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processing chamberの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2324件
STACKED LOAD LOCK CHAMBER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME例文帳に追加
積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置 - 特許庁
To restrain sneak of the gas to the substrate rear side by preventing gas leakage from a processing chamber without sealing the processing chamber.例文帳に追加
処理室を密閉させずに処理室からのガスの漏洩を防止し、基板裏面側へのガスの回り込みを抑えること。 - 特許庁
ELECTROSTATIC PROCESSING CHAMBER FOR APPLYING ELECTROSTATIC FLOCKING AND ELECTROSTATIC COATING例文帳に追加
静電植毛並に静電塗装を施す静電加工室 - 特許庁
The processing chamber 12 is evacuated with a vacuum pump 14.例文帳に追加
処理室12は、真空ポンプ14により減圧にされる。 - 特許庁
A toroidal plasma source (28) is located within a substrate processing chamber (10).例文帳に追加
基板処理チャンバ(10)内にはトロイダルプラズマ源(28)がある。 - 特許庁
LOAD LOCK CHAMBER PURGE SYSTEM OF NEGATIVE PRESSURE PROCESSING EQUIPMENT AND ITS METHOD例文帳に追加
負圧処理装置のロードロック室パージシステム及びその方法 - 特許庁
A substrate processing apparatus comprises a process chamber having a radiation source.例文帳に追加
基板処理装置は、放射線源を持つ処理室を含む。 - 特許庁
A vacuum pump (23) is communicated and connected with the inside of the processing chamber (16).例文帳に追加
処理室(16)内を真空ポンプ(23)に連通接続させた。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus capable of suppressing agitation of the processing liquid in the processing chamber and efficiently discharging particles and other foreign objects to the outside of the processing chamber.例文帳に追加
処理槽の内部における処理液の攪拌を抑制し、パーティクル等の異物を効率よく処理槽の外部へ排出することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus that can prevent the generation of back flow of gas from an exhaust pipe into a processing chamber.例文帳に追加
排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止する。 - 特許庁
A wafer W subjected to ion implantation processing is carried in the UV processing chamber 7, first.例文帳に追加
イオン注入処理後のウエハWは、まず、UV処理室7に搬入される。 - 特許庁
A semiconductor manufacturing apparatus 1 has a processing chamber 10 for processing a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体製造装置1は半導体基板を処理する処理室10を有する。 - 特許庁
The processing device for processing a substrate with processing solution comprises a chamber for processing the substrate with processing solution, and a Peltier element 13 for making the temperature of the substrate which is carried-in to be processed into the chamber lower than the temperature in the chamber.例文帳に追加
基板を処理液によって処理する処理装置であって、 基板を処理液によって処理するチャンバと、チャンバ内に搬入されて処理される基板の温度を、上記チャンバ内の温度よりも低くするペルチェ素子13を具備する。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus by which reaction products are prevented from flowing from a processing chamber to another processing chamber, such as a carrying chamber, generation of foreign matter is suppressed and the quality of a process is improved.例文帳に追加
処理室から搬送室等の他の処理室へ反応生成物が流入する事を防止し、異物発生の抑制、プロセスの高品質化が可能な基板処理装置を実現する。 - 特許庁
A vertical processing furnace 202 constituting the substrate processing device includes a processing chamber 201 for processing a wafer 200 with processing gas, and a boat 217 which serves as a holding unit that holds the wafer 200 in the processing chamber 201.例文帳に追加
基板処理装置を構成する縦型処理炉202は、処理ガスを用いてウェハ200を処理する処理室201と、処理室201内でウェハ200を保持する保持具となるボート217とを備える。 - 特許庁
