「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate processing apparatus includes: a transfer chamber in which substrates are transferred under negative pressure; processing chambers connecting to the transfer chamber and in which heating treatment is performed on the substrates; a transfer robot provided in the transfer chamber and transferring the substrates to the inside or outside of each processing chamber, and a cooling part cooling an inner wall of the transfer chamber.例文帳に追加

負圧下で基板が搬送される搬送室と、搬送室に接続され基板に加熱処理を施す処理室と、搬送室内に設けられ処理室内外へ基板を搬送する搬送ロボットと、搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える。 - 特許庁

In this constitution, the first vacuum pump 42 shuts off the vacuum processing chamber 12 from the plasma chamber 54, so that a decomposing operation carried out in the plasma chamber 54 never affects the vacuum processing chamber 12.例文帳に追加

この構成では、第１の真空ポンプが真空処理チャンバとプラズマチャンバとの間を遮断するため、プラズマチャンバ内での分解処理が真空処理チャンバに対して影響を与えることはない。 - 特許庁

A delivering unit 31 delivering a substrate is provided in the delivering chamber SH between the chamber SH and the conveying unit 11 of the processing space A, and between the chamber SH and the conveying unit 21 of the processing chamber B.例文帳に追加

受け渡し室ＳＨ内には処理空間Ａの搬送ユニット１１との間および処理空間Ｂの搬送ユニット２１との間で基板の受け渡しを行う受け渡しユニット３１が設けられる。 - 特許庁

A substrate processing system 10 includes a substrate processing chamber 102, a hoop LP and a front storage FST for storing substrates, and an atmospheric carrying chamber coupling the substrate processing chamber to the hoop and front storage.例文帳に追加

基板処理システム１０は、基板処理室１０２、基板を収納するフープＬＰ及びフロントストレージＦＳＴ、基板処理室とフープ及びフロントストレージとを連結する大気搬送室ＴＭを有する。 - 特許庁

To suppress scraping of a interior wall surface of a vacuum processing chamber or erosion of components in the vacuum processing chamber by suppressing self-bias arising in the interior wall surface of the vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理室内壁表面に発生する自己バイアスを抑制することにより、真空処理室内壁表面の削れあるいは真空処理室内パーツの消耗を抑制することを課題とする。 - 特許庁

To prevent, when taking out only part of substrates accommodated in a processing chamber, the remaining substrates from interfering with an inner wall of the processing chamber, so as to sufficiently downsize the processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内に収納されている基板の一部のみを搬出する場合に残りの基板が処理チャンバの内壁に干渉することを防止し、処理チャンバを十分に小型化できるようにする。 - 特許庁

The processing module includes: a transfer chamber where a robot transferring the substrate is provided; a load lock chamber placed between the transfer chamber and the transfer module; a first processing chamber disposed around the transfer chamber so as to be separated from the transfer module and performing a first processing process; and a second processing chamber disposed around the transfer chamber and performing a second processing process.例文帳に追加

前記処理モジュールは、前記基板を搬送するロボットが提供されるトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されるロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に前記移送モジュールと離隔配置されて第１処理工程を遂行する第１処理チャンバー、及び前記トランスファーチャンバーの周囲に配置されて第２処理工程を遂行する第２処理チャンバーを含む。 - 特許庁

A wafer 47 to be treated is arranged in the internal processing chamber 42 of a substrate treatment chamber 141 of double structure consisting of the internal processing chamber 42 and an external chamber 43, circulation liquid is supplied to the space section 53 between the internal processing chamber 42 and the external chamber 43, and the wafer 47 is treated by supplying supercritical fluid 70 to the internal processing chamber 42.例文帳に追加

内部処理チャンバー４２と外部チャンバー４３とからなる二重構造の基板処理チャンバー１４１の、該内部処理チャンバー４２内に被処理ウェーハ４７を配置し、内部処理チャンバー４２と外部チャンバー４３との間の空間部５３に循環用液体を供給し、内部処理チャンバー４２に超臨界流体７０を供給して、被処理ウェーハ４７に対する処理を行う - 特許庁

A processing chamber 5 is constituted of a crushing chamber 40 for crushing the material to be treated and a collection chamber 50 for housing particles of a desired grain size.例文帳に追加

