「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable an air flow flowing toward an exhaust vent to be uniformly formed in a processing chamber so as to make a substrate such as a wafer or the like uniform in heating temperature distribution throughout its surface.例文帳に追加

排気口へと流れる気流が処理室内において均等に形成されるように制御し，ウェハ等の基板面内の加熱温度を均一にする。 - 特許庁

A protective member 35 of the same material as that of a target 15 is fixed to the periphery of the target 15 on the inner surface of the processing chamber S in a sputtering system 1.例文帳に追加

スパッタリング装置１の処理室Ｓの内側表面であってターゲット１５の周辺に，ターゲット１５と同じ材質の保護部材３５が取り付けられる。 - 特許庁

The recess is provided in the center of the surface facing a gas introducing means 12, which is provided in the close vicinity of the antenna section 7 and which introduces a gas into the plasma processing chamber.例文帳に追加

この凹部は、アンテナ部７に近接して設けられプラズマ処理室１にガスを導入するガス導入手段１２と対向する面の中央部に設ける。 - 特許庁

In response to these strong field regions, plasmas are generated in a processing chamber 2 of a reaction vessel 1, and dispersed to provided a uniform plasma.例文帳に追加

これらの強電界領域に対応して反応容器１の処理室２内にてプラズマが生成され、それらが拡散して均一なプラズマが得られる。 - 特許庁

Since the volume of the chamber C is reduced, the removal of fumes can be easily performed, and the emission position precision of a light beam L and processing precision are improved.例文帳に追加

チャンバＣの容積が減少しているので、ヒュームの除去を容易に行なうことができ、光ビームＬの照射位置精度及び加工精度が良くなる。 - 特許庁

The plating M is also firmly formed in the small ice making chamber 3 by allowing the plating M to enter this plating inserting part 23 at plating processing time.例文帳に追加

さらには、メッキ処理時において、このメッキ挿入部２３内にメッキＭを入り込ませて、製氷小室３内でメッキＭを強固に形成させることができる。 - 特許庁

To perform detections of foreign matters suspended in a processing chamber, over a wide range with nearly equal sensitivities to each other, by using a detecting optical system having a simple constitution.例文帳に追加

処理室内に浮遊した異物の検出を、簡単な構成の検出光学系で、広範囲に亘り、ほぼ同じ感度で行えるようにすること。 - 特許庁

In this purge gas processing device of the internal combustion engine, an expanding chamber 23 is arranged in a just upstream part of the intake air passage opening end 22 of a purge gas sucking passage 20.例文帳に追加

パージガス吸入経路２０の吸気経路開口端２２の直ぐ上流部に拡張室２３を設けた内燃機関のパージガス処理装置。 - 特許庁

To eliminate an influence of disturbed air flow due to a heat produced in a reaction furnace within a processing chamber and to prevent in advance an adhesion of dust to the surface of a wafer.例文帳に追加

処理室内での反応炉からの熱による気流の乱れの影響を抑えてウエハ表面へのダストの付着を未然に防止すること。 - 特許庁

To provide a compact high-pressure processing apparatus that loads or unloads an object to be treated to and from a treatment chamber easily, and has superior safety and productivity and small installation space.例文帳に追加

被処理体の処理室への出し入れが容易で、安全性、生産性が高くコンパクトで設置面積の小さな高圧処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure control mechanism that easily adjusts and controls the pressure of a pressure-adjusted section whose pressure is controlled such as a processing chamber.例文帳に追加

処理室等の圧力調節が為される被調圧部の圧力を、簡易に調節制御することが可能な圧力制御機構を提供すること。 - 特許庁

At an inlet to a processing chamber, a slit nozzle 33 is provided for jetting the liquid in the form of a film over the whole width of a substrate 100.例文帳に追加

処理部の入口部分に、基板１００の幅方向全域にわたって膜状に処理液を噴出する液膜式のスリットノズル３３を設ける。 - 特許庁

Also, when replenishing the washing water, the valve element 102 is separated from the partition wall surface and the washing water flows from the through-hole 100 to the processing chamber on an upstream side.例文帳に追加

なお、水洗水の補充時には、弁体１０２が隔壁面から離れて貫通孔１００から上流側の処理室へ水洗水が流れる。 - 特許庁

To detect and correct a wafer shift if the wafer shift is made in a chamber processing room of a plasma device used in a stage of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で使用されるプラズマ装置に際して、チャンバー処理室内でウエハズレが発生した場合に、それを検知して修正する。 - 特許庁

A plurality of such gas inlets are formed in an upper wall 6 of the processing chamber 4 along a reaction-gas flowing direction (shown by arrows 11, 12).例文帳に追加

ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。 - 特許庁

The second oxygen pump 14 is constituted of the second internal electrode 24, the solid electrolyte 16a and the second external electrode 26 in the second processing chamber 36b.例文帳に追加

