「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A processing chamber (12) of the plasma treatment system (10) includes a lid of a chamber (14) having a symmetrical array of apertures (192).例文帳に追加

プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）は、開口（１９２）の対称的なアレイを有するチャンバ（１４）の蓋を含む。 - 特許庁

PLASMA GENERATOR, ITS CHAMBER INNER WALL PROTECTIVE MEMBER, ITS MANUFACTURE, PROTECTING METHOD FOR CHAMBER INNER WALL AND PLASMA PROCESSING METHOD例文帳に追加

プラズマ発生装置、そのチャンバー内壁保護部材及びその製造法、チャンバー内壁の保護方法並びにプラズマ処理方法 - 特許庁

An infrared radiating assembly above the processing chamber may project infrared radiation into the chamber to heat the wafer.例文帳に追加

処理チャンバの上にある赤外線放射組立体により、赤外線放射をチャンバに投じて、ウエハを加熱してもよい。 - 特許庁

The transfer chamber 203 for a substrate processing tool 201 includes a body 207 having sidewalls 215 adapted to couple to at least one processing chamber 17 and at least one load lock chamber 15.例文帳に追加

基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。 - 特許庁

Therefore, X rays generated in the processing chamber 21 are transmitted through a supply cover wall and/or the chamber wall 26 without fail and the X rays leaking from the processing chamber 2 can be effectively attenuated.例文帳に追加

したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 - 特許庁

To take in a clean atmosphere (the air) into a load lock chamber without elongating a processing time by evading the intake of the atmosphere of an infected transfer chamber to a standby chamber concerning a substrate processing system.例文帳に追加

基板処理装置において、汚染された移載室の雰囲気を待機室内に取り込むことを回避し、且つ、タクト延伸とならずに、清浄な雰囲気（大気）をロードロック室内に取り込むことを可能にする。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus, a processing valve which forms a processing chamber for processing a substrate forms a hollow part inside the processing valve, and the hollow part comprises a heating means for heating the substrate.例文帳に追加

基板処理装置において、基板を処理する処理室を形成する処理管が、該処理管内部に中空部を形成し、該中空部には、前記基板を加熱する加熱手段を備えた。 - 特許庁

In the vacuum processing device 100, a vacuum pre-heating chamber 10 and a plasma processing chamber 20 are connected to each other, and substrate conveying devices 11 and 13 are arranged in two stages of upper and lower inside the vacuum pre-heating chamber 10, and a substrate conveying device 21 is arranged inside the plasma processing chamber 20.例文帳に追加

真空処理装置１００は、真空予備加熱室１０とプラズマ処理室２０とが連結されており、真空予備加熱室１０内には、基板搬送装置１１，１３が上下２段に配置され、プラズマ処理室２０内には、基板搬送装置２１が配置されている。 - 特許庁

To provide a pressure control device capable of improving accuracy when controlling a pressure of processing gas in a processing chamber per processing condition.例文帳に追加

処理室内の処理ガスの圧力を制御する際の精度を加工条件ごとに向上できる圧力制御装置を提供する。 - 特許庁

To accurately position a substrate in a vacuum processing chamber in a substrate processing device for vacuum processing the substrate.例文帳に追加

基板の真空処理を行う基板処理装置において、真空処理室内の基板の位置決めを精度よく行うことを目的とする。 - 特許庁

For the wafer processing method, a specified film is formed on a wafer within any one vacuum processing chamber out of plural vacuum processing chambers.例文帳に追加

ウェーハ処理方法は、複数の真空処理チャンバのうち何れか１つの真空処理チャンバ内でウェーハ上に所定の膜を形成する。 - 特許庁

In a cluster device including a negative pressure transfer chamber which a wafer is carried into and out of, a processing unit and an auxiliary chamber adjacent to the negative pressure transfer chamber, and a gate valve 40 installed between the negative pressure transfer chamber and the processing unit as well as the auxiliary chamber, the gate valve 40 is provided with a status detector 60.例文帳に追加

ウエハが搬入搬出される負圧移載室と、負圧移載室に隣接する処理ユニットおよび予備室と、負圧移載室と処理ユニットおよび予備室との間に設置されたゲート弁４０とを具備するクラスタ装置において、ゲート弁４０に状態検出装置６０を設ける。 - 特許庁

