「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The vacuum processing apparatus has a plurality of control methods, and includes a means for determining whether the transfer robot is rate-controlling or the chamber is rate-controlling based on the processing time of the workpiece and switching to a control method corresponding to the rate-controlling section.例文帳に追加

複数の制御方法を備え、被処理体の処理時間から搬送ロボットが律速となるか、処理室が律速となるかを判定し、その律速する部位に応じた制御方法に切り替える手段を備えた真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a recovery device capable of recovering an unreacted organoruthenium compound from a gas exhausted from a processing chamber with a simple structure, and preventing the recovered organoruthenium compound from sublimating and being exhausted in an idling time of the processing apparatus.例文帳に追加

処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる回収装置を提供する。 - 特許庁

The laminating system comprises a unit for processing the surface of first and second substrates, an operating unit for overlaying the first and second substrates, and a chamber 201 for containing the processing unit and the operating unit and isolating them from the external space.例文帳に追加

第１、第２基板の表面を処理する処理装置と、第１基板と第２基板とを重ね合わせるための操作装置と、前記処理装置及び操作装置を、チャンバ２０１内部に収容して、チャンバ内部を外部空間から隔離する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and method capable of reducing the volume of a chamber of a substrate processing vessel where substrates to be processed should be processed and preventing time required for conveying the substrates to be processed from being extended.例文帳に追加

被処理基板が処理されるべき基板処理容器のチャンバーの容積を小さくすることができ、また、被処理基板の搬送にかかる時間が長くなってしまうことを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

Then, after carboxylic acid stored in a tank 15 is vaporized with a vaporizer 18, the vaporized carboxylic acid and a carrier gas are introduced into the processing chamber 3 through a processing gas supplying piping 16, to reduce the copper oxide of the object 2 to a metallic copper.例文帳に追加

その後、この処理チャンバ３内に、貯蔵槽１５に貯蔵されているカルボン酸を、気化器１８によって気化してから、キャリアガスと共に処理ガス供給用配管１６を介して導入し、被処理物２の銅酸化物を金属銅に還元する。 - 特許庁

In an in-line film deposition processing apparatus, the power consumption in the heating process using a lamp heater at the shift to the production start is reduced by keeping every cart at high temperature using a sheath heater provided in a film deposition processing chamber while stopping the production.例文帳に追加

インライン成膜処理装置において、生産停止中に成膜処理室に設けたシースヒータを用いて全カートを高温に保持することによって、生産開始に移行した際のランプヒータを用いて行う加熱工程での消費電力を低減する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, a substrate transfer member and a method for processing a substrate, which can significantly reduce the volume of a carry-in/carry-out chamber, to improve the production unit time by reduction of suction time and can omit complex air-conditioning adjustments.例文帳に追加

搬出入室の容積を大幅に低減し、真空引き時間の低減による生産タクトの向上、且つ複雑な空調調整の省略を図ることができる基板の処理装置、基板の搬送体、並びに基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

A device control method is also provided, which regulates the deposition time of several substrates in the beginning of the continuous and successive processing of a large number of substrates in the deposition chamber, and the deposited film thickness is kept substantially constant during the processing of a series of substrates.例文帳に追加

我々は、また、堆積チャンバ内で連続して順に多くの基板の処理の最初に数枚の基板の堆積時間を調整するデバイス制御法を有するので、堆積した膜厚が一連の基板処理中に本質的に一定に保たれる。 - 特許庁

To improve the quality of film formation by eliminating ion bombardment onto a processed substrate and reduce the cost of a plasma processing apparatus by efficiently removing particles in a processing chamber with a simple configuration in the apparatus and a plasma cleaning method thereof.例文帳に追加

プラズマプロセス装置及びそのプラズマクリーニング方法について、被処理基板へのイオン衝撃を無くして成膜の質を向上させると共に、簡単な構成により処理室内のパーティクルを効率よく除去できるようにして、装置コストの低減を図る。 - 特許庁

This process reduces the differential pressure between the pressure in the processing chamber and the pressure in the first passage even when the abnormality occurs during the etching processing and thus preventing the substrate from springing up from the stage and causing the position aberration and the like.例文帳に追加

これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 - 特許庁

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked from a monopolar electrostatic chuck 30 by gradually reducing a chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック３０からデチャッキングされる。 - 特許庁

To reduce noise detected in the processing of a substrate and facilitate the error detection control for reducing the false error detection, when fragments of the substrate collide against a processing chamber in an apparatus for executing the drying of the substrate, etc.例文帳に追加