第２処理室３６ｂに、第２内部電極２４と固体電解質１６ａと第２外部電極２６によって第２酸素ポンプ１４が構成されている。 - 特許庁

Consequently, the chamber can improve plasma processing performance by concentrating more of the RF output in the region between the two electrodes.例文帳に追加

結果的に、発明は２電極間の領域にＲＦ出力をより集中させることによって、プラズマ処理能力を向上することが可能である。 - 特許庁

To provide a vacuum gas discharging method of a substrate processing apparatus, capable of adsorbing and removing particles generated in a chamber in vacuum discharging and/or an out gas.例文帳に追加

真空引き時にチャンバ内に発生するパーティクル及び／又はアウトガスを吸着、除去することができる基板処理装置の真空排気方法を提供する。 - 特許庁

The gas is processed by introducing the gas to be processed into the plasma processing chamber 1b in which plasma is generated by inducing the discharge between the electrodes.例文帳に追加

電極間に放電を誘起させてプラズマ処理室内にプラズマを生成した状態で、被処理ガスをプラズマ処理室内に導入して、ガスの処理を行う。 - 特許庁

In a chamber 102 of an etching apparatus 100, a lower electrode 106 and an upper electrode 108 grounded via a processing container 104 are arranged oppositely.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内には，下部電極１０６と，処理容器１０４を介して接地された上部電極１０８が対向配置される。 - 特許庁

In one embodiment thereof, the method includes a step of positioning the substrate surface in a processing chamber (100) and a step of exposing the substrate surface to a boride (120).例文帳に追加

一態様によると、その方法は、処理チャンバ（１００）内に基板表面を位置決めするステップと、基板表面をホウ化物（１２０）に晒すステップと、を備える。 - 特許庁

To enable a payment action or reject processing by normal precisely judging kinds of banknotes even when the banknotes are not delivered straightly from a storing chamber.例文帳に追加

紙幣が収納室からまっすぐに搬送されない場合でも、紙幣の種類を正確に判断して、正常な出金動作あるいはリジェクト処理を可能とする。 - 特許庁

In the first processing, sputtering for forming the first dielectric layer 2 on the substrate 1 is performed in two steps in a process chamber of two chambers.例文帳に追加

第１工程において、基体１上に第１誘電体層２を形成するためのスパッタリングを２室のプロセスチャンバー内で２回に分けて行う。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus includes a microstrip line which can especially transmit the large power as a power supply line inside the vacuum chamber.例文帳に追加

本発明の真空処理装置は、真空チャンバ内部の給電線路として、特に大電力を伝送することが出来るマイクロストリップラインを備えている。 - 特許庁

A dry etching device has a housing, having a lower electrode therein and an electrode unit 2 forming a processing chamber with the housing.例文帳に追加

ドライエッチング装置１００は、内部に下部電極１１を有するハウジング１と、このハウジング１と共に処理チャンバ３を形成する電極ユニット２とを備えている。 - 特許庁

To provide a heat shield where a pump is shielded from the thermal energy generated in a semiconductor wafer processing chamber to improve the performance of a cryopump.例文帳に追加

半導体ウェーハ処理チャンバー内に生じた熱エネルギーからポンプをシールドすることによりクライオポンプの性能を向上させる熱シールドを提供する。 - 特許庁

To provide a method for processing a workpiece in a plasma reactor chamber having electrodes including at least a ceiling electrode and a workpiece supporting electrode.例文帳に追加

少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。 - 特許庁

The field-strength distribution in the processing chamber 12 is adjusted by making the widths of the rod-shaped electrodes 2b and spaces among the rod-shaped electrodes 2b differ.例文帳に追加

そして、棒状電極部２ｂの幅や棒状電極部２ｂ間の間隔を異ならせることで、処理室１２内部の電界強度分布を調節する。 - 特許庁

Each of the rectifying plates 20 guides a purge gas supplied from the associated gas inlet into the processing chamber such that the purge gas flows along the reaction-gas flowing direction.例文帳に追加

整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 discharges a hydrofluoric acid solution from discharge nozzles 13 towards grooves 14 formed on sidewalls 112a and 112b of the inner chamber 11.例文帳に追加

基板処理装置１は、吐出ノズル１３から内槽１１の側壁１１２ａ，１１２ｂに形成された溝部１４に向けてフッ酸溶液を吐出する。 - 特許庁

The first plasma creates a pre-coat residual film on surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is substantially maintained.例文帳に追加

そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 - 特許庁

One embodiment is a hot filament reactor (figure 1) having a metal-made heating solid surface in the chamber of the reactor processing a meso-porous film wafer.例文帳に追加

実施形態のひとつは、メソ多孔質膜ウエハを処理する反応器のチャンバ内に、金属製の加熱固体表面を有するホットフィラメント反応器（図１）である。 - 特許庁

Silane gas is passed from a second buffer space 42a2 to each second gas supply pipe part 28b and supplied from the nozzle B to the processing chamber U.例文帳に追加

