「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing the N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt is characterized by recovering the purified N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt by an extraction treatment with an alcohol of the crude N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt obtained by the salt exchanging reaction of an imidazolium halogen salt with a compound having an anion to be salt-exchanged, as shown in formula (1).例文帳に追加

イミダゾリウムハロゲン塩と、塩交換すべきアニオンを有する化合物とを下記（１）式のように塩交換反応させて得られた粗Ｎ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩を、アルコールで抽出処理することにより精製されたＮ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩を回収することを特徴とするＮ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩の製造方法。 - 特許庁

A light emitting element array chip 1 is composed of n (n is an integer ≥2) switching thyristors S, n signal transmission lines GH individually connected to N-gate electrodes (d) of the switching thyristors S and a plurality of light emitting thyristors T in each of which an N-gate electrode (b) is connected to any one of the n signal transmission lines GH.例文帳に追加

ｎ（ｎは２以上の整数）個のスイッチ用サイリスタＳと、前記スイッチ用サイリスタＳのＮゲート電極ｄに個別に接続されるｎ本の信号伝送路ＧＨと、前記ｎ本の信号伝送路ＧＨのうちのいずれか１つとＮゲート電極ｂが接続される複数の発光用サイリスタＴとを含んで発光素子アレイチップ１を構成する。 - 特許庁

The optical disk device sets an attenuation rate for deciding the updating speed of a tap coefficient, After N block (integer positive in N) reproduce, determines the convergence of adaptive equalization processing based on an error obtained from a FIR filter output and an equalization target value or a tap coefficient amount per unit time, and decides the number of converged blocks N with respect to the set attenuation rate.例文帳に追加

本発明における光ディスク装置は、タップ係数の更新速度を決定する減衰率を設定し、Nブロック（Nは正の整数）再生後、FIRフィルタ出力と等化目標値から得られる誤差或いは、単位時間当りのタップ係数量から、適応等化処理の収束を判定、設定した減衰率に対する収束ブロック数Nを決定する。 - 特許庁

There is disclosed a method of manufacturing inorganic nanofibers by electrospinning using a sol solution containing an inorganic component as a main component, characterized in that the sol solution contains a metal alkoxide having a high reactivity and a salt catalyst, and that the salt catalyst is an amine based compound having an N-N bond, an N-O bond, an N-C=N bond, or an N-C=S bond.例文帳に追加

無機成分を主体とするゾル溶液を用いて静電紡糸法により無機ナノファイバーを製造する方法であって、前記ゾル溶液が、反応性の高い金属アルコキシドと、塩触媒とを含有し、前記塩触媒が、Ｎ−Ｎ結合、Ｎ−Ｏ結合、Ｎ−Ｃ＝Ｎ結合、又はＮ−Ｃ＝Ｓ結合を有するアミン系化合物であることを特徴とする。 - 特許庁

An average In composition ratio at a p-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the p-type semiconductor layer is larger than an average In composition ratio at an n-side end in the well layer and the barrier layer the nearest to the n-type semiconductor layer and five times or less of the average In composition ratio at the n-side end.例文帳に追加

ｐ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｐ側端平均Ｉｎ組成比は、ｎ型半導体層に最も近い井戸層及び障壁層におけるｎ側端平均Ｉｎ組成比よりも大きく、ｎ側端平均Ｉｎ組成比の５倍以下である。 - 特許庁

In this device, a floodlight system fiber switching mechanism for passing successively and selectively floodlighting light from one optical fiber among optical fibers to the number of n is provided in the middle of the optical fibers to the number of n in a floodlight system corresponding to n-channels, and each reception light from the optical fibers to the number of n in a light reception system is received in common by one spectroscope.例文帳に追加

この発明は、ｎチャネルに対応する投光系のｎ本の光ファイバの途中にｎ本のうちの１本の光ファイバの投光光を順次選択的に通過させる投光系ファイバ切換機構を設け、１つの分光器でｎ本の受光系光ファイバからの受光光を共通に受けるようにしたものである。 - 特許庁