The resist removing apparatus includes a UV processing chamber 7 and a resist stripping chamber 8.例文帳に追加
レジスト除去装置には、UV処理室7およびレジスト剥離処理室8が備えられている。 - 特許庁
To emit heat accumulated in a substrate transfer device included in a vacuum processing chamber to the exterior of the chamber.例文帳に追加
真空処理室に備えられた基板搬送装置に蓄積される熱を室外に放出する。 - 特許庁
A semiconductor workpiece processing apparatus has a first chamber, a transport vehicle, and another chamber.例文帳に追加
半導体加工部品処理装置は第1チャンバと、搬送ビークルと、他のチャンバとを有している。 - 特許庁
The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and sustaining plasma.例文帳に追加
プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。 - 特許庁
In addition, a chamber wall 60 which forms a chamber 5 inside is heated in a drying processing part 3.例文帳に追加
また、乾燥処理部3においてチャンバー5を内部に形成するチャンバー壁60を加熱する。 - 特許庁
A significant element is the use of a conveyance chamber arranged along each side of a processing chamber.例文帳に追加
重要となる要素は、処理チャンバの各側に沿って配置された搬送チャンバの使用である。 - 特許庁
The position is set for each process chamber, corresponding to processing position in each process chamber.例文帳に追加
このポジションは、各プロセスチャンバ内での処理位置に対応して、各プロセスチャンバ別に設定される。 - 特許庁
In a plasma processing device, a plasma processing chamber 26 is provided inside a metal vessel 20, and an object 27 is placed in the plasma processing chamber 26.例文帳に追加
プラズマ処理装置は、金属製容器20の内側にプラズマ処理室26が設けられ、このプラズマ処理室26に被処理物27が設置されている。 - 特許庁
After this, after opening a gate valve and carrying the wafer into a processing chamber (steps 102 and 103), the gate valve is closed, and processing gas is introduced to the processing chamber (step 104).例文帳に追加
その後、ゲートバルブを開いてウエハを処理室に搬入した後(ステップ102、103)、ゲートバルブを閉じて処理室に処理ガスを導入する(ステップ104)。 - 特許庁
To provide a plasma leak preventing plate of plasma processing system in which plasma generated in a processing chamber can be prevented effectively from leaking to the outside of the processing chamber.例文帳に追加
処理室で発生したプラズマが処理室外に漏洩するのを有効に防止することができるプラズマ処理装置のプラズマ漏洩防止板を提供する。 - 特許庁
The gas injection assembly is equipped with a substrate confronting surface changing a dynamic pressure inside the processing chamber so as to vary the processing time for the substrate in the processing chamber.例文帳に追加
ガス注入アセンブリは、処理チャンバ内の動的圧力を変化させて、処理チャンバ内での基板の処理時間を変化させる基板対面面を備える。 - 特許庁
A substrate processing apparatus has a processing chamber 1 for processing a substrate 6, and a gas activation section 11 provided outside the chamber 1 and generating plasma.例文帳に追加
基板処理装置は、基板6を処理する処理室1と、処理室1外部に設けられプラズマを発生させるガス活性化部11とを有する。 - 特許庁
In this inductively coupled plasma processing device, a coiled high frequency antenna 21 is installed in a housing constituting a processing chamber, and reaction gas is introduced into the processing chamber to generate a plasma to form or etch a film on a substrate in the processing chamber.例文帳に追加
従って、処理装置の大型化に伴って高周波アンテナの長さが長くなっても、アンテナ電位を均等かつ低下させることができる誘電結合プラズマ処理装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a plasma processing device suppressing temperature rise in a processing chamber.例文帳に追加
処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide substrate processing equipment in which a substrate processing chamber can be drawn out easily from a housing.例文帳に追加
筐体からの基板処理室の引き出しが容易な基板処理装置を提供する。 - 特許庁
