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processing chamberの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2324件
A substrate processing apparatus 1 includes a chamber 2 for storing a substrate 16 to be processed.例文帳に追加
基板処理装置1は処理対象である基板16を格納するチャンバ2を備える。 - 特許庁
Consequently, heated clean air flows downward from above the processing chamber CHc.例文帳に追加
それにより、加熱された清浄な空気が処理チャンバCHcの上方から下方に流れる。 - 特許庁
In a processing chamber 2 of a sputtering apparatus 1, the substrate heating device 5 is disposed.例文帳に追加
スパッタリング装置1の処理チャンバ2内には、基板加熱装置5が配置されている。 - 特許庁
The material gas is supplied to the shower plate 4 of a processing chamber 2 through a pipe 70.例文帳に追加
配管70を通じて原料ガスを処理チャンバ2のシャワープレート4に供給する。 - 特許庁
After the deposition, the wafer 1 is transported out of the processing chamber 52 using the transportation means 65.例文帳に追加
堆積後、搬送手段65を用いてウェハ1を処理室52内から搬出する。 - 特許庁
Processing solvent supply-pipes 20, 21, 22 are connected to an upstream side of the chamber 10.例文帳に追加
チャンバー10の上流側に処理液供給管20,21,22が接続されている。 - 特許庁
A discharge pipe 140 is provided inside a processing chamber 20 and discharges dry gas.例文帳に追加
吐出管140は、処理チャンバ20内に設けられており、乾燥ガスを吐出する。 - 特許庁
A gas exhaust device 52 exhausts the gasified by-products to the outside of the processing chamber 51.例文帳に追加
ガス排気装置52は、ガス化された副生成物を処理チャンバ51外に排出する。 - 特許庁
An air supply unit 41 is disposed on a side wall near a top surface of the processing chamber 3.例文帳に追加
処理チャンバ3の天面付近の側壁には、給気ユニット41が配置されている。 - 特許庁
Thus, discharge is not performed in the form of PFC gas as it is to the outside of the processing chamber.例文帳に追加
これにより、処理チャンバー外へPFCガスのままで排出されないようにする。 - 特許庁
The gas guide section 2, which is connected with the processing chamber 4, accepts the reactant gas from the piping 5.例文帳に追加
導入部2は、処理室4に接続され、配管5からの反応ガスを受入れる。 - 特許庁
To prevent residual materials after cleaning from being left in a processing chamber, while shortening the cleaning time.例文帳に追加
クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。 - 特許庁
To provide a device for directing energy applied to a susceptor in a substrate processing chamber.例文帳に追加
基板処理チャンバのサセプタに加えられたエネルギーをリダイレクトするための装置を提供する。 - 特許庁
A delivering chamber SH is disposed over the processing spaces A and B.例文帳に追加
受け渡し室SHが処理空間Aと処理空間Bとにわたって配置されている。 - 特許庁
Thereby, the stability of the density of plasma generated in a processing chamber 2 can be enhanced.例文帳に追加
このため、処理室2に生成されるプラズマの密度の安定性を高めることができる。 - 特許庁
The substrate processing apparatus includes a substrate handling chamber, a pair of position sensors, and a substrate transfer robot.例文帳に追加
基板処理装置は、基板搬送チャンバ、一対の位置センサ、及び基板移送ロボットを含む。 - 特許庁
VENTILATION STRUCTURE OF PROCESSING CHAMBER, POLISHING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
加工室の換気構造、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス - 特許庁
A susceptor 13 is arranged inside the processing chamber 10 and serves as a base where the wafer Waf is arranged.例文帳に追加
サセプタ13は、処理チャンバ10内に配備され、ウェハWaf配置の基礎となる。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR GAS-FLOW CONDUCTANCE CONTROL IN CAPACITIVE COUPLING PLASMA PROCESSING CHAMBER例文帳に追加
容量結合プラズマプロセスチャンバにおけるガスフローコンダクタンス制御のための装置および方法 - 特許庁
The semiconductor laser chip subjected to the processes is unloaded from the processing chamber (step S16).例文帳に追加
以上の処理が施された半導体レーザチップを処理室から搬出する(ステップS16)。 - 特許庁
