「on the W」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The workpiece measuring device serves to measure a workpiece W with a probe 15 which is set at a position relatively movable to the workpiece W, on a composite lathe.例文帳に追加

複合加工旋盤上でワークWと相対移動可能な位置に設けられた測定子15によりワークWを計測するワーク計測装置である。 - 特許庁

Note: In nano's help texts the Ctrl-key is represented by a caret (^), soCtrl+W is shown as ^W, and so on. 例文帳に追加

注意:nanoのヘルプテキストでは、Ctrlキーはキャレット(^)で表されています。 そのため、Ctrl+Wは^Wと表示され、その他も同様です。 - Gentoo Linux

A water film W is formed on its surface by condensing steam generated in the storage tank 41 by exchanging heat with an inner wall surface 32, and discharging is performed on the water film W by a water purifying discharge part 31, and a toxic substance included in this water film W is decomposed and removed by an active species, and the water film W is purified.例文帳に追加

貯留タンク（41）内で生成された水蒸気を内壁面（32）と熱交換させて凝縮させることでその表面に水膜（W）を形成し、水浄化用放電部（31）により水膜（W）に対して放電を行うことで、この水膜（W）に含まれる有害物質等を活性種で分解除去し、水膜（W）を浄化する。 - 特許庁

A model of the viewing participant (W') is rotated based on the physical and virtual directions to render a view of the viewing participant (W') such that the viewing participant (W') is facing the viewed object in the immersive virtual environment.例文帳に追加

閲覧参加者（W'）が没入型仮想環境において被閲覧オブジェクトに面するように、閲覧参加者（W'）のモデルは物理的な方向および仮想方向に基づいて回転されて、閲覧参加者（W'）のビューがレンダリングされる。 - 特許庁

This device is provided with an imaging means 10 for imaging an inspection object (work W), lighting means 20, 30 for irradiating the work W with light when imaged, and an image processing means 41 for processing an obtained image of the work W to determine the quality of the work W, based on a processed result.例文帳に追加

この装置は、検査対象(ワークW)を撮像する撮像手段10と、撮像時にワークWに光を照射する照明手段20,30と、得られたワークWの画像を処理して、この処理結果に基づいてワークWの外観の良否を判定する画像処理手段41とを具える。 - 特許庁

In that case, in step S220, balance coefficients w_bc, w_bm, w_by, w_bk, w_blc, and w_blm are given on an ink-by-ink basis, and the weight of a small residual quantity of ink is increased.例文帳に追加

その際に、ステップＳ２２０にてインク別にバランス係数ｗ_bc，ｗ_bm，ｗ_by，ｗ_bk，ｗ_blc，ｗ_blmを与え、残量の少ないインクについては重みを大きくする。 - 特許庁

The guiding groove 6c is made wider in the width (W) on the front side and is made narrower on the back side width (w).例文帳に追加

誘導溝６ｃは前側の横幅Ｗが広く、後側の横幅ｗが狭く形成されている。 - 特許庁

The individual information F4b includes the information on the position or the direction of the part plate material w on the raw plate material W from which the part plate material w is cut out.例文帳に追加

個別情報Ｆ４ｂは、部品板材ｗが切り取られる素材板材Ｗ上の部品板材ｗの位置または方向の情報を含む。 - 特許庁

Then, substrate W is placed on the stage 41, and a film is formed on the substrate W.例文帳に追加

その後、基板Ｗはステージ４１上に載置され、基板Ｗ上に膜が形成される。 - 特許庁

A long product W is discontinuously fed, and, when the feed of the long product W is stopped, a movable die 13 is acted on the long product W, and, when the long product W is fed, the movable die 13 is not acted on the long product W.例文帳に追加

長尺材Ｗを断続的に送り、長尺材Ｗの送りを止めるときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させ、長尺材Ｗを送るときに可動ダイス１３を長尺材Ｗに作用させないようにする。 - 特許庁

A resist film on the wafer W is leveled toward the outside of the wafer W by the air flow.例文帳に追加

この気流によってウェハＷ上のレジスト膜は，ウェハＷの外側に向かって均される。 - 特許庁

Therefore, the polishing work to the wafer W is carried out stably, with the force acting on the wafer W being detected.例文帳に追加

そのため、ウェーハＷの研磨は、作用される力を検出されつつ安定して行われる。 - 特許庁

The work W is reduced over the full length of the work W by repeating the reducing work on the work W by sequentially raising and lowering the hanging body 33.例文帳に追加

吊下体３３を順次昇降して縮径加工を繰り返し、ワークＷの長手方向の全部位にわたってワークＷを縮径する。 - 特許庁

After that, the wafer W is rotated at a high speed, and the coating liquid on the wafer W is spread to the entire surface of the wafer W.例文帳に追加

その後ウェハＷを高速度で回転させ，ウェハＷ上の塗布液がウェハＷ全面に広げられる。 - 特許庁

The box marked`W' is the usual pty that has the application-process on its slave side. 例文帳に追加

