２内に第１Ｐ型導電領域４，５，６、前記第２Ｎ型導電領域３内に第２Ｐ型導電領域７，８，９を点対称に形成する。 - 特許庁

This method for producing the aqueous solution of the 1,3- propanediamine-N,N'-tetraacetic acid ferric ammonium complex, characterized by heating Fe2O3 and metal iron (100: about 5 to 50 as Fe contents) together with the partially ammonium-neutralized product of 1,3-propanediamine-N,N'- tetraacetic acid in an aqueous medium at ≥50°C.例文帳に追加

Ｆｅ_2Ｏ_3と金属鉄（Ｆｅ成分で１００：５〜５０程度）を、１,３−プロパンジアミン−Ｎ,Ｎ'−四酢酸のアンモニア部分中和物と共に水性媒体中で５０℃以上に加熱することを特徴とする１,３−プロパンジアミン−Ｎ,Ｎ'−四酢酸第二鉄アンモニウム錯体水溶液の製造方法。 - 特許庁

Recording and/or reproducing of information in/from (c) a first optical information recording medium using (a) diffraction light of n(n: an integer) order having the highest diffraction efficiency, (b) diffraction light of (n+1) or (n-1) order, out of luminous flux of wavelength λ2 passed through a surrounding region R2.例文帳に追加

周辺領域Ｒ２を通過した波長λ２の光束の中で、（ａ）最も回折効率の高いｎ（ｎは整数）次の回折光、（ｂ）（ｎ＋１）又は（ｎ−１）次の回折光、及び（ｃ）前記第１光情報記録媒体に対して情報の記録及び／又は再生を行う。 - 特許庁

In this case, the trench 27 comes into contact with the P- and N-type base regions 31, and 32 while crossing over from an end section 32a at a side close to an N-type drain region 33 of the N-type source region 32 to an end section 32b at a side apart from the N-type drain region 33.例文帳に追加

このとき、トレンチ２７が、Ｎ型ソース領域３２のＮ型ドレイン領域３３に近い側の端部３２ａから、Ｎ型ドレイン領域３３から離れた側の端部３２ｂまで横切る状態で、Ｐ型ベース領域３１及びＮ型ソース領域３２と接する構造とする。 - 特許庁

In the polarization measuring device or the measuring system equipped with a wave plate array, the wave plate array has a plurality of rows, and each row has a domain wherein each light axis of the wave plate is shifted from a prescribed direction respectively as much as 180(1/n)°, 180(2/n)°, etc., 180{(n-1)/n}°.例文帳に追加

また，上記課題は，波長板アレイを具備する偏光測定器や測定システムであって，波長板アレイが複数の行を有し，各行は，波長板の光軸が所定の方向から１８０（１／ｎ）°，１８０（２／ｎ）°，・・・，及び１８０{（ｎ−１）／ｎ}°ずれた領域を有するものにより解決される。 - 特許庁

When the time T reaches (n-1)L/n, the information memory 273 stores the received binary signal that is latched at the time T(=iL/n) by using, as a trigger, the second clock signal supplied from a delay element (n-1) to store the binary signal in a quantity of a unit frame into its information memory 2731.例文帳に追加

Ｔ＝（ｎ−１）Ｌ／ｎになると、情報メモリ２７３は、遅延素子２７１（ｎー１）から供給される第２のクロック信号をトリガとして、入力されたＴ＝ｉＬ／ｎでの２値信号をラッチして格納することにより情報メモリ２７３１に単位フレーム分の２値信号を格納する。 - 特許庁

Provided is a microalgae poly-β-1→4-N-acetylglucosamine which contains no protein, substantially contains no other organic and inorganic contaminants, comprises approximately 4,000 to approximately 150,000 N-acetylglucosamine monosaccharide that is covalently bound in a β-1→4 conformation, and has a molecular weight ranging from approximately 800,000 daltons to approximately 30,000,000 daltons.例文帳に追加