This processing chamber (25) for processing a semiconductor substrate includes a support device for supporting a substrate (50).例文帳に追加
半導体基板を処理する処理チャンバ(25)は、基板(50)を支持する支持装置を含む。 - 特許庁
Surface of the glass substrate A is subjected to film deposition processing or etching processing in a reaction chamber 2.例文帳に追加
反応室2でガラス基板Aの表面に成膜処理あるいはエッチング処理をする。 - 特許庁
SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF CLEANING SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE例文帳に追加
基板処理装置、基板処理室のクリーニング方法、および電気光学装置の製造方法 - 特許庁
When pressure in the processing chamber is stabilized, discharging processing of the wafer is performed (step 105).例文帳に追加
処理室の圧力が安定したならば、ウエハの放電処理を行なう(ステップ105)。 - 特許庁
Thus the reforming processing and crystallizing processing are conducted continuously in the same chamber.例文帳に追加
これにより、改質処理と結晶化処理を同一チャンバ内で連続的に行なう。 - 特許庁
A deliver chamber SH is arranged over the processing space A and the processing space B.例文帳に追加
受け渡し室SHが処理空間Aと処理空間Bとにわたって配置されている。 - 特許庁
The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber 5 to which a processing substrate 4 is allocated therein, a gas inlet port 6 for introducing the gas into the processing chamber 5, and a plasma discharge generating unit which is provided within the processing chamber 5 to conduct the plasma process to the processing substrate 4.例文帳に追加
プラズマプロセス装置は、被処理基板4が内部に配置される処理室5と、処理室5の内部にガスを導入するガス導入口6と、処理室5の内部に設けられ、被処理基板4にプラズマ処理を施すプラズマ放電発生部とを備えている。 - 特許庁
The enclosure may include an inlet piping for conveying the semiconductor processing gas to a processing chamber for processing the semiconductor substrate, a processing chamber and a discharge pipe for conveying used semiconductor processing gas away from the processing chamber, or may be any one of them.例文帳に追加
エンクロージャは、半導体基板を処理するための処理チャンバに半導体処理ガスを運ぶための吸込み配管、処理チャンバ、及び使用済み半導体処理ガスを処理チャンバから離れた場所に運ぶための吐出し管、或いはそのいずれかであることが可能である。 - 特許庁
SAMPLE CHAMBER ARRAY AND METHOD FOR PROCESSING BIOLOGICAL SAMPLE例文帳に追加
サンプルチャンバアレイおよび生物学的サンプルを処理するための方法 - 特許庁
To equally feed processing gas (material gas) into a chamber.例文帳に追加
チャンバ内へ処理用ガス(材料ガス)を均一に供給すること。 - 特許庁
PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF FORMING INNER WALL IN PLASMA PROCESSING CHAMBER例文帳に追加
プラズマエッチング装置及びプラズマ処理室内壁の形成方法 - 特許庁
METHOD FOR PROCESSING LASER CHAMBER OF GAS LASER DEVICE FOR RADIATING ULTRAVIOLET RAYS例文帳に追加
紫外線を放出するガスレーザ装置のレーザチェンバー処理方法 - 特許庁
DRY VACUUM PUMP AND PROCESSING CHAMBER PRESSURE REDUCTION METHOD USING THE SAME例文帳に追加
ドライ真空ポンプおよびそれを用いた処理室減圧方法 - 特許庁
TEMPERATURE MEASUREMENT AND CONTROL OF WAFER SUPPORT IN THERMAL PROCESSING CHAMBER例文帳に追加
熱処理チャンバにおけるウエハ支持体の温度測定及び制御 - 特許庁
The processing chamber is cleaned between sequential transfers of the substrates.例文帳に追加
該処理チャンバは、該基板の順次移送の間に洗浄される。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD OF CLEANING SURFACE OF SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER例文帳に追加
半導体処理チャンバ表面を洗浄する装置及び方法 - 特許庁
SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER, CLEANING METHOD THEREOF, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加
基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理室 - 特許庁
To provide an apparatus for distributing a cleaning gas to a semiconductor substrate processing chamber.例文帳に追加
半導体基板処理チャンバに浄化ガスを分配する装置。 - 特許庁
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