「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

The clean coolant stored in the storage chamber is pumped up by a pump, and supplied to a workpiece-processing part through a coolant supply pipe, a shower pipe 45, and an injection nozzle 45a.例文帳に追加

前記貯留室に貯留された清浄なクーラントをポンプにより汲み上げてクーラント供給配管、シャワー用パイプ４５及び噴射ノズル４５ａからワークの加工部に供給する。 - 特許庁

The central processing unit 88 senses the extent of combustion pressure in a combustion chamber on the basis of the output signal of the LPF 82, and also the occurrence of knocking on the basis of the output signal of the BPF 84.例文帳に追加

ＣＰＵ８８は、ＬＰＦ８２の出力信号に基づき燃焼室６２の燃焼圧を検出し、ＢＰＦ８４の出力信号に基づきノックの発生を検出する。 - 特許庁

This allows the present invention to react rapidly to maintain rapidly changing desired conditions within a wafer processing chamber and to maintain a greater degree of uniformity of those conditions throughout the wafer.例文帳に追加

これにより、本発明は、迅速な応答が可能になり、ウエハ処理チャンバ内で所望の条件の高速変化を維持し、またウエハ全体に対する条件の高い均一性を維持する。 - 特許庁

In this case, a processing unit for recovering leak fuel is unnecessary differently from a conventional injector for leaking the high pressure fuel in a pressure control chamber to the low pressure side with every injection.例文帳に追加

この場合、圧力制御室内の高圧燃料を噴射毎に低圧側にリークさせていた従来のインジェクタとは異なり、リーク燃料を回収するための処理装置が不要となる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus of this invention includes a chamber for allowing an inner space to be vacuum, a plurality of cold traps, a plurality of separating portion and control portion for controlling a plurality of cold traps.例文帳に追加

本発明の基板処理装置は、内部空間を真空環境に維持するチャンバと、複数のコールドトラップと、複数の仕切部と、複数のコールドトラップを制御する制御部とを備える。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has a control means for performing a first recipe to process the substrate; and performs a second recipe, to maintain a processing chamber for processing the substrate, when a predetermined period of time elapses, in a state in which the substrate is not fed for the sequential substrate process, after the first recipe is performed, to finalize the predetermined substrate processing.例文帳に追加

本発明に係る基板処理装置は，基板を処理するための第１のレシピを実行する制御手段を備え、前記第１のレシピを実行して所定の基板処理を終了させてから、次の基板処理で使用する基板が投入されない状態で所定時間達したら、前記基板が処理される処理室を保守するための第２のレシピを実行する。 - 特許庁

The method includes steps of depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

また、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

This plasma processing device 1 is provided with: the chamber 2; a first electrode 3 supporting a workpiece 10; a second electrode 4 arranged oppositely to the first electrode 3 through the workpiece 10, a power circuit 5 applying a high-frequency voltage between the respective electrodes 3 and 4; a gas supply part 6 supplying gas into the chamber 2; and an exhaust pump 7 exhausting the gas in the chamber 2.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、チャンバー２と、ワーク１０を支持する第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。 - 特許庁

A plasma CVD apparatus 11 comprises a chamber 13 for applying film formation processing to a wafer 12; an introduction pipe 16 for introducing gas that is used for film formation and cleaning processings into the chamber 13; a pair of upper and lower electrodes 22, 19 for generating plasma using the gas; a high frequency power supply 14; and an exhaust pipe 17 for exhausting the gas in the chamber 13.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１１は、ウエハ１２に成膜処理を施すために用いられるチャンバ１３と、チャンバ１３内に成膜およびクリーニング処理するために用いるガスを導入する導入管１６と、ガスを用いてプラズマを発生させる一対の上部及び下部電極２２，１９と、高周波電源１４と、チャンバ１３内のガスを排気するための排気管１７とを有する。 - 特許庁

This substrate-treating apparatus 10, such as an epitaxial growth apparatus having a process chamber 12 into which a process gas is introduced and the interior of which is heated, comprises a pump 40 which takes a part of cooling air flowing in a passage around the processing chamber 12 for cooling the process chamber 12 and blows it directly against a gas detector 32.例文帳に追加

