「nife」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The magnetic portions 404 may include materials such as NiFe, CoFe, etc..例文帳に追加

磁性部分４０４は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの材料を包含する。 - 特許庁

A NiFe alloy, a Sendust (FeSiAl) alloy, etc., can be used as a soft-magnetic back lining layer 2.例文帳に追加

軟磁性裏打ち層２としては、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用いることが出来る。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer is composed of CoFe, NiFe, etc. and has a negative magnetostriction constant.例文帳に追加

第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 - 特許庁

The second ferromagnetic layer comprises CoFe, NiFe and the like, and has a negative magnetostriction constant.例文帳に追加

第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 - 特許庁

One of the ferromagnetic material is CoFeB alloy or CoFe alloy, the other is CoFe alloy or NiFe alloy having a face-centered cubic structure grown on a Ta/Ru base layer, and the nonmagnetic material is Ru.例文帳に追加

強磁性体の一方は、CoFeB合金またはCoFe合金であり、他方はTa／Ru下地層上に成長した面心立方構造のCoFe合金またはNiFe合金であり、非磁性体がRuである。 - 特許庁

The magnetic material layer 10 comprises a ferromagnetic material, for example, of NiFe (nickel iron) as a material, and serves as a role of reducing the saturation magnetic flux density of a magnetoresistance element 6 in an upper face of the magnetic material layer 10.例文帳に追加

この磁性体層１０は、例えばNiFe（ニッケル鉄）の強磁性体を材質とするとともに、磁性体層１０の上部にある磁気抵抗素子６の飽和磁束密度を低減させる役目を果たしている。 - 特許庁

The free layer 130 has such a three-layered structure of FeCo/SL/NiFe that a surface-active layer 22 is sandwiched and constituted between a FeCo layer 21 and a NiFe layer 23.例文帳に追加

フリー層１３０は、ＦｅＣｏ層２１とＮｉＦｅ層２３の間に界面活性層２２を挟み込んで構成したＦｅＣｏ／ＳＬ／ＮｉＦｅという３層構造を有する。 - 特許庁

The light absorption films 3, 5 are composed of a simple substance or its compound chosen from Ti, Cr, Ni, NiCr, NiFe and NiTi.例文帳に追加

光吸収膜３，５は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，ＮｉＦｅ及びＮｉＴｉから選択される単体若しくはその化合物からなる。 - 特許庁

A free layer 20 of this GMR element 1 includes an NiFe layer 21 containing between 65 and 72 atomic percent iron.例文帳に追加

ＧＭＲ素子１のフリー層２０が、鉄含有率が６５ａｔ％〜７２ａｔ％のＮｉＦｅ層２１を含むように構成する。 - 特許庁

The magnetic layer may comprise a first sub-layer 248 comprises NiFeCr and a second sub-layer 250 comprises NiFe formed thereon.例文帳に追加

磁性層は、ＮｉＦｅＣｒからなる第１の副層２４８と、その上に形成されたＮｉＦｅからなる第２の副層２５０とを含むことが可能である。 - 特許庁

The NiFeX layer 51 is formed by a parallel-sputtering of an NiFe target and an X target.例文帳に追加

ＮｉＦｅＸ層５１は、ＮｉＦｅターゲットおよびＸターゲットの並列スパッタリングにより形成する。 - 特許庁

The light-absorbing films 3 and 5 are composed of a mixture of metal and a metal compound, and the metal material is selected from Ti, Cr, Ni, NiCr, NiFe and NITi.例文帳に追加

光吸収膜３，５は、金属と金属化合物の混合物からなり、金属原料が、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ，ＮｉＣｒ，ＮｉＦｅ及びＮｉＴｉから選択される。 - 特許庁

NiMn, FeMn, NiFe, Co, CoFe, Cu, IrMn, and PtMn are used as a typical metal thin film used for the magnetic transducer 20, respectively.例文帳に追加

磁気変換器２０で使用される典型的な金属には、ＮｉＭｎ、ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ、コバルト、ＣｏＦｅ、銅、ＩｒＭｎ及びＰｔＭｎがある。 - 特許庁

