「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Components including a gas distribution plate 22, a chamber liner 30 and a focus ring 14 that constitute a plasma processing chamber 10 are subjected to surface plasma-splaying of ceramics or high temperature polymers having surface roughness properties to improve polymer adhesion for coating 32 thereof.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。 - 特許庁

In this case, temperature in the processing chamber is controlled by a temperature control device 58 and an exhaust pressure valve 52 is opened when a pressure in the chamber becomes higher than a given value to discharge the carbon dioxide and the cleaning coagent via a discharging liquid separating device 54.例文帳に追加

この際、温度制御装置５８により処理室内の温度制御を行い、室内が一定圧力以上になると排圧弁５２が開き、排出液分離装置５４を経由して超臨界二酸化炭素と洗浄助剤とが排出される。 - 特許庁

Although the partition wall 15 has a plurality of openings 31, the total area of the openings 31 is sufficiently small compared to the whole surface area of the partition wall 15, so that the inner pressure of the piping chamber 12 can be kept high than in the processing chamber 11.例文帳に追加

隔壁１５には開口３１，３１‥が形成されているが、隔壁１５全体の表面積に対しては開口３１，３１‥全体のの面積は充分に小さいので、処理室１１より配管室１２の内圧を高く保つことができる。 - 特許庁

The throttle 6 is formed in a position where, for example, the high-pressure port 2 and the valve chamber 4 communicate with each other by the spool 5, and the processing body 20 is arranged in the part of the valve chamber 4 that is located between the high-pressure port 2 and the low-pressure port 3.例文帳に追加

上述した絞り６はスプール５によって、例えば高圧ポート２と弁室４とが連通する位置に形成してあり、処理体２０を、高圧ポート２と低圧ポート３との間に位置する弁室４の部分に配置してある。 - 特許庁

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films.例文帳に追加

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can make in-plane uniformity of processing higher than before, can be made compact by reducing an unnecessary space in a processing chamber, and can easily vary the interval between an upper electrode and a lower electrode.例文帳に追加

従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating and cooling apparatus for manufacturing semiconductors for carrying out heating processing and cooling processing in the manufacturing process of prescribed semiconductor substrates, and capable of applying efficient processing to baking and cooling in a single chamber so as to reduce the whole facility.例文帳に追加

本発明は所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関し、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図ることを目的とする。 - 特許庁

The inner wall of a processing vessel 22 is covered with a quartz liner 100 formed of opaque quartz, so that the inner wall of the processing vessel 22 can be protected against ultraviolet rays emitted from ultraviolet sources 86 and 87, and a temperature rise in the processing chamber 22 by the heat released from the heater unit 24 can be restrained with a heat insulating effect.例文帳に追加

また、処理容器２２の内壁は、不透明石英により形成された石英ライナ１００により覆われており、紫外線光源８６，８７から照射された紫外線から保護されると共に、断熱効果によりヒータ部２４からの熱による温度上昇が抑制される。 - 特許庁

To provide a substrate-processing apparatus with a plurality of process gases alternately supplied to the processing chamber for processing substrates, wherein the evacuation pipe clogging by reaction by-products is suppressed, even if the exhaust pipe is prolonged, by preventing the occurrence of a low-temperature region in the evacuation pipe, on the secondary side of a vacuum pump.例文帳に追加

処理室に複数の処理ガスを交互に供給して基板を処理する基板処理装置において、真空ポンプの２次側の排気管から低温部を無くすことによって、排気管の配管長が長くなっても、反応副生成物による排気管の詰まりを抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can reduce the number of replenishing a liquid raw material to a tank while maintaining controllability in supplying a reaction gas, in the substrate processing apparatus in which the liquid raw material is vaporized and supplied to a processing chamber using the small tank for storing the liquid raw material.例文帳に追加

液体原料を貯蔵するタンクに小型のものを用いて、前記液体原料を気化し、処理室へ供給する基板処理装置において、反応ガス供給の制御性を維持しつつ、タンクへの液体原料補給の回数を減少させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a banana ripening chamber having a plurality of shutters for shelters capable of simply carrying out operation to introduce bananas into the chamber, facilitating setting even when the amount of bananas is incomplete without the need for arranging pallets in left and right symmetry and in even numbers, processing the bananas containing those with shifted shipping period mixed therein in the same chamber, simplifying devices in the chamber and nearly eliminating maintenance.例文帳に追加