This invention relates to the manufacturing process of the N,N-dialkylallylamine polymer or its addition salt in which addition salt of N,N-dialkylallylamine is polymerized in an aqueous solvent in the presence of a radical initiator having an azo group in the molecule or a persulfate-based radical initiator in an amount of 5 to 100 mol.% based on the addition salt and is neutralized at a request.例文帳に追加

水系溶媒中において、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリルアミンの付加塩を、該付加塩に対して５〜１００モル％の、分子中にアゾ基を有するラジカル開始剤または過硫酸塩系ラジカル開始剤の存在下で重合させ、所望により中和することを特徴とする、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアリルアミン重合体またはその付加塩の製造方法である。 - 特許庁

In an n-layer 102, an n-side crystal defect layer 107 formed by ion implantation of a light element is locally formed in stripes extending in a vertical direction in Fig.1(b).例文帳に追加

ｎ^−層１０２中には、軽元素のイオン注入によって形成されたｎ側結晶欠陥層１０７が、図１（ｂ）における上下方向に延びたストライプ状に局所的に形成されている。 - 特許庁

Arithmetic parts, 2L pieces, are provided in parallel with inputs and value of the counter is shifted (n) by (n) in each arithmetic part, so that pixel data in the pixels of the reduced image data are calculated in order by each arithmetic part.例文帳に追加

２Ｌ個の演算部を入力に対して並列に備え、カウンタの値を各演算部でｎずつずらすことにより、各演算部で、縮小後の画像データの各画素での画素データが順に計算される。 - 特許庁

Then an n^--type gate silicon area 110 and an n^+-gate silicon area 111 are formed by injecting ions of n-type impurities into a part where a metal film 108 of the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 is removed ((f) in Fig.).例文帳に追加

Ｎ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７の金属膜１０８が除去された部分に、Ｎ型不純物をイオン注入して、Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１を形成する（図２（ｆ））。 - 特許庁

A pin photodiode is formed by laminating an n-InP layer 22, an I-InGaAs layer 24, and an n-InP layer 26 on an n-InP substrate 20 and forming p-type diffusion areas 28 by diffusing Zn in the n-InP layer 26.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰ層２２，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層２４，ｎ−ＩｎＰ層２６が積層され、ｎ−ＩｎＰ層２６内にＺｎが拡散されてｐ型拡散領域２８が形成され、ｐｉｎフォトダイオードが作られている。 - 特許庁

A low-concentration p-type impurity region having a concentration approximately identical to that of a low-concentration n-type impurity region to be a channel region of a depression type n-channel MOS transistor is formed under the low concentration n-type impurity region to suppress variations in the depth of the low-concentration n-type imputiry region.例文帳に追加

デプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタの、チャネル領域となる低濃度Ｎ型不純物領域の下に、同程度の濃度の低濃度Ｐ型不純物領域を形成し、低濃度Ｎ型不純物領域の深さばらつきを抑制する。 - 特許庁

Each of one ends of resistors (pull-up resistors) 12-1 to 12-N is connected to each of I/O lines 8-1 to 8-N through switches 11-1 to 11-N, and each of the other ends of the pull-in resistors 12-1 to 12-N is connected to a predetermined power source potential Vcc.例文帳に追加

Ｉ／Ｏライン８−１〜８−Ｎにスイッチ１１−１〜１１−Ｎを介して抵抗（プルアップ抵抗）１２−１〜１２−Ｎの一端を接続し、プルアップ抵抗１２−１〜１２−Ｎの他端を所定の電源電位Ｖｃｃに接続する。 - 特許庁

When an N-value data latch circuit 6 receives N-value data denoting a frequency division number, a frequency divider 5 multiplies the output signal of a VCO 4 by (1/N) and a memory 7 outputs a voltage VC stored in an address corresponding to the frequency division number N.例文帳に追加

Ｎ値データラッチ回路６に分周数を示すＮ値データが入力されると、分周器５がＶＣＯ４の出力信号を（１／Ｎ）倍すると共に、メモリ７が分周数Ｎに対応するアドレスに格納されている電圧ＶＣを出力する。 - 特許庁

The semiconductor thin film is provided with an LDD region 4 positioned on both sides of the gate electrode, where n-type impurities are present in low density, and a source/drain region 3 positioned on the outer side of the LDD region where the n-type impurities are present at high concentration.例文帳に追加

