「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

By partitioning the inside and outside of the gas processing chamber 2 by the air curtain 2 from a floor face side, the flow-out of the gas having specific gravity higher than that of air from the gas processing chamber 2 is prevented.例文帳に追加

床面側からのエアカーテン２でガス取扱室２の内外を仕切ることにより、空気よりも比重の大きいガスのガス取扱室２からの流出を阻止する。 - 特許庁

Thus, a change can be prevented in film thickness due to heat storage in the processing chamber.例文帳に追加

これにより、処理室への蓄熱に起因する膜厚変動を防ぐことができる。 - 特許庁

The plasma mixture is used to clean deposits from the interior surfaces of the processing chamber, or can be used to perform an etch step on a processed wafer within the processing chamber.例文帳に追加

プラズマ混合物は、処理チャンバの内面から堆積物を洗浄するために用いられ、処理チャンバ内で処理ウェーハ上のエッチングステップを行うためにも使用し得る。 - 特許庁

A stage 22 for mounting a processing object 20 thereon is arranged in a vacuum chamber 10.例文帳に追加

真空チャンバ１０内に、被処理物２０を載置するステージ２２が設けられている。 - 特許庁

To provide a device and a method for distributing gas in a semiconductor processing chamber.例文帳に追加

半導体プロセスチャンバ内にガスを分配するための装置及び方法の提供。 - 特許庁

To install a protective tube for thermometer removably in a processing chamber while ensuring sealing.例文帳に追加

温度計用保護管を処理室にシールを確保しつつ着脱可能に設置する。 - 特許庁

A vessel supplier 104 is arranged in the upstream side of the heat processing chamber 102.例文帳に追加

容器供給部１０４が加熱処理室１０２の上流側に配置される。 - 特許庁

To reduce the time required to clean a processing chamber.例文帳に追加

先行技術と比較して、処理チャンバの洗浄に必要な時間をさらに短縮する。 - 特許庁

This plasma processing apparatus 10 includes a processing object holding means, and a plasma generating means for turning a gas introduced into a chamber 11 into plasma in the chamber 11.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。 - 特許庁

The contaminant adhered to the inside of the processing chamber 41 is decomposed with the circulating and flowing ozone gas to clean the entire inner wall surface of the processing chamber 41.例文帳に追加

この循環流動するオゾンガスによって処理チャンバ４１内に付着した汚染物質が分解されて処理チャンバ４１の内壁面全体がクリーニング除去される。 - 特許庁

Gas introduction piping 20 introduces process gas for plasma generation into a processing chamber 3.例文帳に追加

ガス導入配管２０は、処理室３にプラズマ生成用のプロセスガスを導入する。 - 特許庁

To provide a method of cleaning equipment surfaces in a semiconductor material processing chamber, after deposition of a porous film containing a porogen in the processing chamber.例文帳に追加

半導体材料処理室においてポロゲンを含有する多孔質膜を堆積させた後にその処理室において装置表面をクリーニングする方法を提供すること。 - 特許庁

In supplying one of the first and second material gases to the processing chamber, the gas is supplied while making pressure in the processing chamber vertically fluctuate.例文帳に追加

第１の原料ガスＡ又は第２の原料ガスＢの一方の原料ガスを処理室内に供給する際、処理室内の圧力を上下に変動させつつ供給する。 - 特許庁

To provide a plasma chamber for performing semiconductor wafer processing within a wafer track system.例文帳に追加

ウェーハトラックシステム内において半導体ウェーハ処理を遂行するためのプラズマチャンバ。 - 特許庁

To detect the timing of cleaning that is carried out in a semiconductor processing chamber with high accuracy.例文帳に追加

半導体処理室におけるクリーニング処理のタイミングを正確に検出する。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes: a processing chamber 3 structured to introduce a material gas and allow an A.C. voltage to be applied; and a shower plate 5 for partitioning the inside of the processing chamber into a gas introduction chamber 32 for introducing the material gas therein, and a reaction chamber 31 for arranging a substrate 10 therein, wherein a cooling device 50 is arranged in the gas introduction chamber.例文帳に追加

原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 - 特許庁

The gate valve 244 is constituted to enable input or/and output of the wafer 200 to/from the substrate processing chamber 201, by forming an aperture that communicates with the substrate processing chamber 201 and the load lock chamber 101, when the gate valve 244 is opening, and to shield the substrate processing chamber 201 and load lock chamber 101, when the gate valve 244 is closing.例文帳に追加

ゲートバルブ２４４は、ゲートバルブ２４４が開いた状態では、基板処理室２０１とロードロックチャンバ１０１を連通する開口部を形成して、基板処理室２０１に対してウェハ２００を搬入または／および搬出することを可能とし、ゲートバルブ２４４が閉じた状態では、基板処理室２０１とロードロックチャンバ１０１とを遮断するよう構成される。 - 特許庁

