「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.例文帳に追加

被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

This absorption spectrometric apparatus for the semiconductor manufacturing process includes: a channel switching mechanism 50 connected to an exhaust channel of a processing chamber 39 in the semiconductor manufacturing process; and an absorption spectrometric apparatus 51 for multiple reflection type moisture concentration measurement for detecting an absorbance change caused by gas by multiple reflection in the cell of laser light from a laser light source, and measuring the moisture concentration in process gas.例文帳に追加

半導体製造プロセス用吸光分析装置は、半導体製造プロセスの処理チャンバ３９の排気流路に接続された流路切換え機構５０と、レーザ光源からのレーザ光をセル内で多重反射させてガスによる吸光度変化を検出してプロセスガス中の水分濃度を測定する多重反射型水分濃度計測用吸光分析計５１とを備えている。 - 特許庁

In one embodiment, a method for etching chromium includes steps of: preparing a film stack having a chromium layer in a processing chamber; patterning a photoresist layer on the film stack; depositing a conformal protective layer on the patterned photoresist layer; etching the conformal protective layer to expose the chromium layer through the patterned photoresist layer; and etching the chromium layer.例文帳に追加

一実施形態において、クロムをエッチングする方法は、クロム層を有する膜スタックを処理チャンバー内に用意するステップと、膜スタック上でホトレジスト層をパターン化するステップと、パターン化されたホトレジスト層に適合保護層を堆積するステップと、その適合保護層をエッチングして、パターン化されたホトレジスト層を通してクロム層を露出させるステップと、クロム層をエッチングするステップとを備えている。 - 特許庁

The exhaust line 3 incorporates an exhaust ring 10 arranged on the processing chamber 2 side, a manifold 8 consisting of a plurality of tubular bodies arranged arcuately and disposed on the automatic pressure controller 4 side, and a plurality of plasma leak preventing plates 9 interposed between the exhaust ring 10 and the manifold 8 and arranged to close the manifold 8 in a shape corresponding to that of the manifold 8.例文帳に追加

排気管路３は、その内部に、処理室２側に配された排気リング１０と、円弧状に配された複数の筒状体から成り、自動圧力制御装置４側に配されたマニホールド８と、排気リング１０及びマニホールド８の間に介挿され、且つマニホールド８と対応する形状をなしてマニホールド８を閉鎖するように配された複数のプラズマ漏洩防止板９とを備える。 - 特許庁

To provide a transit-type inline vacuum processing apparatus, such as a sputtering apparatus, which has a mechanism capable of uniforming the distance between adjacent substrates and can control the mechanism, since the distance between substrates (between a preceding substrate and a succeeding substrate) that are continuous and adjacent to each other when depositing, has the effect on the conductance and also the gas pressure in a process chamber.例文帳に追加

通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。 - 特許庁

In the case of the wide area etching step, a selective power is impressed between both electrodes 30 and 12 for producing etching plasma in almost the whole area of a chamber at the first relatively low voltage and relatively wide electrode intervals while in the case of the local area etching step, the vacuum processing reactor can be adjusted at the second relatively high voltage and relativelly narrow electrode intervals.例文帳に追加

広域エッチングの場合、エッチング用プラズマをチャンバのほぼ全域にわたって生成するために、両電極間に選択した電力を印加し、比較的低い第１の圧力で、且つ比較的大きな電極間隔にし、次に局部エッチングの場合、比較的高い第２の圧力で、且つ比較的小さい電極間隔に調整することができる装置である。 - 特許庁

The process recipe defines, together with the procedure of conveying a wafer W, which hands UH, LH of the transfer robot TR are used for deriving and accommodating the wafer W with respect to a cassette C, and defines which hands UH, LH of the center robot CR are used for conveying in and out the wafer W with respect to each processing chamber through which the wafer W passes.例文帳に追加

プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順とともに、カセットＣに対するウエハＷの払出しおよび収納にそれぞれトランスファロボットＴＲのどちらのハンドＵＨ，ＬＨを使用するか、ならびに、ウエハＷを経由させる各処理チャンバに対するウエハＷの搬入および搬出にそれぞれセンタロボットＣＲのどちらのハンドＵＨ，ＬＨを使用するかを規定している。 - 特許庁

Since inlet lengths for which trimethylaluminum gas travels after entry to a heating region in the processing chamber 32 till being jetted from the group of jets 59 and the group of jets 69 are long and are approximately equal to each other, the supply amount of trimethylaluminum gas is uniform above and below the boat 40 to enhance uniformity within a wafer surface formed on a wafer at 600°C and uniformity between wafers.例文帳に追加

トリメチルアルミニウムガスが処理室３２内加熱領域に入ってから吹出口５９群および吹出口６９群から吹き出されるまでの助走距離が長く、かつ略等しいので、ボート４０の上部と下部とでトリメチルアルミニウムガスの供給量が均一になり、６００℃でウエハ上に形成されたウエハ面内均一性およびウエハ相互間均一性が高まる。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