半導体薄膜は、ゲート電極の両側に位置しn型不純物が低濃度に存在するＬＤＤ領域４、及びＬＤＤ領域の外側に位置しn型不純物が高濃度に存在するソース／ドレイン領域３を有する。 - 特許庁

A pyridinium ring in which a dialkylamino group or a nitrogen-containing suturated heterocyclic group is substituted for its 4 position and a plurality of p-phenylenes are made to bond together through a single bond, -O-CO-, -CO-O-, -C≡C-, -CH=CH-,-CH=N-, -N=CH-, or -N=N-.例文帳に追加

４位をジアルキルアミノ基または含窒素飽和複素環基で置換したピリジニウム環と複数のｐ−フェニレンを、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−または−Ｎ＝Ｎ−で結合させる。 - 特許庁

A center of gravity narrowing part 7c divides a circumferential area of a distance r into n areas in order to narrow down to n contents when the number N of contents is larger than a prescribed number n, calculates the position of a center of gravity of each area and extracts content located at the center of gravity.例文帳に追加

重心絞込み部７ｃは、コンテンツ数Ｎが所定数ｎよりも多いとき、ｎ個に絞り込むために、距離ｒの円周領域をｎ分割し、各領域の重心位置を求めて、その重心に位置するコンテンツを抽出する。 - 特許庁

Antennas 11_-1-11_-n are individually installed in processes 1_-1-1_-n where products 2 with product IC tags 3 attached thereto are received and operators 4_-1-4_-n wearing operator IC tags 5_-1-5_-n work.例文帳に追加

生産物ＩＣタグ３を付した生産物２が搬入されると共に、作業者ＩＣタグ５_−１〜５_−ｎを付けた作業者４_−１４_−ｎが作業をする工程１_−１〜１_−ｎには、個別にアンテナ１１_−１〜１１_−ｎが設置されている。 - 特許庁

The method comprises conducting a reaction of introducing a protective group into an amino group in an amino acid under an alkaline condition so as to prepare the N-protected amino acid and subsequently obtaining the resulting N-protected amino acid as a crystal without undergoing any extraction step or concentration step.例文帳に追加

アルカリ条件下でアミノ酸のアミノ基に保護基を導入する反応を行いN-保護アミノ酸を生成させた後、該反応液から、抽出工程及び濃縮工程を経ることなく、生成したN-保護アミノ酸を結晶として得る方法。 - 特許庁

This ethylenediamine-N,N'-dimalonatotin (II) complex is shown by general formula (1), and produced by reacting an alkali metal salt of ethylenediamine-N,N'-dimalonic acid with tin and/or a tin compound in an aqueous medium and then acidifying the reaction product.例文帳に追加

一般式１のエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジマロン酸錫（ＩＩ）錯体、 および、その製造方法であってエチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジマロン酸のアルカリ金属塩を錫及び／又は錫化合物と水性媒体中で反応させた後、生成物を酸性化する方法。 - 特許庁

An N up control section 110 performs N up setting processing to print data which consist of one or a plurality of pages published by a print instruction section 102, based on an N up preset value set for each page in an N up information table 108.例文帳に追加

印刷指示部１０２から発行される１または複数ページからなる印刷データに対して、Ｎアップ制御部１１０がＮアップ情報テーブル１０８に設定されたページ単位のＮアップ設定値に基づいてＮアップ設定処理を行う。 - 特許庁

In the regular method, an integer "s" smaller than "n" is chosen for defining an integer n'=n-s whose m-ary representation is added digit-wise to the m-ary representation of "s" to yield a recoded representation of "n", for some integer "m".例文帳に追加

当該方法では、ｎよりも小さい整数ｓが選択され、整数ｎ’＝ｎ−ｓが定義され、整数ｎ'のｍ変数の表現は、ある整数ｍについて桁毎にｓのｍ変数の表現に加算され、ｎの再コード化された表現が生成される。 - 特許庁

In the MRAM with this constitution, the resistant value between the first magnetic material layer and the (n+1)-th magnetic material layer can be different values of {(n^2+n+2)/2} pieces or more, according to the direction of the first-(n+1)-th spontaneous magnetization.例文帳に追加