基板の乾燥等の処理を行う装置において基板の破片が処理室に衝突したことを検知する際に、基板の処理中におけるノイズ検出を低減し、かつエラー検出制御を容易とするとともにエラー誤検出を低減する。 - 特許庁

In the substrate processing method for alternately supplying and discharging gas containing chlorine and ammonia gas to a processing chamber 201 composing a space for processing a wafer 200 to form a desired thin film on the wafer 200, gas supply time is controlled so that the supply time of the ammonia gas is twice the supply time of gas containing chlorine.例文帳に追加

ウエハ200を処理する空間を成す処理室201に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ200に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の2倍より長く供給するように制御する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that simultaneously forms thin films on or applies heat treatment to a plurality of substrates, and more particularly, a substrate processing apparatus that can uniformly process a plurality of substrates by uniformly heating the substrates stacked on a boat disposed in a processing chamber.例文帳に追加

本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。 - 特許庁

To provide a low impact resilience polyurethane foam which has excellent low impact resilience and a specified air permeability, transfers heat to the entire foam in a short period of time when the foam is heated in an oven or in a processing chamber in performing cutting processing to enable easy cutting processing.例文帳に追加

優れた低反発弾性を有すると共に、フォームに特定の通気性をもたせ、裁断加工を行うにあたってフォームをオーブン中で加温したり、加工室内を加温したりする場合に、短時間でフォーム全体に熱が伝わり、裁断加工を容易に行い得る低反発弾性ポリウレタンフォームを提供すること。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a reaction chamber for generating plasma and applying plasma processing to an object to be processed; an extract section for extracting an emission amount from the plasma; and a control section for variably controlling one of groups of parameters used for controlling the plasma on the basis of the emission amount within a predetermined range of processing conditions to control the state of the plasma.例文帳に追加

プラズマを発生し、被処理物をプラズマ処理する反応チャンバと、前記プラズマからの発光量を抽出する抽出部と、予め定められた処理条件の範囲内で、前記発光量に基づいて前記プラズマ密度をするパラメータ群の一つを可変制御してプラズマ状態を制御する。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus, a photo-catalytic layer 16, which is transparent for ultra-violet and catalyzes photo-degradation of the carbon-based material produced from a resist pattern 11 due to ultra-violet processing, is formed on a surface of a quartz-glass plate 2 dividing an ultra-violet radiation lamp 5 from the processing chamber 4.例文帳に追加

基板処理装置を構成するに際し、紫外線照射ランプ５を処理室４から区分する石英ガラス板２の表面に、紫外光照射処理に伴ってレジストパターン１１から発生した炭素系物質の光分解を触媒する紫外光透過性の光触媒層１６を形成する。 - 特許庁

The member for a processing chamber in a processing apparatus for thin film processing is made of silicon-contained resin having repeated units expressed by a formula (1) (where, R1 and R2 denote each a hydrogen atom or specific group and R3 denotes a specific group containing -C≡C-), silicon- contained resin composition or cured material thereof.例文帳に追加

一般式（１） （式中、Ｒ^1、Ｒ^2は水素原子もしくは特定の基、Ｒ^3は−Ｃ≡Ｃ−を含む特定の基を表す。）で表される繰り返し単位を有する含ケイ素樹脂または含ケイ素樹脂組成物あるいはそれらの硬化物からなること特徴とする薄膜加工プラズマ装置用加工室内壁。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a nearly cylindrical reaction tube 203 wherein a processing chamber 201 is provided inside to process a substrate while holding a plurality of substrates by a substrate holding jig so that they may be vertical to the processing face of the substrate, and a nearly cylindrical heater that is provided surrounding the outer periphery of the reaction tube 203.例文帳に追加

基板処理装置は、基板の処理面に対して垂直方向に複数枚配置するよう基板保持具で基板を支持しつつ処理可能な処理室２０１を内部に有する略筒状の反応管２０３と、該反応管２０３の外周を囲うように設けられる略筒状の加熱装置とを備える。 - 特許庁

To determine the processing state of substrate processing on the basis of the behavior of a peak-to-peak voltage (Vpp) of the high-frequency power of a proper frequency, even if two or more high-frequency electric power of different frequencies are applied to electrodes disposed in a processing chamber while they are superimposed on each other.例文帳に追加