Further, the substrate processing device has a mechanism of storing a plurality of substrates fixed in the curved state in turn in a processing chamber, a mechanism of stacking the substrates in a plurality of layers for processing, and a mechanism of outputting the substrate finished in processing from the processing chamber.例文帳に追加

また、基板処理装置は、前記湾曲状態に固定した複数の基板を順送りに処理室内に格納する機構と、前記基板を複数段積み上げて処理する機構と、処理の終了した基板を処理室内から払い出しする機構と、を有する。 - 特許庁

To provide a technique for avoiding or reducing an adverse effect on a device at the side of an atmosphere conveyance chamber when conveying a substrate subjected to processing in a vacuum processing chamber to the atmosphere conveyance chamber.例文帳に追加

真空処理室で処理を施した基板を大気搬送室に搬送するにあたって、大気搬送室側の装置に対する悪影響を回避あるいは軽減することができる技術を提供すること。 - 特許庁

In the a deliver chamber SH, a deliver unit 31, which perform the deliver of a substrate between the transfer unit 11 of the processing space A and the deliver chamber SH and between the transfer unit 21 of the processing space B and the deliver chamber SH, is provided.例文帳に追加

受け渡し室ＳＨ内には処理空間Ａの搬送ユニット１１との間および処理空間Ｂの搬送ユニット２１との間で基板の受け渡しを行う受け渡しユニット３１が設けられる。 - 特許庁

To carry a carrying vessel between a right side process chamber and a left side process chamber of a carrying chamber, in a processing facility such as a factory having a stacker crane for carrying the carrying vessel for storing a processing object and a processing material inside, and a plurality of process chambers arranged on both sides of the carrying chamber for making this stacker crane travel and successively processing the processing object.例文帳に追加

被処理物や処理物が内部に収納された搬送容器を搬送するスタッカークレーンと、このスタッカークレーンが走行する搬送室の両側に配置され、被処理物に対して順次処理を行うための複数の工程室と、を備えた工場などの処理設備において、搬送室の右側の工程室と左側の工程室との間において搬送容器を搬送すること。 - 特許庁

A plasma processing apparatus A comprises: the processing chamber; a substrate holding part 23 which is disposed in the processing chamber and holds a processed substrate 4; a composite electrode 28 which faces the substrate holding part 23 in the processing chamber and has a plurality of first electrodes 2a and second electrodes 2b for generating plasma; and a gas supply part for supplying material gas into the processing chamber.例文帳に追加

プラズマプロセス装置Ａは、処理室と、処理室の内部に設けられ、被処理基板４を保持する基板保持部２３と、処理室の内部に基板保持部２３に対向して設けられ、プラズマを発生させる複数の第１電極２ａ及び第２電極２ｂを有する複合電極２８と、処理室の内部に材料ガスを供給するガス供給部とを備えている。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 1 for turning a processing gas into plasma and processing a substrate includes a processing container 3 which houses a substrate 31, a shower plate 21 which is arranged in the processing container 3 and supplies the processing gas to a processing chamber 2, and a gas supply pipe 22.例文帳に追加

処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置１は、基板３１を収容する処理容器３と、処理容器３内に配置され、処理室２に処理ガスを供給するシャワープレート２１と、ガス供給配管２２とを備えている。 - 特許庁

Every time when the new panel members 1 to 4 are sent into the getter processing chamber 10, the getter film by an evaporative getter agent is laid via the same mask 37 arranged in the getter processing chamber 10, and a degree of vacuum in the getter processing chamber 10 is maintained by using a residual getter film remaining in the getter processing chamber 10 by sticking to the mask 37.例文帳に追加

ゲッタ処理室１０において、新たなパネル部材１〜４が送り込まれる都度、前記ゲッタ処理室１０に設けられた同じマスク３７を介して蒸発型ゲッタ剤によるゲッタ膜を被着させ、マスク３７に付着してゲッタ処理室１０内に残留する残留ゲッタ膜を利用してゲッタ処理室１０内の真空度を維持する。 - 特許庁

The processing tube applied to the batch-type remote plasma processing unit is provided with a processing chamber 12 where a plurality of laminated wafers 1 are accommodated; and a discharge chamber 33 which is comparted from the chamber 12, to which processing gas 41 is supplied and can accommodate at least a pair of electrodes that generate plasma 40 inside the chamber 33.例文帳に追加

バッチ式リモートプラズマ処理装置に適用される処理管は、複数枚のウエハ１が積層して収容される処理室１２と、処理室１２から区画され、処理ガス４１が供給される放電室３３であって、少なくともこの放電室３３内でプラズマ４０を生成する一対の電極部を収容可能な放電室３３と、を備えている。 - 特許庁

