「on the W」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When a wafer W is placed on a processing stage, eccentricity of the center of the wafer W from the center of rotation of the wafer W is determined based on the outputs from a wafer edge detecting means 4 and a notch detecting means 9.例文帳に追加

ウエハＷが処理ステージに置かれたとき、ウエハエッジ検知手段４とノッチ検知手段９の出力に基づき、ウエハＷの回転中心に対するウエハＷの中心の偏心量を求めておく。 - 特許庁

The light from the light irradiation part is radiated toward the work W from just above the work W, is reflected on a slant of a light reflection member 2a and is made incident obliquely on the work W.例文帳に追加

光照射部からの光は、ワークＷの真上からワークＷに照射されるとともに、光反射部材２ａの斜面で反射しワークＷに対し斜めに入射する。 - 特許庁

Subsequently, after one part of the retaining article W is only placed on the stacking article W, inclination of the retaining article W relative to the stacking article W is eliminated in plan view, and thereafter, the lower surface support is moved to stack the retaining article on the stacking article in the state that they are fitted to each other.例文帳に追加

次いで保持物品Ｗの一部のみを積付物品Ｗ上に載せた後、平面視で保持物品Ｗの積付物品Ｗに対する傾斜をなくし、その後、下面支持体を移動させて保持物品を積付物品上に互いに嵌合した状態に積み付ける。 - 特許庁

A wafer W is heated to a specific temperature on a hot plate 45, fluoric acid vapor is supplied onto the surface of the wafer W in that state, and an oxide film on the surface of the wafer W is removed.例文帳に追加

ホットプレート４５上でウエハＷを所定温度に加熱し、その状態で、ウエハＷの表面にふっ酸蒸気を供給し、ウエハＷの表面の酸化膜を除去する。 - 特許庁

A belt-like work W is carried and moved, the work mark on the belt-like work W is detected by the alignment microscopes of two alignment units AU, the alignment of the mask M and the work W is performed, and a mask pattern is exposed on the work W.例文帳に追加

帯状ワークＷを搬送移動して、帯状ワーク上のワークマークＷＡＭを、２台のアライメントユニットＡＵのアライメント顕微鏡により検出しマスクＭとワークＷの位置合わせを行ってマスクパターンをワークＷ上に露光する。 - 特許庁

The film forming method comprises placing a substrate W inside a processing vessel 1, adjusting the temperature of the substrate W to 160-300°C, feeding Co_2(CO)_8 gas to the processing vessel 1, and thermally cracking Co_2(CO)_8 on the substrate W, thereby depositing the Co film on the substrate W.例文帳に追加

処理容器１内に基板Ｗを配置し、基板Ｗの温度を１６０〜３００℃とし、処理容器１内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。 - 特許庁

During photolithography treatment of a wafer W, exposure treatment of the wafer W is performed (step S7) immediately after removal of the coating film on the backside of the wafer W is performed (step S6), and a coating film is formed on the backside of the wafer W immediately after the exposure treatment (step S8).例文帳に追加

ウェハＷのフォトリソグラフィー処理中では、ウェハＷの裏面の塗布膜の除去（ステップＳ６）が行われた直後に露光処理（ステップＳ７）が行われ、その露光処理の直後にウェハＷの裏面に塗布膜が形成される（ステップＳ８）。 - 特許庁

The surface of a grinding wheel 10 is divided into each interval of the set unit width dw on the cross-section in the direction of the rotary axis so as to calculate machining efficiency Q' (w, t) of the set unit width dw at each surface position w in each moment during machining on the basis of a machining program 31.例文帳に追加

砥石車１０の表面を回転軸方向断面において設定単位幅dw間隔に分割し、加工プログラム３１に基づいて加工中の各瞬間における各表面位置wでの設定単位幅dwの加工能率Q'(w,t)を算出する。 - 特許庁

On Jan. 20, the second presidential inauguration of George W. Bush took place in front of the United States Capitol in Washington, D.C. 例文帳に追加

１月20日，ワシントンの連邦議会議事堂前で，ジョージ・W・ブッシュ氏の２回目の大統領就任式が行われた。 - 浜島書店 Catch a Wave

The substrate treatment apparatus rotates a substrate W by an electric motor 6 while holding the substrate W on a spin-chuck 1.例文帳に追加

