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na-vの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21



例文

glucose: 0.01 to 4.0 w/v% Na+: 100 to 160 mmol/L Ca2+: 0.5 to 2 mmol/L Mg2+: 0.25 to 1 mmol/L.例文帳に追加

グルコース:0.01 〜 4.0 w/v% Na^+:100 〜 160 mmol/l Ca^2+: 0.5 〜 2 mmol/l Mg^2+:0.25 〜 1 mmol/l - 特許庁

The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加

コーティング元素は、Mg,Al,Co,K,Na,Ca,Si,Ti,Sn,V,Ge,Ga,B,As,Zrから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁

A preform 18 has ≥1,150 ppm OH content, ≤5 nm/cm stress birefringence, ≥1×10^18 molecule/cm^3 H_2 content, ≤20 ppm Cl content and max. 500 ppb content of trace impurities of Cr, Co, Fe, Ni, Cu, V, Zn, Al, Li, K and Na and contains no layered structure.例文帳に追加

OH含有量≧1150ppm、応力複屈折≦5nm/cm、H_2含有量≧1×10^18分子/cm^3、Cl含有量≦20ppm、微量不純物元素Cr、Co、Fe、Ni、Cu、V、Zu、Al、Li、K、Na含有量最大500ppbであり、且つ、実質的に層状構造を含まないプリフォーム18とする。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

例文

The etching method comprises treating a surface to be etched with an etching solution containing a halide and/or nitrate containing at least one metal selected from the group comprising Na, Mg, Al, Si, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ca and Zn.例文帳に追加

本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも1つの金属を含むハロゲン化物及び/または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。 - 特許庁


例文

A part of the Fe may be replaced with an another metal ingredient M selected from Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si.例文帳に追加

Feの一部を他の金属成分M(Na,K,Ca,Mg,Cr,Mn,Co,Mo,V,Ti,Ni,AlおよびSiから選んだもの)で置き換えることが可能である。 - 特許庁

A part of Fe can be replaced with the other metal component M (which is selected among Na, K, Ca, Mg, Cr, Mn, Co, Mo, V, Ti, Ni, Al and Si).例文帳に追加

Feの一部を、他の金属成分M(Na,K,Ca,Mg,Cr,Mn,Co,Mo,V,Ti,Ni,AlおよびSiから選んだもの)で置き換えることも可能である。 - 特許庁

With this potential V_LOW, the drain-source current level I_DS of the transistor 23 becomes tens of nA to several μA, or very small.例文帳に追加

この電位V_LOWにより、トランジスタ23のドレイン−ソース間電流レベルI_DSは数十nA〜数μA程度の微小レベルとなる。 - 特許庁

In addition to MgNi, at least one modifier element selected from the group consisting of Co, Mn, Al, Fe, Cu, Mo, W, Cr, V, Ti, Zr, Sn, Th, Si, Zn, Li, Cd, Na, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Mm, Pd, Pt and Ca is contained.例文帳に追加

MgNiの他にCo,Mn,Al,Fe,Cu,Mo,W,Cr,V,Ti,Zr,Sn,Th,Si,Zn,Li,Cd,Na,Pb,La,Ce,Pr,Nd,Mm,Pd,Pt,Caからなる群から選択された少なくとも1つの変性剤元素を含む。 - 特許庁

例文

The NI represents at least one kind selected from among a group of Na, K and Li, and the MV represents at least one kind selected from between the group of Nb and Ta.例文帳に追加

N^I はNa,KおよびLiからなる群のうちの少なくとも1種、M^V はNbおよびTaからなる群のうちの少なくとも1種を表す。 - 特許庁

例文

To perform low power supply voltage operation ≤1 V and low current operation not more than dozens of nA, and to obtain a reference voltage not depending on a temperature with a small circuit scale.例文帳に追加

1V以下の低電源電圧動作、及び数10nA以下の低電流動作をし、かつ温度に依存しない基準電圧を、小さな回路規模で得ることにある。 - 特許庁

It is preferred to add one or more types of Li, B, Na, Al, Si, P, S, K, Ti, V, Zn, Rb, Bi, Pb, Au, Pt, Pd, Re, Mo and Ta as auxiliary additives.例文帳に追加

Li、B、Na、Al、Si、P、S、K、Ti、V、Zn、Rb、Bi、Pb、Au、Pt、Pd、Re、Mo、Taの1種または、2種以上とを補助添加物として添加することが好ましい。 - 特許庁