The surface processing method has a third step to introduce an ion source 31 of a gaseous carbon cluster into a vacuum chamber 12 in which the workpiece 32 is contained without using a carrier gas, subsequently to apply a high frequency voltage to the ion source and making it into plasma to generate a carbon cluster ion 33, and to apply a negative voltage to the workpiece 32 and to ion process it by making its surface irradiated with the carbon cluster ion 33.例文帳に追加

被加工物３２が収容された真空槽１２中に、キャリアガスを用いずに気体状の炭素クラスターイオン源３１を導入後、高周波電圧を印加してプラズマ化して炭素クラスターイオン３３を生成させ、被加工物３２に負電圧を印加して表面に炭素クラスターイオン３３を照射することによりイオン加工する第３工程とを有することを特徴とする表面加工方法。 - 特許庁

A method of forming a high dielectric film by means of semiconductor process equipment comprises the steps of positioning a semiconductor substrate in a chamber in the process equipment, forming a tantalum component containing film on the substrate, and converting the tantalum component containing film into a tantalum nitride oxide film by processing it in the reaction gas.例文帳に追加

本発明の高誘電体膜形成方法は、半導体工程装備で高誘電体膜を形成する方法において、前記工程装備の反応器内に半導体基板を位置させる段階と、前記半導体基板の上部にタンタル成分含有膜を形成する段階と、前記タンタル成分含有膜を反応気体内で処理してタンタル窒化酸化膜に変換させる段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To determine actual position of a semiconductor wafer in a circular pocket of a rotation susceptor and if a error occurs, to detect and resolve the error and its cause, in a method of identifying improper position of the semiconductor wafer located in the pocket of the susceptor while heat treatment is performed in a processing chamber which is heated by a source of near infrared ray and which is penetrable to near infrared ray emission.例文帳に追加

近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。 - 特許庁

The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.例文帳に追加

フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

In the chamber, the first electrode which generates the plasma discharge to the object for operating of the plasma processing and the second electrode which supplies ionizing gas in order to prevent overcurrent at the first electrode on starting the discharge are arranged, and the applied voltage to the first electrode and the second electrode is controlled for the generation of the plasma discharge at the second electrode prior to that at the first electrode.例文帳に追加

チャンバー内に、対象物に対してプラズマプロセスを施すためにチャンバー内においてプラズマ放電を発生させる第１の電極と、第１の電極における放電開始時の過電流を防止するために第１の電極に電離ガスを供給する第２の電極とを配置し、第２の電極によるプラズマ放電が第１の電極によるプラズマ放電に先立って発生されるように第１の電極と第２の電極への電圧印加を制御する。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

In a vacuum processing valve having a gate valve between two vacuum chambers, the valve is equipped with two flanges having an opening for an objective band article to pass through during carrying in or out, a valve holding the article and shielding a fluid, and a valve chamber constituting a passage for the article, and one of the flanges consists of a movable flexible flange.例文帳に追加

２個の真空チャンバー間にゲートバルブを配設されてなる真空処理装置において、前記ゲートバルブが、帯状の被処理物が搬入・搬出に際して通過する開口部分を有する２つのフランジと、帯状の被処理物を挟持して流体を遮断する弁と、帯状の被処理物の通路を構成する弁室とを具備し、該被処理物が通過する開口部分を有する２つのフランジの一方が、可動可能なフレキシブルフランジからなることを特徴とする真空処理装置のゲートバルブである。 - 特許庁

Marutake Hachinohe Marine Products Industry Corp., a fish processing company with 126 employees and stock capitalization of 72 million yen located in Hachinohe City, Aomori Prefecture, and Associate Professor Shinji Ishihara of Hachinohe University's Faculty of Business, have teamed up to conduct a scientific study of the flavor of mackerel caught in the Pacific Ocean off Hachinohe. They are also conducting product development in collaboration with a major department store and developing a new local brand called "Hachinohe Maeoki Mackerel" in cooperation with the local chamber of commerce and industry.例文帳に追加

青森県八戸市の水産加工会社である丸竹八戸水産株式会社（従業員126名、資本金7,200万円）と八戸大学ビジネス学部の石原慎士准教授は、八戸前沖の太平洋で漁獲されるさばの旨みを科学的に明らかにするとともに、大手百貨店と連携して商品開発を進め、さらに地元商工会議所と協力して、「八戸前沖さば」という新しい地域ブランドの形成に取り組んでいる。 - 経済産業省

The member to be temperature detected is provided between a tip of the temperature detecting means for detecting the temperature in the processing chamber and the substrate holding means, and the temperature controlling means controls the heating means on the basis of the temperature of the member to be temperature measured detected by the temperature detecting means.例文帳に追加

本発明によれば、処理室内の温度を検出する温度検出手段の先端と基板保持手段との間に被測温部材を設け、前記温度制御手段は前記温度検出手段によって検出された前記被測温部材の温度に基づいて前記加熱手段を制御するとしたので温度斑のある基板保持手段であっても、被測温部材が基板保持手段の温度変化を吸収するので、サセプタの回転作用による温度変化を敏感に検知しないようになり、温度制御性が向上し、短時間でウエハ処理温度までウエハを昇温することができる。 - 特許庁