処理室５は被処理材料を粉砕する粉砕室４０と所望の粒径の粒子を収容する回収室５０とでなる。 - 特許庁

The chamber component has a chamber element, and the chamber element has a first surface on a supply side thereof and a second surface on a processing side thereof.例文帳に追加

チャンバー部品はチャンバー素子を有し、チャンバー素子は、その供給側の第１表面と、その処理側の第２表面とを有する。 - 特許庁

The plasma processing chamber is a vacuum chamber with a device connected for generating and maintaining a plasma.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバは、プラズマを発生し、維持するために結合された装置を持った真空チャンバである。 - 特許庁

In the first processing chamber 50, the transport route 70 and the second processing chamber 60, oxygen partial pressure is kept in atmosphere of not more than 10ppm.例文帳に追加

第１処理室５０と、搬送経路７０と、第２処理室６０とは、酸素分圧が１０ｐｐｍ以下の雰囲気に保たれている。 - 特許庁

A plasma discharge tube (discharge tube) 11 is installed inside a reaction processing chamber 1, penetrating through the wall of the processing chamber 1.例文帳に追加

反応処理槽１内部に反応生成堆積物除去を目的としてプラズマ放電管（放電管）１１を壁面貫通設置する。 - 特許庁

POSITIONER OF CARRIER OF VACUUM PROCESSOR IN VACUUM PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

真空処理装置の真空処理室におけるキャリアの位置決め装置 - 特許庁

The drying chamber 4 includes a plurality of drying processing parts 55A-55F.例文帳に追加

乾燥室４は、複数の乾燥処理部５５Ａ〜５５Ｆを備えている。 - 特許庁

To provide a method of forming a Ta2O5 film in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内におけるＴａ_2Ｏ_5膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The upper arm extends and carries the unprocessed wafer in a processing chamber 16.例文帳に追加

上アームが伸長し未処理ウエハを処理室１６に搬入する。 - 特許庁

A first etching processing chamber 1 and a second etching processing chamber 9 which hold an airtight state are coupled via a gate valve 8.例文帳に追加

気密状態を保持する第１のエッチング処理室１と第２のエッチング処理室９とがゲートバルブ８を介して連結されている。 - 特許庁

Subsequently, the wafer W is carried to the processing chamber 8 from the UV processing chamber 7 to be supplied with a sulfuric anhydride on its surface.例文帳に追加

次いで、ウエハＷは、ＵＶ処理室７からレジスト剥離処理室８へと搬送され、その表面に無水硫酸の供給を受ける。 - 特許庁

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND STATUS STABILIZATION METHOD IN TREATMENT CHAMBER例文帳に追加

基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法 - 特許庁

To provide a method and device for cleaning a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバを洗浄するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

CONVEYANCE CHAMBER, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND METHOD FOR DETECTING FAULT OF SUBSTRATE例文帳に追加

搬送室、基板処理装置および基板の異常検出方法 - 特許庁

To prevent atmosphere in a substrate processing chamber from being leaked to the outside.例文帳に追加

基板処理室内の雰囲気が外部に漏洩するのを防止する。 - 特許庁

The wall part cooling member 52 cools a wall surface of the processing chamber 4.例文帳に追加

壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。 - 特許庁

The wafer support is configured to support a wafer in the processing chamber.例文帳に追加

ウエハ支持体は、処理チャンバ内でウエハを支持するために具備される。 - 特許庁

To stop processing after a prescribed time or require an end point of a processing stage and clean chamber walls and surfaces, without corroding the chamber surfaces.例文帳に追加

所定の期間後処理を停止し、又は処理の終点を求め、また、チャンバ表面を腐食せずにチャンバ壁と表面をクリーニングする。 - 特許庁

Space SP is formed between the processing chamber 1 and housing 2.例文帳に追加

処理チャンバ１とハウジング２との間に空間ＳＰが形成される。 - 特許庁

A substrate processing system comprises a housing which demarcates a processing chamber that is used for forming a film on the surface of a substrate arranged inside the chamber.例文帳に追加