処理容器内に配置された電極に２以上の異なる周波数の高周波電力が重畳して供給される場合にも、適切な周波数の高周波電力のピーク−ピーク間電圧（Ｖｐｐ）の挙動から基板処理のプロセス状態の判断が可能なプラズマ処理技術を提供する。 - 特許庁

As preprocessing of gap material scattering processing for scattering the gap material on a substrate surface, the surface of a substrate W which is in contact with a carrying device 1 is discharged by a discharging means 7 during or after the conveyance of the substrate W to a processing chamber for the gap material scattering processing by a contact type carrying device 1.例文帳に追加

基板表面にギャップ材を散布するギャップ材散布処理の前処理として、接触式の搬送装置１によって基板Ｗをギャップ材散布処理を行うための処理室に搬送する途中または搬送後に、基板Ｗにおける搬送装置１との接触面を、除電手段７によって除電処理する。 - 特許庁

The exhaust gas is led into the combustion chamber during the execution of the reducing agent concentration increase processing, and during the execution of the reducing agent concentration increase processing, the reducing agent in the larger quantity than the prescribed quantity is supplied by the reducing agent supply means within a prescribed period after starting the reducing agent concentration increase processing.例文帳に追加

還元剤濃度増大処理の実行中に排気ガスが燃焼室に導入されており、還元剤濃度増大処理の実行中において還元剤濃度増大処理が開始されてから所定期間においては上記所定量よりも多い量の還元剤が還元剤供給手段によって供給される。 - 特許庁

In this substrate processing method by which a desired thin film is formed on a wafer 200 by alternately supplying and discharging a gas containing chlorine and ammonium gas to and from a processing chamber 201 forming a space for processing the wafer 200, the supply time of the ammonium gas is controlled to be set longer than twice of the supply time of the gas containing chlorine.例文帳に追加

ウエハ２００を処理する空間を成す処理室２０１に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ２００に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の２倍より長く供給するように制御する。 - 特許庁

The post processing chamber is partitioned from the atmosphere conveyance chamber by a partition wall, a slit-like opening required for passing the carrying means and the substrate is formed at the partition wall, and the substrate is carried in and out via the opening by the carrying means.例文帳に追加

前記後処理室と大気搬送室との間は、仕切り壁で仕切られており、この仕切り壁には、前記搬送手段及び基板の通過に必要なスリット状の開口部が形成され、この開口部を介して前記搬送手段により、基板の搬入及び搬出を行う。 - 特許庁

After the FSG layer 13 is formed to cover aluminum wirings 12 on a substrate 11 in a chamber of a plasma processing apparatus, an NSG layer 14 is continuously formed in the chamber subsequent to the formation of the FSG layer 13 on the condition of higher temperature when the FSG layer 13 is formed.例文帳に追加

基板１１上のアルミニウム配線１２を覆う状態で、プラズマ処理装置のチャンバ内においてＦＳＧ層１３を形成した後、このチャンバ内においてＦＳＧ層１３の形成に連続させてＦＳＧ層１３の形成温度よりも高い温度条件でＮＳＧ層１４を形成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a chamber 1, an electric power supply 3 for generating plasma, and an electric power controlling part 4 for generating, while a measuring probe 5 is inserted in the chamber 1, and an electric power supply 6 for measuring and the measuring probe are connected via a coaxial cable 7 and a probe controlling part 8.例文帳に追加

チャンバ１とプラズマ生成用電源３と生成用電力制御部４とを備えるとともに、チャンバ１内には測定プローブ５が挿入されており、測定用電源６と測定プローブ５とは同軸ケーブル７とプローブ制御部８とを介して接続されている。 - 特許庁

In the method of chamber-cleaning, the impurities on the semiconductor substrate are etched by using a plasma of a first mixed gas containing hydrogen(H_2), thereafter, the processing chamber is etched by using a plasma of a second non-hydrogen mixed gas containing no hydrogen as the semiconductor substrate is removed.例文帳に追加

本チャンバーのクリーニング方法は水素（Ｈ_２）を含む第１混合ガスのプラズマを利用して半導体基板上の不純物をエッチングした後、半導体基板が取除かれた状態で水素を含まない非水素系第２混合ガスのプラズマを利用して処理チャンバーをエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

Since the first temperature leveling is performed in the vacuum cartridge 12 regardless of a state of the vacuum chamber 21 performing vacuum processing, a temperature drop in the replacing component is restrained without directly contacting air cooled by the adiabatic expansion with the replacing component 11 in the sub-chamber 22.例文帳に追加