本発明は、内部に処理ガスが導入され且つ内部が加熱される処理チャンバ１２を有するエピタキシャル成長装置等の基板処理装置１０に関し、処理チャンバ１２を冷却するために処理チャンバ１２の周囲の流路を通される冷却用空気の一部をポンプ４０により取り出し、ガス検知器３２に直接吹き付けることを特徴としている。 - 特許庁

The centrifugal drier comprises a chamber 9 for drying a substrate 1, a cradle 2 disposed in the chamber 9 for drying a plurality of substrates 1 held together by rotating the cradle 2, and an elastic wave sensor 4 for detecting an elastic wave generated through collision of fragments of the substrate 1 against the chamber 9 during the processing of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の遠心乾燥装置は、基板１の乾燥処理を行うためのチャンバ９と、チャンバ９内に設置され複数の基板１を保持した状態で回転駆動することにより基板１を乾燥させるクレードル２と、基板１の処理中に基板１の破片がチャンバ９に衝突して発生する弾性波を検出するための弾性波センサ４とを備える。 - 特許庁

The wafer processor includes a transfer chamber 10 which is vaccumized for exhaustion and has a plurality of gate valves, a plurality of vacuum processing chambers 20, 30, and 40 which can severally communicate with the transfer chamber through any one of the plural gate valves, and a load lock chamber 50 which is possible of vacuum exhaustion and in which a first gas supply line for supplying oxygen-containing gas is coupled to it.例文帳に追加

ウェーハ処理装置は、真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバ１０と、複数のゲート弁のうち何れか１つを通じて各々トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバ２０，３０，４０と、真空排気が可能であり、内部に酸素含有ガスを供給するための第１ガス供給ラインが連結されているロードロックチャンバ５０とを含む。 - 特許庁

To avoid the facilities from becoming enormous, when a plurality of types of surface processes are effected by a plasma surface processor, in which a semiconductor substrate such as a silicon wafer, etc., fed into a core chamber is mounted in the surface processor of a plasma processing unit connected to this core chamber via a gate value, and the surface processing is effected by plasma therein.例文帳に追加

コアチャンバー１内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板８を、このコアチャンバー１にゲート弁３を介して接続したプラズマ処理ユニット２の表面処理室２ａ内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。 - 特許庁

An MOCVD apparatus 10 comprises a susceptor 21 having a top face 21a placed in a processing chamber 12 and rotating at a speed of 800 rpm or higher, and a shower head 31 having a plurality of gas discharge ports 44, 49 at positions facing the top face 21a of the susceptor 21 and supplying a material gas to the processing chamber 12 through the plurality of gas discharge ports 44, 49.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置１０は、処理室１２に配置される頂面２１ａを有し、８００ｒｐｍ以上の速度で回転するサセプタ２１と、サセプタ２１の頂面２１ａに向かい合う位置に複数のガス吐出口４４，４９を有し、複数のガス吐出口４４，４９を通じて処理室１２に原料ガスを供給するシャワーヘッド３１とを備える。 - 特許庁

The system comprises a chamber 110 having a processing part for plasma vacuum processing, a moving means 111 which moves horizontally between the chamber and a subchamber 140 arranged horizontally to it via a gate valve 141 to move workpieces, and a holder 141 which is arranged in the subchamber and can store the workpieces in two stages and move vertically.例文帳に追加

プラズマ真空処理するための処理部を有するチャンバ１１０と、前記チャンバに対し水平方向にゲートバルブ１０１を介して配設されたサブチャンバ１４０との間で水平方向に移動して処理対象を移動させる移動手段１１１と、前記サブチャンバ内に配設されており、前記処理対象を２段に収納可能で、垂直方向に移動可能なホルダ１４１とを備える。 - 特許庁

To provide a drying chamber, a cleaning and drying processing apparatus, a drying processing method, and a recording medium that prevent a decrease in product yield by preventing a drying gas from dripping on a substrate to be processed from a light-transmitting member.例文帳に追加

乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。 - 特許庁

The aggregate of water-soluble protein in a processing solvent is produced by energizing the electrodes 21 and 22 in a condition of equally keeping a flow velocity in a cross section in a direction which the processing solvent L crosses a flow direction in a heating chamber 23.例文帳に追加

