「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of multiple ion beam line assemblies is selectively separated from the common processing chamber, and multiple ion beam lines intersects with each other at a processing region of the common processing chamber.例文帳に追加

複数のイオンビームラインアセンブリーの各々は、共通処理チャンバーから選択的に分離され、複数のイオンビームラインは、共通処理チャンバーの処理領域で交差する。 - 特許庁

Processing gases each having a different flow rate and different composition are led from a position opposite to the material to be processed, and from an upper corner or a side face of a processing chamber into the processing chamber.例文帳に追加

処理室内に被処理体と対抗する位置と、処理室の上隅部もしくは側面とから、それぞれ流量および組成の異なる処理ガスを導入する。 - 特許庁

Furthermore, the processing system comprises a recycle line being coupled with the pump in order to circulate at least a part of the gas pressure fed from the processing chamber to the processing chamber.例文帳に追加

更に、処理システムは、リサイクルラインを含み、それはポンプへ結合され、処理チャンバから圧送されるガスの少なくとも一部分を処理チャンバへ循環するよう成される。 - 特許庁

The coating processing chamber 80 of the resist coating unit (COAT) 44 and a drying processing chamber 136 of a flash drying unit (KD) 46 share a partition 138 on a boundary of the chambers, and the exit port 80b of the coating processing chamber 80 serves as an entrance port 136a of the drying processing chamber 136.例文帳に追加

レジスト塗布ユニット（ＣＯＡＴ）４４の塗布処理室８０と気流乾燥ユニット（ＫＤ）４６の乾燥処理室１３６とは両室の境界で隔壁１３８を共有しており、塗布処理室８０の搬出口８０ｂが乾燥処理室１３６の搬入口１３６ａとなっている。 - 特許庁

In a development processing unit D according to this substrate processing apparatus, the development processing, a cleaning processing, a drying processing and a bake processing to a substrate W are performed within one chamber 51.例文帳に追加

この基板処理装置に係る現像処理ユニットＤでは、一つのチャンバ５１内で基板Ｗに対する現像処理、洗浄処理、乾燥処理及びベーク処理が行われる。 - 特許庁

The substrate processing method includes: a step of loading a substrate into a processing chamber; a step of supplying silicon compound gas including carbon and hydrogen into the processing chamber; a step of irradiating ultraviolet light on the silicon compound gas supplied into the processing chamber to process the substrate; a step of unloading the processed substrate from the processing chamber; and a step of processing the inside of the processing chamber with excited oxygen-containing gas.例文帳に追加

基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。 - 特許庁

There are provided: a drying processing chamber 7 carrying out a drying processing of a substrate 5; a cleaning tub 6 carrying out a cleaning processing of the substrate 5 in the drying processing chamber 7; heating means 8 for heating a side wall and a ceiling of a drying processing chamber vessel; means for vaporizing organic solvent; and an airline 22 sending vaporized organic solvent to the drying processing chamber 7.例文帳に追加

基板５を乾燥処理する乾燥処理チャンバ７と、乾燥処理チャンバ内で基板を洗浄処理する洗浄槽６と、乾燥処理チャンバ容器の側壁と天井部を加熱する加熱手段８と、有機溶剤を蒸気化する手段と、蒸気化した有機溶剤を乾燥処理チャンバに送る送気管２２とを備えている。 - 特許庁

Disclosed is the plasma processing apparatus that processes the sample placed in a processing chamber in a vacuum container using plasma generated in the processing chamber, wherein the plasma processing apparatus includes an in-processing-chamber member which is disposed in the processing chamber to face the plasma and made of quartz containing 0.05 to 0.5% by weight of yttrium or 0.1 to 1% by weight of aluminum.例文帳に追加

真空容器内の処理室内に配置された試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、この処理室内に配置されて前記プラズマに面しイットリウムを０.０５乃至０.５重量％またはアルミニウムを０.１乃至１重量％含む石英から構成された処理室内部材を備えた。 - 特許庁

To provide a method and a device for processing a workpiece in a chamber where chamber pressure arises from supply of a reactive gas into the chamber.例文帳に追加

本発明は、反応性ガスをチャンバに供給しチャンバ圧力を生じたチャンバ内で加工物を処理する方法および装置を提供する。 - 特許庁

The substrate subjected to freezing processing is conveyed by the substrate conveying mechanism 3 from the spin processing unit 2 to the cleaning processing unit 1, and is dipped into a processing liquid in the processing chamber.例文帳に追加

