「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, data acquisition processing for recording the output values of the gyro sensor 520 is performed, while changing the attitude of the sensor module 5 and the temperature of the inside of a thermostatic chamber 320.例文帳に追加

そして、センサーモジュール５の姿勢及び恒温槽３２０内部の温度を変化させながら、ジャイロセンサー５２０の出力値を記録するデータ取得処理が行われる。 - 特許庁

When an alarm signal such as a temperature abnormality of the inside of the chamber 6 is detected, not only is temperature control is stopped but also normal temperature returning processing is carried out automatically.例文帳に追加

チャンバ内部の温度異常などのアラーム信号が検出された場合に、温度制御を単に停止させるのみでなく、自動的に常温復帰処理を行う。 - 特許庁

An air-side opening 106a of a first load lock chamber 106 of a processing apparatus is opened and closed by a first valve body 120 constituting a seventh gate valve G7.例文帳に追加

処理装置１００の第１ロードロック室１０６の大気側開口部１０６ａは，第７ゲートバルブＧ７を構成する第１弁体１２０により開成および閉成される。 - 特許庁

The cleaning processing units 5a to 5d each have a spin base 22, a chuck rotation driving mechanism 24, a chamber 31, a vacuum pump 33, a steam supply pipe 34, and a liquid supply nozzle 46.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄは、スピンベース２２、チャック回転駆動機構２４、チャンバ３１、真空ポンプ３３、蒸気供給管３４および液体供給ノズル４６を備える。 - 特許庁

To overcome the problem that, when a liquid chamber is formed by press working on a flow channel plate by a narrow pitch, warpage or waving is generated on the flow channel plate, while the processing accuracy and the part accuracy are deteriorated.例文帳に追加

流路板に狭小ピッチで液室をプレス加工で形成するときに流路板に反りやうねりが発生して加工精度や部品精度が低下する。 - 特許庁

If the sample processing device is rotated after the opening is formed, the selected portion of the material located closer to the axis of rotation exits the process chamber through the opening.例文帳に追加

開口の形成後、試料プロセッシングデバイスを回転させる時、回転軸のより近位に位置する材料の選択された部分は開口を通してプロセスチャンバーを出る。 - 特許庁

A glass probe, whose tip has a curved face, is mounted on a driving mechanism 19, and the manipulator consisting of the probe and the driving mechanism 19 is mounted on a processing chamber 15 for focused ion beam.例文帳に追加

先端が曲面状のガラス製プローブを駆動機構１９に取り付け、プローブと駆動機構１９から成るマニピュレータを集束イオンビームの加工室１５に取り付ける。 - 特許庁

This prevents the vacuum processing chamber from being opened to the atmosphere, and also facilitates the confirmation of the state of the surface part, thereby highly precisely controlling the surface part.例文帳に追加

これによって真空処理室の大気開放を防ぐと共に表面部の状態の確認が容易になるので当該表面部を精度高く管理することができる。 - 特許庁

The semiconductor alloy layers are formed by providing a semiconductor source compound and a co-component source compound to a processing chamber and ionizing gases to deposit a layer on a substrate.例文帳に追加

半導体合金層は、半導体源化合物と共成分源化合物を処理チャンバに提供し、ガスをイオン化して、基板上に層を堆積させることにより、形成される。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a chamber 1 for accommodating a substrate 11, a microwave generator 5 for generating microwave, and an antenna section 3 for radiating microwave.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板１１を収容するチャンバ１と、マイクロ波を発生するためマイクロ波発生器５と、マイクロ波を放射するためのアンテナ部３とを備えている。 - 特許庁

Further, a protective film 105 formed by a resin material having plasma resistance and absorption property is expanded and contracted to closely fix to outer surfaces of components in the processing chamber 1.例文帳に追加

また、耐プラズマ性且つ吸水性を有する樹脂材料で形成された保護膜１０５を膨張収縮させて、処理室１内の部品の外面に密着固定する。 - 特許庁

The electrostatic chuck for receiving a substrate in a substrate processing chamber comprises a ceramic puck having a substrate receiving surface and an opposing backside surface with a plurality of spaced apart mesas.例文帳に追加

基板処理チャンバ内で基板を受容する静電チャックは、基板受容面と、複数の隔置されたメサを有する対向する裏面とを有するセラミックパックを備えている。 - 特許庁

The method includes to provide a component made of a polymer material in a processing chamber (12), and to introduce a carbon dioxide fluid in supercritical state therein.例文帳に追加

本方法は、ポリマー材料製構成部品を処理チャンバ（１２）内に提供すること、超臨界状態の二酸化炭素流体をその中に導入することを含む。 - 特許庁

The method includes generating a nitrogen-containing plasma in a processing chamber via a smooth-varying modulated RF power source to reduce electron temperature spike.例文帳に追加

この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。 - 特許庁

Thereafter, a second reactive substance not containing hydrogen atoms and containing oxygen atoms is supplied into the processing chamber 52 using a second supply system 62, while being exhausted from the exhaust system 64.例文帳に追加

