「on the W」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical apparatus measures a position of a mark 202 on a lithographic substrate W.例文帳に追加

装置は、リソグラフィ基板Ｗ上のマーク２０２の位置を測定する。 - 特許庁

A white color region W is displayed on a screen 31d of the monitor TV 31.例文帳に追加

モニタＴＶ３１の画面３１ｄに白色領域Ｗを表示する。 - 特許庁

A printing material W is fixed on the printing surface plate 13.例文帳に追加

印刷定盤１３上に被印刷物Ｗが固定して配置されている。 - 特許庁

An image of a work W is displayed on the video window 67.例文帳に追加

ビデオウィンドウ６７には、ワークＷの画像が表示される。 - 特許庁

Holes H of various shapes exist on the surface of a substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの表面には、種々の形状のホールＨが存在する。 - 特許庁

A metal film 9 consisting of a W film is formed on the film 7.例文帳に追加

反応防止膜７上にＷからなる金属膜９を製膜する。 - 特許庁

A coating film formed on the substrate W is baked.例文帳に追加

それにより、基板Ｗ上に形成された塗布膜が焼き固まる。 - 特許庁

In this case, a semiconductor wafer W is arranged on the stage 11.例文帳に追加

そして、ステージ１１上に半導体ウェハＷが配置される。 - 特許庁

On the outermost peripheral surface of a silicon wafer W, a protective coat Wa is formed.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの最外周面に保護膜Ｗａを形成する。 - 特許庁

On the cooling plate 90, a retention mechanism 92 of a wafer W is provided.例文帳に追加

冷却板９０に，ウェハＷの保持機構９２を設ける。 - 特許庁

The substrate W is cleaned by making the cleaning tool 5 act on the surface of the substrate W through the liquid film of the treating liquid existing in the clearance G.例文帳に追加

この間隙Ｇに介在する処理液の液膜を介して洗浄具５を基板表面に作用させて基板Ｗを洗浄する。 - 特許庁

The pressurizing member 19 is pressed against the surface of the workpiece W by the spring 18 at the time of welding, thereby temporarily fixing the welding tool 15 on the workpiece W.例文帳に追加

接合時にバネ１８で押圧部材１９をワークＷ表面に押し付けることで、接合ツール１５をワークＷに一時的に固定する。 - 特許庁

A controlling signal S/W which switches on/off of a backlight 4 is supplied to both the backlight 4 and a brightness controlling circuit 5.例文帳に追加

バックライト4のON/OFFを切り換える制御信号S/Wが、バックライト4に供給されると共に、輝度調整回路5にも供給される。 - 特許庁

This quickly disintegrating tablet in the oral cavity contains ≥10%(w/w) carboxymethylcellulose based on an active ingredient and also on a whole tablet.例文帳に追加

有効成分および全体に対して１０％（ｗ/ｗ）以上のカルボキシメチルセルロースを含有する口腔内速崩壊錠。 - 特許庁

In this way, wobbling on the peripheral edge when the wafer W rotates at a high speed can be suppressed by the air flow thus formed in the small gap between the casing 5 and the rear surface side of the wafer W, and the disturbance of the air flow on the surface of the wafer W is reduced.例文帳に追加

こうして筐体５とウエハＷの裏面側との狭い隙間に形成された気流によりウエハＷの高速回転時における周縁の振れを抑え、ウエハＷの表面の気流の乱れを少なくする。 - 特許庁

The dieing die is provided with the annular projecting part 35 which bites the workpiece W in the circumference of the through hole H which is formed on the workpiece W when forming the countersink on the upper surface of the die body 25 for supporting the workpiece W.例文帳に追加

そして、ワークＷを支持するダイ本体２５の上面に、皿穴成形時にワークＷに形成した貫通穴Ｈの周囲においてワーＷクに食い込む環状の突出部３５を備えているダイ金型である。 - 特許庁

The work W is supported by the inscribed rollers 40 from the inside, and a chamfer section Wa is rolled on the outer surface of the work W by the circumscribed roller 35.例文帳に追加

内接ローラ４０でワークＷを内側から支持し、外接ローラ３５でワークＷの外面に面取り部Ｗａを転造成形する。 - 特許庁

The machining tool 27 performs chamfering on the workpiece W by the oscillating movement of the machining head 26 copying the portion E to be machined of the workpiece W.例文帳に追加