基板処理システムが、チャンバ内に配置された基板の基板表面上に膜を形成するためのチャンバを画定するハウジングを含む。 - 特許庁

METHOD OF CLEANING EQUIPMENT SURFACES IN SEMICONDUCTOR MATERIAL PROCESSING CHAMBER例文帳に追加

半導体材料処理室における装置表面のクリーニング方法 - 特許庁

With the common transfer chamber 51, a plurality of vacuum processing chambers 53a-53e, a loading chamber 54, an unloading chamber 55, and a carriage chamber 56 are connected via gate valves 59.例文帳に追加

共通搬送室５１に対して、複数の真空処理室５３ａ〜５３ｅ、ロード室５４、アンロード室５５、及び台車室５６がゲート弁５９を介して接続される。 - 特許庁

In this substrate processing apparatus, a substrate 2 is transported in the horizontal orientation through a processing chamber by a transport mechanism 3.例文帳に追加

基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。 - 特許庁

To provide a multi-chamber substrate processing apparatus that can implement high processing efficiency.例文帳に追加

本発明は、処理の高効率化が可能なマルチチャンバ方式の基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The undercut extends over the center line of the processing chamber on the side of the processing cavity.例文帳に追加

前記アンダーカットは、前記処理キャビティ側の前記処理チャンバの中心線を超えて延在する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing a plurality of substrates in a batch processing chamber.例文帳に追加

バッチ処理チャンバにおいて複数の基板を処理するための装置および方法を提供する。 - 特許庁

A periodical plasma cleaning processing is performed inside the processing chamber 10 for high quality film formation.例文帳に追加

高品質の成膜のために処理チャンバー１０内は定期的なプラズマクリーニング処理が行われる。 - 特許庁

To provide a method and a device of pre-processing a polymer material in a processing chamber (12).例文帳に追加

処理チャンバ（１２）内のポリマー材料を前処理するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a processing apparatus capable of reducing exhaustion of every member grounded in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内の接地された各部材の消耗を軽減可能な処理装置を提供する。 - 特許庁

BACKUP EXHAUST CHAMBER, SAMPLE PROCESSING EQUIPMENT, SAMPLE ANALYZER EQUIPMENT, SAMPLE PROCESSING METHOD, AND SAMPLE ANALYTICAL METHOD例文帳に追加

予備排気室、試料処理装置、試料分析装置、試料処理方法および試料分析方法 - 特許庁

To provide an apparatus for supporting a substrate within a processing chamber when processing a large glass panel.例文帳に追加

大型ガラスパネルの処理の際に処理チャンバ内で基板を支持する為の装置が提供される。 - 特許庁

METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER USING PLASMA PROCESSING CHAMBER IN WAFER TRACK ENVIRONMENT例文帳に追加

ウェーハトラック環境内のプラズマ処理チャンバを用いて半導体ウェーハを処理する方法及び装置 - 特許庁

To provide a cleaning method capable of shortening a cleaning processing time and preventing residual materials from remaining in a processing chamber after cleaning.例文帳に追加

クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus capable of washing deposit inside a processing chamber and a washing method of the liquid processing apparatus.例文帳に追加

処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that reduce an influence of an airborne processing liquid mist in a chamber.例文帳に追加

チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The chamber device 7 comprises a main chamber 80 housing a work processing device in which the work processing needs to be carried out in the atmosphere isolated from the surrounding atmosphere, a preliminary chamber 81 adjacent to the main chamber 80, a main chamber door 152 for opening and closing a main chamber doorway 151, and a preliminary chamber door 162 for opening and closing a doorway to the outside.例文帳に追加

チャンバ装置７は、ワーク処理を周囲の雰囲気と隔絶した雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を収容する主室８０と、主室８０に隣接する予備室８１と、主室出入り口１５１を開閉する主室扉１５２と、外部出入り口を開閉する予備室扉１６２とを備える。 - 特許庁

The plasma processing system is at least provided with a plasma processing chamber for plasma processing to an object to be processed, an object holding means for arranging the object in the plasma processing chamber, and a plasma generating means for generating a plasma in the plasma processing chamber.例文帳に追加

被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と；該被処理体を、前記プラズマ処理室内に配置するための被処理体保持手段と；該プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段とを少なくとも含むプラズマ処理装置。 - 特許庁