「principal process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The groups on the principal component plane show differences in operation state among process treatment apparatuses.例文帳に追加

上記主成分平面上のグループは、プロセス処理装置の運転状態の違いを表している。 - 特許庁

In the past, nimoto (a manufacturing process of yeast mash) was once made in the same way, in principal, as this moto. 例文帳に追加

また、昔においても煮酛などとして、原理的には同じ製法が用いられていたことがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method comprises a color data acquisition process for acquiring a plurality of color data; a principal component analysis process for carrying out principal component analysis for the plurality of color data; and a display process for displaying the analyzed result of the principal component analysis of the plurality of color data along with the color distribution of the plurality of color data.例文帳に追加

複数の色データを取得する色データ取得工程と、前記複数の色データを主成分分析する主成分分析工程と、前記複数の色データの色分布と共に、前記色分布の主成分分析の分析結果を表示させる表示工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To process a concrete image of a desired shape from limited principal numerical information and display it.例文帳に追加

限られた主要な数値情報から希望する対象形状の具体的イメージを画像処理して表示する。 - 特許庁

On one principal surface of the substrate 10, there are provided fitting hole forming members 38A, 38B through a selective plating process.例文帳に追加

基板１０の一方の主面には選択メッキ処理により嵌合孔形成部材３８Ａ，３８Ｂを設ける。 - 特許庁

To prevent contamination of the principal surface side of a semiconductor wafer in a process of grinding the back surface side of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの裏面側を研削する工程において、主面側が汚染されることを抑制する。 - 特許庁

A metal layer 12 having fitting holes S_1 to S_6 is formed in a thin film process such as a selective plating process on one principal face of a quartz substrate 10.例文帳に追加

石英基板１０の一方の主面には、嵌合孔Ｓ_１〜Ｓ_６を有する金属層１２を選択メッキ処理等の薄膜プロセスにより形成する。 - 特許庁

A susceptor 1 supports a semiconductor wafer W during a vapor phase epitaxy process in which the semiconductor wafer W is heated from both the principal front surface side and the principal rear surface side.例文帳に追加

半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１である。 - 特許庁

The density of the extracted principal area after the density correction process is calculated and set as a reference density value.例文帳に追加

抽出された主要部領域の、濃度補正処理後の濃度を算出し、その濃度を濃度基準値に設定する。 - 特許庁

To provide a method for start-up of an epoxidation process of an olefin using a high-selectivity epoxidation catalyst containing silver as the principal component.例文帳に追加

銀を主成分とする高選択性エポキシ化触媒によるオレフィンのエポキシ化法の始動方法を提供する。 - 特許庁

In the first mixing process, a soft magnetic alloy powder containing iron, silicon and aluminum as principal components is mixed with a lubricant.例文帳に追加

第１混合工程では、鉄、珪素及びアルミニウムを主成分とする軟磁性合金粉末と潤滑剤とを混合する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a semiconductor process chamber using molecular fluorine (F2) gas as a principal precursor reagent.例文帳に追加

主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子（Ｆ_2）ガスを用いて、半導体プロセスチャンバを洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

Before the initiation of a coating process for the apparatus for processing substrates, a process is conducted for forming a liquid reservoir between the principal plane of a substrate and the tip of a slit nozzle.例文帳に追加

基板処理装置における塗布処理を開始する前に、基板の主面とスリットノズルの先端部との間に液溜まりを形成する形成工程を実行する。 - 特許庁

After the principal surface is subjected to precision processing and to defect inspection, to specify a defect on the principal surface, the polishing process is carried out on the specified defect.例文帳に追加

上記主表面の研磨加工は、当該主表面を精密加工した後欠陥検査を行って当該主表面上の欠陥を特定し、この特定された欠陥に対して実施するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the inkjet recording head has a process of measuring a height of a principal plane of the head substrate at least on three measuring points (S101), and a process of setting a reference plane that passes two points on the principal plane of the measuring points (S103).例文帳に追加

本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、ヘッド基板の主面の高さを少なくとも３つの測定点で測定する工程（Ｓ１０１）と、測定点のうち、主面上の２点を通る基準面を設定する工程（Ｓ１０３）とを有する。 - 特許庁

In the foaming process, the foaming agent composed of the egg shell powder is mixed with an aq. inorganic composition containing the phosphate based binder as a principal ingredient.例文帳に追加

発泡工程では、卵殻粉からなる発泡剤が、リン酸系バインダを主剤として含む水性無機組成物に混合される。 - 特許庁

In the board preparing process, a board 11 with a pad 21 arranged in a bump forming region R1 on a board principal plane 12 is prepared.例文帳に追加

基板準備工程では、基板主面１２上のバンプ形成領域Ｒ１内にパッド２１が配置された基板１１を準備する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the glass substrate for the magnetic disk including the principal surface polishing process for polishing the principal surface of the substrate by using the polishing slurry, the polishing slurry including the buffer agent filtered by using a filter having ≤1 μm minimum catching particle diameter is used in the final polishing process of the principal surface polishing process.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、研磨用スラリーを用いて基板の主表面を研磨する主表面研磨工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記主表面研磨工程の最終研磨工程において、最小捕捉粒子径が１μｍ以下のフィルタを使用してフィルタリングした後の緩衝剤を含む研磨用スラリーを用いることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor wafer 1 is rotated and the etching process is conducted by supplying a chemical solution to the second principal surface S2 of the semiconductor wafer.例文帳に追加