The method includes: transferring a wafer from a cassette stage to a load lock chamber through a rectangular wafer transfer chamber of atmospheric pressure environment; forming vacuum pressure in the load lock chamber; transferring the wafer from the load lock chamber to the process chamber; and processing the wafer under vacuum in the process chamber.例文帳に追加

カセットステージから大気圧環境の長方形のウェハ移送チャンバーを通ってロードロックチャンバーにウェハを移送し、ロードロックチャンバー内に真空圧を形成し、ロードロックチャンバーから工程チャンバーにウェハを移送し、工程チャンバー内で真空下にウェハに対する加工を行う。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method which improve replaceability of the atmosphere in a processing chamber and prevent the atmosphere of chemicals scattered when the liquid processing of a substrate is performed and the like from remaining in the processing chamber.例文帳に追加

処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。 - 特許庁

The pressure regulating device 37 sends air to the piping chamber 12 to produce a supercharged state in the piping chamber 12 to thereby keep the inner pressure of the piping chamber 12 to be higher than that of a processing chamber 11 adjoining the piping chamber 12 through a partition wall 15.例文帳に追加

調圧装置３７は、配管室１２に空気を送り込んで配管室１２内を過給気状態にすることで、隔壁１５を介して隣接する処理室１１よりも配管室１２の内圧が高くなるように保つ。 - 特許庁

In the second etching processing chamber 9, the substrate 16 is optically etched.例文帳に追加

第２のエッチング処理室９では、光エッチングが基板１６に対して行われる。 - 特許庁

A pressure-reducing pump 31 exhausts the air in the processing chamber 20 to bring a pressure-reduced atmosphere.例文帳に追加

減圧ポンプ３１は、処理チャンバ２０内を排気して減圧雰囲気とする。 - 特許庁

INTEGRATED MEASURING TOOL FOR MONITORING AND CONTROLLING LARGE-AREA SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

大面積基板処理チャンバを監視及び制御するための総合計測ツール - 特許庁

To provide a plasma processing chamber which provides improved wafer area pressure control.例文帳に追加

ウェハ領域の圧力制御が改善されたプラズマ処理チャンバを提供する。 - 特許庁

CHAMBER DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MAINTENANCE METHOD例文帳に追加

チャンバ装置、基板処理装置、露光装置、デバイス製造方法、及びメンテナンス方法 - 特許庁

PLASMA PROCESSING CHAMBER WITH GROUND MEMBER INTEGRITY INDICATOR AND METHOD FOR USING THE SAME例文帳に追加

接地部材完全性インジケータを備えたプラズマ処理チャンバとその使用方法 - 特許庁

PROCESS CHAMBER COMPONENT HAVING INTERNAL SURFACE ON SUBJECTED TO TEXTURE PROCESSING, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

テクスチャー加工された内面を有するプロセスチャンバコンポーネント及び製造方法 - 特許庁

A high pressure processing system includes a chamber configured to house a substrate.例文帳に追加

基板を収容するように構成されたチャンバを含んでいる高圧処理システム。 - 特許庁

A rotary cutter 12 is provided in a cylindrical processing chamber 11.例文帳に追加

円筒状の加工室１１の中に、旋回式のカッタ１２が設けられている。 - 特許庁

A wafer (substrate) 1 is transported into a processing chamber 52 using a transportation means 65.例文帳に追加

搬送手段６５を用いてウェハ（基板）１を処理室５２内に搬入する。 - 特許庁

To prevent electrical arc discharge in a plasma auxiliary processing chamber of a semiconductor substrate.例文帳に追加

プラズマ補助半導体基板処理チャンバの電気的アーク放電を防止する。 - 特許庁

PLASMA AUXILIARY PROCESSING CHAMBER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING A PLURALITY OF GROUNDING PATH BRIDGE例文帳に追加

複数の接地経路ブリッジを有するプラズマ補助半導体基板処理チャンバ - 特許庁

METHOD OF REDUCING PRESSURE IN GAS-INTRODUCED CHAMBER CONTAINING HYDROGEN AND PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法、及び処理装置 - 特許庁

INTERMEDIATE CONVEYANCE CHAMBER, EXHAUST METHOD THEREOF, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法 - 特許庁

Preferably, the carrier is only exposed to a processing environment, namely the carrier does not reciprocate within a non-processing chamber.例文帳に追加