真空処理を行う真空チャンバ２１の状況によらずに、第１の温度ならしを真空カートリッジ１２内で行うため、サブチャンバ２２内では、断熱膨張により温度低下した空気が交換部品１１に直接触れることなく、交換部品の温度低下が抑えられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, which is provided with a reaction chamber processing a substrate and an exhaust pump for exhausting the reaction chamber and in which the down time of the device is shortened, device managing cost is reduced, and the life time of the exhaust pump is improved.例文帳に追加

基板を処理する反応室と前記反応室内を排気する排気ポンプとを備えた半導体製造装置において、装置のダウンタイムの短縮と装置運営コストの低減と排気ポンプの寿命向上とを可能とする半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁

The apparatus includes a reactive species generator adapted to generate a reactive gas species for chemically etching the accumulated material from chamber components, and a processing chamber having at least one component with a mirror polished surface which is exposed to the reactive species.例文帳に追加

本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。 - 特許庁

A substrate treatment device has: a treatment chamber for treating a substrate; a heater for heating the substrate; a substrate supporting table accommodating the heater and provided in the processing chamber; a shaft for supporting the substrate supporting table; a wire inserted through the shaft; a holding part for holding the wire; and a temperature sensor connected to the holding part.例文帳に追加

基板を処理する処理室と、基板を加熱するヒータと、ヒータを内包し処理室内に設けられた基板支持台と、基板支持台を支持するシャフトと、シャフト内に挿通された配線と、配線を保持する保持部と、保持部に接続された温度検出部と、を有する。 - 特許庁

To overcome such a problem that, when a through-hole serving as a pressure generating chamber or a fluid resistance section is formed by a press processing method, a partition shape for dividing the pressure generating chamber is turned into a boat form-shape to become uneven in joining with other member and ejection characteristics vary for each nozzle.例文帳に追加

プレス加工法によって圧力発生室や流体抵抗部となる貫通穴を形成すると、圧力発生室を区画する隔壁の形状が舟形形状となって他の部材との接合が不均一になってノズル毎に滴吐出特性がばらつくことになる。 - 特許庁

To provide an evacuation device and a vacuum processing device that restrict quantity of foreign matter sucked from inside a vacuum chamber to an exhaust means side and that do not decrease effective exhaust rate of the exhaust means when the vacuum chamber is evacuated.例文帳に追加

本発明は、真空チャンバー内から排気手段側に吸引される異物の量を低く抑えるとともに、真空チャンバーを真空引きする際の排気手段の有効排気速度を低下させない真空排気装置及びそれを備えた真空処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method also includes steps of: flowing a silicon-containing precursor into the processing chamber housing the substrate; flowing an oxidizing gas into the chamber; and causing a reaction between the silicon-precursor, the oxidizing gas and the water vapor to form the dielectric material in the trench.例文帳に追加

また、この方法は、シリコン含有前駆物質を、基板を収容する処理チャンバ内に流すステップと、酸化ガスを前記チャンバ内に流すステップと、シリコン含有前駆物質、酸化ガス及び水蒸気の間の反応を起こし、トレンチ内に誘電体材料を形成させるステップと、を含む。 - 特許庁

The apparatus comprises a process chamber 16 for processing a substrate 7, a substrate holding device 15 for holding the substrate in the process chamber, a substrate transporting means 13 for transporting the substrate to the substrate holding device, and a rear surface inspecting device which inspects the rear surface of the substrate while the substrate transporting means transports the substrate.例文帳に追加

基板７を処理する処理室１６と、該処理室内で基板を保持する基板保持具１５と、該基板保持具に対して基板を移送する基板移載手段１３と、該基板移載手段が基板を移送する経路途中に基板の裏面検査を行う裏面検査装置とを具備した。 - 特許庁

This milling device is provided with a machining chamber 2 for machining a processing object board 8 by irradiating the beam of the ion or the neutral particle, and has device members 7, 8, 50, and 53 facing to the machining chamber 2, and constituting a part irradiated with the beam of the ion or the neutral particle out of aluminum or an aluminum alloy.例文帳に追加

イオン又は中性粒子のビームを照射して被処理基板８の加工を行う加工室２を設けたミリング装置において、加工室２に面してイオン又は中性粒子のビームが照射される部分がアルミニウム又はアルミニウム合金からなる装置部材７、８、５０、５３を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, for suppressing contamination caused by metal in a treatment chamber and damage of quartz members while suppressing a decrease in film forming speed in a thin film forming step immediately after dry cleaning in the treatment chamber, and improving an apparatus operation rate, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加