加熱室２３内においては処理液Ｌが流れ方向を横切る方向の横断面における流速を均一に保持した状態のもとで、電極２１，２２に通電することにより、処理液の中の水溶性タンパク質の凝集物が生成される。 - 特許庁

The quartz oscillator 32 of a metal-contaminated substance measuring apparatus 30 and a condenser 40 for cooling any substance in contact with the quartz oscillator 32 are installed on a sampling pipe 25a connected to an exhaust pipe 25 for exhausting a processing chamber for processing a wafer.例文帳に追加

ウエハを処理する処理室を排気する排気管２５に接続されたサンプリング管２５ａには、金属汚染物質計測装置３０の水晶振動子３２と、水晶振動子３２に接触する物質を冷却する冷却器４０とが設置されている。 - 特許庁

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing.例文帳に追加

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。 - 特許庁

To make uniform introduction of microwave into a processing chamber and reduction of microwave voltage standing wave ratio compatible with each other with a purpose of providing a device uniformly processing a substance to be processed without imposing overload on a microwave power source circuit.例文帳に追加

本発明は、マイクロ波電源回路に過負荷をかけることなく被処理基体を均一に処理する装置を提供することを目的に、処理室内へのマイクロ波均一導入とマイクロ波電圧定在波比を小さくすることの両立を課題としている。 - 特許庁

In the method for processing the silver halide color photosensitive material, the silver halide color photosensitive material is processed by replenishing the replenishment water containing the silver ions eluted by the silver ion elution means in the water replenishment tank to at least one processing chamber of the automatic developing machine.例文帳に追加

補水タンク内で銀イオン溶出手段より溶出させた銀イオンを含む補水液を、自動現像機の少なくとも１槽の処理槽に補充してハロゲン化銀カラー感光材料を処理することを特徴とするハロゲン化銀カラー感光材料の処理方法。 - 特許庁

A lifting mechanism 161 having two or more lateral bars 162 is provided in the processing vacuum chamber 113, and the lateral bars 162 are moved up and descended with both ends of a substrate on one finger placed on the two lateral bars for vacuum processing of them on a placement table 165.例文帳に追加

処理用真空槽１１３内には複数の横棒１６２を有する昇降機構１６１を設けておき、横棒１６２を上方に移動させ、一本の指上の基板の両端を二本の横棒に載せて降下させ、載置台１６５に載せて真空処理を行う。 - 特許庁

Thus, a space between the inner wall 64 of the lower wall 62 and a side wall outer surface 56 of a substrate transporting mechanism 3 is made narrow, thereby preventing wraparound of a processing gas into a chamber lower space 69 lower than the step 65 during processing of a semiconductor wafer 10.例文帳に追加

このようにしてチャンバ下側壁６２の内壁６４と基板移動機構３の側壁外面５６との間の空間を狭くすることにより、半導体ウエハ１０の処理中、段差部６５よりも下のチャンバ下空間６９への処理ガスの回り込みを防止する。 - 特許庁

The etching apparatus includes a stage 21 for partitioning a processing space 22 movably carried in the etching chamber 11 for etching the sample W and a reservoir space 23 for temporarily reserving the xenon difluoride gas supplied to the processing space 22 and also allowing no xenon difluoride gas to flow between the processing space 22 and the reservoir space 23.例文帳に追加

エッチング装置は、エッチング室１１内で移動可能に支持され、試料Ｗをエッチングする処理空間２２と、該処理空間２２に供給する二フッ化キセノンガスを一時的に貯留する貯留空間２３とに区画するとともに、処理空間２２と貯留空間２３との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ２１を備えた。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a carrying means of carrying a substrate into a processing chamber, and a first control means that controls the carrying means in accordance with automatic carrying processing including a substrate carrying sequence composed of a plurality of sequences, the sequence including at least one or more carrying operations executed when the substrate is carried and a decision step of checking every carrying operation by a sensor.例文帳に追加

基板を処理室内に搬送する搬送手段と、複数のシーケンスで構成された基板搬送シーケンスを含む自動搬送処理に従って搬送手段を制御する第１の制御手段と、を備え、シーケンスは、少なくとも１つ以上の搬送時に実行される搬送動作と、搬送動作毎にセンサによりチェックする判定工程とを有する。 - 特許庁

