「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma processing system comprises a process chamber within which plasma is both ignited and sustained for processing.例文帳に追加

プラズマ処理システムは、処理チャンバを備え、処理チャンバ内では、処理のためにプラズマが点火および維持される。 - 特許庁

The lower part of the substrate processing region 203 is provided with an evacuation opening 43 for evacuating the processing chamber 201.例文帳に追加

基板処理領域２０３の下部には、処理室２０１を排気する排気口４３が設けられる。 - 特許庁

To provide an antenna and a plasma processing apparatus easy to enhance a plasma density in a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室内のプラズマ密度を高くすることが容易なアンテナ、およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A flexible film processing apparatus includes: a supply roll and a take up roll moving a flexible film; a processing chamber provided between the supply roll and the taking up roll and processing the flexible film; a first vacuum chamber provided between the supply roll and the processing chamber; and a second vacuum chamber provided between the processing chamber and the take up roll.例文帳に追加

可撓性フィルム処理装置は、可撓性フィルムを移動する供給ロール及び巻取りロールと、前記供給ロールと前記巻取りロールの間に設けられ、前記可撓性フィルムを処理する処理室と、前記供給ロールと前記処理室の間に設けられた第一の真空室と、前記処理室と前記巻取りロールの間に設けられた第二の真空室と、を有する。 - 特許庁

The cooling device has the processing chamber 1 capable of receiving the cooled object, the cooling chamber 3 for cooling the gas, the air distributing means 4, and the air volume adjusting means 2 for dividing the gas into the cooling gas for processing guided to the processing chamber and the cooling gas for circulation returning to the cooling chamber without passing through the processing chamber.例文帳に追加

冷却装置は、被冷却物を収容することのできる処理室１、気体を冷却することのできる冷却室３、送気手段４、及び処理室へ案内される処理用冷却気体と、処理室を通過せずに冷却室に戻る循環用冷却気体とに分割することのできる風量調節手段２を有する。 - 特許庁

The protective film 50 made of a yttrium oxide coat is formed on an inner wall of the chamber 11 and the surface of a plasma processing chamber 61 which is a component member in the chamber 11.例文帳に追加

チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。 - 特許庁

A substrate 1 placed on a transfer tray 2 is transferred to a first vacuum standby chamber 4, a processing chamber 5, and a second vacuum standby chamber 13.例文帳に追加

基板１は搬送トレー２上に載置された状態で、第１の真空予備室４、処理室５および第２の真空予備室１３に搬送される。 - 特許庁

METHOD OF ADJUSTING VACUUM PROCESSING CHAMBER AND INNER WALL MEMBER THEREFOR例文帳に追加

真空処理装置の調整方法および真空処理装置の内壁部材 - 特許庁

To improve reliability by suppressing dew formation on a sample stand in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。 - 特許庁

To stabilize the feed rate of the evaporated gas of liquid raw material supplied to a processing chamber.例文帳に追加

液体原料の気化ガスの処理室への供給を安定させる。 - 特許庁

After the processing chamber 4 is moved to expose the second principal surface S2 of the semiconductor wafer 1 to the external side of the processing chamber 4, the pure water W is dried up.例文帳に追加

そして、半導体ウェハ１の第２主面Ｓ２が処理室４の外側に露出するように処理室４を移動させた後、純水Ｗを乾燥する。 - 特許庁

To prevent a cartridge chamber cover from being opened by mistake in the midst of film feeding processing.例文帳に追加

フイルム給送処理中のカートリッジ室蓋の誤開放を防止する。 - 特許庁

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, LOAD LOCK CHAMBER UNIT, AND METHOD FOR CARRYING OUT CONVEYING DEVICE例文帳に追加

基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法 - 特許庁

Consequently, the inner surface of the wafer processing chamber 1 is made to deposit a deposit component positively, so that the inner surface of the wafer processing chamber 1 can be protected from plasma.例文帳に追加

これにより、デポジット成分をウェハ処理室１内面に積極的に堆積させて、当該ウェハ処理室１内面をプラズマから保護することができる。 - 特許庁

After film forming process, plasma is generated from the cleaning gas with a remote plasma unit 6 different from the processing chamber 1 and the generated plasma is introduced into the processing chamber 1.例文帳に追加

成膜処理終了後に、処理チャンバ１とは別のリモートプラズマユニット６にてクリーニングガスからプラズマを生成して、処理チャンバ１に導入する。 - 特許庁

An etching gas serving as a processing gas is supplied into a processing chamber 2 via diffusion holes 23 of an upper electrode 21 that extends in the upper region of the chamber 2.例文帳に追加

処理ガスとしてのエッチングガスは、処理室２の上部にある上部電極２１の拡散孔２３を通じて処理室２内へと供給される。 - 特許庁

APPARATUS FOR REDUCING PARTICLE RESIDUE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