タンパク質を含まず、他の有機汚染物質を実質的に含まず、無機汚染物質を実質的に含まない、β-1→4配置で共有結合された約4,000〜約150,000のN-アセチルグルコサミン単糖を含んでなり、約800,000ダルトン〜約3,000万ダルトンの分子量を有する微小藻類ポリ-β-1→4-N-アセチルグルコサミン。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with N pads 211, 212, 213 connected to the arbitrary number (N) of logic circuit blocks 011, 012, 013, in which they are neared respectively to be arranged, and a wire 611 connecting the M (M≤N) pads out of the N pads and a lead frame 511 by a time bonding.例文帳に追加

任意の個数（Ｎ個）の論理回路ブロック０１１，０１２，０１３に接続され、それぞれが近接して配置されたＮ個のパッド２１１，２１２，２１３と、前記Ｎ個のパッドうちＭ（Ｍ≦Ｎ）個のパッドとリードフレーム５１１が一回のボンディングで接続されたワイヤー６１１を備えたものである。 - 特許庁

In the formula, R_1 represents a bivalent aromatic diamine residue; R_2 represents a tetravalent aromatic tetracarboxylic acid residue, m and n satisfy relationships of m≥1, n≥0, 1≤m+n≤20 and 0.05≤m/(m+n)≤1, and the sequence of repeating units may be a block type or a random type.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１は２価の芳香族ジアミン残基を、Ｒ_２は４価の芳香族テトラカルボン酸類残基を表す。ｍおよびｎは、ｍ≧１、ｎ≧０、１≦ｍ＋ｎ≦２０および０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦１の関係を満たし、繰り返し単位の配列はブロック的、ランダム的のいずれであってもよい。） - 特許庁

Appending Redirected Output Redirection of output in this fashion causes the file whose name results from the expansion of word to be opened for appending on file descriptor n , or the standard output (file descriptor 1) if n is not specified. 例文帳に追加

リダイレクトによる追加出力この形式を使って出力のリダイレクトを行うと、wordを展開した結果の名前を持つファイルがオープンされ、ファイル・ディスクリプターnに対する出力がこのファイルに追加されるようになります。 nを指定しなければ、標準出力 (ファイル・ディスクリプター 1) で追加されます。 - JM

To provide a method for recovering N-acetylglucosamine from an N-acetylglucosamine solution containing glucose in which the N- acetylglucosamine with a low glucose content usable for synthesizing substances on an industrial scale using the N-acetylglucosamine as a raw material can simply be recovered.例文帳に追加

グルコースを含有するＮ-アセチルグルコサミン溶液からＮ-アセチルグルコサミンを回収する方法であって、Ｎ-アセチルグルコサミンを原料として用いる工業規模での物質合成に使用できるグルコース含有率の低いＮ-アセチルグルコサミンを簡便に回収できる方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the polyurethane foam comprises reacting a polyol component with a polyisocyanate component in the presence of a polyalkylene chain-containing compound represented by formula (I) (wherein R is a residue of an n-valent polyalkylene-polyol, an n-valent polyalkylene-ether-polyol, or an n-valent polyalkylene-ester polyol; and n is 2 or 3).例文帳に追加

一般式（Ｉ）：（式中、Ｒは、ｎ価のポリアルキレンポリオール、ｎ価のポリアルキレンエーテルポリオール又はｎ価のポリアルキレンエステルポリオールの残基、ｎは、２又は３を示す）で表されるポリアルキレン鎖含有化合物の存在下で、ポリオール成分とポリイソシアネート成分とを反応させるポリウレタンフォームの製造法。 - 特許庁

The bar feeder 1 comprises a guide rail 4 for guiding the bar B to the bar processing machine N, the feed arrow 8 for feeding the bar B toward the bar processing machine N while pressing it along the guide rail, and an arrow driving mechanism 10 for longitudinally moving the feed arrow 8 in the feeding direction.例文帳に追加

