「nitrogen doping」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The heterocarbon nanotube obtained by doping nitrogen, boron or the like has high hardness and high rigidity.例文帳に追加

窒素やボロン等をドーピングすることでヘテロ化されたカーボンナノチューブは硬さが高く、剛性が優れている。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon wafer having characteristics sufficient for semiconductor devices while doping nitrogen.例文帳に追加

窒素をドーピングしつつ、半導体デバイス用として十分な特性を備えたシリコンウエハを製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Or else, the invention provides the transparent conductive film wherein the doping ratio of the tin to the indium in the film is 4.2-8.3 atomic %, and the nitrogen is not included.例文帳に追加

又は膜中のＩｎに対するＳｎのド−プ量が４．２〜８．３原子％で、窒素を含まない透明導電膜。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor wafer doped with nitrogen which is caused by a doping material gas containing NH3.例文帳に追加

窒素が、ＮＨ_3を含有するドーピング物質ガスから由来する、窒素をドープした半導体ウェハを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A charge separation material 52 is deposited on the surfaces of particles of a titanium compound 51 made by doping nitrogen atom on a titanium oxide crystal.例文帳に追加

酸化チタン結晶に窒素原子をドーピングしてなるチタン化合物５１の粒子の表面に、電荷分離物質５２を担持させた。 - 特許庁

A silicon wafer 1' is subjected to a step for doping nitrogen, an extrinsic gettering (EG) step, and a step for forming a polysilicon wafer 3, for example.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理と、エクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）処理、たとえばポリシリコン層３を形成する処理を、シリコンウェーハ１′に施す。 - 特許庁

A surface channel layer 5 positioned at the lower part of a gate oxide film 7 is formed with a doping concentration of nitrogen of 1×1015 cm-3 or less.例文帳に追加

ゲート酸化膜７の下部に位置する表面チャネル層５を、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で形成する。 - 特許庁

By compositely doping the nitrogen together with the group III elements, diffusion of the group III elements to other than the n-type semiconductor layer is suppressed.例文帳に追加

ＩＩＩ属元素と一緒に窒素を複合ドープすることにより、ｎ型半導体層以外の他の層に対するＩＩＩ属元素の拡散が抑制される。 - 特許庁

Moreover, nitrogen is doped to the n-type MgZnO layer 3, for example at doping concentrations of 1×10^16 cm^-3 to 1×10^20 cm^-3.例文帳に追加

また、ｎ型ＭｇＺｎＯ層３には、たとえば、１×１０^１６ｃｍ^−３〜１×１０^２０ｃｍ^−３のドーピング濃度で、窒素がドーピングされている。 - 特許庁

The negative electrode is made from the nitrogen-containing organic polymer by the successive steps of heating a material containing the nitrogen-containing organic polymer to reduce the solubility, doping the nitrogen-containing organic polymer or a material derived from the nitrogen-containing organic polymer with anions, and forming the negative electrode on a collector by mixing the nitrogen-containing organic polymer or the material derived from the nitrogen-containing organic polymer and a binder.例文帳に追加

この負極は、含窒素有機ポリマーを原料とし、含窒素有機ポリマーを含む物質を加熱する難溶化処理としての加熱処理、含窒素有機ポリマー又は含窒素有機ポリマー由来の物質にアニオンをドープするドープ処理、含窒素有機ポリマー又は含窒素有機ポリマー由来の物質と結着材とを混合し集電体上に形成する形成処理、を所定の順に行い作製されている。 - 特許庁

During the deposition of the first AHM layer, doping is performed with at least one dopant selected from a group consisting of silicon, silane, boron, nitrogen, germanium, carbon, ammonia, and carbon dioxide.例文帳に追加

第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。 - 特許庁

A material exhibiting p-type semiconductor characteristics can be obtained by doping nitrogen (N) into the crystal of iron oxide (Fe_2O_3) with hematite crystalline phase.例文帳に追加

ヘマタイト結晶相を有する酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）の結晶中に窒素（Ｎ）をドーピングすることによって、Ｐ型の半導体特性を示す材料を得ることができる。 - 特許庁

The electrolyte film is formed by doping an organic compound containing inorganic strong acid and strong acid group into a polymeric film containing a polymeric compound having nitrogen heterocycle on its main skeleton.例文帳に追加

主骨格に含窒素ヘテロ環を含む高分子化合物を含有する高分子膜に、無機強酸及び強酸基を有する有機化合物をドープしてなる電解質膜。 - 特許庁

By doping titanium oxide with nitrogen or sulfur, the composite film absorbs visible light rays having longer wavelengths than the wavelengths of ultraviolet rays to enable formation of an electron and a positive hole.例文帳に追加

