「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

Upon finishing deposition of a film, application of a high frequency power for bias to the supporting member 7 is stopped while sustaining introduction of O2 gas and SiH4 gas into the processing chamber 2.例文帳に追加

成膜終了時には、処理チャンバ２内へのＯ_2ガス及びＳｉＨ_4ガスの導入を継続した状態で、支持部材７へのバイアス用高周波電力の印加を停止する。 - 特許庁

A secondary threshing apparatus of a combine harvester is characterized by installing a blockade sensor 2 for detecting the blockade by secondary processed crops in a secondary threshing chamber 1 for receiving and processing secondary returned crops.例文帳に追加

二番還元物を受けて処理する二番処理室１内に、二番処理物の詰りを検出する詰りセンタ２を設けたことを特徴とするコンバインの脱穀二番処理装置の構成。 - 特許庁

In a film forming device 50, the inside of a discharge chamber 54 composing a discharge part 52 is divided into a discharge region 64 and a film forming processing part 70 with a discharge electrode 58.例文帳に追加

成膜装置５０は、放電部５２を構成している放電チャンバ５４の内部が放電用電極５８によって、放電領域６４と成膜処理部７０とに区画してある。 - 特許庁

Then, the gaseous nitrogen is sprayed to the substrate B and the robot 35 by this gaseous nitrogen ejection knife 38, so that the intake of oxygen to the processing chamber 37a accompanied with the operation of the substrate B and the robot 35 can be prevented.例文帳に追加

この窒素ガス吐出ナイフ38により、基板Ｂおよびロボット35に対して窒素ガスを吹き付け、基板Ｂおよびロボット35の動作に伴う酸素の処理チャンバー37a への流入を阻止する。 - 特許庁

The substrate processing equipment 1 drying out the substrate 90 is equipped with a chamber 10, a quartz tank 11, a nitrogen supply unit 12, an air-blowing mechanism 13, a hot water unit 20, and a substrate holding mechanism 40.例文帳に追加

基板９０の乾燥を行う基板処理装置１に、チャンバ１０、石英槽１１、窒素供給部１２、送風機構１３、温水ユニット２０、および基板保持機構４０を設ける。 - 特許庁

The method for etching the photomask includes a step of providing a processing chamber 102, having a substrate supporting pedestal 124 adapted to receive a substrate 122 for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板１２２を受けるように適合された基板支持用ペデスタル１２４を有する処理チャンバ１０２を提供するステップをふくむ。 - 特許庁

The gate valve 26 is constituted in a rectangular shape adapted to the shape of an aperture 25 of a processing chamber 1, and has a plate-like valve element 26a having the dimension larger than that of the aperture 25.例文帳に追加

ゲートバルブ２６は、処理チャンバー１の開口２５の形状に合わせて矩形状に構成され、開口２５より大きな寸法を有する板状の弁体２６ａを有している。 - 特許庁

Satin finish processing is applied to a surface of at least a seal member 44 of a pair of seal members 43, 44 disposed between one end opening portion of a sliding hole 25 and an annular chamber 27.例文帳に追加

一対のシール部材４３，４４のうち少なくとも摺動孔２５の一端開口部および環状室２７間に配置されるシール部材４４の表面に、なし地処理が施される。 - 特許庁

Before maintenance work, the surplus soil discharging conveyor 17 is operated and the material to be processed in the processing chamber 4 is successively carried out from the surplus soil discharging port 16 by the surplus soil discharging conveyor.例文帳に追加

保守作業に際しては残土排出コンベア１７を作動させて、処理室４内の処理物を残土排出口１６から残土搬出コンベアで次々と搬出する。 - 特許庁

Accordingly, fluctuation in vapor and oxygen concentration around the center of the processing chamber 11 in which the substrate 200 is held can be controlled, and variations of the oxide film among the substrates 200 can also be controlled.例文帳に追加

これにより基板２００が保持されている処理室１１の中心付近の水蒸気、酸素濃度のばらつきが抑えられ、基板２００間の酸化膜のばらつきが抑制される。 - 特許庁

When the heating is completed; the heater is stopped, the pressure of the processing chamber is increased, and low temperature kept by the wafer case is transmitted to the wafer, thereby quenching the wafer.例文帳に追加