本発明はバナナの入室作業が簡単で且つパレットの配置を左右対称で偶数の配置にさせる必要はなく、またバナナの数量が半端な場合でも、セットが容易となり、更に同室内で出荷時期をずらしたものが混在して加工することが可能となり、室内装置の簡素化と共にメンテナンスが殆ど不要に出来るシェルター用シャッターを多数有するバナナ熟成室を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processing method comprises controlling the degrees of openings of an upper pressure control valve 134 and a lower pressure control valve 146 disposed between an upper exhaust chamber UC and an upper vacuum exhaust system 136, and between a lower vacuum exhaust chamber DC and a lower vacuum exhaust system 148, respectively, to generate a predetermined displacement difference between the upper exhaust chamber UC and the lower exhaust chamber DC.例文帳に追加

本発明によれば，上部排気室ＵＣと上部真空排気系１３６の間及び下部真空排気室ＤＣと下部真空排気系１４８との間にそれぞれ設けられている，上部圧力調整弁１３４及び下部圧力調整弁１４６の開度を調整することにより，上部排気室ＵＣと下部排気室ＤＣとの間に所定の排気量差を生じさる構成とした。 - 特許庁

When releasing a load lock chamber to an atmosphere by gas introduction from a feed pipe, the vacuum processing apparatus starts evacuating the load lock chamber using an exhaust pipe when the pressure in the load lock chamber rises up to predetermined first pressure, and stops the evacuation using the exhaust pipe when the pressure in the load lock chamber rises up to second pressure higher than the first pressure.例文帳に追加

上記目的を達成するために、給気管からのガス導入によるロードロック室の大気開放のときに、ロードロック室内の圧力が所定の第１の圧力まで上昇したときに、排気管を用いたロードロック室内の排気を開始し、第１の圧力より高い第２の圧力まで、ロードロック室内の圧力が上昇したときに、排気管を用いた排気を停止する真空処理装置を提案する。 - 特許庁

To provide air blowing and mist collection systems in a machine tool in which a cutting scrap or a cutting fluid adhering to an object to be processed is removed by air blowing and mists generated during processing are collected in a processing chamber.例文帳に追加

加工室内で被加工物に付着する切削屑や切削液をエアブローにより除去すると共に加工時に発生するミストの捕集を行なう工作機械におけるエアブロー及びミスト捕集装置を提供すること。 - 特許庁

The plasma 5 is supplied to the surface of an processing object 6 to process the surface of processing object 6 to the condition having affinity with the resin 7 by blowing the plasma 5 generated in the reaction chamber 2 from the blowing port 1.例文帳に追加

反応容器２内で生成されたプラズマ５を吹き出し口１から吹き出すことにより、被処理物６の表面にプラズマ５を供給して被処理物６の表面を樹脂７と親和性のある状態に表面処理する。 - 特許庁

At the time of processing a substrate 9 electrostatically attracted on an electrostatic chucking stage 4 within a processing chamber 1, a detection gas is introduced into a gap between the stage 4 and the substrate 9 through a detecting gas inlet system 71.例文帳に追加

処理チャンバー１内の静電吸着ステージ４に基板９を静電吸着しながら処理するに際し、静電吸着ステージ４と基板９との隙間に検知用ガス導入系７１により検知用ガスを導入する。 - 特許庁

The SWP processing apparatus 100 is equipped with a processing chamber which generates surface wave excitation plasmas in an airtight space by the microwaves introduced from the microwave introduction section 10, and processes a workpiece with the surface wave excitation plasmas.例文帳に追加

ＳＷＰ処理装置１００は、マイクロ波導入部１０により導入されたマイクロ波により気密空間に表面波励起プラズマを生成し、該表面波励起プラズマにより被処理物を処理する処理室とを備える。 - 特許庁

One or more of the chambers may be a processing chamber which includes two ports configured to selectively engage the at least one external port of the body, and a fluid processing material such as an enrichment material or a depletion material.例文帳に追加

１つまたはそれ以上のチャンバを、本体の少なくとも１つの外部ポートに選択的に係合するように構成された２つのポートと、濃縮材または減損材などの流体処理材とを収容する処理チャンバにしてもよい。 - 特許庁

The impedance matching device and s-parameter of the plasma processing chamber is measured by a high frequency network analyzer, and a power transmission efficiency of the impedance matching device is determined by the measured s-parameter, and the plasma processing is controlled thereby.例文帳に追加

インピーダンス整合器やプラズマ処理室のＳパラメータを高周波ネットワークアナライザで測定し、測定されたＳパラメータからインピーダンス整合器の電力伝送効率を求めること、これによってプラズマ処理の制御を行う。 - 特許庁

To improve a device for coping with various problems caused by scale-up of the device in an inductive coupling plasma processing device where a dielectric wall is disposed at the ceiling of a processing chamber corresponding to a high frequency antenna.例文帳に追加