An apparatus for processing a substrate has a chamber, a high frequency power source, and a low frequency power source.例文帳に追加
基板処理用の装置は、チャンバ、高周波電源及び低周波電源を有する。 - 特許庁
A cleaning apparatus 30 is connected to a processing chamber 12 of a CVD system 10 for silicon.例文帳に追加
シリコンのCVD装置10の処理室12にクリーニング装置30が接続される。 - 特許庁
The amount of such deformation is measured with a displacement measuring device 114 from the outside of a processing chamber.例文帳に追加
その変形量を変位測定器114によって処理室の外側から測定する。 - 特許庁
A loading and unloading device is provided in the load chamber 16 connected to a processing chamber set to a processing environment different from an outer environment, so as to be openable in an airtight state to load and unload substrates 8 in the load chamber 16 and the processing chambers.例文帳に追加
外部環境とは異なる処理環境に設定される処理室に対して気密状態に開閉可能に連結された搬入室16等に設けられ、搬入室16等および処理室間における基板8の搬入出を行うものである。 - 特許庁
In the vacuum processing chamber supplied with negative ions, the negative ions are made to react with particles inside the vacuum processing chamber, and the semiconductor wafer is charged negative by the charging mechanism so that ionized particles do not adhere thereto, thus removing the particles in the vacuum processing chamber.例文帳に追加
マイナスイオンが供給された真空処理室で、マイナスイオンを真空処理室内のパーティクルと反応させ、帯電機構により半導体ウェハをイオン化されたパーティクルが付着しないように負に帯電させて、真空処理室内のパーティクルを除去する。 - 特許庁
To secure the stability of a sterilizing performance and to improve processing efficiency in a sterilizing apparatus (1) for performing sterilizing processing inside a processing chamber (2) by a sterilizing gas.例文帳に追加
滅菌ガスにより処理室(2)内の滅菌処理を行う滅菌装置(1)において、滅菌性能の安定性を確保した上で処理効率を向上させる。 - 特許庁
A processing chamber is heated at a processing temperature or higher beforehand when a substrate is charged, and it is cooled so that the substrate is kept at the processing temperature thereafter.例文帳に追加
基板が装入される前、処理室を処理温度以上に加熱し、基板が装入された後、基板が処理温度となる様に処理室を冷却する。 - 特許庁
To provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method which prevent a substrate in a processing chamber from being contaminated by residual chemicals adhered to a cup.例文帳に追加
カップに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。 - 特許庁
Multiple types of measuring tools can be installed in a substrate processing system to measure film properties after performing a substrate processing in the processing chamber.例文帳に追加
処理チャンバ内で基板処理した後の膜特性を測定するために基板処理システムにおいて複数のタイプの計測ツールを取り付けることができる。 - 特許庁
The UV is radiated also on a processing gas to be supplied into the pre- processing chamber 120 to remove the carbon also by active atoms generated from the processing gas.例文帳に追加
UVは,前処理室120内に供給される処理ガスにも照射され,処理ガスから生じた活性原子によってもカーボンが除去される。 - 特許庁
On a side wall 8 of a chamber 2 of a plasma processing apparatus 1, an earth wire 9 is attached which fixes the chamber 2 at a ground potential.例文帳に追加
プラズマ処理装置1のチャンバー2の側壁部8には、チャンバー2を接地電位に固定するアース線9が取り付けられている。 - 特許庁
An openable and closable suction port (52) and a blowing-out port (54) are arranged in a border wall (50) between the sterilizing chamber and the ozone processing chamber.例文帳に追加
殺菌室とオゾン処理室との間の境界壁(50)には開閉可能な吸入孔(52)及び噴出孔(54)が設けられる。 - 特許庁
To provide a vacuum chamber to and from which a substrate can be conveyed in and out, in a state where a desired vacuum pressure is maintained inside a processing chamber.例文帳に追加
プロセス室内を所望の真空圧に維持した状態で、基板の搬入及び搬出が可能な真空チャンバーを提供する。 - 特許庁