このような構成を有する当該磁性メモリでは、第１〜第（ｎ＋１）自発磁化の方向に応じて、第１磁性体層と第（ｎ＋１）磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも｛（ｎ^２＋ｎ＋２）／２｝個以上の互いに異なる値をとり得る。 - 特許庁

Each of the sector regions 210 of N pieces has first memory blocks 214 of (n) pieces divided in the row direction, one of them is a redundant memory block, the first memory blocks of (n-1) pieces correspond to input/output terminal I/O of (n-1) pieces.例文帳に追加

Ｎ個のセクタ領域２１０の各々は、行方向で分割されたｎ個の第１メモリブロック２１４を有し、その一つが冗長メモリブロックであり、（ｎ−１）個の第１メモリブロックが（ｎ−１）個の入出力端子Ｉ／Ｏに対応している。 - 特許庁

The communication device using an N × N full mesh optical fiber cabling apparatus in one embodiment of this invention is equipped with package boards (41 to 44) with a transmission/reception module, and the N × N full mesh optical fiber cabling apparatus for connecting these package boards to each other.例文帳に追加

本発明の一実施形態によるＮ×Ｎフルメッシュ光ファイバ配線装置を用いた通信装置は、送受信モジュールを備えたパッケージボード（４１〜４４）と、これらパッケージボードを相互接続するＮ×Ｎフルメッシュ光ファイバ配線装置とを備える。 - 特許庁

In this controlling method for an upshift operation for an automatic mechanical transmission device for vehicle and control system therefor, when an upshift from the present connection ratio (GR) is requested (ES>ESU/S), a skip upshift (GRTARGET=GR+N,N>1) and a single stage upshift (GRTARGET= GR+1) are successively evaluated.例文帳に追加

車両用機械式自動変速装置(10)のアップシフト操作の制御方法及び制御システムであって、現在の連結比(GR)からのアップシフトが要求された場合(ES>ES_U/S)スキップアップシフト(GR_TARGET=GR+N,N>1)及び単段アップシフト(GR__TARGET=GR+1)が順次評価される。 - 特許庁

A source region is formed by an n^+-type substrate, a trench 2 is formed on a principal surface of the n^+-type substrate, and then a p-type base region 3, an n^--type drift region 4, and an n^+-type drain region 5 are sequentially epitaxially grown in the trench 2.例文帳に追加

ｎ^+型基板１によってソース領域を構成し、ｎ^+型基板１の主表面にトレンチ２を形成したのち、トレンチ２内にｐ型ベース領域３、ｎ^-型ドリフト領域４およびｎ^+型ドレイン領域５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

First, serial digital video data inputted to SD I/Fs 20_1, 20_2,...20_(n-1) in inputting parts 12_1, 12_2,...12_(n-1) are supplied to buffer memories 23_1, 23_2,...23_(n-1) through data formatters 21_1, 21_2,...21_(n-1).例文帳に追加

そして、入力部１２_１，１２_２・・・１２_（ｎ−１）において、先ず、ＳＤＩ／Ｆ２０_１，２０_２・・・２０_（ｎ−１）に入力されたシリアルディジタルの映像データは、データフォーマッター２１_１，２１_２・・・２１_（_ｎ−１）を介してバッファメモリ２３_１，２３_２・・・２３_（ｎ−１）に供給される。 - 特許庁

This insecticide compositionffion comprises 1-methyl-2-nitro-3-[(3- tetrahydrofuryl)methyl] guanidine and N,N-dimethylacetamide in a weight ratio of 1-methyl-2-nitro-3-[(3-tetrahydrofuryl)methyl] guanidine: N,N- dimethylacetamide is 1:1-1:999.例文帳に追加

１−メチル−２−ニトロ−３−［（３−テトラヒドロフリル）メチル］グアニジン及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを含有し、１−メチル−２−ニトロ−３−［（３−テトラヒドロフリル）メチル］グアニジンとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの重量比が１：１〜１：９９９の範囲である殺虫組成物。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

