「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Namely, these data are candidates from 2 to 5 having the 'N' of a base character in the head of a character string (retrieval character string) and a candidate 6 having the special character of 'N' in the head of a character string.例文帳に追加

即ち、ベース文字の「Ｎ」を文字列（検索文字列）の先頭に有する候補２から候補５と、「Ｎ」の特殊文字を文字列の先頭に有する候補６である。 - 特許庁

Learning of only the multipoint learning value AGdp [n] is permitted in the multipoint learning region n, and learning of only the basic learning value AG [i] is permitted in the other regions.例文帳に追加

多点学習領域ｎでは多点学習値ＡＧｄｐ［ｎ］の学習のみを許可し、それ以外の領域では基本学習値ＡＧ［ｉ］の学習のみを許可する。 - 特許庁

This optical pulse time spreading device is constituted by being provided with first to U-th optical pulse time spreading units in which SSFBs to be constituted by arranging N unit FBGs in series along the length direction of an optical fiber are utilized.例文帳に追加

光ファイバの長さ方向に沿って直列にN個の単位FBGが配置されて構成されるSSFBが利用された第1〜第U光パルス時間拡散器を具えて構成される。 - 特許庁

In the j-th column of a liquid crystal panel, a pixel 110-1 is provided with an N-channel TFT(thin film transistor) 117N for reset and an N-channel TFT 116N for write-in.例文帳に追加

液晶パネルのｊ番目の列において、画素１１０−１は、リセット用のＮチャネルＴＦＴ１１７Ｎと書き込み用のＮチャネルＴＦＴ１１６Ｎを備える。 - 特許庁

A control part 27 erases Mail No. N-4 as shown in (A) of the drawing to shift down data of Mail Nos. 1 to N-5, and stores the latest received mail in Mail No.1.例文帳に追加

制御部２７は、図６（Ａ）の通り、メール番号Ｎ−４を消去し、メール番号１〜Ｎ−５のデータを下にシフトさせ、最新の受信メールをメール番号１に記憶する。 - 特許庁

The signal generator 10 generates a PWM signal W[n] in which a total pulse width Wt per unit period T is variably set in accordance with a designated light amount L.例文帳に追加

信号生成装置１０は、単位期間Ｔ毎の合計パルス幅Ｗtが指定光量Ｌに応じて可変に設定されたＰＷＭ信号Ｗ[n]を生成する。 - 特許庁

Moreover, an n-electrode 8 where an AlSi alloy film 6 and a Zn film 7 are stacked in order is made in close contact on the n-GaN layer 2, making ohmic contact.例文帳に追加

また、ｎ−ＧａＮ層２上に、ＡｌＳｉ合金膜６およびＺｎ膜７が順に積層されてなるｎ電極８が密着して形成されオーミック接触している。 - 特許庁

N digital values are added in sequence per every continuous N digital values included in the sampling signal, and the digital brightness signal at one Nth frequency of the sampling frequency is formed.例文帳に追加

このサンプリング信号に含まれる連続するＮ個のデジタル値毎に、該Ｎ個のデジタル値を次加算し、サンプリング周波数の１／Ｎの周波数のデジタル輝度信号を生成する。 - 特許庁

Since carbon which functions with respect to the isoelectronics is diffused in the P-N junction, in addition, the luminous efficacy of the P-N junction is improved.例文帳に追加

また、少なくとも上記ＰＮ接合部には、アイソエレクトロニクス中心として機能する炭素が拡散されており、これにより、ＰＮ接合部での発光効率が高められている。 - 特許庁

The length of the n^--type expansion region 19E in the horizontal direction is made smaller than the length L2 of the n^--type expansion region 19 in the horizontal direction (L1<L2).例文帳に追加

ｎ−型拡張領域１９Ｅの横方向の長さＬ１は、ｎ−型拡張領域１９の横方向の長さＬ２より小さくされている（Ｌ１＜Ｌ２）。 - 特許庁

The antenna weight W_beam of an N-M element array antenna having beams in a beam direction θ_beam is first calculated according to direction θ_beam and θ_null(1) to θ_null(M) in which designated beam and null are generated.例文帳に追加

指定されたビーム及びヌルを生成する方向θ_beam及びθ_null(1)〜θ_null(M)に従ってまず、ビーム方向θ_beamにビームを持つN−M素子アレーアンテナのアンテナウェイトW_beamを計算する。 - 特許庁

Here, n video blocks in a video block array constituting video data are correlated to the n device IDs in the device ID array.例文帳に追加

装置ＩＤ列の中のｎ個の装置ＩＤのそれぞれに対して映像データを構成する映像ブロック列の中のｎ個の映像ブロックのそれぞれが対応付けられている。 - 特許庁

In addition, the number of pixels contained in one side of a square region generated by the square region segmenting means 2 should be the N-th power of 2 + 1 (N is a natural number).例文帳に追加

なお、前記正方形領域分割手段２が生成する正方形領域の１辺に含まれる画素が、２のＮ剰＋１（Ｎは自然数）となるようにする - 特許庁

The sequences 106-1 to 106-n are respectively blocked in processing sections 102-1 to 102-n into the number of symbols with respect to the number of repeats in the specified symbol to be added by symbol by the block unit.例文帳に追加