`W' の印が付いた四角は普通の pty で、このスレーブ側にアプリケーションプロセスがある。 - JM

While the substrate W is supported by a supporting auxiliary member 20, the epitaxial film is formed on the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗを支持補助部材２０で支持しながら、基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。 - 特許庁

A conductor layer (10) consisting of Ti or W etc. is arranged on the remainder of the one main surface (16) of the substrate (1).例文帳に追加

基板（１）の一方の主面（１６）の残部にTi又はW等の導電体層（１０）を配置する。 - 特許庁

When the wafer W is reciprocated, a stripping solution is supplied with a low pressure from a nozzle 11 to the wafer W, and a film formed on the surface of the wafer W swells up.例文帳に追加

基板Ｗの往復移動中に、まずノズル１１から低圧で剥離液が基板Ｗに供給されて、その表面の被膜が膨潤される。 - 特許庁

As described above, a pattern can be formed on the substrate W while preferably controlling the substrate W.例文帳に追加

このように基板Ｗを好適に管理しつつ基板Ｗにパターンを形成できる。 - 特許庁

The weighting function generating means generates a weighting function W_snr based on the SNR distribution data.例文帳に追加

重み関数作成手段は、SNR分布データに基づいて重み関数W_snrを作成する。 - 特許庁

On the basis of the region division of the entire ν hierarchies, a first, ..., a ν-th generation course spaces W^(1), ..., W^(ν) and a conjugate space V^(ν) of W^(ν) are formed.例文帳に追加

全ν階層の領域分割をもとに第１，…，ν世代コース空間Ｗ^(1)，…，Ｗ^(ν)と，Ｗ^(ν)の共役空間Ｖ^(ν)を作る。 - 特許庁

On an outer peripheral part of the lower chuck 231, a stopper member 262 for the wafers W_U and W_L and a piled wafer W_T is provided.例文帳に追加

下部チャック２３１の外周部には、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ、重合ウェハＷ_Ｔに対するストッパ部材２６２が設けられている。 - 特許庁

When a work W is conveyed, pins 5a are raised to receive the work W and then lowered, and the work W is thus placed on a work stage 4.例文帳に追加

ワークＷが搬送されると、ピン５ａが上昇し、ワークＷを受け取りピン５ａが下降する。 - 特許庁

A turning actuator is turning-controlled based on the corrected target turning angle θ_W^*.例文帳に追加

補正された目標転舵角θ_W ^* に基づいて転舵アクチュエータを転舵制御する。 - 特許庁

W are on the eve of a great event. 例文帳に追加

近き将来において一大事件起こらんとす - 斎藤和英大辞典

A semiconductor wafer W is placed on the susceptor 14.例文帳に追加

サセプタ１４上に半導体ウエハＷが載置される。 - 特許庁

The circumferential wall W has a locking protrusion 2c on its inner surface.例文帳に追加

周壁Ｗは、その内面に、掛止突起２ｃを備える。 - 特許庁

A work W is fixed on the X table 3.例文帳に追加

Ｘテーブル３の上には被加工物Ｗを固定する。 - 特許庁

The stage 4 places a substrate W on it.例文帳に追加

ステージ４は、基板Ｗを載置する。 - 特許庁

An apparatus mounting frame 11 is arranged on a rear side of a wall material W via wall holes Wa formed on the wall material W into a square shape, and a wiring apparatus is provided on the wall material W, and provided on the rear side of the wall material W.例文帳に追加

器具取付枠１１は、壁材Ｗに四角形状に形成された壁孔Ｗａを介して壁材Ｗの裏側に配置されるとともに、配線器具が壁材Ｗに設置されることで、壁材Ｗの裏側に設置される。 - 特許庁

This container system, which can be mounted on both of one transportation means of a width w and the other transportation means of a width W greater than the width w, comprises a base plate wherein the width w serves as the maximum width, and a first container part which is rotatably mounted on the base plate on a vertical axis passing through the center of the base plate.例文帳に追加

横幅wをもつ一方の輸送手段と，横幅wより長い横幅Wをもつ他方の輸送手段の両方に搭載可能なコンテナシステムは，横幅wを，横幅の最大限としてベースプレートと，ベースプレートの中心を通る縦軸線上で，ベースプレートに回転可能に取り付けられる第一のコンテナ部とを含む。 - 特許庁

A substrate transfer device is stopped if a substrate W is moved on an arm support base and the substrate W is detected by detecting sensors 90a and 90b.例文帳に追加

基板搬送装置は、基板Wがアーム支持台上を移動し、検出センサ９０ａ、９０ｂで基板Ｗを検知したら停止する。 - 特許庁

Since abnormal W film formation results from the fact that a growth rate of a W film based on W nuclei initially formed is faster than a W nucleus formation rate on a TiN film, the W nucleus formation rate is set to be faster than the growth rate of the W film.例文帳に追加

Ｗの異常成膜は、初期に形成されたＷ核でのＷ膜の成長速度が、ＴｉＮ膜上でのＷ核形成速度よりも速いことに起因して発生していることから、Ｗ核形成速度を、Ｗ核でのＷ膜の成長速度よりも速くする。 - 特許庁