In the aqueous solution containing tetra-n-butylammonium bromide as a solute, tetra-n-butylammonium fluoride is added as a supercooling prevention agent, and a weight ratio of the tetra-n-butylammonium fluoride to the tetra-n-butylammonium bromide is within a predetermined range.例文帳に追加

臭化テトラｎブチルアンモニウムを溶質として含み、弗化テトラｎブチルアンモニウムが過冷却防止剤として添加されており、臭化テトラｎブチルアンモニウムに対する弗化テトラｎブチルアンモニウムの重量比率が所定の範囲である水溶液を準備する。 - 特許庁

The N,N,N',N'-tetraarylbenzidine derivative is produced by dissolving a triarylamine and an oxidizing agent in a cosolvent comprising a solvent A dissolving the triarylamine and a solvent B dissolving the oxidizing agent and performing an oxidation reaction.例文帳に追加

トリアリールアミン類を溶解することができる溶媒Ａと、酸化剤を溶解することができる溶媒Ｂの共溶媒中に、該トリアリールアミン類と該酸化剤を溶解させ、酸化反応により、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアリールベンジジン誘導体を製造する。 - 特許庁

As a method for converting each multilevel data in n image planes corresponding to n type of recording aspects into a quantized value, first, a total value of pixels corresponding to the n image planes is converted into the quantized value of n+1 levels, using error diffusion processing.例文帳に追加

ｎ種類の記録態様に対応したｎ個のイメージプレーンの各々の多値データを量子化値に変換する方法は、まず、ｎ個のイメージプレーンの対応する画素の合計値を誤差拡散処理を用いてｎ＋１個のレベルの量子化値に変換する。 - 特許庁

BIP-N operation by another BIP-N arithmetic circuit, which is required in a conventional manner, is dispensed with by providing a differential insertion circuit 4 to input a BIP-N arithmetic value 11 of the BIP-N arithmetic circuit 1 and insertion data 14.例文帳に追加

ＢＩＰ—Ｎ演算回路１のＢＩＰ−Ｎ演算値１１と挿入データ１４とを入力する差分挿入回路４を設けることにより、従来必要であった別のＢＩＰ−Ｎ演算回路によるＢＩＰ−Ｎ演算を不要にする。 - 特許庁

Thus, (n) segment lines are put in one group for the number (n) of common lines and (n) pixels are driven to illuminate in the group, so that only the (n) specified pixels are made to illuminate.例文帳に追加

単純ドットマトリックス型の液晶表示器２１を例えば１／８デューティで駆動する場合は、８本のセグメントラインＳ１〜Ｓ８を１つのグループとし、そのグループ内で各セグメントラインＳ１〜Ｓ８毎にそれぞれコモンラインＣ１〜Ｃ８が異なる１つの画素Ｇ１１，Ｇ２２，…，Ｇ８８を点灯させる。 - 特許庁

Reaction impurities are removed to isolate methylene blue by using a chemical reaction product composed of a color developer N, N'-Dimethyl-p-phenylenediamine and ferric chloride 'fixing solution', auxiliary filter paper after capturing and fixing hydrogen sulfide in a specimen by using filter paper or a support obtained by containing zinc in a swab.例文帳に追加

濾紙もしくは綿棒に亜鉛を含有させた支持体を用いて検体中の硫化水素を捕捉、固定後、発色剤N,N'-Dimethyl-p-phenylenediamineと塩化第２鉄からなる化学反応産物を「固定液」、補助濾紙を用いることにより、反応夾雑物を除去し、メチレンブルーを単離することである。 - 特許庁

An insulating layer 9 of a predetermined depth is formed around the n^+ region 4 around the n^+ region 5, and around the n^+ region 6 in the main surface S1 of the epitaxial layer 2; and restricts a current path region A1 formed between the n^+ regions 3 and 4 in the insulating layer 9.例文帳に追加

エピタキシャル層２の主表面Ｓ１においてＮ^+領域４の周り、Ｎ^+領域５の周り、およびＮ^+領域６の周りに所定深さの絶縁層９が形成され、絶縁層９にてＮ^+領域３とＮ^+領域４との間に形成される電流経路領域Ａ１を規制している。 - 特許庁

When an (n)th division portion is stored, data of a part including a peripheral part to be referred to when a part to be decoded of the (n)th division portion in data included in an (n-1)th division portion are added to the (n)th division portion and stored.例文帳に追加