また加熱終了後ヒーターを停止して処理室の圧力を上昇させると、ウエハーケースの保持している低い温度がウエハーに伝わり、ウエハーを急冷却させる事が出来る。 - 特許庁

To simplify the processes including the collection and molding of a sample piece for a transmission electron microscope(TEM) or scanning electron microscope(SEM) observation from an original sample and the installation of an observation holder and to consistently conduct the processes in a sample processing chamber.例文帳に追加

元試料から、TEMまたはSEM観察のための試料片の採取、成形および観察ホルダ設置までの工程を簡素化し、試料処理室において一貫して行なう。 - 特許庁

Etching gas is introduced into a processing chamber 12 before radical is introduced and the etching gas is adsorbed to the surface of a substrate 15 when radical is introduced.例文帳に追加

本発明によれば、処理室１２内部にラジカルを導入する前にエッチングガスが導入されており、ラジカルが導入されるときには基板１５の表面にエッチングガスが吸着している。 - 特許庁

An etching plastic is injected into a processing chamber in which the semiconductor wafer is accommodated, and a self-supporting type nano-structure part is exposed on the semiconductor wafer by etching the patterned layer.例文帳に追加

上記半導体ウェハーを収容した処理チャンバーに、エッチング化成品を注入し、パターン化された層をエッチングして、自立型ナノ構造部を半導体ウェハー上に露出させる。 - 特許庁

The high-frequency power source 32 supplies high-frequency power to the ICP electrode 24 and the flat electrode 26, and thereby inductively-coupled plasma of the processing gas is generated in the vacuum chamber 10.例文帳に追加

高周波電源３２がＩＣＰ電極２４及び平面状電極２６に高周波電力を供給することで、真空チャンバ１０内に処理ガスの誘導結合プラズマが発生する。 - 特許庁

To put off a maintenance cycle of a gas supply nozzle to the same degree as other component members in a processing chamber by delaying the deposition rate of a reaction product in the gas supply nozzle.例文帳に追加

ガス供給ノズル内の反応生成物の堆積レートを遅くして、ガス供給ノズルのメンテナンスサイクルを、処理室内の他の構成部材と同程度に延ばすことができるようにする。 - 特許庁

Since the overshoot voltage removes a deposition attached and deposited around the lower electrode, abnormal discharge after plasma ignition in the processing chamber is prevented.例文帳に追加

このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 - 特許庁

A heater 3 adjusts the temperature of the sidewall 1 while the semiconductor substrate installed in the processing chamber 10 reaches a target temperature based on the acquired temperature of the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、取得された半導体基板の温度に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板が目標温度となる状態に、側壁１の温度がヒータ３により調整される。 - 特許庁

The attachments attaching the periphery of the bottom electrode and deposited there is removed by the overshoot voltage, preventing the occurrence of an abnormal discharging in the processing chamber immediately after plasma ignition.例文帳に追加

このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus, two substrates W1 and W2 before cleaning are held by spin chucks 31 and 33 while arranged upper and lower in the same process chamber 1.例文帳に追加

この基板処理装置では、洗浄処理前の２枚の基板Ｗ1，Ｗ2が同一の処理チャンバー１内で上下に配置された状態でスピンチャック３１，３３にそれぞれ保持される。 - 特許庁

To provide an asymmetric grounded susceptor (72) used in a plasma processing chamber (40) for chemical vapor deposition onto large rectangular panels (74) supported on and grounded by the susceptor.例文帳に追加

化学蒸着用プラズマ処理チャンバ（４０）に用いる非対称に接地されたサセプタ（７２）であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル（７４）が上にあるものを提供する。 - 特許庁

When the oxygen gas and ethylene gas introduced into the processing chamber 43 are irradiated with the deep ultraviolet light, ions or radicals produced from these gases decompose the carbon contamination 44.例文帳に追加