その後、半導体ウェハ１に回転を施して、半導体ウェハの第２主面Ｓ２に薬液を供給することでエッチングを施す。 - 特許庁

With respect to process data gathered by a process data gathering unit 25, a model selector 25 calculates a feature quantity through principal component analysis, classifies it into one of one or more groups classified on a principal component plane, and selects a prediction model corresponding to the group as the classification destination.例文帳に追加

プロセスデータ収集部２５で収集したプロセスデータに関して、モデル選択部２５で主成分分析によって特徴量を算出し、主成分平面において一つ以上に分類したグループの何れかに分類し、上記分類先のグループに対応する予測モデルを選択する。 - 特許庁

This excreta disposal agent for the pet is obtained by mainly using a cotton linter residue discharged from a production process for cuprammonium rayon as a principal material for the excreta disposal agent for the pet.例文帳に追加

ペット用屎尿処理剤の主材に、主としてキュプラアンモニウムレーヨンの製造工程から排出されるコットンリンター残渣を用いる。 - 特許庁

In this method, residue is eliminated from the interior of the semiconductor process chamber, using molecular fluorine (F2) gas as the principal precursor reagent.例文帳に追加

主たる前駆物質試薬としてのフッ素分子（Ｆ_2）ガスを用いて、半導体プロセスチャンバの内面から残留物を除去する方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the SiC semiconductor device includes a process (a) of forming a mask 8 on the first principal surface of the SiC substrate 1, a process (b) of selectively forming the trench 4 on the SiC substrate 1 from the first principal surface using the mask 8, and a process (c) of selectively forming the CNTs 5 in the trench 4 using the mask 8.例文帳に追加

又、本発明に係るＳｉＣ半導体装置の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ基板１の第１主面上にマスク８を形成する工程と、（ｂ）マスク８を用いて選択的に第１主面からＳｉＣ基板１にトレンチ４を形成する工程と、（ｃ）マスク８を用いて選択的にトレンチ４内にＣＮＴ５を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

The principal surface of the glass substrate is subjected to a dry wipe treatment by using a tape after being subjected to a grinding process where texture is formed in the main surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の主表面上にテクスチャーを付与する研磨加工を行った後に、ガラス基板の主表面をテープを用いて乾式でワイプ処理する。 - 特許庁

To quickly granulate slag, especially slag with powdery slag including fine powdery slag as principal raw material among the slag generated in a steel-making process at a steel plant, etc.例文帳に追加

製鉄所等の鉄鋼製造プロセスで発生するスラグのうち、特に微粉スラグを含む粉体状スラグを主原料とするスラグを迅速に造粒する。 - 特許庁

Thereafter, a recess 13 is formed by removing, by an etching process, a part of the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub using the photoresist pattern PR2 as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターンＰＲ２をエッチングマスクとして、半導体基板１Ｓｕｂの主面の一部をエッチングにより除去して窪み１３を形成する。 - 特許庁

To provide a process for in vitro detection of presence of Mycobacterium tuberculosis resistant to isoniazid a principal ingredient in anti-tuberculosis treatment.例文帳に追加

抗結核治療法における主要な成分であるイソニアジドに抵抗性の結核菌細胞の存在をｉｎ ｖｉｔｒｏで検出するプロセスを提供する。 - 特許庁

In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.例文帳に追加

本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁

In the process monitoring method, a principal component is set based upon data acquired in manufacturing processes of a product, the square value MD2 of a Mahalanobis distance is calculated based upon the principal component, and the quality of the product is predicted based upon MD2.例文帳に追加

工程監視方法において、製品の製造工程において取得されたデータに基づいて主成分を設定し、この主成分に基づいてマハラノビス距離の二乗値ＭＤ２を算出し、ＭＤ２に基づいて製品の出来映えを予測する。 - 特許庁

To generate a job restricting output of a principal part inside each page according to security information partially present inside a job, to transfer it to an output device, and to process the principal part inside the same page, as a non-printing area, on the output device side.例文帳に追加

ジョブ内に部分的に存在するセキュリティ情報に応じて、各ページ内の要部の出力を制限するジョブを生成して出力デバイスに転送して、出力デバイス側で同一ページ内の要部を非印刷領域として処理することである。 - 特許庁

The above process forms a desired laminate structure on a principal plane of the substrate 1 although photolithography is limited to a single step of forming the first mask pattern 4.例文帳に追加

以上の工程により、フォトリソグラフィが第１マスクパターン４を形成する１回のみに制限されるも、基板１の主面に所望の積層構造が形成される。 - 特許庁

On one principal surface of the substrate 50, there is provided, through the selective plating process, a fitting hole forming member 60 having holes M_1-M_4 for fitting optical fibers F_1-F_4 respectively.例文帳に追加

