「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

Fault information notifying devices 3-1-1 to 3-N-M are mounted in service providing devices 2-2-2 to 2-N-M.例文帳に追加

障害情報通知装置３−１−１〜３−Ｎ−Ｍは、サ−ビス提供装置２−１−１〜２−Ｎ−Ｍに設置されている。 - 特許庁

An n type ZnO-based compound semiconductor layer doped with n type impurity is grown on a substrate in the direction of positive c axis.例文帳に追加

基板上に、ｎ型不純物をドープしたｎ型ＺｎＯ系化合物半導体層を＋ｃ軸方向へ結晶成長させる。 - 特許庁

A control circuit 4 calculates a frequency ratio m/n (m, n are natural numbers) in response to the vertical synchronous frequency of a video signal S1.例文帳に追加

制御回路４は、映像信号Ｓ１の垂直同期周波数に応じて周波数比率ｍ／ｎ（ｍ，ｎは自然数）を算出する。 - 特許庁

Then an n^+-type semiconductor region 15 is formed in the substrate 11 by introducing an n-type impurity into the substrate 11 from the other main surface SB of the substrate 11.例文帳に追加

半導体１１の他方の主面ＳＢからＮ型不純物を導入し、Ｎ^＋型半導体領域１５を形成する。 - 特許庁

When R3 is -(L)n-(PUG)m, it may be the same as or different from-(L)n-(PUG)m in the formula.例文帳に追加

Ｇはヒドロキシ基若しくはＮＨＳＯ_2 Ｒ^3 を表し、該Ｒ^3は脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−（Ｌ）_n −（ＰＵＧ）_m を表す。 - 特許庁

The conversion part outputs the sensor output in the state of 1/n-th times, when the capacity of the power storage device is n-th times as large as the reference capacity.例文帳に追加

変換部は、蓄電装置の容量が基準容量のｎ倍であるときは、センサの出力を１／ｎ倍して出力する。 - 特許庁

Denoting the count value of timers to be multiplied as (n), an FIFO(First-IN First-Out) memory is stored with (n-1) timing identifiers.例文帳に追加

多重化する各タイマのカウント数をｎとすると、ＦＩＦＯメモリ３０には、ｎ−１個のタイミング識別子が予め記憶されている。 - 特許庁

An operating frequency band is divided into n-sets (n is a natural number) of subcarrier f-fn, and the subcarriers f1-fn are furthermore used in time division.例文帳に追加

使用周波数帯をｎ個（ｎ：自然数）のサブキャリアｆ１〜ｆｎに分割して、このサブキャリアｆ１〜ｆｎを、更に、時分割で使用する。 - 特許庁

Then when the N+ additional embedded layer 45 is diffused in combination with another process, the N+ additional embedded layer 45 is formed wider.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型付加埋め込み層４５を他の工程と合わせて拡散するとき、Ｎ^+型付加埋め込み層４５はより幅広く形成される。 - 特許庁

To reduce a computation amount, or the like, in the convolution computation of the discrete-time signal x[n] of a length N and the filter coefficient h[m] of a length M.例文帳に追加

長さＮの離散時間信号ｘ［ｎ］と長さＭのフィルタ係数ｈ［ｍ］の畳み込み演算の演算量等を低減する。 - 特許庁

As shown in Fig.10, a duty D_2(N)=D_5(N)=100 is held for ejection nozzles NZ of nozzle groups of M=3, 4, 9 and 10.例文帳に追加

図１０に示すように、Ｍ＝３，４，９，１０のノズル群の吐出ノズルＮＺにおいてはデューティＤ_2（Ｎ）＝Ｄ_5（Ｎ）＝１００とする。 - 特許庁

The N+ channel stop layer 7 is so provided in frame as to be continuous to the N+ channel stop layer 6 outside the array of the P+ diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｎ^+チャンネルストップ層７はＰ^+拡散層５の配列の外側にＮ^+チャンネルストップ層６と連続して枠状に設けられている。 - 特許庁

This method for purifying the N-carboxylic acid anhydride comprises bringing a solution or a suspension of the N-carboxylic acid anhydride(s) prepared in a nonpolar solvent into contact with silica.例文帳に追加

非極性溶剤で調製した無水Ｎ−カルボン酸(単数または複数)の溶液または懸濁液をシリカと接触させる。 - 特許庁

Digit sequence a(k) of an arbitrary length is inputted and is arrayed in a matrix A (n×n) according to prescribed array procedures (step P01).例文帳に追加

任意の長さの数字列ａ（ｋ）を入力して所定の配列手順に従ってマトリックスＡ（ｎ×ｎ）に配列する（ステップＰ０１）。 - 特許庁

A cylinder injection quantity GCYLD#n and a port injection quantity GCYLP#n are calculated in response to the request fuel quantity GCYL and the injection mode.例文帳に追加