In one embodiment, a processing chamber is provided that includes a ground path member coupled between a substrate support and a chamber body.例文帳に追加
一実施形態において、基板支持体とチャンバ本体部との間に連結された接地経路部材を含む処理チャンバを提供する。 - 特許庁
Between the processing chamber 3 which holds a mask M and the wafer W and the coater developer 8, a load lock chamber 5 and a carrying mechanism 9 are provided.例文帳に追加
マスクMやウエハWを保持する処理室3とコーターディベロッパー8の間にはロードロック室5と搬送機構9が設けられる。 - 特許庁
A substrate processing apparatus includes a processing chamber for processing substrates, a substrate holding section stored in the processing chamber and configured to hold a plurality of substrates, a transfer device for transferring substrates to the substrate holding section, and a control section for controlling the transfer device.例文帳に追加
基板処理装置は、基板を処理する処理室と、処理室内に収納され、複数枚の基板を保持するよう構成された基板保持部と、基板保持部に基板を移載する移載機と、移載機を制御する制御部と、を備える。 - 特許庁
The system also includes a processing chamber employing an intake exhaust system so specially designed that a gas curtain of a reaction gas can be formed between each of the processing stations in the processing chamber, the uniformity among the processing stations can be improved, and mutual interference of reaction gas between different processing stations can be avoided.例文帳に追加
処理チャンバ内の各処理ステーションの間に反応ガスのガス幕が形成されて、各処理ステーション間の均一性が改良され、異なる処理ステーション間の反応ガスの相互干渉が避けられるように、特別に設計された吸排気システムを採用した処理チャンバも開示している。 - 特許庁
FOOD CONTROL/PROCESSING SYSTEM, MAIN DATA SERVER, FOOD CONTROL METHOD OF MAIN DATA SERVER, USER DATA SERVER, FOOD STORAGE CHAMBER, FOOD CONTROL METHOD FOR FOOD STORAGE CHAMBER, FOOD PROCESSING MACHINE, FOOD PROCESSING METHOD OF FOOD PROCESSING MACHINE, PORTABLE TERMINAL, AND FOOD CONTROL/PROCESSING METHOD例文帳に追加
食品管理・加工システム、メインデータサーバ、メインデータサーバの食品管理方法、ユーザデータサーバ、ユーザデータサーバの食品管理方法、食品貯蔵庫、食品貯蔵庫の食品管理方法、食品加工機、食品加工機の食品加工方法、携帯型端末、食品管理・加工方法 - 特許庁
The liquid processing system 1 comprises a tubular processing chamber 26, and a mechanism disposed in the processing chamber 26 and liquid processing an article, e.g. a wafer W held rotatably, while rotating by supplying a specific processing liquid thereto.例文帳に追加
液処理装置の一実施形態である洗浄処理装置1は、筒状の処理チャンバ26と、処理チャンバ26内に設けられ、回転自在に保持されたウエハW等の被処理体を回転させながら被処理体に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理機構とを具備する。 - 特許庁
The plasma processor has the processing chamber 12 in which a substrate to be processed 4 is arranged, and a plasma-discharge generator being mounted in the processing chamber 12 and generating a plasma for plasma-processing the substrate to be processed 4.例文帳に追加
プラズマプロセス装置は、被処理基板4が内部に配置される処理室12と、処理室12の内部に設けられ被処理基板4にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus that can transfer a substrate from a first chamber to a second chamber, without using a substrate robot and can perform processing on the substrate by using a processing fluid during the transfer.例文帳に追加
基板ロボットを用いることなく第1チャンバから第2チャンバに基板を搬送させることができ、かつその搬送中の基板に処理流体を用いた処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁
The raw material gas is introduced into a reaction chamber to generate plasma, and a substrate support part 1, on which a semiconductor substrate as the processing object is placed, is arranged within the reaction chamber in the plasma processing apparatus provided for the plasma processing.例文帳に追加