そして、凍結処理された基板は、基板搬送機構３によりスピン処理ユニット２から洗浄処理ユニット１に搬送され、処理槽内の処理液中に浸漬される。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 1 includes: a processing chamber 10 that performs processing of a substrate W by using processing liquid; and a processing liquid supplying apparatus 30 having a mixing valve 33.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理液による処理を行う処理チャンバ１０と、ミキシングバルブ３３を有する処理液供給装置３０とを備えている。 - 特許庁

A cooling part 114 for cooling an inner part of the heat processing chamber 102 is located at the lower part of the heat processing chamber 102.例文帳に追加

加熱処理室１０２の内部の一部分を冷却するための冷却部１１４が加熱処理室１０２の下方の部分に配置される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for providing a flow into a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバへの流れを提供する方法と装置を提供する。 - 特許庁

A cleaning section 5c is provided in a processing chamber CHc and a fan filter unit FFU is provided above the processing chamber CHc.例文帳に追加

処理チャンバＣＨｃの内部には、洗浄処理部５ｃが設けられ、処理チャンバＣＨｃの上部には、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。 - 特許庁

A heater 16 is provided within a substrate processing chamber to heat a substrate.例文帳に追加

基板処理室内に基板を加熱するヒータ１６が設けられている。 - 特許庁

An exhaust is used to exhaust the processing gas from the chamber (25).例文帳に追加

排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 - 特許庁

A plasma etching system 1 comprises a processing chamber 2 normally performing plasma etching, and an automatic pressure controller 4 connected with the processing chamber 2 through an exhaust line 3 in order to control the inner pressure of the processing chamber 2.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、通常、プラズマエッチング処理を行う処理室２と、排気管路３を介して処理室２と接続され、処理室２の内圧を制御する自動圧力制御装置４とを備える。 - 特許庁

Heart chamber data 10 are extracted from volume data by digitalizing processing.例文帳に追加

二値化処理によってボリュームデータから心腔データ１０が抽出される。 - 特許庁

TEMPERATURE-CONTROLLED CHAMBER, AND VACUUM PROCESSING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

温度制御室、及びその温度制御室を用いた真空処理装置 - 特許庁

Subsequently, O2 gas and SiH4 gas are introduced into the processing chamber 2.例文帳に追加

続いて、Ｏ_2ガス及びＳｉＨ_4ガスを処理チャンバ２内に導入する。 - 特許庁

To prevent heavy metal contamination, inside a plasma processing chamber by to cleaning.例文帳に追加

クリーニングによるプラズマ処理室内での重金属汚染を防止する。 - 特許庁

A wafer transfer module composed of FOUP, an aligner, and a transfer robot and a processing module composed of a processing chamber, a cooling chamber, and others are separately provided.例文帳に追加

FOUP、アライナおよび搬送ロボットからなるウェーハ搬送モジュールと処理室、冷却室などからなるプロセス・モジュールをそれぞれ独立に設ける。 - 特許庁

Finally, the processing chamber is evacuated to discharge the carbon dioxide.例文帳に追加

最後に、処理室を減圧して超臨界二酸化炭素を放出する。 - 特許庁

LID BODY OPENING/CLOSING MECHANISM OF VACUUM PROCESSING CHAMBER AND METHOD FOR OPENING/CLOSING LID BODY例文帳に追加

真空処理室の蓋体開閉機構および蓋体開閉方法 - 特許庁

To prevent a process liquid from leaking outside a processing chamber along a surface of a substrate.例文帳に追加

処理室外へ基板を伝って処理液が漏れ出すのを防止する。 - 特許庁

To prevent flow of exhaust air from concentrating in a plurality of exhaust openings formed on a processing chamber, and to uniformize the flow of exhaust air in the processing chamber.例文帳に追加

処理室に形成された複数の排気口に排気の流れが集中することを防止し，処理室内の排気の流れを均一にする。 - 特許庁

An entrance/exit 37b of the processing chamber 37a is provided with a gaseous nitrogen ejection knife 38.例文帳に追加

処理チャンバー37a への入出口37b に窒素ガス吐出ナイフ38を設ける。 - 特許庁

The substrate 8 is supported by a susceptor (holder) 3 in a processing chamber 1.例文帳に追加

基板８は処理室１内でサセプタ（保持具）３によって保持される。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a processing chamber 201 that supplies a plurality of processing gases alternately to process a wafer 200 as a substrate, and an exhaust system 250 to exhaust an atmosphere within the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理装置は、複数の処理ガスを交互に供給して基板としてのウェハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２５０とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus having an air supply and exhaust structure for supplying and exhausting air to and from a processing space in a processing chamber, in which X rays leaking from the processing chamber is effectively attenuated.例文帳に追加

処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus has: a conveyance chamber; a plurality of processing chambers; and a load lock chamber, and further has: a transfer stage 2 parallely prepared in a transfer chamber; and a conveyance robot which holds a substrate W.例文帳に追加