A first basic voice data (CV form) which represents 'na' and a second basic voice data (VCV form) which represents 'aka' are connected in a phoneme section (V section) which represents the same vowel 'a', and then a synthesized voice data which represent 'naka' are generated.例文帳に追加

”na”を表す第1基礎音声データ(CV形式)と”aka”を表す第2基礎音声データ(VCV形式)とを、同じ母音”a”を表す音素区間(V区間)で接続し、”naka”を表す合成音声データを生成する。 - 特許庁

The inorganic metal compound is preferred that is a metal salt containing a metal selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Fe, Cu, Zn, Sn, Ti, V and Mn.例文帳に追加

好ましくは無機金属化合物が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、鉄、銅、亜鉛、スズ、チタン、バナジウムおよびマンガンからなる群から選択される金属を含む金属塩である。 - 特許庁

The second electrode layer may include at least any one selected from a group consisting of Au, Pd, Pt, Ru, Re, Sc, Mg, Zn, V, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Ca, Na, Sb, Li, In, Sn, Al, Ni, Cu and Co.例文帳に追加

前記第2電極層は、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。 - 特許庁

The change-over control circuit 18 operates with a supply of a supply voltage Vcc of +5 V from a supply line 30a and a ground 30b, and outputs change-over state signals So1 and So2 from output nodes Nb and Nc according to states of a change-over command signal Sin to be input in an input node Na.例文帳に追加

切替制御回路18は、電源ライン30a及びグランド30bから+5Vの電源電圧Vccの供給を受けて動作し、入力ノードNaに入力される切替指令信号Sinの状態に応じて、出力ノードNb、Ncから切替状態信号So1、So2を出力する。 - 特許庁

In the roller having at least one or more semiconductive layers around a core shaft, the value of the total of currents flowing when a voltage of 10 V is applied to an arbitrarily selected area of 5 μm square of the external circumferential surface of the roller is set to 1.0×10 to 1.0×10^4 nA.例文帳に追加

芯軸体の周囲に少なくとも1層以上の半導電性層を有するローラにおいて、ローラ外周部表面の任意に選択した5μm四方の領域に10Vの電圧を印加した時に流れる電流総和値を1.0×10〜1.0×10^4nAとする。 - 特許庁

The amount of encapsulation of Na-Hg amalgam in a light emitting tube 100 is made between 1 and 4 mg, and as a rare gas, xenon of 200-300 Torr is used, and thereby the source voltage at which a flame failure will occur in the final period of lifetime can be suppressed under 180 V.例文帳に追加

発光管100のNa−Hgアマルガムの封入量を1mg以上4mg以下とし、希ガスとして200Torr〜300Torrのキセノンを用いることにより、寿命末期の立消えが発生する電源電圧を180V以下に押さえることができる。 - 特許庁

In the formulae, the element A is one or more elements selected from among alkali metals and alkaline earth metals; the element M is B, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Zn, Ga, Sr, Y, Zr, Nb, Ba, La, Hf or Ta other than the element A; and the element B is a tri- or tetravalent element.例文帳に追加

なお、元素Aはアルカリ金属およびアルカリ土類金属の1種以上の元素で、元素Mは元素A以外のB、Na、Mg、Al、K、Ca、Sc、Ti、V、Zn、Ga、Sr、Y、Zr、Nb、Ba、La、Hf、Taで、B元素は3価又は4価の元素である。 - 特許庁

To provide a photorecording medium which can rapidly rewrite data at not more than 70 value of (laser wavelength λ/numerical aperture NA of objective lens)/rewrite linear velocity V and also can rewrite data rapidly even in a next generation photorecording system represented by a blue ray disc.例文帳に追加

(レーザ波長λ/対物レンズの開口数NA)/書き換え線速度Vの値が70以下の高速での書き換えを行うことができ、又、ブルーレイディスクに代表される次世代の光記録システムにおいても高速で書き換えを行うことが可能な光記録媒体を提供する。 - 特許庁

例文

This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加

天然水に土壌前駆物質より抽出したリン(P),セレン(Se),モリブデン(Mo),アンチモン(Sb),亜鉛(Zn),ニッケル(Ni),コバルト(Co),スズ(Sn),ホウソ(B),マンガン(Mn),鉄(Fe),クロム(Cr),マグネシウム(Mg),ケイ素(Si),バナジウム(V),ベリウム(Be),銅(Cu),チタン(Ti),ジルコニウム(Zr),アルミニウム(Al),ストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca),バリウム(Ba),ナトリウム(Na),カリウム(K),リチウム(Li),リビシウム(Rb)を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁

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