本発明による棒材供給機(1)は、棒材(B)を棒材加工機(N)に案内するためのガイドレール(4)と、棒材(B)を、ガイドレールに沿って押しながら棒材加工機(N)に向かって給送する送り矢(8)と、送り矢(8)を給送方向に前後移動させるための送り矢駆動装置(10)を有する。 - 特許庁

The microalgae poly-β-1→4-N-acetylglucosamine having a molecular weight of about 800,000 daltons to about 30 million daltons comprises about 4,000 to about 150,000 N-acetylglucosamine monosaccharides covalently bonded in a β-1→4 conformation, free of protein, substantially free of other organic contaminants and substantially free of inorganic contaminants.例文帳に追加

タンパク質を含まず、他の有機汚染物質を実質的に含まず、無機汚染物質を実質的に含まない、β-1→4配置で共有結合された約4,000〜約150,000のN-アセチルグルコサミン単糖を含んでなり、約800,000ダルトン〜約3,000万ダルトンの分子量を有する微小藻類ポリ-β-1→4-N-アセチルグルコサミン。 - 特許庁

A first n-type layer, second n-type layer, third n-type layer, active layer having a multiple quantum well structure, a first p-type layer, second p-type layer, third p-type layer and p-type contact layer are laminated in the order on an n-type contact layer and this light-emitting element has a double heterostructure.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層の上に、第一のｎ型層と、第二のｎ型層と、第三のｎ型層と、多重量子井戸構造を有する活性層と、第一のｐ型層と、第二のｐ型層と、第三のｐ型層と、ｐ型コンタクト層とが順に積層され、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises reducing 2,2-bis(3-nitro-4-hydroxyphenyl)propane in the presence of a catalyst in a state dissolved in a mixed solvent of at least one nitrogen-containing solvent selected from the group consisting of morpholine, N-methylpyrrolidone and N, N-dimethylformamide with a 1-3C lower alcohol.例文帳に追加

２，２−ビス（３−ニトロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを、モルホリン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドからなる群から選ばれた少なくともいずれか１種の窒素含有化合物と、炭素数３以下の低級アルコールとの混合溶媒に溶解させた状態で触媒の存在下還元するようにした。 - 特許庁

The NPN transistor having an epitaxial region in an N-type silicon/P-type silicon germanium/N-type silicon structure and the PNP transistor having an epitaxial region in a P-type silicon/N-type silicon germanium/P-type silicon structure are formed in the silicon wafer after an element separation oxidized film is formed.例文帳に追加

素子分離酸化膜形成後のシリコン基板に、Ｎ型シリコン／Ｐ型シリコンゲルマニウム／Ｎ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＮＰＮトランジスタと、Ｐ型シリコン／Ｎ型シリコンゲルマニウム／Ｐ型シリコンの構造のエピタキシャル領域を有するＰＮＰトランジスタを形成する。 - 特許庁

An in-vehicle device in a transmission side generates a signature data for each unit data that consists of M×N (N=2 in Fig.) times communication data, divides the signature data into M parts as division signature data, and adds parts of the division signature data respectively and sequentially to the communication data so as to transmit the communication data N times repeatedly.例文帳に追加

送信側となる車載装置は、Ｍ×Ｎ（図ではＮ＝２）回分の通信データからなる単位データ毎に、署名データを生成すると共に、その署名データをＭ分割した分割署名データのそれぞれを、通信データに順次付加し、且つＮ回繰り返して送信する。 - 特許庁

To provide an apparatus in which advance to HNO_3 is suppressed to make nitrite N remain without addition of chemicals in the nitration step so that removal of nitrogen can be favorably carried out with ammonical N as a hydrogen donor and nitrite N as a hydrogen receptor in the later step.例文帳に追加

硝化工程において、薬品を添加することなく、硝酸までの進行を抑制し、亜硝酸性窒素を残留させることで、後段のアンモニア性窒素を水素供与体、亜硝酸性窒素を水素受容体とした窒素の除去を良好に行うことできる装置を提供する。 - 特許庁