処理室４３の内部に導入された酸素ガスおよびエチレンガスに深紫外光が照射されると、これらのガスから生じたイオンやラジカルが炭素コンタミネーション４４を分解する。 - 特許庁

The reactive gas supply member 9 can supply gas containing either one of hydrogen gas and nitrogen gas into the processing chamber 4 at a flow rate of 100sccm and more.例文帳に追加

反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。 - 特許庁

A pair of parasitic discharge path closures 60, 60 is provided between the paired first and second auxiliary electrode 51 and 52 in the processing chamber 32 to be radially extruded.例文帳に追加

処理室３２内の第一補助電極対５１と第二補助電極対５２との間には、一対の寄生放電経路閉塞部６０、６０を径方向に突出するように設ける。 - 特許庁

As the blood and the capacity of a processing chamber 30 increase, an elastic partition extends, the blood reaches the farthest diameter, and it has a shape shown by a line 31a at a certain point.例文帳に追加

血液及び処理室３０の容量が増大するにつれて弾性隔壁は伸長して血液が最遠直径に達し、ある点においてライン３１ａで示す形をとる。 - 特許庁

To provide a method capable of controlling a domain characteristic of a magnetoresistive sensor included in a head of an HDD without requiring a high temperature chamber for annealing processing in an HDD manufacturing process.例文帳に追加

ＨＤＤの製造段階においてアニール処理用の高温チャンバを必要とせずに、ＨＤＤのヘッドに備えられた磁気抵抗センサの磁区特性を制御できる方法を提供する。 - 特許庁

When a shutter button is half depressed, various photography preparation processing is carried out, and the voltage of a secondary battery 17 loaded in a battery chamber is detected by a voltage detection part 65.例文帳に追加

シャッタボタンが半押しされると、各種撮影準備処理が行われるとともに、電圧検出部６５によって電池室に装填されている二次電池１７の電圧が検出される。 - 特許庁

The processing chamber 2 is formed by combining the side plates 2a, the side plates 2b, and the top plate 2c so that they are mutually at right angles and are fixed removably, using fixing members 3.例文帳に追加

側面板２ａ、側面板２ｂ及び天板２ｃを、固定部材３によって互いに直交する状態に組み合わせて着脱自在に固定することにより、プロセスチャンバ２を形成する。 - 特許庁

When the valve is moved to a valve opening position in accordance with the rotation of the cam roller, the quantity of processing solution is put out of the chamber by the quantity related to the rotational amount of transporting roller.例文帳に追加

バルブが、カムローラの回転に伴って開弁位置に移動させられたときに、処理溶液の量が、輸送ローラの回転量に関連する量でチャンバから払い出される。 - 特許庁

An epitaxial growth device is equipped with a wafer guide member 8, which has a passage 7 communicating with the wafer introduction port 5 of a processing chamber 2, and an opening and closing mechanism 8, which opens and closes the passage 7.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１は、処理チャンバ２のウェハ導入口５と連通された通路７を有するウェハガイド部材８と、通路７を開閉する開閉機構９とを備えている。 - 特許庁

A first evacuation path 41 is drawn out from a suction opening 24 of a processor 20 provided in a processing chamber 10 and connected with an evacuation device, such as a blower 50 via a flow-regulating valve 60.例文帳に追加

処理室１０に設けた処理部２０の吸引口２４から第１排気路４１を引き出し、流量調整弁６０を介してブロア５０等の排気装置に接続する。 - 特許庁

In addition, in plasma processing apparatus having a dual power control, at a given application of power to the plasma generation source, the stability of the plasma is extended by increasing the pressure in the etch process chamber.例文帳に追加

さらに、2重電力制御を有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生源にある電力を適用するとき、エッチング処理チャンバの圧力を増すと、プラズマの安定性が拡大する。 - 特許庁

To provide an apparatus for grinding, mixing and granulating a plurality of granular materials, which is capable of processing a large amount of such granular materials without expanding a grinding/mixing chamber.例文帳に追加

粉砕混合室を大きくしないで大量の粉粒体を加工することができる複数の粉粒体の粉砕、混合、造粒装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To improve a water passing processing operation rate, to reduce a regenerating frequency, to shorten a process, and to reduce a radiation exposure and a load of an operator in purifying pressure suppressing chamber inside pool water.例文帳に追加