処理部１０２−１〜ｎで、その系列１０６−１〜ｎを、指定シンボルデリピート回数に一致するシンボル数づつブロック化し、この各ブロック単位でシンボルを加算する。 - 特許庁

To provide an in-plane magnetic recording medium having a high medium S/N, free from problem in overwrite characteristics and an excellent bit error rate and sufficiently stable to thermal fluctuation.例文帳に追加

高い媒体S/Nを有し、オーバーライト特性に問題なく、ビットエラーレートに優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な面内磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The N transistors N15, N17 are connected in series for the bit line BLn, and the N transistors N16, N18 are connected in series with respect to the bit line BLnb.例文帳に追加

ＮトランジスタＮ１５，Ｎ１７は，ビット線ＢＬｎに対して直列に接続されており，ＮトランジスタＮ１６，Ｎ１８は，ビット線ＢＬｎｂに対して直列に接続されている。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device, a gate for the n-type MIS transistor region 3 is implanted in a state where an n-type decoupling capacitor region 4 is covered.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、ｎ型ＭＩＳトランジスタ領域３のためのゲート注入を、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４を覆った状態で行う。 - 特許庁

A computer 100 obtains a number N of pages of image data obtained in S101 (S402), compares the number N with a number M of printable pages calculated in S401.例文帳に追加

コンピュータ１００は、Ｓ１０１にて取得した画像データのページ数Ｎを取得し（Ｓ４０２）、Ｓ４０１により算出した印刷可能ページ数Ｍと比較する（Ｓ４０３）。 - 特許庁

This makes it possible to associate the budget records with the execution records in a variety of ways in a n-to-m correspondence (n, m are natural numbers) for flexible budget management.例文帳に追加

こうすることにより、予算レコードと執行レコードを、ｎ対ｍ（ｎ，ｍは自然数）で多様に対応づけることが可能となり、柔軟な予算管理を行うことができる。 - 特許庁

A p-type channel well region 3 is formed in the surface layer part of an n-type epitaxial layer 2 on an n+-substrate 1 and a V-shaped groove 4 is formed in the region 3.例文帳に追加

ｎ^+ 型基板１の上のｎ型エピタキシャル層２の表層部にはチャネルｐウエル領域３が形成され、ｐウエル領域３にはＶ字型溝４が形成されている。 - 特許庁

Positive/negative logic mixing data buses 102, 108 included in a multiplication circuit 100 transmit n (n≥2) bit data in which positive logic and negative logic for bit logic are mixed.例文帳に追加

乗算回路１００が備える正負論理混在データバス１０２，１０８は、ビットの論理が正論理と負論理とが混在しているｎ（ｎ≧２）ビットのデータを伝送する。 - 特許庁

A campaign evaluation part 33 evaluates effects of the campaign on the basis of whether or not the increase in the traffic amount T with respect to the increase in the measured number N of users fits the model.例文帳に追加

キャンペーン評価部３３は、計測されたユーザ数Nの増加に対するトラヒック量Tの伸びが前記モデルに適合するか否かに基づいてキャンペーンの効果を評価する。 - 特許庁

The heating temperature of a mother sheet 4M is adjusted so that each region R in the lateral direction of the mother sheet 4M that is in the arrangement direction of nozzles N faces the respective nozzles N squarely.例文帳に追加

マザーシート４Ｍの加熱温度を、ノズルＮの配列方向であるマザーシート４Ｍの横方向の各領域Ｒが各ノズルＮと正対するように調整した。 - 特許庁

After a timing pull-in has been completed by the pilot symbol capturing operation, the User#n demodulation part 32 issues a timing pull-in completion notification to the User#n control part 31.例文帳に追加

Ｕｓｅｒ＃ｎ復調部３２は、パイロットシンボルのキャプチャ動作にてタイミング引き込みが完了した後、Ｕｓｅｒ＃ｎ受信制御部３１にタイミング引き込み完了通知を発行する。 - 特許庁

The ZnMgSSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 32 is formed in between the p^+-type impurity region 33 and the PMOS 15 in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^＋型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

An n-type source region 107 and a drain region 106 are disposed in parallel to each other in the gate region 103, and they are connected to the n-type channel 203.例文帳に追加

ゲート領域１０３の中にＮ型ソース領域１０７及びドレイン領域１０６が互いに平行に配置され、それらはＮ型チャネル２０３に接続されている。 - 特許庁

The speed improvement rate of the computing speed is made higher in carrying out parallel processing by the (N+1)^2 of computers than that in carrying out parallel processing by the N^2 of computers.例文帳に追加

計算速度の速度向上比は、（Ｎ＋１）＾２個の計算装置で並列処理したときの方が、Ｎ＾２個の計算装置で並列処理したときより高くなる。 - 特許庁

(4) In order to level variation in the emission intensity of the light emitting elements 3, moving average is calculated for an n-th light emitting element and a correction target value Q(n) is calculated.例文帳に追加