また、ｎ番目の分割部分を記憶させる際、ｎ−１番目の分割部分に含まれるデータのうち、ｎ番目の分割部分における符号化対象部分を符号化処理する際に参照する周辺部分を含む部分のデータを、ｎ番目の分割部分に付加して記憶させる。 - 特許庁

In the semiconductor device, an embedded N-type region comprising a silicon region including high N-type impurities is disposed at a lower portion of a channel region in the N-type MOS transistor for ESD protection for protecting the N-type MOS transistor of an internal element and the other internal elements from a breakdown due to ESD.例文帳に追加

内部素子のＮ型ＭＯＳトランジスタやその他の内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するためのＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域の下部に、濃いＮ型の不純物を有するシリコン領域からなる埋め込みＮ型領域を配置した半導体装置とした。 - 特許庁

Then, in the second and subsequent A/D conversion processing, A/D conversion processing is not performed for high-order n bits of the N-bit digital value obtained in the first A/D conversion processing and it is left fixed, and A/D conversion is started from the low-order bits equal to or lower than the (N-n)th bit, that is, from the middle of the bits.例文帳に追加

そして、２回目以降のＡ／Ｄ変換処理では、１回目のＡ／Ｄ変換処理で得たＮビットのデジタル値の上位ｎビットについてはＡ／Ｄ変換処理を行わずにそのまま固定とし、（Ｎ−ｎ）ビット以下の下位ビットから、即ちビットの途中からＡ／Ｄ変換を開始する。 - 特許庁

In this feeder system, the inverters INVn-INVn+3, etc., of a substation installed in intervals n-n+3, etc., respectively, have capacitances individually set for the intervals to enable normal travel of the LSM vehicle so that the inverters do not require unnecessarily large capacitances.例文帳に追加

き電システムにおいては、各区間n〜n+3・・・毎に設けられた変電所のインバータ装置ＩＮＶn〜ＩＮＶn+3・・・の容量が、各区間毎にＬＳＭ式車両Ｒの通常の運行を実現できる程度に個々に設定されるため、各インバータ装置の容量が不必要に大きくなるのを防止することができる。 - 特許庁

In a step S12, it is determined whether a deviation of "1" from the inclination of a straight line that connects between current detection values iua(n) and iub(n) by a pair of current sensors for detecting a current flowing in the same phase with previous detection values iua(n-1) and iub(n-1) is a threshold value δ or less.例文帳に追加

ステップＳ１２において、同一の相を流れる電流を検出する一対の電流センサによる今回の検出値ｉｕａ（ｎ）、ｉｕｂ（ｎ）と、前回の検出値ｉｕａ（ｎ−１）、ｉｕｂ（ｎ−１）とを結ぶ直線の傾きと「１」とのずれが閾値δ以下であるか否かを判断する。 - 特許庁

A MOS transistor 102 formed in the n^- semiconductor layer 2 of the nMOS region 202 includes an n^+ impurity region 12 provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 in the nMOS region 202 and a drain electrode 24 electrically connected to the n^+ impurity region 12.例文帳に追加

ｎＭＯＳ領２０２のｎ^-半導体層２に形成されたＭＯＳトランジスタ１０２は、ｎＭＯＳ領域２０２内のｎ^-半導体層２の上面内に設けられたｎ^+不純物領域１２と、ｎ^+不純物領域１２に電気的に接続されたドレイン電極２４とを有している。 - 特許庁

Then, higher-order n bits of an N-bit digital value obtained in the first A/D conversion processing are fixed without A/D conversion in second or the subsequent A/D conversion processing, and A/D conversion is started from a low-order bit equal to or lower than the (N-n) bit, or from an intermediate bit.例文帳に追加

そして、２回目以降のＡ／Ｄ変換処理では、１回目のＡ／Ｄ変換処理で得たＮビットのデジタル値の上位ｎビットについてはＡ／Ｄ変換処理を行わずにそのまま固定とし、（Ｎ−ｎ）ビット以下の下位ビットから、即ちビットの途中からＡ／Ｄ変換を開始する。 - 特許庁