基板処理装置はスピンチャック１に基板Ｗを保持した状態で、電動モーター６により基板Ｗを回転させる。 - 特許庁

A chuck 2, supporting a substrate W, has multiple projections 4 which are formed on the surface to support the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗを支持するチャック２は、基板Ｗを支持するその表面上に形成された複数の突起４を有する。 - 特許庁

The emitter gap 41 is formed by mounting a round furrow having predetermined width W and depth H by etching on the lower part substrate 80 where a cell is formed.例文帳に追加

セルが形成された下部基板８０に、所定の幅W及び深さHを有する丸い溝をエッチングにより設け、エミッタ間隙４１を形成する。 - 特許庁

A W plug is formed as a contact or via plug on the W nucleus film by the CVD method.例文帳に追加

そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 - 特許庁

A wafer W is set on a surface plate 12 and rotationally driven, and electrolytic solution S is supplied from a solution filling nozzle 16 to the surface of the wafer.例文帳に追加

定盤12上にウェーハWをセットして回転駆動し、注液ノズル16からウェーハの表面へ電解液Sを供給する。 - 特許庁

In succession, slave chips 2 are arranged on the wafer W by a suction collet 13 as its active surface 2a keeps facing downward and facing the wafer W (Figure (a)).例文帳に追加

続いて、子チップ２が吸着コレット１３により、活性面２ａを下方に向けられてウエハＷに対向配置される（図２（ａ））。 - 特許庁

This carbonization unit heats organic wastes W by a heater 22 as the heat-generating means installed on the side wall in an oven 20 of closed structure to a carbonization temperature.例文帳に追加

密閉構造の炉体(20)壁面の発熱ヒータ手段(22)によって有機性廃棄物(W) を炭化温度に加熱する。 - 特許庁

When a wafer W is exposed by the pattern image, a pattern is accurately formed on the wafer W.例文帳に追加

そして、このパターン像でウエハＷが露光されることで、ウエハＷ上にパターンが精度良く形成される。 - 特許庁

In addition, the wafer W can be uniformly heated and a part of the wafer W on which an epitaxial growth film is to be formed can be increased.例文帳に追加

ウエハＷを均一に加熱することができるし、ウエハＷにおいてエピタキシャル成長膜が形成される部分を多くすることができる。 - 特許庁

A three-phase voltage corrector 24 corrects the three-phase command voltages V_u, V_v and V_w based on the equivalent resistance value R_C.例文帳に追加

３相電圧補正部２４は、等価抵抗値Ｒ_C に基づき、３相の指令電圧Ｖ_u 、Ｖ_v 、Ｖ_w を補正する。 - 特許庁

A table 3 which has a rock crystal W disposed thereon and is movable is provided on the rock crystal cutter which cuts the rock crystal W using a wire 2.例文帳に追加

ワイヤ２によって水晶Ｗを切断する水晶切断機に設けられ、水晶Ｗを載置して移動可能なテーブル３を備える。 - 特許庁

Then, a protecting film 61 is formed on the wafer W by feeding a protecting gas (S4 in Fig.8), and the wafer W is sent to an exposure process (S5 in Fig.8).例文帳に追加

その後，保護ガスを供給してウェハＷ上に保護膜６１を形成し（図８中のＳ４），露光処理に移行する（図８中のＳ５）。 - 特許庁

A base part 5 is fixed on an outdoor O side of an inner wall W, and a decorative plate 3 having a window opening 3a is fixed to the indoor I side of the inner wall W.例文帳に追加

内壁Ｗには、室外Ｏ側に基部５を固定し、室内Ｉ側に窓孔３ａを有する化粧プレート３を固定する。 - 特許庁

It is thus possible to set a prescribed surface of a work W to an prescribed direction only by placing and fixing the work W on the table 12.例文帳に追加

このため、テーブル１２面にワークＷを載置し固定するだけで、ワークＷの所定面を所定方向に設定できる。 - 特許庁

Air is blown into the front and rear faces of a silicon wafer W erected on a measuring reference surface, thereby keeping the wafer W vertical.例文帳に追加

測定基準面上に起立したシリコンウェーハＷの表裏面にエアを吹き付け、このウェーハＷを垂直に保持する。 - 特許庁

This wire saw device 1 cuts a workpiece W by pressing the workpiece W on the wire 3 oscillating while traveling.例文帳に追加