その後、第２供給系６２を用いて処理室５２内に水素原子を含まず酸素原子を含む第２反応物質を供給しつつ排気系６４から排気する。 - 特許庁

When the plasma is introduced into the processing chamber 102, Si atoms are sputtered from an Si electrode 114 by impact of ions in the plasma and discharged into the plasma.例文帳に追加

処理室１０２側にプラズマが引き出されると、プラズマ中にイオンの衝撃によりＳｉ電極１１４よりスパッタリングされてＳｉ原子がプラズマ中に放出される。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma processing system is contained airtightly in a housing equipped with an exhausting system capable of evacuating the entire system including an atmospheric pressure chamber to a negative pressure level as compared with the atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理装置は、大気圧チャンバを含む装置全体が大気圧より負圧に排気できる排気系を備えたハウジング内に気密に収容される。 - 特許庁

The electric field by the microwave accelerates electrons, generates a plasma in the plasma processing chamber 101, and excites the gas to process the surface of an object to be processed.例文帳に追加

このマイクロ波の電界により電子が加速され、プラズマ処理室１０１内にプラズマが発生し、処理用ガスが励起されて被処理基体１１２の表面を処理する。 - 特許庁

A vapor generator (4) is closely arranged beneath the sterilizing can (3) in a way of direct connection and successively connected to the bottom of a processing chamber (16) inside the sterilization can (3).例文帳に追加

滅菌缶(３)の下側に蒸気発生器(４)を直結状に接近配置し、蒸気発生器(４)を滅菌缶(３)内の処理室(16)の底部に連通接続する。 - 特許庁

To prevent particles from being produced owing to a weld zone between a manifold flange and a gas intake port when substrate treating equipment which carries out gas chemical reaction in a processing chamber is manufactured.例文帳に追加

処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。 - 特許庁

The inert gas, evacuated through the inert gas exhausting opening 5b is combined with the reactive gas at the lowest stream position and is then evacuated, and flowing into a processing chamber 2 is prevented.例文帳に追加

不活性ガス排気口５ｂから排出された不活性ガスは、反応ガスの最下流位置において合流して排気され、処理室２への流入が防止される。 - 特許庁

When the cleaning liquid chamber 112 is made a negative pressure by purge processing, the film 117 is broken and the opening 115 is released, making it possible to supply the ink to the recording head.例文帳に追加

パージ処理により洗浄液室１１２が負圧にされると、フィルム１１７が破られて開口１１５が開放され、インクが記録ヘッドに供給可能となる。 - 特許庁

An exhaust gas generated in the chamber 11 after a reaction is made to flow through a gas exhaust pipeline 12 and finally introduced to an exhaust gas processing mechanism 13, such as a scrubber, pretreatment device, etc.例文帳に追加

ガス排気配管１２は、チャンバ１１内における反応後の排ガスを流し、最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構１３に導かれる。 - 特許庁

A laser oscillating device 31 is housed in a laser processing chamber 37 where the substrate holder 33 is also housed, and glass substrates 32 on the holder planes 33a are irradiated with a laser beam.例文帳に追加

レーザ発振装置３１は、基板ホルダ３３と同じレーザ処理チャンバ３７内に収納されて、ホルダ面３３a上のガラス基板３２をレーザビームで照射する。 - 特許庁

A pressure controller 144 selects optimal pressure data from among pressure data of the first and second pressure sensors 132, 134 depending on the pressure in the processing chamber 102.例文帳に追加

圧力制御器１４４は，第１および第２圧力センサ１３２，１３４の各圧力データから処理室１０２内の圧力に応じて最適な圧力データを選択する。 - 特許庁

To reduce the thickness of a dielectric plate in a plasma processing device while obtaining a mechanical strength in consideration of the deformation of the dielectric plate when a pressure is reduced in a chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、チャンバ内を減圧した際の誘電体板の変形を考慮して機械的強度を確保しつつ、誘電体板の薄型化を図る。 - 特許庁

On the bottom face of the processing chamber 10, a plurality of exhaust passages 12 are arranged below the left/right of the substrate 1, which is transferred by the rollers 4 in the depthwise direction.例文帳に追加

処理室１０の底面には、ローラ４により移動される基板１の左右下方の位置に、排気用通路１２が図面奥行き方向に複数設けられている。 - 特許庁

This deodorizing means comprises treating 100g of commercially available potassium alginate powder, using an atmospheric superheated steam generating apparatus, and a metallic processing chamber (capacity 3L) having an entrance and an exit.例文帳に追加

市販のアルギン酸カリウム粉末１００ｇを、常圧過熱水蒸気発生装置および入口と出口を備えた金属製処理チャンバー（容量３Ｌ）を用いて処理する。 - 特許庁

Flow rate of N2 gas supplied to a chamber 2 is switched to a high flow rate, and wafers 100 held in a carrier 4 are introduced to a processing vessel 3 and are cleaned with deionized water.例文帳に追加

チャンバ２内に供給するＮ_2 ガスの流量を高流量に切り替え、キャリア４に保持されたウエハ１００を処理槽３内に導入し、純水で洗浄する。 - 特許庁

To provide a crushing device capable of efficiently performing crushing processing by smoothly circulating a crushed object in a crushing chamber irrespective of the property of crushed objects.例文帳に追加