処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A gas introduction shower head 32 being the gas supply member disposed in a chamber 11 provided in the plasma processing apparatus 10 includes a plane facing the internal space of the chamber 11 and slits 35a to which a plurality of gas holes perforated to be orthogonal to the plane are connected.例文帳に追加

プラズマ処理装置１０が備えるチャンバ１１に配置されるガス供給部材であるガス導入シャワーヘッド３２は、チャンバ１１の内部空間に対向する平面と、この平面と直交するように穿孔された複数のガス穴が連結されたスリット３５ａを備える。 - 特許庁

An aging unit (DAC) 21 for processing a wafer W, where the coating film is formed, is provided with a setting plate 61, a temperature- circulating device 66 for adjusting the temperature of a setting plate 61, a chamber 62, a gas supply mechanism 70 to supply ammonium gas which includes vapor to the chamber 62 and a controller 60.例文帳に追加

塗布膜の形成されたウエハＷを処理するエージングユニット（ＤＡＣ）２１は、載置プレート６１と、載置プレート６１の温度を調節する温調循環装置６６と、チャンバ６２と、チャンバ６２に水蒸気を含むアンモニアガスを供給するガス供給機構７０と、制御装置６０を具備する。 - 特許庁

A thermal processing apparatus 1 has a chamber body 6 having an upper opening 60, a translucent board installed on the upper opening 60 for closing the upper opening 60, a holding section 7 for holding and heating a substrate in the chamber body 6, and a holding section elevator 4 for elevating the holding section 7.例文帳に追加

熱処理装置１は、上部開口６０を有するチャンバ本体６、上部開口６０に装着されて上部開口６０を閉塞する透光板、チャンバ本体６の内部において基板を保持しつつ加熱する保持部７、および、保持部７を昇降する保持部昇降機構４を備える。 - 特許庁

This method for controlling the circulation fan of the banana maturity processing chamber comprises periodically changing the blowing directions of the circulation fan 3 in a chamber during maturation of bananas 5 and extremely reducing a flesh temperature difference between both ends in the ventilation direction of the bananas 5 in the box.例文帳に追加

バナナ５の熟成中に於いて、室内に設けた循環ファン３の吹出し方向を周期的に切換えて、箱中にあるバナナ５の通気方向に於ける略両端の果肉温度差が極めて小さく出来るバナナ熟成加工室の循環ファン制御方法と成す。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has metal components at least a part of metal surfaces of which is exposed to the inside of a treatment chamber, wherein the top surfaces of the metal components to be exposed to the inside of a treatment chamber are beforehand subjected to the electric field compound polishing followed by the baking treatment under pressure below the atmospheric pressure.例文帳に追加

処理室内に少なくとも一部の金属表面が露出される金属部品を具備する基板処理装置であって、前記処理室内に露出される金属部品の表面には、予め、電界複合研磨が施された後、大気圧未満の圧力下でベーキング処理がなされている。 - 特許庁

The foul breath-measuring instrument comprises a sensor S at a chamber C where sample air is supplied, and a processing unit U for continuous measurement using the sensor S over set time when the sample air is supplied into the chamber C and for displaying the measured result on a liquid display D.例文帳に追加

サンプルエアーが供給されるチャンバーＣにセンサＳを備え、このチャンバーＣ内にサンプルエアーが供給された場合には、設定された時間に亘ってセンサＳでの測定を継続的に行い、この測定の結果を液晶ディスプレイＤに表示する処理ユニットＵを備えた。 - 特許庁

A movable substrate holder is situated within the chamber body, the substrate holder is situated at a first position wherein the substrate is positioned below the plasma source opening for in-situ plasma cleaning of the chamber, and a second position wherein the substrate is positioned above the plasma source opening for substrate processing.例文帳に追加

前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄用の第１の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第２の位置をとる可動基板ホルダが設置される。 - 特許庁

The substrate treating device comprises a plurality of supply pipes 63a, 63b, 63c, and 63d for supplying a treatment solution to a substrate W, which is dipped into a treatment solution stored in a processing chamber 61.例文帳に追加

本発明の基板処理装置は、処理槽６１内に貯留された処理液に浸漬された基板Ｗに対して、処理液を供給する複数の供給管６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄを有している。 - 特許庁