基板５０の一方の主面には光ファイバＦ_１〜Ｆ_４をそれぞれ嵌合させる孔Ｍ_１〜Ｍ_４を有する嵌合孔形成部材６０を選択メッキ処理により設ける。 - 特許庁

To obtain a composition containing ethylidene tetracyclododecene as the principal component, having high reaction efficiency, low in the occurrence of gelation, and suitability for a wide range of polymerizations, and to provide its preparing process.例文帳に追加

反応効率が高く、ゲル化の発生の少ない、広範な重合に適したエチリデンテトラシクロドデセンを主成分とする組成物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device including a cutting process of removing a part of the resin insulating layer, formed on a principal surface of a semiconductor substrate, through cutting processing using a cutting tool includes a process of cutting the part of the resin insulating layer having a metal film laminated on a surface as the cutting process.例文帳に追加

半導体基板の主面上に形成した樹脂絶縁層を、バイトを用いた切削加工により一部除去する切削工程を備えた半導体装置の製造方法であり、切削工程として、表面に金属膜が積層された樹脂絶縁層の部分を切削する工程を含む。 - 特許庁

To improve a conveyance tray storing an optic filter for reducing the influence of scratches and breakage on a principal plane of the optic filter due to a crack or the like from a corner or the whole of the filter to the principal plane and capable of serving both during a manufacturing process and delivery to a customer.例文帳に追加

光学用フィルタの角部や全体からのカケなどによるフィルタ主面部のキズ破損などの主面へ影響を軽減し、製造工程でも客先への出荷にも共用できる光学用フィルタを収納する搬送トレーの改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a practical and valid process monitoring device equipped with a function for diagnosing the abnormality of a process system using a PCA (Principal Component Analysis) by improving abnormality detecting precision in abnormality diagnosis.例文帳に追加

ＰＣＡを利用するプロセス系の異常診断機能を備えたプロセス監視装置において、異常診断における異常検出精度を向上できるようにして、実際的かつ有用なプロセス監視装置を提供することにある。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

In the laser processing process, a laser processing region 43 including a metal pattern 41a formed on the principal surface 3a of the scribe region 40b is irradiated with a first laser beam having first energy from the side of a principal surface 3a to remove an insulating layer (first insulating layer) 34.例文帳に追加

このレーザ加工工程では、第１のエネルギーを有する第１のレーザを、スクライブ領域４０ｂの主面３ａ上に形成された金属パターン４１ａを含むレーザ加工領域４３に主面３ａ側から照射して、絶縁層（第１絶縁層）３４を取り除く。 - 特許庁

To provide a method for producing highly pure cupric oxide usable for a plating raw material by a simple process from a deteriorated etching waste liquid containing hydrochloric acid and copper chloride as principal constituents discharged from a manufacturing process of printed wiring boards.例文帳に追加

プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing a resin composition including a polymer having an acid group as the principal component, which has improved thermal stability and does not generate a free isocyanate during the process.例文帳に追加

熱安定性を改善し且つ遊離のイソシアネートも工程中で発生しない、酸性基を有するポリマーを主成分とする樹脂組成物を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The flow improving method in a process of transferring the slurry having a principal component of an inorganic matter is characterized by adding aldonic acid and/or a salt of aldonic acid to the slurry.例文帳に追加

無機物を主成分とするスラリーを移送する工程において、該スラリーにアルドン酸及び／又はアルドン酸塩を添加することを特徴とする無機スラリーの流動性向上方法。 - 特許庁

In a rinsing process b, the hydrocarbon-based solvent remaining on the washing object A is washed and removed by a detergent C having the fluorine-based solvent as a principal component stored in a washing tank 3.例文帳に追加

すすぎ工程ｂにおいて、被洗浄物Ａに残着する炭化水素系溶剤を、洗浄槽３に貯液したフッ素系溶剤を基本とする洗浄剤Ｃで洗浄除去する。 - 特許庁

A silicon nitride oxide film 3a and a silicon nitride film 2 after the reduction process are used as a mask to etch the silicon substrate 1, thereby forming the trench on a principal surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

還元処理後のシリコン窒化酸化膜３ａとシリコン窒化膜２とをマスクとしてシリコン基板１をエッチングすることにより、シリコン基板１の主表面にトレンチを形成する。 - 特許庁

A copolymer having a specific acrylate monomer or methacrylate monomer as a principal structure is used as an antireflection film in the formation of an ultrafine pattern in the semiconductor production process.例文帳に追加

特定のアクリレート系又はメタアクリレート系単量体を基本構造とする共重合体を、半導体の製造工程中、超微細パターンの形成時に反射防止膜に使用する。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor device of thin thickness by cutting a semiconductor substrate 1 comprises a film formation process for forming a film 2 in a side surface 1a of a semiconductor substrate which intersects one principal surface 1b of the semiconductor substrate 1, and a cutting process for cutting the semiconductor substrate 1 thinly after the film formation process.例文帳に追加

半導体基板１を削ることによって薄厚の半導体装置を製造する方法であって、 前記半導体基板１の一つの主面１ｂに対して交差する半導体基板の側面１ａに膜２を設ける成膜工程と、 前記成膜工程の後で半導体基板１を薄く削る削工程とを具備する。 - 特許庁