高周波アンテナに対応して処理室の天井に誘電体壁が配設された誘導結合プラズマ処理装置において、装置の大型化に伴って生じる種々の問題に対処するための改良を装置に加える。 - 特許庁

In an insulating film forming system, a gas feed means and an exhaust means are provided to a heating processing device which evaporates a solvent component contained in a liquid applied on a wafer W, and a processing chamber is filled up with low atmosphere of oxygen.例文帳に追加

絶縁膜形成システム１において，ウェハＷ上の塗布液中の溶剤成分を蒸発させる加熱処理装置に，ガスを供給する供給手段と排気手段を取り付け，前記処理室内を低酸素雰囲気とする。 - 特許庁

To shorten suspension time of a vacuum processing due to confirmation of the state of a surface part of a substrate mounting table placed in a vacuum processing chamber, and replacement of the surface part; and highly precisely control the state of the surface part.例文帳に追加

真空処理室に設けられる基板載置台の表面部の状態の確認や当該表面部の交換を行うことによる真空処理の停止時間を短くすると共に、前記表面部の状態を精度高く管理すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor, plasma processing method and apparatus, all or some of members in a processing chamber of a plasma processor are subjected to surface treatment with the use of a coupling agent.例文帳に追加

本発明は、プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置の処理室内部の全部または一部の部材にカップリング剤が表面処理されていることを特徴とする半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置である。 - 特許庁

In a liquid processing apparatus 10, a wall 90 is provided to divide a processing chamber 20 from an arm standby part 80, and openings 88a, through which nozzle support arms 82 respectively pass, are provided at an arm cleaning part 88 of the wall 90.例文帳に追加

液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。 - 特許庁

This system is applied for the multi-chamber system such as the film forming device, etc., furnished with plural processing chambers respectively having low-order controllers, and the plural processing chambers are divided into the groups, then one controller for process control is arranged on each group.例文帳に追加

それぞれ下位制御器を有する複数の処理チャンバを備えて成る成膜装置等のマルチチャンバシステムに適用され、複数の処理チャンバを分けてグループ化し、各グループに１つのプロセス制御用制御器を設けるようにした。 - 特許庁

To provide a photographic processor capable of producing an optimum temperature atmosphere for drying processing in a drying chamber in a short period of time while suppressing the capacity of a heater as much as possible, and stabilizing the driving processing for a photosensitive material.例文帳に追加

ヒータの容量を極力抑えた上で乾燥室内を短時間に乾燥処理に最適な温度雰囲気にすることができ、感光材料に対する乾燥処理の安定化を図ることができる写真処理装置を提供する。 - 特許庁

The coolant which contains the chips generated during the workpiece-processing is collected to a chip processing device 16, the chips are separated from the coolant, and the clean coolant is fed through a communication pipe 61, and stored in the storage chamber of the coolant tank 21.例文帳に追加

ワークの加工中に発生した切屑を含んだクーラントを切屑処理装置１６により回収して、切屑とクーラントを分離し、清浄なクーラントを連通パイプ６１を介して前記クーラントタンク２１の貯留室に貯留する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of well setting the condition of a plasma processing chamber while disusing any impedance measuring device, monitor, or high frequency current measuring device, and to provide an evaluation method and a control method of the same.例文帳に追加

インピーダンス測定器やモニターや高周波電流測定器を必要としせず、しかも、プラズマ処理室の条件設定を良好に行わせることができるプラズマ処理装置とその評価方法及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The plasma-processing gas fed in the gas passage F smoothly flows into the gap (g) between the rotary electrode 1 and the substrate 2, and the plasma-processing gas in the gap (g) is evacuated smoothly of the chamber 5.例文帳に追加

ガス流路Ｆに供給されるプラズマ処理用ガスは、回転電極１と基板２との間のギャップ部ｇに円滑に流入し、また、ギャップ部ｇ内にてプラズマ処理された後のガスは、チャンバ５外に円滑に排出される。 - 特許庁

To accurately compute the air quantity flowing into a combustion chamber by considering an influence of the valve opening processing in a control device for an internal combustion engine which executes the valve opening processing for opening an EGR valve in execution of the fuel cut.例文帳に追加

燃料カットの実行中にＥＧＲバルブを開弁する開弁処理を実行する内燃機関の制御装置において、同開弁処理による影響を考慮して燃焼室に流入する空気量を正確に算出する。 - 特許庁

