「on the W」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

After an oxide silicon film formed at the back side of a semiconductor wafer W has been removed, the semiconductor wafer W is transported into a silica tube 1, the intensity of radiation light from the back side of the semiconductor wafer W is measured using a pyrometer 7, and heat treatment is performed on the semiconductor wafer W while monitoring the temperature of the semiconductor wafer W.例文帳に追加

半導体ウェハＷの裏面に形成されたシリコン酸化膜を除去してから、半導体ウェハＷを石英管１内に搬入し、パイロメータ７にて半導体ウェハＷの裏面からの輻射光強度を計測することにより、半導体ウェハＷの温度をモニタしながら、半導体ウェハＷの熱処理を行う。 - 特許庁

When peeling the plated Sn layer from a workpiece W having the plated Sn layer formed on the surface of a copper substrate, this peeling method includes immersing the workpieces W into an oxidative solution 13, and anodically electrolyzing the workpieces W while peeling off overlapping parts of the workpieces W from each other and also rubbing them against each other by rotating and stirring the workpieces W to effectively remove the plated Sn layer.例文帳に追加

銅基材の表面にＳｎメッキ層が形成されたワークＷからＳｎメッキ層を剥離するに際して、ワークＷを酸化性溶液中１３に浸漬し、回転攪拌することによってワークＷ同士が重なりあった部分の引き剥がすとともに互いに擦り合わせながら、ワークＷを陽極電解することによってＳｎメッキ層を効率良く除去する。 - 特許庁

The tire W mounted rotatably on a tire support shaft 3 is maintained while being brought into pressure contact with the top of a flat-plate-shaped movable table 2 with a prescribed load, and the movable table 2 is moved in the direction intersecting perpendicularly the direction of rolling of the tire W while the tire W keeps on rolling on the movable table 2.例文帳に追加

タイヤ支持軸３に回転自在に取り付けタイヤＷを平板状の可動テーブル２上に所定荷重で圧接した状態を維持し、可動テーブル２上でタイヤＷを転動させつつ可動テーブル２をタイヤＷの転動方向に直交する方向に移動させる。 - 特許庁

Since air between the wafer W and the placing pedestal 110 is bled from the plurality of through-holes 120a, 120b when the wafer W is lowered and placed on the placing pedestal 110, the wafer W is not deviated in a horizontal direction and correctly placed on the predetermined position on the placing pedestal 110.例文帳に追加

ウェハＷを下降させて載置台１１０に載置する際に、ウェハＷと載置台１１０の間の空気がこれらの複数の貫通孔１２０ａ、１２０ｂから抜け出るので、ウェハＷは水平方向にずれることがなく、載置台１１０の所定の位置に正確に載置される。 - 特許庁

The spinning method includes: a fixing step of fixing a work W to a first split die 21 and a second split die 22, which are arranged inside the work W; and a forming step of forming the work W into a predetermined shape by pressing a roller R on the outer peripheral surface of the work W toward the central shaft O side while rotating the work W with these split dies 21, 22.例文帳に追加

スピニング加工方法は、ワークＷを、その内側に設けられた第１分割型２１および第２分割型２２に固定する固定ステップと、これら分割型２１，２２とともにワークＷを回転させながら、ローラＲをワークＷの外周面に中心軸Ｏ側へ押し当てることにより、所定の形状に成形する成形ステップと、を含む。 - 特許庁

By vibrating the wafer to spin off the plating solution, the quantity of the plating solution scattered to the outside is suppressed in comparison with that when the plating solution is removed only by rotating, and the deposition of the plating solution or the foreign matter produced from the plating solution on the side wall of the bath and the re-deposition of the foreign matter on the wafer W are also suppressed.例文帳に追加

ウェーハWを振動させることでめっき液を振り落とすので、回転のみで液切りする場合に比べて外方へ飛散するめっき液量を抑え、槽の側壁へのめっき液やそれから生じる異物（結晶）の付着、その異物のウェーハWへの再付着を抑えることができる。 - 特許庁

Then spraying of the etching gas is stopped to form the epitaxial film on the unprocessed substrate W.例文帳に追加