シランガスは、第２のバッファ空間４２ａ２から各第２のガス供給管パーツ２８ｂへ通され、噴射孔Ｂから処理室Ｕに供給される。 - 特許庁

Subsequently, Co_2(CO)_8 which is a deposition material is introduced into the processing chamber 1 and a cobalt film 83 is deposited on the polyimide film 81 by a CVD method.例文帳に追加

その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 - 特許庁

This high speed cutting test apparatus accelerates a flying vessel 10 incorporating a cutting blade of a small cutting tool 11 with a compression gas in a pipe line and realizes a cutting process within a processing chamber 1.例文帳に追加

小型の切削工具の切れ刃を内蔵した飛翔容器を，管路内で圧縮気体により加速させ，加工チャンバ内で切削過程を実現させる。 - 特許庁

To provide a substrate-treatment apparatus which needs a supply of gas and is equipped with a processing chamber that is lessened in volume, so as to reduce the necessary amount of gas.例文帳に追加

ガスの供給が必要な基板処理装置において，処理室の容積を小さくし，必要なガスの量を低減させる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Thirdly, an air chamber 14 is made to communicate with an air conducting passage 16 at the inside of the side wall 15 of the cylinder 8 through a conducting space 51 made up by a core processing.例文帳に追加

第３に、エアー室１４とシリンダ８の側壁１５壁内のエアー導通路１６とが、鋳抜き加工された導通空間５１にて、連通されている。 - 特許庁

To provide an evaporated fuel processing device equipped with a heating means which can extensively and efficiently heat the inside of an adsorbent chamber of a case.例文帳に追加

ケースの吸着材室内を広範囲に亘って効率的に加熱することのできる加熱手段を備えた蒸発燃料処理装置を提供する。 - 特許庁

The cylindrical body 301 shields a first space A2 of the processing chamber 12, which is above the upper rotary plate 41, from a remaining second space A3.例文帳に追加

この円筒体３０１により処理室１２は上部回転板４１の上方の第一空間Ａ２が残りの第二空間Ａ３から遮蔽される。 - 特許庁

To prevent a chamber lid from opening during a sealing process which might result in defective sealing in an intermittently rotating type vacuum packaging machine which receives a bag in a vacuum chamber during one rotation and performs vacuum processing, and subsequently pressure-bonding and heat-sealing a bag mouth by a heat sealer placed oppositely to each chamber body and a chamber lid.例文帳に追加

一回転する間に真空チャンバー４内に袋を受け入れ、真空処理を行い、続いて各チャンバー本体１３とチャンバー蓋１５に対向して設置された熱シール装置で袋口を圧着し熱シールする間欠回転型真空包装機において、真空チャンバー４内の減圧レベルに関わりなく、シール工程中にチャンバー蓋１５が開いてシール不良が発生するのを防止する。 - 特許庁

A work as an object of processing is exposed to a processing fluid containing an etching reactant so as to undergo an etching treatment (a third step S3, a fourth step S4), and thereafter a processing chamber is reduced in internal pressure so as to make the processing fluid near the work lower in density than that at the fourth step S4 (a first step S1).例文帳に追加

エッチング反応種を含有する処理流体に被処理物を晒すことにより、当該被処理物のエッチング処理を行い（第３ステップＳ３、第４ステップＳ４）、その後、処理室内を減圧することにより、被処理物の近傍における処理流体の密度を第４ステップＳ４よりも低下させる（第１ステップＳ１）。 - 特許庁

The processing station 72 is connected to the processing stations 71 and 74 through two sides 12c and 12e extending in orthogonal directions in the octagonal chamber 12, while connected to the processing station 73 through the side 12a counter to the side 12e.例文帳に追加

処理ステーション７２は、正八角形のチャンバー１２において直交する方向に延びた２つの辺部１２ｃ、１２ｅを介して処理ステーション７１、７４と接続され、辺部１２ｅと対向する辺部１２ａを介して処理ステーション７３と接続されている。 - 特許庁

Since very small space is set to be dry processing atmosphere compared to conventional technology where a whole inner part of a chamber 11 is set to be dry processing atmosphere, space can speedily be set to the dry processing atmosphere, and utility of isopropyl alcohol can be improved.例文帳に追加

よって、チャンバ１１の内部全体を乾燥処理雰囲気とする従来技術に比較して極めて小さな空間を乾燥処理雰囲気とするだけでよいので、空間を迅速に乾燥処理雰囲気とすることができ、イソプロピルアルコールの使用効率を高くできる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 for carrying out the exposure processing by impressing a pattern to a substrate W coated with a photosensitive agent is configured to include: an exposure section 20 for applying liquid immersion exposure processing to the inside of an exposure chamber 11; a cleaning section 40; and carrying mechanism 60.例文帳に追加

感光剤が塗布された基板Ｗにパターンを焼き付けて露光処理を行う基板処理装置１は、露光チャンバー１１の内部に液浸露光処理を行う露光部２０と、洗浄部４０と、搬送機構６０とを備えて構成されている。 - 特許庁

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