酸化チタンに窒素またはイオウをドープすることにより、紫外線より長波長の可視光をも吸収して、電子と正孔を生成することが可能となる。 - 特許庁

This semiconductor material showing p-type semiconductor characteristics is provided by doping nitrogen and a metal element other than iron in an iron oxide crystal containing hematite crystalline phase.例文帳に追加

ヘマタイト結晶相を含む酸化鉄の結晶中に窒素及び鉄以外の金属元素がドーピングされ、ｐ型の半導体特性を示す半導体材料とする。 - 特許庁

Hardness of the coating film can further be enhanced by mixing and doping 0.001-5 atm% impurity of boron B or nitrogen N to the amorphous silicon carbide.例文帳に追加

ホウ素Ｂまたは窒素Ｎの不純物を、アモルファスシリコンカーバイドの０．００１〜５原子％混合してドープすることによって、硬度をさらに向上することができる。 - 特許庁

This production method for depositing the crystalline SiC film on a substrate comprises controlling the substrate temperature to 500°C or lower and preferably to 300°C or lower; and doping nitrogen into the film by using preferably a silazane.例文帳に追加

基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を５００℃以下、好ましくは３００℃以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。 - 特許庁

To solve a problem that gettering power is deficient in both EG and IG added to a step for doping nitrogen.例文帳に追加

窒素をドーピングする処理を付加したＩＧにおいても、ＥＧにおいても、ゲッタリング能力が不足する事態が発生しているが、この問題は現状では未解決になっている。 - 特許庁

When a silicon single crystal is grown in accordance with the CZ method, the method for producing the silicon single crystal wafer comprises pulling the silicon single crystal while doping nitrogen under such a condition that the entire surface of the crystal becomes the N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

In this production, at the time of growing a silicon single crystal by a CZ method, the single crystal is pulled up while doping the crystal with nitrogen under conditions such that the whole crystal surface of any of the resulting single crystal wafers becomes an N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

This silicone single crystal ingot is produced by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N and carbon C to a polysilicon 7, and has 1×1013-5×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and 5×1015-3×1016 atoms/cm3 carbon concentration.例文帳に追加

ポリシリコン７に窒素Ｎおよび炭素Ｃをドープしたシリコン融液７からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その窒素濃度が１×１０^１３〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、炭素濃度が５×１０^１５〜３×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であるシリコン単結晶インゴット。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen.例文帳に追加

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。 - 特許庁

The vapor phase apparatus 100 comprises a reaction tube 101, a substrate holder 103 provided in the reaction tube 101, a group III material gas supply 119 to supply a group III material gas to the reaction tube 101, a nitrogen material gas supply 117 to supply a nitrogen material gas to the reaction tube 101, and a doping gas supply tube 105 to supply a doping gas to the reaction tube 101.例文帳に追加

反応管１０１と、反応管１０１内に設けられている基板ホルダ１０３と、ＩＩＩ族原料ガスを反応管１０１内に供給するＩＩＩ族原料ガス供給部１１９と、窒素原料ガスを反応管１０１内に供給する窒素原料ガス供給部１１７と、ドーピングガスを反応管１０１内に供給するドーピングガス供給管１０５と、を備える気相成長装置１００を提供する。 - 特許庁

A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加

Ｇａｔｅ電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後ａ−ｓｉ ｉｓｌａｎｄとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁

The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11.例文帳に追加

窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。 - 特許庁

The method comprises a process of pulling up single crystal from molten liquid of a semiconductor material while supplying a doping material gas to the semiconductor material and a process of separating the semiconductor wafer doped with nitrogen from the pulled-up single crystal.例文帳に追加

該方法は、半導体材料の溶融物から単結晶の引上げる工程、その際ドーピング物質ガスを半導体材料に供給する、及び引上げた単結晶から窒素をドープした半導体ウェハを分離する工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.例文帳に追加

ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁

(4) A method for producing an epitaxial wafer comprises growing an epitaxial layer after heat treating a silicon single crystal wafer at 1,200 to 1,300°C for at least 1 min, which wafer is grown while doping nitrogen in a concentration of ≥1×1012 and ≤1×1014 atom/cm3.例文帳に追加

(4) 窒素が１×10^12atoms/cm^3以上、１×10^14atoms/cm^3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200℃〜1300℃の温度範囲で１分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