その後、エッチングガスの吹き付けを停止して、未処理の基板Ｗ上にエピタキシャル膜を形成する。 - 特許庁

As a result, the in-plane uniformity of the illuminance distribution is improved on the semiconductor wafer W.例文帳に追加

その結果、半導体ウェハーＷ上の照度分布の面内均一性が向上する。 - 特許庁

At the treatment block 11 for the resist film, the resist film is formed on a substrate W.例文帳に追加

レジスト膜用処理ブロック１１において、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。 - 特許庁

Then, the seven wires W are simultaneously wound on the winding bobbin 7 while retaining the arrangement.例文帳に追加

そして、７本の素線Ｗをその配列を保ったまま同時に巻き取りボビン７に巻き取る。 - 特許庁

Then the groove wiring elements are formed on the film 62 by etching the wafer W.例文帳に追加

次いで、ウエハＷをエッチング処理して、多孔質ｌｏｗ−ｋ膜６２に溝配線要素を形成する。 - 特許庁

Accordingly, the pattern formed on the reticle R can be highly accurately transferred to the wafer W.例文帳に追加

したがって、レチクルＲに形成されたパターンを精度よくウエハＷに転写することができる。 - 特許庁

The final estimated yaw rate γ is obtained based on the first and the second yaw rates γW, γG.例文帳に追加

最終的な推定ヨーレートγは第１及び第２ヨーレートγ_W，γ_Gに基づき求められる。 - 特許庁

An uneven shape (V-shaped groove 71) is formed on the surface of the diaphragm 70 opposed to the semiconductor substrate W.例文帳に追加

隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 - 特許庁

A line width measurement unit 31 measures the line width of the pattern formed on the substrate W.例文帳に追加

線幅測定ユニット３１は、基板Ｗに形成されたパターンの線幅を測定する。 - 特許庁

As a result, the ideal two-dimensional image of the object W is drawn on the imagery plane.例文帳に追加

その結果、結像面には、対象物Ｗの理想二次元像が描き出される。 - 特許庁

A laser displacement gage 80 for measuring the warpage of the wafer W is provided on the cooling apparatus 40.例文帳に追加

冷却処理装置４０に，ウェハＷの反りを測定するレーザ変位計８０が設けられる。 - 特許庁

The light beams LB1, LB2 form light spots SB1, SB2 on the surface of the work W, respectively.例文帳に追加

光線ＬＢ１，ＬＢ２はワークＷの表面に光スポットＳＢ１，ＳＢ２をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes the substrate placing table 5 on which the substrate W to be processed is placed in a processing vessel.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理容器内で被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備える。 - 特許庁

As a result, the destruction of the fine pattern formed on the substrate W can be prevented.例文帳に追加

その結果、基板Ｗに形成された微細パターンの倒壊を防止できる。 - 特許庁

The work W on the porous body table 4a is stored in the work storage groove.例文帳に追加

多孔体テーブル４ａ上のワークＷはワーク収納溝内へ収納される。 - 特許庁

The keyboard W and the screwing device 14 are surely positioned on a conveyor in the production line.例文帳に追加

そして、キーボードＷと螺子止め装置14との位置決めを、組立ラインのコンベヤ上で確実に行なう。 - 特許庁

The edge rinse unit performs other treatments on the wafer W coated with the resist.例文帳に追加

エッジリンス部は、レジストが塗布された基板Ｗに対して、他の処理を行う。 - 特許庁

A wafer W is sucked and retained on the sheet 65 by the suction of the suction pump 64.例文帳に追加

吸引ポンプ６４の吸引によってウェハＷは，シート６５上に吸着保持される。 - 特許庁

Further, the metal paste P on the wafer W is prebaked and solidified and the resist film 6 is removed.例文帳に追加

更に、ウェーハＷ上の金属ペーストＰをプリベークし固化させて、レジスト膜６を除去する。 - 特許庁

Next, the W film 107 is formed on the Ti film 105 so as to bury the contact hole.例文帳に追加

次に、Ｔｉ膜１０５の上にコンタクトホールを埋め込むようＷ膜１０７を形成する。 - 特許庁

The microwave-excited plasma forms the silicon oxide film on the surface of a wafer W.例文帳に追加

このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The vibration detection sensor 10 measures a vibration of the casing K generated on rotating the substrate W.例文帳に追加

振動検出センサ１０は基板Ｗの回転時に発生するケーシングＫの振動を測定する。 - 特許庁

The amount of addition of the ginger is in a range of 0.1-50% (w/v) based on the volume of mash.例文帳に追加

ショウガの添加量は、醪（もろみ）容量当たり０．１〜５０％（ｗ／ｖ）の範囲とする。 - 特許庁

A substrate temperature sensor 15 is formed on a shower head 4 to measure the temperature of the surface of the wafer W.例文帳に追加

シャワーヘッド４にウェハＷ表面の温度を測定する基板温度センサ１５を設ける。 - 特許庁

Further, a plurality of supporting pins 121 for supporting the wafer W are provided on the placing surface of the placing pedestal 110.例文帳に追加

さらに載置台１１０の載置面上にウェハＷを支持する複数の支持ピン１２１を設ける。 - 特許庁

The supplied steam is continuously dissolved uniformly into the liquid component on the wafer W.例文帳に追加

供給された蒸気は、ウエハＷ上の液成分に均一に溶け込んでいく。 - 特許庁

The plate material processing mechanism 2 carries out working to the plate material workpiece W, and is provided on the frame 1.例文帳に追加

板材加工機構２は板材ワークＷに加工を施すもので、フレーム１に設けられる。 - 特許庁

The treatment liquid supply part supplies a treatment liquid to the substrate W mounted on the substrate attraction part 10.例文帳に追加

処理液供給部は、基板吸着部１０に搭載されている基板Ｗに処理液を供給する。 - 特許庁

Moisture remaining on the surface of the wafer W is sucked into the main line 46a.例文帳に追加

ウェーハＷの表面に残留した水分はメインライン４６ａに吸引される。 - 特許庁

On the other hand, the empty reel 5 after the label W is exhausted, is similarly carried out.例文帳に追加

逆に、ラベルＷを使いきった後の空のリール５の搬送形態も上記と同様とする。 - 特許庁

Consequently, the substrate W rolls on the substrate holding inner peripheral surface 30 to enter the planetary rotation state.例文帳に追加

これにより、基板Ｗは基板保持内周面３０上を転動して遊星回転状態となる。 - 特許庁

A door 54c for exchanging the wafer W is provided on the side of the casing section 54a.例文帳に追加

箱体部５４ａの側面にはウエハＷを交換するための扉５４ｃが設けられている。 - 特許庁

A supporting bolt 24 is mounted on the top face of the turning pedestal 33 to clamp the bottom face of a workpiece W.例文帳に追加

旋回台座３３の上面にワークＷの下面をクランプする支持ボルト２４を立設する。 - 特許庁

In addition, the scanning of the laser beam L on a workpiece W is performed by the scanner part 54.例文帳に追加

また、ワークＷ上におけるレーザ光Ｌの走査は、スキャナ部５４によって行われる。 - 特許庁

The water supplied from a water supply pipe 8 to a water sprinkling pipe at the prescribed flow rate is sprinkled on the sample W.例文帳に追加

給水管８から水を所定流量にて散水管に供給し、試料Ｗに散水する。 - 特許庁

Thus, the line width of the pattern to be formed on the substrate W can be highly accurately controlled.例文帳に追加

よって、基板Ｗに形成させるパターンの線幅を精度よく制御することができる。 - 特許庁

A cover 17 for covering the surrounding of the electric wire W is provided on the rear wall part 9.例文帳に追加

更に、後壁部９には、電線Ｗの周囲を覆うカバー１７が設けられている。 - 特許庁

The sensor 5 measures an outside diameter of the screw thread rolled on the screw axis material W during rolling.例文帳に追加

センサ５は転造中にねじ軸素材Ｗの転造されたねじ部の外径を計測する。 - 特許庁

The horizontal moving portion 66 is provided with an article holding portion 67 for holding the article W placed on the elevating means 4.例文帳に追加

水平移動部66に昇降手段４上の物品Ｗを保持する物品保持部67を設ける。 - 特許庁