In the plasma etching device which has an upper electrode arranged in an etching processing chamber, to which the etching gas is introduced, and a lower electrode opposing the upper electrode and mounting the processing object and etches the processing object by applying high frequency voltage to these electrodes, the upper electrode is formed of silicon carbide material.例文帳に追加

エッチングガスが導入されるエッチング処理室内に配設された上部電極と、上部電極に対向して処理対象物が載置される下部電極とを有し、これ等の電極に高周波電圧を印加して処理対象物をエッチングするプラズマエッチング装置であって、上部電極が炭化珪素系材料で形成されるようにしたものである。 - 特許庁

An exhaust ring 126 is disposed around the lower electrode 122 to section the interior of the processing chamber 100 into a plasma processing space 102 and an exhaust space 104 wherein the exhaust ring 126 is provided with through holes 126a and stop holes 126b, smaller in number than the through holes 126a, and opening to the plasma processing space 102 side.例文帳に追加

下部電極１２２の周囲には，処理室１００内のプラズマ処理空間１０２と排気空間１０４とを区画するように排気リング１２６が配されており，排気リング１２６には貫通孔１２６ａと，貫通孔１２６ａより少数であり，かつ，プラズマ処理空間１０２側に開口する止り孔１２６ｂが形成されている。 - 特許庁

To solve a matter that the electric energy being fed to plasma increases because a high voltage must be applied between the electrodes in order to generate and sustain uniform plasma between the electrodes at a second plasma processing step when a first plasma processing step and the second plasma processing step of higher discharge start voltage are performed in the same plasma reaction chamber.例文帳に追加

第１のプラズマ処理工程とその工程より放電開始電圧が高い第２のプラズマ処理工程を同一プラズマ反応室内において行う場合に、第２のプラズマ処理工程において均一なプラズマを電極間に発生および維持させるためには、電極間に高電圧を印加する必要があり、プラズマへの投入電力量が大きくなる。 - 特許庁

In a plasma processing method which performs plasma processing, placing a semiconductor wafer 4 on a lower electrode 3 within a processing chamber 2, the plasma processing is performed in condition that the edge of the semiconductor wafer 4 fixed by the resin sheet 4a having a larger thermal expansion coefficient than the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer 4 is pressed against the surface of a lower electrode 3 by means of a board pressing means 5.例文帳に追加

処理室２内にの下部電極３上に半導体ウェハ４を載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、半導体ウェハ４の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する樹脂シート４ａによって固定された状態の半導体ウェハ４の縁部を基板押さえ部材５によって下部電極３の表面に押さえ付けた状態でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

In a processing chamber, there is arranged inside a susceptor 11 on the anode side for holding a substrate Waf such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with at least a feeding system 12 and an exhaust system 13 of a discharge gas connected to it.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部に半導体ウェハ、ガラス基板など基板Ｗａｆを保持するアノード側のサセプタ１１を配し、少なくとも放電ガスの供給系１２及び排気系１３が繋がる。 - 特許庁

The protecting member is a hollow protecting member for protecting the inner wall of the chamber of the plasma processing equipment, and is formed of a vitreous carbon material in an integrated structure, and has a projecting section extended inwards on the bottom.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内壁を保護する中空形状の保護部材であって、該保護部材はガラス状カーボン材から一体型構造に形成され、底部に内方へ延びる突出部を有する。 - 特許庁

In the step (c), the atmosphere of mixture gas has a volumetric ratio of water vapor to ozone gas (water vapor/ozone gas) in the range of 1-4 and the temperature in the processing chamber 10 is in the range of 95°C-140°C.例文帳に追加

工程（ｃ）において、混合気体の雰囲気は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比（水蒸気／オゾンガス）が１ないし４であり、処理室１０内の温度は９５℃ないし１４０℃である。 - 特許庁

A gas flow rate detection mechanism 19 is inserted into branch piping 18, and opening/closing valves 13h and 14h are disposed for switching a passage to a processing chamber 11-side and branch piping 18.例文帳に追加

この分岐配管１８には、ガス流量検出機構１９が介挿され、流路を処理室１１側と分岐配管１８に切換えるための開閉弁１３ｈ，１４ｈが設けられている。 - 特許庁

The rectifying plates 20 are formed to the upper wall 6 of the processing chamber 4 having the gas inlets formed therein so as to be extended in their width directions intersected by the reaction-gas flowing direction.例文帳に追加