真空処理装置は、搬送室と、複数の処理室及びロードロック室とを備え、更に移送室内に並設した移送ステージ２と、基板Ｗを保持する搬送ロボットとを有する。 - 特許庁

Then, the substrate conveying device 1, and a vacuum processing apparatus having a vacuum conveying chamber 21, a load lock chamber and a vacuum processing chamber 2 are arranged in one body on the same base 3.例文帳に追加

そして、この基板搬送装置１と、真空搬送室２１と、ロードロック室及び真空処理室とを有する真空処理装置２とを、同一の基台３上に一体に配置している。 - 特許庁

This substrate processing apparatus comprises a processing chamber 10 which assures air-tight sealing and dries up the substrate W which are accommodated therein sheet by sheet, a vapor supplying means for supplying IPA vapor into the processing chamber, and an evacuation means for evacuate the inside of the processing chamber.例文帳に追加

気密に密閉可能で基板Ｗが１枚ずつ収容されて乾燥させられる処理チャンバ１０と、処理チャンバ内へＩＰＡ蒸気を供給する蒸気供給手段と、処理チャンバの内部を減圧する減圧手段とを備えた。 - 特許庁

The baffle plate 90 is arranged in an inside of a processing chamber for treating a substrate by generating plasma in an inside, and partitions an inside of the processing chamber into a processing space for treating the substrate, and an exhaust space for exhausting gas from the inside of the processing chamber.例文帳に追加

内部でプラズマを発生させて基板を処理する処理チャンバー内に配置され、前記処理チャンバー内を、前記基板を処理する処理空間と、前記処理チャンバー内から排気するための排気空間とに隔てるバッフル板９０である。 - 特許庁

To provide a system for processing substrates in a chamber and for cleaning accumulated materials from chamber components.例文帳に追加

チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。 - 特許庁

After the evacuation, the wafer is transferred from the vacuum transfer chamber to a processing chamber (step 105) to form a film on the wafer (step 106).例文帳に追加

この真空引き後、真空搬送室から処理室へウェハを搬送し（ステップ１０５）、成膜する（ステップ１０６）。 - 特許庁

A processing chamber uses an antenna 30 which is driven by RF energy inductively coupled within the chamber.例文帳に追加

本発明の処理チャンバはチャンバ内に誘導結合されたＲＦエネルギーによって駆動されるアンテナ３０を用いる。 - 特許庁

To ensure the safety by reliably exhausting residual gas from a chamber before the chamber of a plasma processing apparatus is opened.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバ開放時に、チャンバ内に残留するガスを確実に排気して安全性を確保する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method useful for processing a substrate in a chamber, specifically useful, for example, for the cleaning of the chamber.例文帳に追加

本発明は、チャンバ内の基板の処理、たとえば、チャンバの洗浄に有用な装置および方法を提供する。 - 特許庁

The mixture gas of the tetrafluoroethylene gas and the ozone gas in the mixing chamber is transferred to the processing chamber with the substrate 10 stored therein.例文帳に追加

混合室内のテトラフルオロエチレンとオゾンの混合ガスは基板１０を格納した処理室に移行する。 - 特許庁

By this setup, the chamber lid 51 is prevented from levitating, and the processing chamber 55 can be kept in a hermetically closed state.例文帳に追加

これによってチャンバー蓋５１の浮上を防止でき、処理室５５の密閉状態を維持することができる。 - 特許庁

The vacuum processing equipment 10 comprises processing chambers 12 and 13 arranged in parallel and performing identical vacuum processing, and a load/unload chamber 11 for carrying out a substrate W to each processing chamber 12, 13 and carrying in a processed substrate W from the processing chamber 12, 13.例文帳に追加

真空処理装置１０は、並列に配置された同一の真空処理を行う処理室１２，１３と、基板Ｗを処理室１２，１３の各々へ搬出し、処理室１２，１３で処理された基板Ｗを処理室１２，１３の各々から搬入するロード／アンロード室１１を備える。 - 特許庁

The substrate processing device 1 closes a slide door 15b and seals up an inside of a chemical processing chamber 12 when conducting the chemical processing.例文帳に追加

この基板処理装置１は、薬液処理を行うときには、スライドドア１５ｂを閉鎖して薬液処理室１２内を密閉する。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method which allow multiple nozzle support arms to move into a processing chamber.例文帳に追加

処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of processing states can be generated within the same processing chamber by a plurality of processing areas isolated by a bulkhead.例文帳に追加

隔壁によって離隔された多数の処理区域によって複数の処理状態が同一プロセスチャンバ内に発生可能となる。 - 特許庁