Thereafter, the wafer W is rotated at such a proper rotation speed as not to scatter the coating liquid on the wafer W from the wafer W and accordingly, the uniformity of the thickness-in-plane of the coating film on the wafer W is improved.例文帳に追加

この後ウエハＷ上の塗布液がウエハＷから飛散しない回転数で当該ウエハＷを回転させることにより、ウエハＷ上の塗布膜の膜厚の面内均一性を向上させる。 - 特許庁

A work W is transferred by a transfer device, the parts C1-C4 irradiated with laser beam on the work W are moved on the work W by transferring the work W with the transfer device.例文帳に追加

ワークＷは搬送装置により搬送され、ワークＷ上のレーザ光照射部分Ｃ１〜Ｃ４は、ワークＷが搬送装置によって搬送されることによってワークＷ上を移動する。 - 特許庁

For example, it is determined whether the substrate W exists on a holding section 2, whether the substrate W has been warped, whether a positional misalignment has occurred on the substrate W, and how the surface state of the substrate W is.例文帳に追加

例えば、保持部２上に基板Ｗが存在するか否か、当該基板Ｗに反りが発生しているか否か、当該基板Ｗに位置ずれが生じているか否か、当該基板Ｗの表面状態がどのようなものか、を判断する。 - 特許庁

Corner parts w, w of approximately V-shaped grooves 41, 41 in right and left engagement tongue pieces 40, 40 are arranged at and formed on the positions corresponding to the right and left corner parts on the rear plate side of the notch.例文帳に追加

左右の係合舌片40,40 は、略Ｖ字形状溝41,41 が、その角部w,wを切欠きの後板側の左右両角部と対応した位置に配置されて形成されてなる。 - 特許庁

At the time of cutting the pipe material W, while air is supplied from the rear end of the pipe material W to the inside of the pipe, air inside the pipe is sucked from the front end of the pipe material W and air on the outer periphery of a cut part of the pipe material W is sucked.例文帳に追加

管材Ｗを切断する際に、管材Ｗの後端から管内にエアーを供給しつつ、管材Ｗの前端から管内のエアーを吸引する一方、管材Ｗの切断部外周のエアーを吸引する。 - 特許庁

The liquid film of the IPA is removed from the surface of the substrate W by rotating the substrate W around a vertical rotation axis passing through the center part of the substrate W while the liquid film of the IPA being held on the substrate W.例文帳に追加

そして、基板Ｗ上にＩＰＡの液膜を保持させた状態で基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させて基板Ｗ上からＩＰＡの液膜を除去する。 - 特許庁

Since the boat 20 does not come into contact with the substrates W, a load from the substrates W acts on the boat 20 through the centrifugal force accompanied caused by the rotation of the substrates W, the board 20 is inflicted by deformations and damages, and the need for exchanging the substrates W is also eliminated.例文帳に追加

ボート２０は基板Ｗと接触しないため、基板Ｗの回転に伴う遠心力により基板Ｗからの荷重が働いて変形、損傷を受け、交換する必要もなくなる。 - 特許庁

The cutting device cuts a work W by fixedly pressing the work W set on a horizontal ruler plate 4, on an almost perpendicular table 3 and moving a traveling circular saw 9 fitted to a cutting unit B in a vertical direction.例文帳に追加

水平定規板４上の加工材Wを、ほぼ垂直状のテーブル３に押圧固定し、この加工材Wを切断ユニットＢに備えた丸鋸９の立方向の走行移動によって切断加工する。 - 特許庁

Further, the sum (W_L+W_R) of the mass W_L of the lutein ester and the mass W_R of the lactoferrin is preferably 0.1 to 50 mass% based on the entire antioxidizing composition.例文帳に追加

また、ルテインエステルの質量Ｗ_Lとラクトフェリンの質量Ｗ_Rとの総和（Ｗ_L＋Ｗ_R）が抗酸化組成物全体の０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。 - 特許庁

Inner and outer two guide surfaces 21a, 21b extending in an arc shape in the same direction as the passing direction of the work W and guiding two parts of the upper side curved part of the work W is formed on the work holding member 20.例文帳に追加

ワーク押え部材20に、ワークWの通過方向と同方向に円弧状にのびてワークWの上側曲面部分の２箇所を案内する内外２つの案内面21a,21bが形成されている。 - 特許庁

The moving pin 62 turns such that when the wafer W is placed on the holding portion 62b, a pressure for holding the wafer W is applied to the wafer W by the own weight W.例文帳に追加

可動ピン６２は、保持部６２ｂにウエハＷが載置された際にウエハＷの自重によってウエハＷにウエハＷを保持する押圧力が加わるように回動する。 - 特許庁

In the first half when gate signals U to W of the IGBT on the positive side start under an on-condition, the gate signals U to W of the IGBT on the positive side are turned off, and the gate signals /U to /W of the IGBT on the negative side are turned on.例文帳に追加

すなわち、正極側のＩＧＢＴのゲート信号Ｕ〜Ｗがオンで始まる前半部では、正極側のＩＧＢＴのゲート信号Ｕ〜Ｗがオフされ、負極側のＩＧＢＴのゲート信号／Ｕ〜／Ｗがオンされる。 - 特許庁