走行しながら揺動するワイヤ３に被加工物Ｗを押し付けて切断するワイヤソー装置１である。 - 特許庁

The controller 8 sets and controls parameters of a R/W amplifier and a R/W channel based on the discriminated result.例文帳に追加

コントローラ8は識別結果に基づきＲ／Ｗ アンプやＲ／Ｗチャネルのパラメータを設定・制御する。 - 特許庁

On the other hand, the supporting means 15 prevents the cracking etc., of the wafer W which is extremely reduced in thickness in a back-grinding step by relieving the sticking pressure of the dicing tape T2 to the wafer W by allowing the downward displacement of the wafer table 13 at the time of sticking the tape T2 to the wafer W.例文帳に追加

この一方、ダイシングテープＴ２を貼付するときにウエハテーブルの下方への変位を許容し、バックグラインド工程で極薄化されたウエハへの貼付圧力を緩和して当該ウエハの割れ等を防止する。 - 特許庁

While the substrate W is transferred by the shuttle transfer mechanism 7, the substrate W being transferred is irradiated with the ultraviolet rays to carry out processing wherein organic matter sticking on the substrate W is decomposed and removed and an oxide film is formed on a surface of the substrate W.例文帳に追加

シャトル搬送機構７によって基板Ｗを搬送するのと同時に、搬送中の基板Ｗに紫外線を照射することによって、基板Ｗに付着している有機物を分解・除去したり、基板Ｗ表面に酸化膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

When the base plate 11 is lowered, the hook members 12, 12 are advanced into piled reinforced materials W, W, etc., the reinforced material W on the top part is held by increasing an interval by d=da and only the reinforced material W on the top part can be separated above.例文帳に追加

ベース板１１を下降させると、フック部材１２、１２は、積み重ねた鉄筋材Ｗ、Ｗ…に進入し、間隔ｄ＝ｄa に増大させて最上部の鉄筋材Ｗを保持し、最上部の鉄筋材Ｗだけを上方に分離させることができる。 - 特許庁

To enable process control alteration of electrophotography and alteration of F/W on the market even in case of any F/W trouble etc., so that the latest F/W can automatically be put on the market.例文帳に追加

最新のＦ／Ｗを市場に自動的に投入可能となるため、電子写真のプロセス制御変更や、Ｆ／Ｗ不具合等があった場合でも市場のＦ／Ｗの変更が可能となるようにする。 - 特許庁

A liquid film of developer is formed in the surface of a wafer W by supplying developer on the wafer W while moving a developer supply nozzle 70 on the wafer W at a prescribed speed.例文帳に追加

現像液供給ノズル７０が所定の速度でウェハＷ上を移動しながら，ウェハＷ上に現像液を供給することによって，ウェハＷ表面に現像液の液膜が形成される。 - 特許庁

Then, after removing the W film grown on the bevel portion and on the rear face using sulfuric acid and hydrogen peroxide, excessive W/TiN/Ti film is removed by CMP (chemical mechanical polishing) to form a W plug.例文帳に追加

次に、ベベル部および裏面に成長したＷ膜を硫酸過水で除去した後、ＣＭＰによって余剰のＷ／ＴｉＮ／Ｔｉ膜を除去し、Ｗプラグを形成する。 - 特許庁

The sling belt 1 is arranged in a figure 8 shape, an article W is arranged in a part 6 intersecting crosswise, and the article W is lifted by hooking circular arc parts 5a, 5b on a hook 7 on an upper side of the article W.例文帳に追加

スリングベルト１を８の字状に配置し、文字に交差した部分６に物品Ｗを配置すると共に、円弧状部分５ａ，５ｂを物品Ｗの上方でフック７にかけて物品Ｗを吊り上げる。 - 特許庁

To certainly take out a work W even when the work W is suspended on a support bar 1b at a position inclined from a normal position under a method to fetch the work W suspended on the horizontal support bar 1b by a robot hand 3.例文帳に追加

水平の支持バー１ｂに吊持されたワークＷをロボットハンド３で取出す方法において、ワークＷが正規姿勢から傾いた姿勢で支持バー１ｂに吊持されていても、ワークＷを確実に取出せるようにする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes processes of: supporting a wafer W and rotating the supported wafer W by around a vertical line passing the center of the wafer W; supplying a liquid to a surface of the wafer W; and regulating the flow of air on the surface of the wafer W when the wafer W is rotating.例文帳に追加