また、要求燃料量ＧＣＹＬおよび噴射モードに応じて、筒内噴射量ＧＣＹＬＤ＃ｎおよびポート噴射量ＧＣＹＬＰ＃ｎを算出する。 - 特許庁

When the parallel-connected switches DI to Dn in Group B are turned on, cell A2 and cell B1, cell A3 and cell B2,..., and cell An and cell B (n-1) are parallel- connected, respectively.例文帳に追加

次に、Ｂグループ並列接続スイッチD1〜Dn をONすると、セルA2とセルB1、セルA3とセルB2、…セルAnとセルB（n-1）が、それぞれ並列接続される。 - 特許庁

The information about the division ratio is set in relation to arrangement of the media display shelf 133 at each of the shops 121_-0-121_-n.例文帳に追加

この分配率の情報は、店舗１２１_-0〜１２１_-nにメディア陳列棚１３３を配置することに関連して設定されたものである。 - 特許庁

When an error probability of one header area is denoted as P_e, for example, an error probability in N times of writing on the header area becomes P_e^N.例文帳に追加

例えば１つのヘッダー領域のエラー確率をＰ_eとすると、ヘッダー領域をＮ重書きしたときのエラー確率はＰ_eのＮ乗となる。 - 特許庁

SRAMs 1a and 1b temporarily hold image data of successive (n) lines (n=4 in this implementation) alternately by lines.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１ａ，１ｂは、各々、連続したｎライン分（本実施形態ではｎ＝４）の画像データをライン単位で、交互に一時的に保持する。 - 特許庁

In addition, relation expressed by α/2=n×θ is established, wherein θ expresses a minimum action angle of the electric motor 17 and n expresses a positive integer.例文帳に追加

又、電動モータ１７の最小の動作角度をθ、ｎを正の整数とすると、α／２＝ｎ×θの関係が設定されている。 - 特許庁

In general formula [1], X denotes a halogen atom; R denotes a hydrogen atom or an alkyl group; n is an integer of 3-6; and n+m=6.例文帳に追加

（一般式［１］中、Ｘはハロゲン原子、Ｒは水素原子またはアルキル基を示し、ｎは３〜６の整数で、且つ、ｎ＋ｍ＝６である。） - 特許庁

The noxious insect repelling composition for human body contains N,N-diethyl-m-toluamide in combination with a solvent extract of a plant.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルアミドと共に植物の溶媒抽出エキスを配合したことを特徴とする人体用害虫忌避組成物。 - 特許庁

This reaction may be carried out in the presence of a catalyst such as an N,N-disubstituted amide, a nitrogen-containing heteroaromatic compound, a tertiary amine, etc.例文帳に追加

この反応は、Ｎ，Ｎ−二置換アミド、含窒素複素芳香族化合物、第３級アミン等の触媒の存在下に行ってもよい。 - 特許庁

The differential amplifier further has n type MOSFETs N5 and N6 connected in series with the n type MOSFETs N1 and N2.例文帳に追加

差動増幅器は、更に、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ１、Ｎ２に夫々直列に接続されたｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ５、Ｎ６を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, n-type drain regions 7 and 7' arranged inside are formed to surround n-type source regions 8 and 8'.例文帳に追加

半導体装置は、その内部に設けられたｎ型ドレイン領域７，７’が、ｎ型ソース領域８，８’を取り囲むように形成される。 - 特許庁

Input image data are sorted to a plurality of encryption schemes 1 to N having different encryption algorithms in an encryption section 104 and are encrypted.例文帳に追加

入力画像データを暗号化部１０４の暗号化アルゴリズムの異なる複数の暗号化方式1〜Nに振り分けて暗号化する。 - 特許庁

In-padding information insertion sections 11-1 to 11-n input information required among IF sections 1-1 to 1-n to the padding sections.例文帳に追加

パディング内情報挿入部１１−１〜１１−ｎは各ＩＦ部１−１〜１−ｎ間で必要な情報をパディング部に入力する。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

A representative sending port is registered on each of routing tables 21a-1 to 21a-N in IP address retrieval parts 21-1 to 21-N.例文帳に追加

ＩＰアドレス検索部２１−１〜２１−Ｎのルーチングテーブル２１ａ−１〜２１ａ−Ｎに対して代表送出先ポートを登録している。 - 特許庁

An IGBT is formed in the epitaxial layer 3 etc., surrounded with the N+-type buried guard layer 2 and N+-type guard ring 9 etc.例文帳に追加