A lower recording magnetic pole 12 consisting of a soft magnetic material such as a NiFe alloy is formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１の上には、例えばＮｉＦｅ合金などの軟磁性材料からなる下部記録磁極１２が形成されている。 - 特許庁

The second backing film 21 is formed by Ta and the first backing film 12 is formed by NiFe, NiCr, FeCr, or NiFeCr.例文帳に追加

第２下地膜２１はＴａで形成され、第１下地膜１２は、ＮｉＦｅ、ＮｉＣｒ、ＦｅＣｒあるいはＮｉＦｅＣｒで形成される。 - 特許庁

An NiFe magnetic layer 13 is film-formed by a PVD method using an NiFe chamber of a PVD device on the bottom surface and side surface of a connection hole 30 and the bottom surface and the side surface of a groove 31 for wiring through a Ta/TaN laminated barrier layer 12.例文帳に追加

接続孔３０の底面及び側面上並びに配線用溝３１の底面及び側面上にＴａ／ＴａＮ積層バリア層１２を介して、ＮｉＦｅ磁性層１３をＰＶＤ装置のＮｉＦｅチャンバを用いたＰＶＤ法によって成膜する。 - 特許庁

Next, the NiFe magnetic layer 13 on the bottom surface of the connection hole 30 and the groove 31 for wiring, and on the surface of an interlayer insulating film 11 is selectively removed by varying the film-forming condition with the use of the identical NiFe chamber of the identical PVD device.例文帳に追加

次に、同一のＰＶＤ装置の同一のＮｉＦｅチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔３０及び配線用溝３１の底面上及び層間絶縁膜１１の表面上におけるＮｉＦｅ磁性層１３を選択的に除去する。 - 特許庁

An MRAM cell structure 36 comprises a low magnetization NiFeHf inner layer 51 formed on a free layer 50 composed of a NiFe or CoFeB/NiFe layer, an intermediate layer 52 composed of Ta, and the low magnetization cap layer 54 in which an outer layer 53 composed of Ru is laminated.例文帳に追加

ＭＲＡＭセル構造３６は、ＮｉＦｅまたはＣｏＦｅＢ／ＮｉＦｅ層からなるフリー層５０の上に形成された低磁化のＮｉＦｅＨｆインナー層５１と、Ｔａからなる中間層５２と、Ｒｕからなるアウター層５３とを積層してなる低磁化のキャップ層５４を備える。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or an upper magnetic pole layer 21 is formed by plating of NiFe alloy composed of 76 to 90 mass% Fe in the composition ratio or NiFe alloy which is 130 to 175 Å in average crystal grain diameter and composed of 70 to 90 mass% Fe in the composition ratio.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

In various embodiments, at least one of the first layer and the second layer consists one of nickel - iron(NeFe), cobalt - iron(CoFe) or nickel - iron - cobalt(NiFeCo) alloy.例文帳に追加

種々の実施態様において、第１の層及び第２の層の少なくとも一方が、ニッケル-鉄(NiFe)、コバルト-鉄(CoFe)、またはニッケル-鉄-コバルト(NiFeCo)合金のうちの１つからなる。 - 特許庁

Since the first and second NiFe layers 50a, 50b have magnetostriction constants which are opposite in sign, net magnetostriction constant of the free layer 50 is extremely reduced.例文帳に追加

第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂは、磁歪定数の符号が互いに逆なので、この両者の組み合わせにより、フリー層５０の正味の磁歪定数が極めて小さくなる。 - 特許庁

The upper layer shield layer 13 comprises microcrystal or amorphous having NiFe-based composition including B or P or CoFe-based composition including B or P, and they are laminated on the substrate shield layer 11.例文帳に追加

上層シールド層１３は、ＢもしくはＰを含有するＮｉＦｅ系、または、ＢもしくはＰを含有するＣｏＦｅ系の組成を有する微結晶またはアモルファスからなり、下地シールド層１１の上に積層されている。 - 特許庁