ワークＷの被加工部位Ｅに倣って加工工具２７は加工ヘッド２６の首振り移動によりワークＷを面取り加工する。 - 特許庁

A support pin 8 supporting the substrate W is disposed on the bottom face of the recess 7 by provision of a gap between the substrate W and the bottom face of the recess 7.例文帳に追加

凹部７の底面上には，基板Ｗを凹部７の底面との間に隙間を設けて支持する支持ピン８が配置される。 - 特許庁

The float 3 surfaces on the water surface W of the paddy field 10 so that the one end 2a side of the sheet body 2 is raised to the water surface W side.例文帳に追加

浮き部３は、水田１０の水面Ｗに浮上することで、シート本体２の一端２ａ側を水面Ｗ側に引き上げる。 - 特許庁

When the processing liquid is supplied to the wafer W from the moving nozzle 2, the moving nozzle 2 is moved on the line of rotating axis of the wafer W.例文帳に追加

移動ノズル２からウエハＷへの処理液の供給時には、移動ノズル２がウエハＷの回転軸線上に移動される。 - 特許庁

The wafer W is cut while the cutter edge 44 moves on the region where the adhesive material is hardened, that is, along the outline of the wafer W.例文帳に追加

この粘着材が硬化した部位上をカッタ刃４４が移動しながら、つまり、ウエハＷの外形に沿って切断してゆく。 - 特許庁

When the APM is supplied to the upper face 10 of the wafer W, heat exchange is performed with the central part on the upper face 10 of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの上面１０にＡＰＭが供給されると、ウエハＷの上面１０の中央部との間で熱交換が行われる。 - 特許庁

It is hereby possible to suppress the dissolution of W by the acidic slurry relying on the electric potential of the W plug to restrain the spread of the seam.例文帳に追加

これによりＷプラグの電位に依存した酸性スラリによるＷの溶解を抑制し、シームの拡大を抑制することが可能となる。 - 特許庁

If a winding diameter of the wire rod W on the bobbin 1 is reduced and the rotation of the flyer 4 is kept constant, the speed of the wire rod W is reduced.例文帳に追加

ボビン１の線材Ｗの巻径が小さくなり、フライヤ４の回転が同じままであると、線材Ｗの速度が遅くなる。 - 特許庁

The coating head 10 is provided with a slit 16 for discharging the coating liquid F from an aperture part on the opposite to the support W in the width direction of the support W.例文帳に追加

塗布ヘッド１０は、支持体Ｗの幅方向において支持体と対向し、開口部より塗布液Ｆを塗出するスリット１６を備える。 - 特許庁

The forming roller 14 and the pressing roller 15 press the blank W on the outer periphery of the square pillar guide 11 and a box shape body of the blank W is obtained.例文帳に追加

角柱ガイド１１外周のブランクＷを成形ローラ１４と押付ローラ１５が押付けてブランクＷの箱状体Ｃが得られる。 - 特許庁

Furthermore, since suction force does not act directly on a recess WC of the wafer W, stress acting on the wafer W can be inhibited and damage on the wafer W can be prevented reliably.例文帳に追加

さらに、ウェハＷの凹部ＷＣに対して直接的に吸引力を作用させることがないので、ウェハＷに作用するストレスを抑制することができ、ウェハＷの破損を確実に防止することができる。 - 特許庁

The master generates a processing group to be assigned to the worker W based on the processing number, and assigns the processing group to the worker W.例文帳に追加

そして、その処理数に基づいて、ワーカＷに割り当てる処理群を生成し、その処理群をワーカＷに割り当てる。 - 特許庁

Consequently, the entire backside of the substrate W is cleaned by the cleaning brush 630 with contaminations sticking on the backside of the substrate W removed.例文帳に追加

これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ６３０により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。 - 特許庁

Then the developer D is spread over the entire surface of the wafer W to perform the development processing on the wafer W (Fig.4(e)).例文帳に追加

そして、ウェハＷ全面に現像液Ｄを拡散させ、ウェハＷの現像処理を行う（図４（ｅ））。 - 特許庁

So, temperature difference between the peripheral side and the central side in the wafer W surface is suppressed to assure uniformity in temperature on the surface of the wafer W.例文帳に追加