前記Ｎ＋型埋め込みガード層２と該Ｎ＋型ガードリング９等に囲まれた前記エピタキシャル層３等にＩＧＢＴを形成する。 - 特許庁

A scale factor (α) is obtained on the basis of a ratio of the maximum power to a soft decision maximum value (Bmax) expressed in M (M<;N) bits.例文帳に追加

最大電力値と、M(M<N)ビットで表現することが可能な軟判定最大値（Bmax）との比に基づいてスケール因子（α）を求める。 - 特許庁

The crystalline N-MAA having substantially free from the aldehyde-like smell is held and stored in the atmosphere containing the acidic gas or the basic gas.例文帳に追加

実質的にホルムアルデヒド様臭がない結晶状N-MAA を、酸性ガスまたは塩基性ガスを含む雰囲気下に保持して貯蔵する。 - 特許庁

Next, the phosphorus ion implantation is performed in multiple stages using the resist mask to form the n-type well layer to surround a high concentration n-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階でリンイオン注入し、高濃度Ｎ型ウエル層を囲むように、Ｎ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

The first transistor and the second transistor are connected in series between the n-th bit line and the (n+1)th bit line.例文帳に追加

前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターは、ｎ番目のビットラインとｎ＋１番目のビットラインとの間に直列に連結される。 - 特許庁

Since heat is transported from the silicon semiconductor 101 side to outside in the N-type material 102, the silicon semiconductor 101 is cooled.例文帳に追加

N型材料１０２では熱がシリコン半導体１０１側から外側に輸送されるため、シリコン半導体１０１が冷却される。 - 特許庁

The third antenna group comprises 6 triangle arrays each comprising (N-M)(N-M-1)/2 antennas arranged in a regular triangle shape.例文帳に追加

第３のアンテナグループは、夫々、（Ｎ−Ｍ）（Ｎ−Ｍ−１）／２個のアンテナを正三角形状に配置してなる６個のトライアングルアレイで構成する。 - 特許庁

In an open area where the n^- GaAs layer 4 is not formed on the n^+ GaAs layer 3, a cathode electrode 6 is formed.例文帳に追加

ｎ＋ＧａＡｓ層３上でｎ−ＧａＡｓ層４が形成されていない開口領域には、カソード電極６が形成されている。 - 特許庁

A processing part 1 inputs N kinds of (N) observation signals from an input part 2 or an observation signal file 51 in a storage part 5 (S10).例文帳に追加

処理部１は、入力部２又は記憶部５の観測信号ファイル５１からＮ種類（Ｎ個）の観測信号を入力する（Ｓ１０）。 - 特許庁

An N+ type drain layer 1 is formed on the surface of the N type epitaxial layer 6 in a region separated from the P+ type gate layer 2b.例文帳に追加

前記Ｐ＋型ゲート層２ｂから離間した領域の前記Ｎ型エピタキシャル層６の表面にＮ＋型ドレイン層１を形成する。 - 特許庁

To provide a noxious insect repelling composition for human body, emitting decreased disagreeable smell of N,N-diethyl-m-toluamide and having improved feeling in use.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｍ−トルアミドによる異臭を軽減し、使用感を改善した人体用害虫忌避組成物を提供すること。 - 特許庁

The diffraction lens 10" has a group of strips (B1 to Bn, 604-1 to 604-n), and the diffraction grating in each strip can be corrected.例文帳に追加

本発明の回折レンズ（10″）は、一組の帯状部（B1〜Bn,604-1〜604-n ）を有し、各帯状部の回折格子が修正されるようになっている。 - 特許庁

Nitrogen gas and pressured air are selectively introduced to secondary piping 21-24 which are arranged in the (n+2) to (n-1)-th floors of the building 1.例文帳に追加

建物１の（ｎ＋２）〜（ｎ−１）階に設けた２次側配管２１〜２４内に対し、窒素ガスと加圧空気とを選択的に導入する。 - 特許庁

A locker system having locker doors in a set of N is equipped with a plurality of door control parts for locking/unlocking the electric locks #1-#N, respectively.例文帳に追加

Ｎ個のロッカー扉を有するロッカーシステムは、電気錠＃１〜＃Ｎをそれぞれ施解錠するための複数の扉制御部を備えている。 - 特許庁

It is preferable that the heavy metal treatment agent further comprises a salt of an amine and a carbodithionic acid, or a piperazine-N,N'-bis(carbodithionic acid) salt in particular.例文帳に追加

さらにアミンのカルボジチオ酸塩を含むことが好ましく、特にピペラジン−Ｎ，Ｎ’−ビスカルボジチオ酸塩を含んでなるものが好ましい。 - 特許庁

A trench 5, which is deeper than the N^+-type impurity doped region 4, is formed in the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-形シリコン基板１の上面３内には、Ｎ^+形不純物導入領域４よりも深いトレンチ５が形成されている。 - 特許庁