半導体処理チャンバにおける粒子残留物を減少させるための装置 - 特許庁

Oxygen gas is introduced from an oxygen supply source 51 into the processing chamber 43, and ethylene gas is introduced from an unsaturated hydrocarbon supply source 52 into the processing chamber 43.例文帳に追加

また、処理室４３の内部には、酸素供給源５１から酸素ガスが導入され、不飽和炭化水素供給源５２からエチレンガスが導入される。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF CHAMBER, BOARD PROCESSING UNIT AND SEMICONDUCTOR UNIT USING THIS例文帳に追加

容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

The wafer plasma processing chamber is constituted so as to allow reaction radicals to react with the seeds on the surface of a wafer arranged in the wafer plasma processing chamber.例文帳に追加

ウエハプラズマ処理チャンバは、ウエハプラズマ処理チャンバ内に配置されたウエハの表面において反応基を種と反応させるように構成されている。 - 特許庁

The substrate processing device 1 is provided with a chamber 40 to house a processing tank 20 and a shower nozzle 30 and a shutter 41 to seal the chamber 40.例文帳に追加

基板処理装置１は、処理槽２０およびシャワーノズル３０を収容するチャンバ４０と、チャンバ４０を密閉するシャッタ４１とを備えている。 - 特許庁

To provide a chamber inner wall protecting member for plasma processing equipment which can be used stably for a long period of time, and also to provide a plasma processing chamber provided with the protecting member.例文帳に追加

長時間に亘り安定使用が可能なプラズマ処理装置のチャンバー内壁保護部材及び該保護部材を配置したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the temperature reduction of an expansion member for retaining an airtightness of a processing chamber.例文帳に追加

処理室の気密を保持する伸縮部材の温度低下を防止する。 - 特許庁

To remove contaminants from a surface in a silicon substrate processing chamber.例文帳に追加

シリコン基板処理チャンバ内の表面から汚染物質を除去する方法。 - 特許庁

A substrate processing apparatus has a vacuum chamber and the load lock for gas removal.例文帳に追加

基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。 - 特許庁

A box-shaped housing 2 is provided enclosing the processing chamber 1.例文帳に追加

処理チャンバ１を取り囲むように箱形のハウジング２が設けられている。 - 特許庁

Further, there is provided a substrate conveyance mechanism which conveys a substrate 2 between the processing chamber 24 and the vacuum spare rooms 28a, 28b approaching the processing chamber 24.例文帳に追加

更に、処理室２４とそれに接近している真空予備室２８ａ、２８ｂとの間で基板２を搬送する基板搬送機構が設けられている。 - 特許庁

The equipment for etching photomask includes a processing chamber provided with a shield above a substrate support.例文帳に追加

本装置は基板支持体上方にシールドを備えた処理チャンバを含む。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR SHIELDING DEVICE FROM SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

半導体ウェーハ処理チャンバーから装置をシールドするための方法及び装置 - 特許庁

The carrier is reversibly moved within the processing chamber along tracks 123, 125.例文帳に追加

キャリアはトラック１２３，１２５に沿ってプロセスチャンバ内を可逆的に移動される。 - 特許庁

Multiple ion beam line assemblies are arranged around a common processing chamber.例文帳に追加

複数のイオンビームラインアセンブリーが、共通処理チャンバーの周囲に配置される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of sufficiently scavenging a gas staying in a processing chamber for baking, and to provide a device for manufacturing a semiconductor capable of scavenging a gas staying in the processing chamber for baking.例文帳に追加

ベークを行う処理室内に停留したガスを充分に掃気することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 201 for processing a wafer 200, gas supply pipes 232a, 232b for supplying a processing gas into the processing chamber, a gas exhaust pipe 231 for exhausting the atmospheric gas in the processing chamber, and a first electrode 269 and a second electrode 270 to which high-frequency power is applied in order to bring the processing gas into an active state.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室に処理ガスを供給するガス供給管２３２a、２３２bと、処理室内の雰囲気を排気するガス排気管２３１と、処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される第１の電極２６９及び２の電極２７０とを有する。 - 特許庁

The warming-up processing section 4 consists of a second reaction chamber water quality data setting section 41, a variable model parameter setting section 42, a water quality stabilization processing section 43 and a reaction chamber water quality data saving processing section 44.例文帳に追加

このウォーミングアップ処理部４は、反応槽水質データ第２設定部41と、可変モデルパラメータ設定部42と、水質安定化処理部43と、反応槽水質データ保存処理部44とからなる。 - 特許庁

At least, prescribed processing gas is introduced into a processing chamber 11 from a gas supply system 12, and ECR discharge (ECR plasma) is generated in a suitable region in the processing chamber 11.例文帳に追加