このようにして、ウエハＷ面内の中央側と周辺側とでの温度差を抑制し、ウエハＷ面内での温度の均一性を確保する。 - 特許庁

Then the substrate W is put back to the horizontal attitude, and the spin chuck 1 is rotated at a high speed to remove fine droplets on the peripheral end surfaces of the substrate W.例文帳に追加

その後、基板Ｗを水平姿勢に戻し、スピンチャック１を高速回転して、基板Ｗの周端面の微小液滴を振り切る。 - 特許庁

After the cooling liquid is uniformly spread on the surface of the wafer W, the rotation is stopped to perform cooling treatment with the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの表面に冷却液が均一に液盛りされた後に、回転を停止してウエハＷの冷却処理を行う。 - 特許庁

The belt width (W) of the V-ribbed belt 1 is narrower (W<W0) than the center interval (W0) of the cut position by a width to be removed on the removed part 9.例文帳に追加

除去部９を除去する分、Ｖリブドベルト１のベルト幅（Ｗ）が、切断箇所の中心間隔（Ｗ０）よりも狭くなる（Ｗ＜Ｗ０）。 - 特許庁

The plating head 110 is moved to another region of the surface of the wafer W to achieve further metallic plating on the surface of the wafer W.例文帳に追加

ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 - 特許庁

In a step in which the work W passes on the main scanning line L1, the image of the work W is picked up one by one line by the line sensor 18, so that image data are generated.例文帳に追加

ワークＷが主走査線Ｌ１を通過する過程でラインセンサ１８により１ラインずつ撮像し、画像データを生成する。 - 特許庁

Water drops W falling down from the young sardines F fall down in the first slits 5 and the water drops W do not stay on the upper face of the bottom plate 2.例文帳に追加

しらすＦから落下した水滴Ｗは、第１スリット５を落下し、底板２の上面には水滴Ｗは溜まらない。 - 特許庁

The twist acting on the diaphragm 5 when the wafer W is polished is suppressed by the thin plate 20 so that the wafer W is stably polished.例文帳に追加

ウェーハＷの研磨時におけるダイヤフラム５に作用するねじれは薄板２０によって抑えられるのでウェーハＷは安定して研磨される。 - 特許庁

The molding rollers 14 and 15 are pressed to the blank W on the outer periphery of the square column guide 11 and thus a box-like body C formed of the blank W is obtained.例文帳に追加

角柱ガイド１１外周のブランクＷに対して成形ローラ１４，１５が押付けられて、ブランクＷの箱状体Ｃが得られる。 - 特許庁

More specifically, even after starting the patterning for the wafer W by using the detection results of marks on the wafer W, marks on the wafer W are detected in parallel with the patterning, and the detection results are used in the patterning.例文帳に追加

すなわち、ウエハＷ上のマークの検出結果を用いてウエハＷに対するパターン形成を開始した後も、パターン形成と並行してウエハＷ上のマークを検出し、その検出結果をパターン形成で用いる。 - 特許庁

The deionized water supplied to the upper surface of the wafer W spreads on the upper surface f the wafer W, and is accumulated in the form of a liquid membrane by its surface tension on the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷの上面に供給された純水は、ウエハＷの上面に拡がり、その表面張力でウエハＷ上に液膜となって溜められる。 - 特許庁

When the rotation speed of the substrate W is high, a centrifugal force operates on the rinse liquid held on the substrate W, and the rinse liquid tries to expand toward the periphery of the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗの回転速度が上昇すると、基板Ｗ上に保持されているリンス液に遠心力が働き、リンス液が基板Ｗの周縁部に向けて拡がろうとする。 - 特許庁

The rim of the wafer W can be inserted into grooves 4 and 5 that are formed on lateral sides of the etching members 2 and 3 on the side of the wafer W and extends horizontally along the surface of the wafer W.例文帳に追加

エッチング処理部材２，３のウエハＷ側の側面には、ウエハＷの表面に沿う水平方向に延びる溝４，５が形成されており、ウエハＷの周縁部は溝４，５内に挿入できるようになっている。 - 特許庁

An image of an end face of the work W retained by the work holder 22 is taken by a CCD camera 54 and a decentered quantity of the work W is then determined by image processing based on the image of the end face of the work W projected on the CCD.例文帳に追加

ワークホルダ２２に保持されたワークＷは、その端面の像をＣＣＤカメラ５４で撮像され、そのＣＣＤ上に投影されたワークの端面の画像に基づいてワークＷの偏芯量が画像処理により求められる。 - 特許庁