The background layer comprises a first background layer 51 selected from any of a NiCr alloy layer, a NiFeCr alloy layer, and a NiFe alloy layer, and a second background layer deposited between the first background layer and the antiferromagnetic layer 52.例文帳に追加

下地層はＮｉＣｒ合金層、ＮｉＦｅＣｒ合金層、ＮｉＦｅ合金層から選択される第１の下地層５１と、第１の下地層と反強磁性層５２の間に堆積される第２の下地層から成る。 - 特許庁

It is preferable that the upper part shield layer 32 is formed of a NiFe alloy and an Fe composition ratio is within a range of 19.2 to 19.6 mass%.例文帳に追加

前記上部シールド層３２は例えばＮｉＦｅ合金で形成されＦｅ組成比が１９．２〜１９．６質量％の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁

The NiFeHf inner layer 51 is formed by, for example, simultaneously sputtering a NiFe target and a Hf target with 400 W and 200 W, respectively.例文帳に追加

ＮｉＦｅＨｆインナー層５１は、例えば、ＮｉＦｅターゲットおよびＨｆターゲットを、それぞれ４００Ｗ，２００Ｗのパワーで同時並行スパッタすることで形成される。 - 特許庁

A NiFe based alloy alignment controlling layer 3 is provided between the non-magnetic substrate 1 and the base layer 4, so that the crystal orientation state of the base layer 4 is controlled.例文帳に追加

また、非磁性基板１と下地層４との間に、ＮｉＦｅ系合金配向制御層３を備えるようにして下地層４の結晶配向状態を制御するようにした。 - 特許庁

The hard bias layer has a multilayer structure represented by (R1/R2)_x, wherein R1=CoFe or the like, R2 layer=NiFe or the like, x=integer, and a thickness t2 of each R2 layer> thickness t1 of each R1 layer is satisfied.例文帳に追加

ハードバイアス層は、（Ｒ１／Ｒ２）_x で表される多層構造を有し、Ｒ１＝ＣｏＦｅ等、Ｒ２層＝ＮｉＦｅ等、ｘ＝整数、各Ｒ２層の厚さｔ２＞各Ｒ１層の厚さｔ１である。 - 特許庁

Moreover, a soft magnetism layer 4b of a free magnetism layer 4 is made of an NiFe alloy, and a diffusion preventing layer 4a is made of an CoFe alloy, thereby enabling the absolute value of magnetostrictive constant λ of the free magnetism layer 4 can be set to 1.3 ppm or smaller.例文帳に追加

また、フリー磁性層４の軟磁性層４ｂをＮｉＦｅ合金、拡散防止層４ａをＣｏＦｅ合金を用いて形成することにより、フリー磁性層４の磁歪定数λの絶対値を１．３ｐｐｍ以下にすることができる。 - 特許庁

Moreover, a laminated layer film made of a magnetic material having a low thermal expansion coefficient that is equal to or less than 11.5×10^-6/K and an 80 wt% NiFe alloy is used for at least the bottom section shield or the top section shield.例文帳に追加

また下部シールドあるいは上部シールドの少なくとも一方に１１．５×１０^−６／Ｋ以下の低熱膨張係数を有する磁性材料と８０ｗｔ％ＮｉＦｅ合金との積層膜を用いる。 - 特許庁

A free magnetic layer 8, formed on the insulating barrier layer 5, is formed of the lamination structure of an enhance layer 6 formed of CoFe alloy, a Pt layer 10 and a soft magnetic layer 7 formed of NiFe alloy in the order from the lower layer thereof.例文帳に追加

前記絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層８は、下からＣｏＦｅ合金で形成されたエンハンス層６、Ｐｔ層１０及びＮｉＦｅ合金で形成された軟磁性層７の積層構造で形成される。 - 特許庁

A magnetic film of a multi-layered film of the magneto- resistance effect element is constituted of a laminated film of Co and NiFe and a high magneto-resistance effect and high sensitivity to a magnetic field are compatible.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子多層膜の磁性膜をＣｏとＮｉＦｅの積層膜で構成、大きな磁気抵抗効果と磁界に対する良好な感度を両立させる。 - 特許庁