キャリアは処理環境に露出するだけ、すなわちキャリアは非プロセスチャンバ内を往復しないのが好ましい。 - 特許庁

A method and device are provided for protecting a device, such as a pump from a processing chamber of a semiconductor processing system.例文帳に追加

半導体処理システムの処理チャンバーからポンプのような装置を保護するための方法及び装置である。 - 特許庁

A substrate support (64) storing a workpiece is provided in the inside of a processing chamber (12) of a plasma processing system (10).例文帳に追加

プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。 - 特許庁

The device and method of thermally processing the substrate inside the processing chamber with the radiation source for heating the substrate are described.例文帳に追加

基板加熱用放射源付き処理チャンバ内で基板を熱処理する装置と方法について記述する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device which can prevent mixing of moisture into a vacuum processing chamber certainly.例文帳に追加

真空処理室への水分の混入を確実に防止することが可能な真空処理装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, a substrate introduced into the processing chamber 55 can be uniformly processed in a uniform processing gas atmosphere.例文帳に追加

そのため、均一な処理ガス雰囲気下で処理室５５内の基板に対する処理を行うことが可能になる。 - 特許庁

At least, a part of the inside wall of the plasma processing chamber is covered with an oxide film based on the processing plasma.例文帳に追加

前記プラズマ処理室内壁の少なくとも一部は、前処理プラズマに基づく酸化膜で覆われている。 - 特許庁

The active gas is introduced to the vacuum processing chamber 30, and processing of the wafer 20 with the active gas is started.例文帳に追加

活性ガスが真空処理室３０に導入され、活性ガスによるウエハ２０の加工処理が開始される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM EQUIPPED WITH VERTICALLY-STACKED PROCESSING CHAMBER AND SINGLE-SHAFT DOUBLE-WAFER CARRIER SYSTEM例文帳に追加

垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム - 特許庁

To provide a vacuum chamber capable of preventing adhesion of particles to an object to be processed, while keeping the cost of the vacuum chamber low, a vacuum processing apparatus equipped with the vacuum chamber, and to provide a method of manufacturing the vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバのコストを抑えつつ被処理体へのパーティクルの付着を防止可能な真空チャンバ、該真空チャンバを備える真空処理装置及び該真空チャンバの製造方法を提供する。 - 特許庁

The bonding apparatus 1 is provided with a chamber 2 as a processing chamber, a stage 4 arranged in the chamber 2 and placing the substrates 3 thereon, and a gas introducing path 5 and gas exhausting path 6 communicatively connected to the chamber 2.例文帳に追加

接合装置１は、処理室としてのチャンバー２と、チャンバー２内に設けられ基板３を設置するステージ４と、チャンバー２に連通されたガス導入路５及びガス排出路６とを備える。 - 特許庁

A wafer processing apparatus includes a chamber containing an internal space, a processing unit which is installed in the internal space of the chamber, can be drawn out through one surface of the chamber, and is provided with an exhaust line, and an exhaust member installed in the chamber.例文帳に追加

本発明の基板処理装置は、内部空間を有するチャンバと、前記チャンバの内部空間に設置され、前記チャンバの一面を通じて引き出すことができ、排気ラインを有する処理ユニットと、前記チャンバに設置される排気部材とを含む。 - 特許庁

The steamed tea leaf processing apparatus includes a first means comprising a processing chamber to be supplied with steamed tea leaves; a plurality of stages of air-permeable endless transport belts provided to place the tea leaves steamed in the processing chamber; and a hot air generator for supplying hot air into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の第１手段は、蒸熱した茶葉を投入する処理室と、該処理室内で蒸熱した茶葉を載置するために設けられた複数段の通気性の無端輸送帯と、前記処理室内へ熱風を供給する熱風発生器とより構成することを特徴とする蒸茶葉処理装置。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes the steps of: carrying-in a wafer 200 into a processing chamber 201; forming an HfO_2 film on the wafer 200 by alternately supplying TEMAH and O_3 into the processing chamber 201 while they are heated; and carrying-out the wafer 200 from the inside of the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

The functional film is manufactured by executing the heating processing and the plasma processing as the degassing processing before the film deposition, and controlling the processing condition in the heating processing according to the amount of gaseous hydrogen detected by a plasma processing chamber.例文帳に追加

成膜前の脱ガス処理として、加熱処理とプラズマ処理とを行い、プラズマ処理室で検出された水素ガス量に応じて、加熱処理における処理条件を制御することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