反応室内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させて、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、反応室の内部に、処理対象となる半導体基板が載置される基板支持部1を配置する。 - 特許庁
The substrate processing apparatus 100 is provided with a first common conveyance chamber 102 connected to processing chambers 104A-104D in common, and a second common conveyance chamber 120 connected to processing chambers 104E and 104F.例文帳に追加
基板処理装置100は,処理室104A〜104Dに共通に連結される第1共通搬送室102と,処理室104E,104Fに共通に連結される第2共通搬送室120とを備える。 - 特許庁
A memory 102 stores the initial reference location of a transfer arm, a first correlation between the processing recipe and the sidewall temperature of a processing chamber, and a second correlation between the sidewall temperature of the processing chamber and the corrected value of a reference location.例文帳に追加
記憶部102は、搬送アームの初期基準位置と、処理レシピと処理チャンバの側壁温度との第1の相関と、処理チャンバの側壁温度と基準位置の補正値との第2の相関とが記憶されている。 - 特許庁
To provide a substrate processing device which is capable of restarting the optimal processing of a substrate whose processing is interrupted without taking out the substrate from a processing chamber.例文帳に追加
処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理が中止された基板に対して最適な処理を再実行することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁
In another embodiment, a method for vacuum processing a substrate is provided that includes disposing a substrate on a substrate support in the processing chamber, flowing processing gas laterally into a space defined above a gas distribution plate positioned on the substrate in the processing chamber, and processing the substrate in the presence of the processing gas.例文帳に追加
他の実施形態において、基板を処理チャンバ内の基板支持部上に配置し、処理チャンバ内の基板上に配置されたガス分配板上に規定した空間に処理ガスを横方向に流し、処理ガスを存在させて基板を処理することを含む基板を真空処理する方法を提供する。 - 特許庁
The vacuum processing system comprises a vacuum processing chamber 3, a first gas introducing section 30 arranged to introduce first processing gas in radical state into the vacuum processing chamber 3 thence to a semiconductor wafer 10, and a second gas introducing section 40 arranged to introduce second processing gas reacting on the first processing gas into the vacuum processing chamber 3 thence to the semiconductor wafer 10.例文帳に追加
本発明の真空処理装置は、真空処理槽3と、ラジカル状態の第1の処理ガスを真空処理槽3内に導入して半導体ウェーハ10に導くように構成された第1のガス導入部30と、第1の処理ガスと反応する第2の処理ガスを真空処理槽3内に導入して半導体ウェーハ10に導くように構成された第2のガス導入部40とを備える。 - 特許庁
In the plasma processing apparatus for processing the sample placed on a sample stage 150 located in the inside of a processing chamber 100 by using plasma produced in the processing chamber 100, at least one of members 3 freely attachably/detachably fitted to/from one side of the inner wall 1 of the processing chamber has a part coated by a material 31 different from that of the other parts.例文帳に追加
処理室100の内側に配置された試料台150上に載置された試料を、処理室100内に生成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置において、処理室内壁1面に着脱自在に取付ける部材3の少なくとも1つは、他の部位とは異なる材料31で被覆された部位を有する。 - 特許庁
A substrate processing apparatus 1 has a treating chamber 12 housing a wafer W, a conveying arm 17 conveying the wafer W to the treating chamber 12 and a susceptor 45 being arranged in the processing chamber 12 and placing the conveyed wafer W.例文帳に追加
基板処理装置1は、ウエハWを収容する処理チャンバ12と、該処理チャンバ12にウエハWを搬送する搬送アーム17と、当該処理チャンバ12に配置され、搬送されたウエハWを載置するサセプタ45とを備える。 - 特許庁
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