The upper and lower coil portions composed of a non-magnetic and electrically conductive material such as Cu, and at the same time, the connection studs are constructed of a magnetic and electrically conductive material such as NiFe.例文帳に追加

上側および下側コイル部分は、Ｃｕなどの非磁性かつ導電性の材料で構成される一方、接続スタッド５０２は、ＮｉＦｅなどの磁性かつ導電性の材料で構成される。 - 特許庁

By inserting a surface-active layer 22 in the interior of the free layer 130, the crystal structure is improved and the dispersion of Ni from the NiFe layer 23 to the FeCo layer 22 is reduced.例文帳に追加

フリー層１３０の内部に界面活性層２２を挿入することにより結晶構造が改善され、また、ＮｉＦｅ層２３からＦｅＣｏ層２２へのＮｉの分散が低減される。 - 特許庁

The read gap is reduced by fabricating the overlaid electrical leads from a magnetic and electrically conductive material 130, such as NiFe, whereby, the overlaid electrical leads 134, 138 also function as magnetic shield.例文帳に追加

読取りギャップは、ＮｉＦｅなどの磁性かつ導電性の材料１３０からオーバーレイドリード線を作製することによって低減され、それにより、オーバーレイドリード線１３４，１３８は磁気シールドとしても機能する。 - 特許庁

In an MTJ element 36 used in MRAM, etc., a cap layer 54 formed on a free layer 50 composed of NiFe is formed in a two-layered structure composed of a non-magnetic NiFeX layer 51 and a Ta layer 52.例文帳に追加

ＭＲＡＭ等に用いられるＭＴＪエレメント３６において、ＮｉＦｅからなるフリー層５０の上に形成されたキャップ層５４を、非磁性のＮｉＦｅＸ層５１およびＴａ層５２からなる２層構造とする。 - 特許庁

The trowel brush X has a main body 1 having a nearly nife like cross-sectional thickness, a planer fiber 2 stuck to the coating work surface of the main body 1 detachably and a grip for operation.例文帳に追加

コテ刷毛Ｘが、概略ナイフ状の断面肉厚を有する本体１と、該本体１の塗布作用面に着脱可能に被着される面状繊維２と、操作用把手３を具備する。 - 特許庁

To improve such problems that wear and scratch are caused when a second magnetic shield is formed by NiFe plating, in an unexposed magneto-resistance effect type thin film magnetic head in which a MR element is arranged between opposing first and second magnetic shields constituting a magnetic gap G.例文帳に追加

磁気ギャップＧを構成する相対向して第１及び第２の磁気シールドの間にＭＲ素子が配置される非露出型磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、第２の磁気シールドをＮｉＦｅ鍍金によって構成する場合の磨耗と掻傷の発生等の問題を改善する。 - 特許庁

The upper layer 13 is composed of NiFe, a simple substance of nickel, an NiFeX termary alloy (where X indicates chromium, cobalt, or copper), CoFe or copper, and it functions to promote the crystal growth of an antiferromagnetic layer 15 formed on the upper layer 13 itself in the direction of <111>.例文帳に追加

上部層１３は、ＮｉＦｅ、ニッケル単体、三元合金であるＮｉＦｅＸ（Ｘは、クロム，コバルトまたは銅のいずれか）、ＣｏＦｅまたは銅などからなり、自らの上に形成される反強磁性層１５における＜１１１＞方向の結晶成長を促進するように機能する。 - 特許庁

In this case, high ΔRA can be kept and the magnetostriction of the free magnetic layer 6 can be also reduced compared with the case that an area including the NiFeX alloy layer 6b is formed of an NiFe alloy by forming the alloy layer 6b on the free magnetic layer 6.例文帳に追加