（４）各発光素子３の発光強度のばらつきを平準化すべく、ｎ番目の発光素子に対し移動平均を計算して補正目標値Ｑ（ｎ）を算出する。 - 特許庁

To provide a transmission channel redundant switch system that can avoid momentary interruption at execution of switch-back processing in the 1:N type transmission channel switch system and attain long time operation of Extra Traffic in a standby transmission channel.例文帳に追加

1:N型の伝送路切替方式において切戻し処理実行時の瞬断を回避すると共に、予備伝送路でのExtra Trafficの長時間運用を可能とすること。 - 特許庁

It is determined whether or not the designated label is included among the labels from the n-th label to the (n+A-1)th label in a printing history stored in a history storage area 351 (S85).例文帳に追加

そして、履歴記憶領域３５１に記憶されている印刷履歴のｎ番目から（ｎ＋Ａ−１）番目の中に指定ラベルがあるか否かを判断する（Ｓ８５）。 - 特許庁

(4) In order to average variation in emission intensity of the light emitting elements 3, a correction target value Q(n) is determined by calculating the running average for an n-th light emitting element.例文帳に追加

（４）各発光素子３の発光強度のばらつきを平準化すべく、ｎ番目の発光素子に対し移動平均を計算して補正目標値Ｑ（ｎ）を算出する。 - 特許庁

Among estimation accuracy of reference value estimation parts 1 to n, the estimation accuracy in the reference value estimation part 1 is the lowest, and the estimation accuracy in the other reference value estimation parts rise stepwise toward the reference value estimation part n.例文帳に追加

参照値推定部１〜ｎの推定精度は、参照値推定部１が最も低く、参照値推定部ｎに向かうにつれて段階的に上昇する。 - 特許庁

In the current fed type converter having a step-down converter circuit 4 and a push-pull converter circuit 8, n pieces (n≥2) of step-down converter circuits 4a, 4b, 4c... are connected in parallel.例文帳に追加

降圧コンバータ回路４とプッシュプルコンバータ回路８からなるカレントフェッド型コンバータにおいて、ｎ個（ｎ≧２）の降圧コンバータ回路４ａ，４ｂ，４ｃ…を並列接続する。 - 特許庁

To attain improvement in the quality of reception result without causing complication of circuit configuration for S/N (or C/N) calculation, in the diversity reception of an OFDM modulation signal.例文帳に追加

ＯＦＤＭ変調信号のダイバシティ受信において、ＳＮ比（またはＣＮ比）算出のための回路構成の複雑化を招くことなく、受信結果の品質向上を図る。 - 特許庁

In between the p+-type impurity region 33 and the PMOS15, in the upper surface of the n-type impurity region 28, an n+-type impurity region 32 is formed.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises a P-type diffused region 3A provided in an n^--type epitaxial layer 2 of a silicon sub-mount 16, and an n-type diffused region 4A provided in the region 3A.例文帳に追加

シリコンサブマウント１６のＮ^−エピタキシャル層２にＰ型拡散領域３Ａを設け、このＰ型拡散領域３Ａ内にＮ型拡散領域４Ａを設けている。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a memory cell in which data X(z-k) and X(z-n+k) are stored can be specified without using a circuit storing an address and a digital filter.例文帳に追加

アドレスを記憶する回路を用いずに、データＸ(z^-k)とＸ(z^-n+k)とが記憶されているメモリセルを特定できる半導体記憶装置およびデジタルフィルタを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for industrially producing an N,N'- dimethylphenylenediamine-based compound in high purity and in high yield.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ジメチルフェニレンジアミン系化合物を高純度、高収率で合成でき、且つ、工業的生産に適した該化合物の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

All the eight compact thermosensitive resistors 11-n and eight compact reference resistors 12-n are made of the same type of metal in the same shape in the same film thickness.例文帳に追加

８個の小型感熱抵抗体１１−ｎと８個の小型基準抵抗体１２−ｎは全て同種の金属で同一形状同一膜厚に形成される。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming an image on a plate by using the array of n laser diodes which is good in the beam quality of light to be emitted and can be compact in structure.例文帳に追加

照射される光のビーム品質が良好でありコンパクトな構造が可能なn個のレーザダイオードのアレイを用いて、版の画像形成を行う装置を提供する。 - 特許庁

In an embodiment, an N^- type second semiconductor layer 12 of a first conductivity type is formed on an N^++ type first semiconductor layer 11 in a semiconductor device 10.例文帳に追加

一実施形態によれば、半導体装置１０は、Ｎ^＋＋型の第１半導体層１０上にＮ^−型の第１導電型の第２半導体層１２が形成されている。 - 特許庁

A dark display schematically indicated with oblique lines in the figure is performed in sub frames SFn2, SF(n+1)2 and SF(n+2)2 by an image signal processing circuit 170.例文帳に追加

画像信号処理回路１７０によってサブフレームＳＦｎ２、ＳＦ（ｎ＋１）２及びＳＦ（ｎ＋２）２に図中斜線で模式的に示した暗い表示が行われる。 - 特許庁