When a source drain area of an NMOS transistor is formed, an N type impurity is hard to be injected into a well area 11 under an extended area 41a in the direction of gate because of the extended area 41a in the direction of gate of an N+ block area in an N+ block resist 51.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域形成時において、Ｎ^+ブロックレジスト５１におけるＮ^+ブロック領域４１のゲート方向延長領域４１ａによって、ゲート方向延長領域４１ａ下のウェル領域１１には、Ｎ型の不純物が注入されることを回避する。 - 特許庁

The p-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the p-type semiconductor layer are larger than the n-side end average In composition ratios of the well layer and the barrier layer nearest the n-type semiconductor layer, and are less than five times of the n-side end average In composition ratios.例文帳に追加

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 - 特許庁

In a power arm element comprising switching elements and diodes connected in inverse-parallel, n-pieces (n≥2) of reflux diodes, which are connected inversely parallel to a switching element 1b, are connected in series, and the breakdown voltage between each anode and cathode is set to be 1/n of that of the switching element 1b.例文帳に追加

スイッチング素子と逆並列接続ダイオードとからなる電力用アーム要素において、スイッチング素子１ｂに逆並列接続される還流ダイオードを、ｎ個（ｎ≧２）直列接続したものにし、それぞれのアノードおよびカソード間の耐圧をスイッチング素子１ｂの耐圧の１／ｎにする。 - 特許庁

In an independent medium interface part 12, this signal is received and a signal, in which the pulse width of a highest receiving frequency to be estimated in fluctuation of the duty ratio caused by the transmission line becomes 2^n-fold of a basic clock (n; natural number, n≥3), is transmitted corresponding to the local information.例文帳に追加

メディア独立インタフェース部１２は、この信号を受けて、伝送路によりデューティ比が変動した場合に推定される受信周波数の最も高い周波数のパルス幅が基本クロックの２のｎ乗（ｎ；自然数、ｎ≧３）倍になる信号をローカル情報に対応させて送信する。 - 特許庁

An insufficient discharge pattern that does not cause discharge in at least a (n-1)th and a (n-2)th sub-fields in sequence but causes discharge in an n-th sub-field is detected from among an inputted image signal, and the width of a scan pulse is increased during the address period of the sub-field where the insufficient discharge pattern occurs.例文帳に追加

入力される映像信号から、少なくとも（ｎ−１）番目及び（ｎ−２）番目のサブフィールドで連続的に放電を起こさず、ｎ番目のサブフィール度で放電を起こす低放電パターンを検出し、低放電パターンが発生するサブフィールドのアドレス期間に走査パルス幅を増加させる。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

A method for producing N-vinyl carbazoles of this invention consists of a process in which N-(2-hydroxyethyl)carbazoles are obtained by reacting carbazoles with ethylene carbonate in the presence of diazabicycloic base and/or a process in which hydroxy radical of hydroxyethyl radical of N-(2-hydroxyethyl)carbazoles is induced to sulfonate.例文帳に追加

カルバゾール類と炭酸エチレンとをジアザビシクロ系塩基存在下反応させてＮ−（２−ヒドロキシエチル）カルバゾール類を得る工程、及び／又はＮ−（２−ヒドロキシエチル）カルバゾール類のヒドロキシエチル基の水酸基をスルホネート体に誘導する工程を含むＮ−ビニルカルバゾール類の製造方法。 - 特許庁

The air discharge device includes: N pieces of central air outlets 31 provided in the centerline region; N pieces of larboard side air outlets 32 provided in the larboard side region; and N pieces of starboard side air outlets 33 provided in the starboard side region.例文帳に追加

前記空気吹き出し装置は、前記センターライン領域に設けられたＮ個の中央空気吹き出し口３１と、前記左舷側領域に設けられた前記Ｎ個の左舷側空気吹き出し口３２と、前記右舷側領域に設けられた前記Ｎ個の右舷側空気吹き出し口３３とを含む。 - 特許庁