A glass workpiece 32 being processed in a vacuum plasma processing chamber is dechucked from a monopolar electrostatic chuck by gradually reducing chucking voltage during the processing while voltage is maintained high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ処理チャンバ内で処理されているガラスワークピース３２は、ワークピースを締め付けるのに十分なほどの高さに電圧を維持しつつ、処理中にチャック電圧を徐々に削減することによりモノポール静電チャックからチャック解除される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus provided with a gas feed means which feeds gas in pulses into a reaction chamber, where the processing speed and shape of a sample can be set uniform through all its surface, even if an ultrasonic free flow is not established.例文帳に追加

反応室にパルス的にガスを供給する手段を備えたプラズマ処理装置において、超音速自由流が成立しない場合においても試料の処理速度および形状の試料面内での均一化を図る。 - 特許庁

At the lead-out portion of the scan shaft on the outside of the vacuum processing chamber, a vacuum seal mechanism equipped with a seal housing 2 provided on the periphery of the scan shaft on the atmospheric side is disposed.例文帳に追加

スキャンシャフトの当該真空処理室外の導出部に、スキャンシャフトの大気側における周囲に設けられたシールハウジング２を備えた真空シール機構が配設される。 - 特許庁

After the wafer transportation, a first reactive substance containing Si_2Cl_6(HCD) is supplied into the processing chamber 52 using a first supply system 61 while being exhausted from an exhaust system 64.例文帳に追加

搬入後、第１供給系６１を用いて処理室５２内にＳｉ_2Ｃｌ_6（ＨＣＤ）を含む第１反応物質を供給しつつ排気系６４から排気する。 - 特許庁

To provide a device for crushing, sizing and grinding by which surplus soil in a processing chamber can be simply discharged in a short time without any manual work in order to perform maintenance work.例文帳に追加

保守作業のために処理室内の残土を、人手に依らず、短時間で、簡単に排出できるようにした破砕・整粒・研磨装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of heating a substrate by which the uniformity of a film between substrates can be improved during heating by carrying in a plurality of substrates one by one into a processing chamber.例文帳に追加

複数の基板を１枚ずつ処理室に搬入して加熱処理する際の基板間の膜厚均一性を向上した基板加熱方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 6 controls the pressure within the processing chamber 3 by controlling an extent of opening of the pressure regulating valve 50 based on values detected by the pressure gauge 4.例文帳に追加

制御部６は、圧力計４の検出値に基づいて圧力調整バルブ５０の開度を制御することにより、処理室３内の圧力を制御する。 - 特許庁

Second group-III and nitrogen precursors are flowed into the second processing chamber to deposit a second layer over the first layer with a thermal chemical-vapor-deposition process.例文帳に追加

II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。 - 特許庁

A wafer W is mounted on a lower electrode 106, arranged inside the processing chamber 102 of an etching device 10 and the temperature of the wafer W is maintained at -30°C to 30°C.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内に配置された下部電極１０６上にウェハＷを載置し，ウェハＷの温度を−３０℃〜３０℃に維持する。 - 特許庁

To supply reaction gas uniformly onto a substrate so as to deposit a film of uniform thickness on the substrate and to control a flow of gas better in a processing chamber.例文帳に追加

基板上に膜が均一な厚さで堆積されるように、反応ガスを基板上に均一に供給し、処理チャンバ内のガスの流れをより良く制御するようにする。 - 特許庁

A carry-in port 10A and a carry-out port 10B of the sheet material formed in the irradiation processing chamber 10 are fitted airtight with decompression maintenance adjusting means 21 and 22.例文帳に追加

照射処理室１０に形成したシート材料の搬入口１０Ａ及び搬出口１０Ｂに、減圧維持調整手段２１、２２を気密に取り付ける。 - 特許庁

To provide a terminal unit for a vacuum processing apparatus at a low cost, which can be provided on a vacuum partition with high reliability of a vacuum chamber demanding airtightness and with excellent workability.例文帳に追加

気密性が問われる真空チャンバの信頼性が高く、作業性よく真空隔壁に設けることができる低コストの真空処理装置用の端子ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for doubling component life of a ring for expanding plasma arranged within a processing chamber, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor device and an Si ring.例文帳に追加

処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの部品寿命を倍化させるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

Gas introduced by a gas introduction means 29 can thereby be introduced to the surface being treated in the main processing space before being diffused into the second vacuum chamber.例文帳に追加

これにより、ガス導入手段２９から導入されたガスを、当該ガスが第２真空室内に拡散してしまう前に、主処理空間内の被処理面へ導くことができる。 - 特許庁

A discharging port 16 for discharging the gas inside the processing chamber 1 is provided on the part opposite to the gas supply ports 19, 20 with the substrate 8 sandwiched and lower than the substrate 8.例文帳に追加

処理室１内を排気する排気口１６は、基板８を挟んでガス供給口１９、２０と反対側であって、基板８よりも下方に設けられる。 - 特許庁