粉砕対象物の性状によらず粉砕室内で粉砕対象物を円滑に循環させて効率のよい粉砕処理が可能となる粉砕装置を提供する。 - 特許庁

To reduce waiting time in the exchanging of articles to be processed between respective processing chambers and a transfer preliminary chamber, to efficiently exchange objects to be processed and to improve the throughput.例文帳に追加

各処理室と搬送予備室との間の被処理物の交換における待ち時間を低減し、被処理物の交換を効率良く行いスループットの向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for producing a three-dimensionally shaped object wherein the removal of fumes in a chamber can be easily performed, and the emission position precision of a light beam and processing precision are improved.例文帳に追加

三次元造形物の製造方法において、チャンバ内のヒュームの除去を容易に行なうことができ、光ビームの照射位置精度及び加工精度を良くする。 - 特許庁

To provide a plasma process device chamber member in which plasma resistance is secured, which can be used for long time even if a cleaning processing is repeated and which is economically advantageous.例文帳に追加

耐プラズマ性が確保されており、クリーニング処理を繰り返しても長期間使用可能で、経済的に有利なプラズマプロセス装置用チャンバー部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a vacuum pump capable of effectively restraining mixture of a foreign matter in a vacuum processing chamber, and to provide a device and method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

真空処理室内での異物の混入を効果的に抑制することができる真空ポンプ、半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sliding part 51 is arranged on a pressure control chamber 71 side from the processing sag part 48 at least within a range where the command piston 50 opens/closes the nozzle needle 30.例文帳に追加

摺動部５１は、少なくともコマンドピストン５０がノズルニードル３０を開閉駆動させる範囲で加工ダレ部４８よりも圧力制御室７１側に配置されている。 - 特許庁

In one embodiment, a plasma formed from NF3 is diluted with N2 to etch residue from the surfaces of the processing chamber used to deposit silicon oxide glass.例文帳に追加

実施形態においては、ＮＦ_3から生成されたプラズマをＮ_2で希釈して、酸化ケイ素ガラスを堆積するために用いた処理チャンバの表面から残渣をエッチングする。 - 特許庁

After introducing a lubricating gas into a processing chamber 1, a substrate 3 is electrostatically attracted onto the surface of an electrostatic chuck plate 2 under a pressure of approximately 100 Pa.例文帳に追加

本発明では、潤滑ガスを処理室１内に導入した後、１００Ｐａ程度の圧力下で静電チャックプレート２表面に基板３を静電吸着させる。 - 特許庁

To enable complete sterilization by sealing inside of a chamber 2 and to prevent external pollutants from intruding during operation of a container processing device provided inside.例文帳に追加

チャンバー２内を密閉して完全な滅菌を可能にするとともに、内部に設けられた容器処理装置を運転中に、外部の汚染物質が侵入することを防止する。 - 特許庁

The anode provides a path to ground for electrons that are excited in the plasma and may uniformly distribute the electrons within the plasma across the processing space rather than collect at the chamber walls.例文帳に追加

アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。 - 特許庁

After film formation processing, a control unit 29 performs control to supply a vent gas into the reaction tube 4, into vent piping 17 downstream from a vent valve 18, and to a conveyance chamber 6.例文帳に追加

成膜処理後、制御部２９は、反応管４内、ベントバルブ１８よりも下流のベント配管１７内、ならびに搬送室６にベントガスを供給するように制御する。 - 特許庁

A grounding side electrode 3, a high-voltage side electrode 4 and a dielectric member 5 disposed between them are provided in the plasma reactor A, that is, a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマリアクター、すなわちプラズマ処理室Ａ内には、接地側電極３、高圧側電極４、および両者の間に配置された誘電体部材５が設けられている。 - 特許庁

To provide a low-temperature showcase capable of surely processing dew condensation water from a transparent wall outer face and smoothly supplying air from a machine chamber to the transparent wall outer face.例文帳に追加

透明壁外面からの結露水の処理を確実に行い、透明壁外面へ機械室内から空気を円滑に吹き出すことができる低温ショーケースを提供する。 - 特許庁

A common dose measuring apparatus arranged within the common processing chamber can be operated to measure one or more characteristics in each of multiple ion beam lines.例文帳に追加

共通処理チャンバー内に配置された共通線量測定装置は、複数のイオンビームラインのそれぞれの１以上の特性を測定するように動作可能である。 - 特許庁

The method for etching a photomask includes a step of providing a processing chamber, having a substrate supporting pedestal adapted to receive a substrate for photomask on the top part.例文帳に追加

フォトマスクをエッチングする方法は、上部に、フォトマスク用基板を受けるように適合された基板支持用ペデスタルを有する処理チャンバを提供するステップをふくむ。 - 特許庁

The system and method allows the measurement and control of the water vapor in the semiconductor processing chamber wherein water vapor is present as the process gases.例文帳に追加

本装置および方法によって、水蒸気がプロセスガスとして存在する半導体処理チャンバー内部の水蒸気レベルを測定および制御することが可能になる。 - 特許庁