And when giving conductivity to the diamond-like carbon by nitrogen doping, a pattern is formed by a conductive section and an insulating section, thus forming the solar cell only at a desired portion, or forming a plurality of solar cells at one base.例文帳に追加

また、ダイヤモンドライクカーボンに窒素ドーピングによって導電性を付与する際に、導電性部分と絶縁部分とでパターンを形成することによって、所望の部分のみ太陽電池を形成したり、一つの基材に複数の太陽電池を形成したりすることができる。 - 特許庁

The carbon doped semiconductor film 1 is made of a film obtained by doping carbon onto a (1-101) surface 21 that is a nitrogen surface in a nitride semiconductor 2 formulated by a general expression of In_xGa_yAl_zN (wherein x+y+z=1, 0≤x≤1, 0≤y≤1, and 0≤z≤1).例文帳に追加

一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物半導体２における窒素面である（１−１０１）面２１に、カーボンをドーピングすることにより得られる膜からなるカーボンドープ半導体膜１。 - 特許庁

The method of producing the itaxial silicon wafer comprises cutting a silicon single crystal grown by a Czochralski method while doping nitrogen to obtain a wafer, then cleaning the wafer with an aqueous solution containing hydrogen fluoride(HF) and growing an epitaxial layer on the surface of the wafer.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によって窒素ドープで育成したシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸（ＨＦ）を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

In the production of silicon wafer, size of grown-in defect is made small by doping nitrogen when silicon ingot is pulled up and a defect-free layer is formed on the surface of wafer and oxygen deposit is produced in high density in the interior and whisker-like defect is produced by carrying out heat treatment.例文帳に追加

シリコンウェーハ製造に際し、シリコンインゴット引上げ時に窒素をドープすることにより、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のサイズを小さくし、熱処理を行うことによりウェーハ表面に無欠陥層を形成し、内部に高密度に酸素析出物を生成させかつヒゲ状欠陥を生成させる。 - 特許庁

A gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a non-C-plane as a surface (top face) to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase while keeping the non-C-plane surface by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping and allowing oxygen to infiltrate through the surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

This production method for the epitaxial wafer comprises subjecting a silicon wafer sliced from a single crystal ingot grown by doping with not less than 1×10^13 atoms/cm^3 of nitrogen to a heat treatment at a temperature of not lower than 700°C but lower than 900°C for 15 min. to 4 hrs. and then to an epitaxial growth treatment on a wafer surface.例文帳に追加

(1)窒素を１×10^１３atoms/cm^３以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに７００℃以上９００℃未満の温度で１５分から４時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理するエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The surface channel layer 5 is formed so that the doping concentration of nitrogen is 1×1015 cm-3 or less, so that silicon carbide interposed in the gate oxide film 7 or on a boundary face between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5 can be reduced, even if the gate oxide film 7 is formed by gate oxidization.例文帳に追加

このように、窒素のドーピング濃度が１×１０^15ｃｍ^-3以下で表面チャネル層５を形成すれば、ゲート酸化によってゲート酸化膜７を形成してもゲート酸化膜７中又はゲート酸化膜７と表面チャネル層５の界面に介在する窒化珪素が極めて少ない状態となる。 - 特許庁

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

This integrated circuit is formed by doping a part of a semiconductor substrate with nitrogen and a charge carrier dopant source, forming a thin dielectric that is destroyed by the application of breakdown voltage on the doped portion of the semiconductor substrate, forming a first conductor that is separated from the semiconductor substrate by the thin dielectric, and forming a second conductor that is conductively connected with the doped portion of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一部を窒素と電荷担体ドーパント・ソースとでドープし、破壊電圧の印加によって破壊される薄い誘電体を、半導体基板のドープした部分の上に形成し、薄い誘電体によって半導体基板から分離される第１の導体を形成し、半導体基板のドープした部分へ導電的に接続される第２の導体を形成する。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this method for growing a silicon single crystal by CZ method, the characteristic comprises doping the single crystal with nitrogen so that oxidation- induced stacking faults are generated on the whole surface of the wafer or so that the wafer surface comprises the oxidation-induced stacking faults, oxygen-depositing areas and, if necessary, further oxygen deposit-controlling areas, when a high temperature oxidation treatment is applied.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する方法において、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ全面に酸化誘起積層欠陥が発生するように、またはウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥および酸素析出領域、若しくはこれらの領域に加え酸素析出抑制領域からなるように単結晶中に窒素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。 - 特許庁