整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 - 特許庁

Consequently, the substrate conveying device 1 can be arranged more closely to a substrate processing portion 30 by an X-directional length L1 between the side wall 4B and first opening 15 of the substrate conveying chamber 4.例文帳に追加

このため、基板搬送チャンバ４の側壁４Ｂと第１の開口１５との間のＸ方向の長さＬ１の分、基板搬送装置１を基板処理部３０に近づけて配置することができる。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a semiconductor manufacturing apparatus to reduce the amount of cleaning gas to be used for removing a deposition film deposited on a processing chamber inner wall, a semiconductor manufacturing apparatus, and a management system.例文帳に追加

処理チャンバの内壁に堆積する堆積膜を除去するためのクリーニングガスの使用量を削減する半導体製造装置のクリーニング方法、半導体製造装置、及び管理システムを提供する。 - 特許庁

To provide a compact and simple temperature control device capable of directly controlling the temperature of an object in a vacuum chamber, and high in thermal efficiency, and to provide a vacuum processing device including the same.例文帳に追加

真空チャンバ内で対象物を直接に温度制御でき、熱効率が高く、かつ小型で簡易的な温度制御装置、およびこの温度制御装置を備えた真空処理装置を提供する。 - 特許庁

The apparatus includes a center fluid distribution bank which has a plurality of distribution nozzles combined to a plurality of fluid sources and a first processing chamber which is positioned on a first side of a center fluid distribution bank.例文帳に追加

当該装置は、複数の流体源に結合された複数の分配ノズルを備える中央流体分配バンクと、中央流体分配バンクの第１の側に位置された第１の処理チャンバとを含む。 - 特許庁

A gas (film forming constituent gas) g2 generated by vaporizing a single film forming constituent formed of an organic material is generated, and the gas g2 is carried and supplied into a processing chamber 11 with the substrate W housed.例文帳に追加

有機材料からなる単一の成膜成分を気化させたガス（成膜成分ガス）ｇ２を発生させ、基板Ｗが収納された処理室１１内に成膜成分ガスｇ２を輸送供給する。 - 特許庁

To provide a vacuum processor that makes it possible to level the flow and the pressure of the exhaust gas from a vacuum processing chamber and to vacuum process a substrate with higher uniformity.例文帳に追加

真空処理室を排気する際のガスの流れや圧力を均一にすることができ、被処理基板に面内均一性の高い真空処理を施すことができる真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

In addition, after sending the etchant is stopped (step S4), sending of isopropyl alcohol (IPA) as an environment regulator is started (step S5), so that the inside of the processing chamber is put in low relative permittivity environments.例文帳に追加

また、エッチャントの送込を停止した（ステップＳ４）後、環境調整剤としてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の送込を開始して（ステップＳ５）、処理チャンバー内を低比誘電率環境に整えている。 - 特許庁

To provide a structure cleaning device which is equipped with a substrate transfer processing robot provided with a rotary substrate chuck arm and capable of keeping an atmosphere inside a substrate cleaning chamber very high in cleanliness.例文帳に追加

回転式基板チャックアームを有する基板搬送処理ロボットを備えるとともに、基板洗浄室内を高清浄度雰囲気に保持することができる構造を備えた基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

A power-saving property evaluation index based on the device-related power consumption expression of each information processing equipment is used to determine allocation of operation loads so as to attain overall power-saving of the computer chamber.例文帳に追加

また、情報処理装置の装置関連消費電力式を元にした省電力性評価指標を用いて、計算機室全体の省電力化を実現するよう作業負荷の割当を決定する。 - 特許庁

The processing apparatus 1 includes: a hulling unit 2 including a hulling fan 10; a sorting unit including a hopper 7 for mixed rice and a winnowing chamber 20; and a sizing unit 3 including a crushing fan 13.例文帳に追加

加工装置１は、脱ぷファン１０を備えた脱ぷ部２と、混合米用ホッパー７と風選室２０とを備えた選別部と、破砕ファン１３を備えた分粒化部３とより構成されている。 - 特許庁