ウエーハＷを支持すると共に、支持したウエーハＷを当該ウエーハＷの中心を通る垂線を軸に回転させる工程と、ウエーハＷの表面に液体を供給する工程と、ウエーハＷが回転しているときに、このウエーハＷの表面上における空気の流れを調整する工程と、を含む。 - 特許庁

After adjusting the quantities of the illumination light, an image of the area including the front surface portion of the plate W and the portions outside the side ends Wb of the plate W is captured, and the plate W is inspected for a defect on the basis of the thus captured image.例文帳に追加

そして、光量の調節がなされた状態で、板材Ｗの表面と板材Ｗの側端部Ｗｂよりも外側の部分とを含む範囲を撮像して、その撮像した画像に基づいて板材Ｗの欠陥を検出する。 - 特許庁

A semiconductor wafer W is arranged on a susceptor 6 in a plasma etching apparatus, an annular tool 5 is arranged on the outer periphery of the wafer W for preventing the outer periphery of the wafer W from being etched excessively, and the semiconductor wafer W is subjected to plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のサセプタ６上に半導体ウエーハＷを配置するとともに、ウエーハＷの外周部が過剰にエッチングされるのを防止するためにウエーハＷの外周部上にリング状の治具５を配置し、半導体ウエーハＷに対してプラズマエッチングを行う。 - 特許庁

The position information for the surface of the object W relative to the normal direction of the surface of the object W is measured along a plurality routes extending from each of a plurality of points PnS (n=1-4) on the surface of the object W to the outside of the object.例文帳に追加

物体Ｗの表面の法線方向に関する物体Ｗの表面の位置情報を、物体Ｗの表面上の複数の点Ｐｎ_S（ｎ＝１〜４）それぞれから物体の外部へ至る複数の経路に沿って計測する。 - 特許庁

The centrifugal force by the rotation of the wafer W hardly acts on the DIW supplied to the surface of the wafer W, and accordingly the DIW supplied to the center part of the surface of the wafer W stays in the center part and the etchant remains in a peripheral part of the surface of the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。 - 特許庁

A wafer W comprising a wiring groove 1b and a via hole 1a on its surface is submerged in a plating liquid, and a voltage is applied between the wafer W and an anode 11 to form a plating film 4 on the wafer W.例文帳に追加

まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。 - 特許庁

A wafer W on which a first film 3 is formed in advance over a particle 2 attached on the wafer W is transferred to a plasma processing apparatus for applying an etching treatment to the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマ処理装置に、パーティクル２が付着したウエハＷ上に第１膜３が予め成膜されたウエハＷを搬送する。 - 特許庁

A supporting frame 1 is mounted on a wall surface part W; a scaffolding frame unit 2 is mounted on the supporting frame 1 so that scaffolding 6 can be built; and a new wall surface part W is constructed above the existing surface part W.例文帳に追加

支持枠１を壁面部Ｗに取り付け、支持枠１上に足場枠ユニット２を取り付けて足場６を組み立て、壁面部Ｗの上方に新たな壁面部Ｗを構築する。 - 特許庁

Edge preparation on an end surface of the steel pipe W and facing machining on an end surface of the backing metal B are simultaneously conducted.例文帳に追加

鋼管Wの外周面を倣う倣い手段Ｄによって切削位置を規制しながらカッター手段Ｃを移動し、鋼管Wの端面に開先加工を、裏当金Bの端面にフェーシング加工を同時に行う。 - 特許庁

A joining device comprises: an upper chuck 230 attracting and holding an upper wafer W_U on its lower surface; and a lower chuck 231 which is provided below the upper chuck 230 and places a lower wafer W_L on its upper surface to attract and hold the lower wafer W_L.例文帳に追加

接合装置は、下面に上ウェハＷ_Ｕを吸着保持する上部チャック２３０と、上部チャック２３０の下方に設けられ、上面に下ウェハＷ_Ｌを載置して吸着保持する下部チャック２３１と、を有している。 - 特許庁

The high frequency electric current is supplied to the conductor 29 in the state where the workpiece W is supported by a supporting part and the workpiece W is arranged in the soldering position where the heat transmitting parts 30a and the solder on the workpiece W are thermally combined.例文帳に追加

ワークＷは、支持部に支持され、熱伝達部３０ａとワークＷの半田とが熱的に結合される半田付け位置にワークＷが配置された状態で、導体２９に高周波電流が供給される。 - 特許庁