処理室１１は、ガス供給系１２から少なくとも所定の処理用のガスが導入され、処理室１１内の適当な領域でＥＣＲ放電（ＥＣＲプラズマ）が生成される。 - 特許庁

To provide a substrate processing device and a cleaning method in a processing chamber capable of avoiding the problem of the substrate contamination by the wash water for washing the inside of the processing chamber.例文帳に追加

処理室内を洗浄するための洗浄水による基板汚染の問題を回避することができる、基板処理装置および処理室内洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

The ultraviolet cleaning tool has an ultraviolet source arranged in a processing chamber, which can be located above a surface 104 and used during various processing in the processing chamber.例文帳に追加

紫外線洗浄器具は、処理チャンバーの中に設置された紫外線光源１０２を有し、表面１０４の上方に位置させ、処理チャンバー内の様々な処理中に使用してよい。 - 特許庁

This apparatus is provided with a high frequency wave introducing means 3 for introducing high frequency wave into the processing chamber 2, a discharge means 20 for discharging atmosphere in the processing chamber 2, and a process gas introducing means 12 for introducing process gas into the processing chamber 2.例文帳に追加

当該装置は、処理室２に高周波を導入する高周波導入手段３と、処理室２内の雰囲気を排気する排気手段２０と、プロセスガスを処理室２内に導入するプロセスガス導入手段１２とを備える。 - 特許庁

Moreover, the apparatus includes a second processing chamber which is located on a second side of the center fluid distribution bank and a distribution arm which translates between the center fluid distribution bank, the first processing chamber, and the second processing chamber in parallel.例文帳に追加

また、当該装置は、中央流体分配バンクの第２の側に位置された第２の処理チャンバと、中央流体分配バンクと第１の処理チャンバと第２の処理チャンバとの間で並進するようになっている分配アームとを含む。 - 特許庁

In a board processor which has at least one processing chamber 6 and a plurality of heat sources 17, the junction part of the above processing chamber is provided with a cooling means 20, and the cooling means insulates the processing chamber from other heat sources.例文帳に追加

少なくとも１つの処理室６と複数の熱源１７を有する基板処理装置に於いて、前記処理室の接合部分に冷却手段２０を設け、該冷却手段により処理室を他の熱源から遮熱する。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus, which generates plasma by supplying high-frequency power into a processing chamber and processes the object based on the plasma, a high-frequency antenna is arranged on the inside and on the outside of the processing chamber so as to surround the top board of the processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該プラズマに基づき被処理体を処理するプラズマ処理装置において、処理チャンバの天板を巻くように、高周波アンテナが処理チャンバ内および処理チャンバ外に配置される。 - 特許庁

After the specific internal pressure is applied to the processing chamber P, the probability of intrusion of outside foreign matters into the processing chamber P is lowered even when the exhausting of the differential pressure chamber 151 of the first differential exhaust seal 151 is interrupted, thus the processing can be properly performed in the processing chamber P after the termination of maintenance.例文帳に追加

但し、プロセス室Ｐが所定の内圧に達した後は、第１の差動排気シール１５１の差圧室１５１の排気を中断しても、外部の異物がプロセス室Ｐ内に侵入する恐れは低く、それによりメンテナンス終了後においてプロセス室Ｐ内で行われる加工を適切なものとできる。 - 特許庁

The method comprises a step 1 of inserting a batch of semiconductor wafers into a processing chamber, a step 2 of depositing titanium nitride (TiN) onto the wafers in the processing chamber, and a step of depositing silicon onto the wafers in the processing chamber, without having to remove the wafers from the processing chamber between the plurality of depositing steps.例文帳に追加

半導体ウェハのバッチをプロセスチャンバに挿入するステップ１と、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、チタン窒化物（ＴｉＮ）を蒸着するステップ２と、複数の前記蒸着するステップの間に、前記プロセスチャンバから前記ウェハを取り出すことなしに、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、シリコンを蒸着する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has steps of supplying a first gas into a processing chamber from a first nozzle communicating with the processing chamber while decreasing exhaust velocity in the processing chamber, supplying an inert gas into the first nozzle after stopping the supply of the first gas, and removing the first gas remaining in the processing chamber.例文帳に追加

処理室に連通する第１ノズルから、処理室内の排気速度を低下させた状態で処理室内に第１ガスを供給する工程と、第１ガスの供給を止めた後、第１ノズル内に不活性ガスを供給する工程と、処理室内に残留する第１ガスを除去する工程と、を有する。 - 特許庁

To suppress degradation of atmosphere within a chamber and also to suppress changes in position and attitude of a processing device which is built in the chamber.例文帳に追加

チャンバ内の雰囲気の劣化を抑えると共に、チャンバに内蔵される処理装置の位置や姿勢の変化を抑える。 - 特許庁