Further, when the transport chamber 31 is evacuated by a mechanical booster pump 44 and a rotary pump 46 to several Pa, the gate valve 22 is opened to transport the substrate between the transport chamber 31 and the processing chamber 1 while the processing chamber 1 is being exhausted by the evacuation system 50.例文帳に追加

また、搬送室３１がメカニカルブースタポンプ４４およびロータリーポンプ４６によって数Ｐａに排気されているとき、処理室１を排気装置５０によって排気しながら仕切弁２２を開けて基板を搬送室３１と処理室１との間で搬送する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus that allows fast replacement of a remaining gas inside a vacuum processing chamber with an introduced gas.例文帳に追加

真空処理室の残留ガスと導入ガスを高速に置換することのできる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of processing a plurality of wafers without requiring a process of cleaning a processing chamber between wafers.例文帳に追加

各ウエハ間の処理室の清掃工程を必要とせずに、複数のウエハを処理できる方法を提供すること。 - 特許庁

The chamber inner wall protecting member is disposed along the inner wall of the chamber of the plasma processing equipment, with electrical continuity, established between the inner wall of the chamber and the protecting member and the chamber being grounded.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、上記チャンバー内壁保護部材をプラズマ処理装置のチャンバー内壁部に沿って配置し、チャンバー内壁部と保護部材とを電気的に導通するとともにチャンバーが接地されて構成される。 - 特許庁

The use of the conveyance chamber makes it possible to feed a substrate in an atmosphere controlled through a load lock, and then the substrate is fed along the conveyance chamber as a means for letting the substrate reach the processing chamber, and after the substrate is fed to the outside of the controlled atmosphere, the substrate processing is performed in the processing chamber.例文帳に追加

この搬送チャンバを使用することにより、基板がロードロックを介して制御された雰囲気中にフィードされ、次いで処理チャンバに到達する手段として、基板が搬送チャンバに沿ってフィードされ、次いで制御された雰囲気外にフィードされた後、処理チャンバ内での基板処理が行われる。 - 特許庁

When the prescribed time elapses, the control unit unloads the substrate from the processing chamber with the transfer roller.例文帳に追加

所定時間が経過した場合、制御部は、搬送ローラにより基板を搬出する。 - 特許庁

The processed wafers 200 are taken out from the processing chamber 201 by lifting down the boat 217.例文帳に追加

処理室２０１よりボート２１７を降下して処理後のウェハ２００を搬出する。 - 特許庁

A substrate holder 8 which retains a substrate 9 from below is disposed in a processing chamber 2.例文帳に追加

処理室２内に、基板９を下方から支える基板ホルダ８が設けられている。 - 特許庁

A gas diffuser chamber for housing a gas diffuser is installed in the vacuum processing equipment.例文帳に追加

真空処理装置に、ガスディフューザーを収納するためのガスディフューザーチャンバーを設置した。 - 特許庁

The resist nozzle 100 is arranged near an exit port 80b of a coating processing chamber 80.例文帳に追加

レジストノズル１００は、塗布処理室８０の搬出口８０ｂの近傍に配置される。 - 特許庁

To improve productivity by shortening the time required for discharging an oxidizing agent from a processing chamber.例文帳に追加

処理室内からの酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。 - 特許庁

Successively, the second chemical is supplied to a semiconductor substrate inputted to the processing chamber 21.例文帳に追加

続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 - 特許庁

To provide a strong bonding material suitable for combining semiconductor processing chamber components.例文帳に追加

半導体処理チャンバコンポーネントの結合に適した堅牢な接合材を提供すること。 - 特許庁

The reactive gas supply member 9 supplies reactive gas to the inside of the processing chamber 4.例文帳に追加

反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。 - 特許庁

To suppress contamination inside a processing chamber to thereby improve uniformity of etching as much as possible.例文帳に追加

処理室の内部の汚染を抑制して、エッチングの均一性を可及的に高める。 - 特許庁

The plasma processing system further comprises an electrode 152 disposed at the lower end of the process chamber.例文帳に追加

プラズマ処理システムは、さらに、処理チャンバの下端に配置された電極１５２を備える。 - 特許庁

To provide a processing apparatus that effectively remove particles gathered in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。 - 特許庁

To accurately calibrate a probe for measuring the temperature of a substrate in a substrate processing chamber.例文帳に追加

基板処理チャンバ中の基板の温度を測定するためのプローブを正確に較正する。 - 特許庁

A vacuum vessel 1 comprises a processing chamber 2 and a reactive gas guide opening 3.例文帳に追加

処理室２及び反応ガス導入口３が設けられた真空容器１を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device capable of rapidly cooling a processing chamber.例文帳に追加

処理室を急速に冷却することができる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