圧力抑制室内プール水の浄化にあたり、通水処理稼働率の向上，再生回数の低減，工程短縮，作業員の放射線被曝と負荷の軽減を図る。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which such a fault as misregistration or chipping of a large FPD substrate in a conveyance chamber can be detected certainly, and to provide a method for detecting the fault of the substrate.例文帳に追加

大型のＦＰＤ基板の搬送室内における位置ずれや欠けなどの異常を確実に検出できる基板処理装置および基板の異常検出方法を提供する。 - 特許庁

In the chamber of a substrate processing apparatus, an alignment jig 50 is set, and in a probe disposing hole formed in a position facing opposite to a radiation thermometer 10, a light-sensitive probe 30 is provided.例文帳に追加

基板処理装置のチャンバ内にアライメント治具５０をセットし、放射温度計１０に対向する位置に形成されたプローブ設置孔に光検出プローブ３０を配置する。 - 特許庁

The impulse response in each direction is delivered to a signal processing section 14 and a sound field predicted sound wave is delivered from speakers (21, 22, 23 and 24) installed in an anechoic chamber.例文帳に追加

この方向別インパルス応答は、信号処理部１４に出力され、無響室内に設置されるスピーカ（２１，２２，２３，および２４）から音場予測された音波が出力されることによる。 - 特許庁

The carrier base 124 upon its downward movement is positioned in a transfer path for transfer of a wafer W to a first vacuum processing chamber 108 and exchange the wafer W with the arm 106.例文帳に追加

降下時の載置台１２４は，第１真空処理室１０８にウェハＷを搬送する搬送経路中に配置され，搬送アーム１０６との間でウェハＷの受け渡しが行われる。 - 特許庁

A heating assembly 12 for heating a semiconductor substrate 24 in the processing chamber 22 of a reactor 10 is equipped with a plurality of heater supports 28 and a plurality of heating devices 26 supported by the heater supports 28.例文帳に追加

反応器１０の処理チャンバ２２内の半導体基板２４の加熱アセンブリ１２は、複数のヒータ支持体２８とヒータ支持体で支持された複数の加熱デバイス２６を備える。 - 特許庁

A doomed enclosure wall 120 for a plasma processing chamber 100 is made of a dielectric material with a rough surface, having average roughness of about 150 to about 450 microinches.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ１００のためのドーム型エンクロージャ壁１２０は、約１５０から約４５０までマイクロインチの粗さ平均を有する粗い表面を有する誘電材料から作られる。 - 特許庁

To provide a conductive deposit monitor for monitoring a conductive deposit adhered on an inner wall of a vacuum chamber, a plasma processor, and a plasma processing method.例文帳に追加

真空室を大気開放することなく、真空室内に付着した導電性付着物をモニターするための導電性付着物モニター、プラズマ処理装置、及びにプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a sharp change in pressure inside a processing chamber to realize stable doping by reducing degassing which occurs from resist at the time of doping wherein impurities are added.例文帳に追加

不純物の添加を行うドーピングの際にレジストから発生する脱ガスを低減させることにより、処理室内部の急激な圧力変化を防止し、安定したドーピングを実現する。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

By this constitution, the grinding water after filtering processing does not return to the grinding water reservoir tank (grinding water chamber 3a) but filtered water with high clearness can be discharged directly to the sewage.例文帳に追加

この構成によれば、濾過処理後の研削水が研削水貯蔵槽（研削水室３ａ）に戻らず、清澄度の高い濾過水をそのまま直接下水道へ排水することができる。 - 特許庁

In a chamber 10, a processing gas discharged from an upper electrode (shower head) 60 is dissociated and ionized between both electrodes 12, 60 by a high-frequency discharge, and plasma PR is generated.例文帳に追加

チャンバ１０内で上部電極（シャワーヘッド）６０より吐出された処理ガスが両電極１２，６０間で高周波放電により解離・電離してプラズマＰＲが生成される。 - 特許庁