前記フリー磁性層６に前記ＮｉＦｅＸ合金層６ｂを形成することで、前記ＮｉＦｅＸ合金層６ｂが形成された領域をＮｉＦｅ合金で形成する場合に比べて、高ΔＲＡを維持しつつフリー磁性層６の磁歪を低減することが可能になる。 - 特許庁

After a pinning layer 47, a pinned layer 48, and a tunnel barrier layer 49 are sequentially formed on a substrate 45, a free layer 50 composed of a first and a second NiFe layers 50a, 50b whose magnetostriction constants are opposite in sign is formed thereon.例文帳に追加

基板４５上に、ピンニング層４７と、ピンド層４８と、トンネルバリア層４９とを順次形成したのち、その上に、磁歪定数の符号が互いに逆である第１および第２のＮｉＦｅ層５０ａ，５０ｂからなるフリー層５０を形成する。 - 特許庁

When the atom% of Ni in the NiFe alloy existing in the free magnetic layer 16 falls within this range, a spin parasitic bulk scattering coefficient β increases and the product ΔRA of a variation in resistance and an element area of the magnetic sensing element can be increased as compared with a prior art.例文帳に追加

フリー磁性層１６中に存在するＮｉＦｅ合金中のＮｉの原子％がこの範囲であるとスピン依存バルク散乱係数βが増加し、従来よりも磁気検出素子の抵抗変化量と素子面積の積ΔＲＡを大きくできる。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium having on a nonmagnetic substrate at least the backing layer, the under film, an intermediate film, and a perpendicular magnetic recording film, the soft magnetic film constituting the backing layer is composed of CoFeHf alloy having a saturation magnetic flux density Bs of 1.4 T or more, and the under film is composed of Ni alloy or NiFe alloy.例文帳に追加

本発明は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地膜と中間膜と垂直磁気記録膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層を構成する軟磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓが１.４（Ｔ）以上であるＣｏＦｅＨｆ合金からなり、かつ前記下地膜がＮｉ合金またはＮｉＦｅ合金からなることを特徴とする。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or of an upper magnetic pole layer 21 are formed by plating them with the NiFe alloy having ≥76% and ≤90% composition ratio of Fe by mass or having ≥130 Å and ≤175 Åaverage grain size and ≥70% and ≤90% composition ratio of Fe by mass.例文帳に追加

下部磁極層１９及び／または上部磁極層２１を、Ｆｅの組成比が７６質量％以上で９０質量％以下、あるいは平均結晶粒径が１３０Å以上で１７５Å以下で且つＦｅの組成比が７０質量％以上で９０質量％以下のＮｉＦｅ合金でメッキ形成する。 - 特許庁

To provide a mask material for dry etching, which is suitable for fine patterning of thin magnetic films of about several nanometers such as NiFe and CoFe composing a TMR film, and furthermore, which can simplify a manufacturing process of a TMR element and reduce a manufacturing cost concerned with facilities and materials例文帳に追加

ＴＭＲ膜を構成するＮｉＦｅやＣｏＦｅのように数ｎｍ程度の薄い磁性膜の微細加工に適したドライエッチング用のマスク材、更に、このようなマスク材であって、なおかつ、ＴＭＲ素子の生産工程の簡略化、設備、材料に関わる製造コストの低減を図ることのできるドライエッチング用のマスク材を提供する。 - 特許庁

The upper magnetic pole of the ID head has a structure wherein a third magnetic layer 11 consisting of the CoNiFe plated film or the like is laminated by adopting a first magnetic layer 13 consisting of the CoNiFe film, the CoNiFeX film or the like film-formed by the physical vapor growth method and a second magnetic layer 14 consisting of a NiFe layer or the like as the seed layers.例文帳に追加

ＩＤヘッドの上磁極を、物理的気層成長法により成膜したＣｏＮｉＦｅ膜あるいはＣｏＮｉＦｅＸ膜などの第１の磁性層１３、ＮｉＦｅ層などの第２の磁性層１４をシードレイヤーとし、ＣｏＮｉＦｅめっき膜などからなる第３の磁性層１１を積層する構造とする。 - 特許庁