「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a lowering of throughput caused by a continuation of processing because an operator does not recognize that a conveyance chamber is in contraction operation when an abnormality occurs in the conveyance chamber of an inspection device of manuracturing a semiconductor device so as to perform measures for repair or the like with respect to the abnormality of the conveyance chamber in an early stage.例文帳に追加

半導体装置の製造検査装置の搬送室に異常が生じたとき、オペレータが縮退運転状態であることを知らずに処理が継続されることによるスループットの低下を防止し、搬送室の異常に対する修理等を早期に行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a differential exhaust system easy to maintain with a low cost a big pressure difference between a light-generating chamber and an illumination optical chamber for performing an optical processing, such as, exposure using an EUV light generated in the light generating chamber and capable of securing sufficient optical path.例文帳に追加

光発生チャンバーと、光発生チャンバーで生成されたＥＵＶ光を用いて露光などの光学的処理を行う照明光学チャンバーとの間の大きな差圧を低コストで容易に維持でき、且つ十分な光路確保ができる差動排気システムを提供すること。 - 特許庁

The processing apparatus 10 comprises a high pressure discharge chamber 1 in which a low-temperature plasma can be produced, a means 8a for supplying the carbon monoxide-containing gas to be treated into the high voltage discharge chamber, a transport pipe 4 for supplying hydrogen peroxide, and an exhaust means 8b of the treated gas treated in the high voltage discharge chamber.例文帳に追加

処理装置１０は、低温プラズマ発生可能な高圧放電室１、高圧放電室に一酸化炭素含有被処理気体を供給する手段８ａ、過酸化水素を供給する移送管４、高圧放電室で処理された処理済気体の排気手段８ｂを含む。 - 特許庁

Pressure of a processing chamber (or called a printing chamber) for forming an EL layer by using a printing method in a pixel part of a light-emitting device is put in a pressurizing state of atmospheric pressure (normal pressure) or more, and the inside of the printing chamber is filled with inert gas or put in a solvent atmosphere.例文帳に追加

本発明では、発光装置の画素部に印刷法を用いてＥＬ層を形成するための処理室（または、印刷室と呼ぶ）の圧力を大気圧（常圧）又は大気圧以上の加圧状態にし、さらに印刷室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気とすることを特徴とする。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 101 comprises a process chamber 201 for housing a wafer 200 as a substrate, a heater 207 for heating the wafer 200, a gas supply means for supplying a process gas to the process chamber 201, a vacuum bump 246 for exhausting the gas in the process chamber 201, and a controller 280.例文帳に追加

基板としてのウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室２０１内のガスを排気する真空ポンプ２４６と、コントローラ２８０とを備える基板処理装置１０１である。 - 特許庁

The machine 1 for three-dimensionally forming and finishing the coat is equipped with a forming treatment chamber 3 for finishing and forming coat 2 after processing along a mold of a human body and an air-blowing chamber 4, in which a suction port 5 is provided, having a fan 6 for feeding air sucked from the suction port 5 into the forming treatment chamber 3.例文帳に追加

立体上着成形仕上機１は、加工後の上着２を人体の型に沿うように仕上げ成形する成形処理室３と、吸気口５が設けられ、該吸気口５から吸入された空気を成形処理室３に送り込むファン６を有する送風室４とを備える。 - 特許庁

Pressure of a processing chamber for forming an EL layer by using the printing method (or called a printing chamber) in a pixel part of a light-emitting device is put in a pressurizing state of atmospheric pressure (normal pressure) or the atmospheric pressure or more, and the inside of the printing chamber is filled with an inert gas or put in a solvent atmosphere.例文帳に追加

発光装置の画素部に印刷法を用いてＥＬ層を形成するための処理室（または、印刷室と呼ぶ）の圧力を大気圧（常圧）又は大気圧以上の加圧状態にし、さらに印刷室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気とすることを特徴とする。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

In a substrate processing apparatus 1, since both a first chamber 11 and a second chamber 12 have a flat surface of regular octagon, a wide space exists at a place sandwitched between sides 11a and 12a and a place sandwitched between sides 11c and 12c between the first chamber 11 and the second chamber 12 when sides 11b and 12b are opposed to each other.例文帳に追加

基板処理装置１では、第１のチャンバー１１および第２のチャンバー１２はいずれも、正八角形の平面を有しているため、辺部１１ｂ、１２ｂを対向させると、第１のチャンバー１１と第２のチャンバー１２との間には、辺部１１ａ、１２ａで挟まれた箇所、および辺部１１ｃ、１２ｃで挟まれた箇所に広いスペースが存在する。 - 特許庁

The plasma processor for plasma-processing a substrate 7 housed in a process chamber 8 of a vacuum chamber 1 comprises an insulator 10 of a specified width on the top face of a lower electrode 5 insulatively mounted in a base 2 of the chamber 1 forming a gap 9 with the chamber 1 along an entrance of the gap 9.例文帳に追加

基板７を真空チャンバ１の処理室８内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空チャンバ１の基部２に絶縁状態で装着され真空チャンバ１との間に空隙部９を形成する下部電極５の上面に、空隙部９の入口部に沿って所定幅で絶縁体１０を装着する。 - 特許庁

In conducting the laminate processing of the workpiece W by the laminate equipment LA equipped with an upper chamber 1 having a diaphragm 3 and a lower chamber 6 having a hot plate 8, after the workpiece is subjected to the heating processing in the above chambers, a gas is forcibly injected between the diaphragm 3 and the workpiece W.例文帳に追加

ダイヤフラム３を備えた上チャンバ１と熱板８を備えた下チャンバ６とを具備するラミネート装置LAによりワークＷをラミネート加工するとき、前記チャンバ内で当該ワークWに対する加熱加工の後、前記ダイヤフラム３とワークＷの間に気体を強制注入すること。 - 特許庁

To facilitate the separation and connection of an electrode and a power supply by the cutting junction work of upper and lower chambers in a substrate-processing apparatus where the upper and lower chambers for demarcating a reaction chamber can be alienated, and the electrode for carrying out substrate processing is provided in the upper chamber.例文帳に追加

反応室を画成する上チャンバと下チャンバとが離反可能に設けられ、前記上チャンバに基板処理を行う為の電極が設けられた基板処理装置に於いて、上チャンバと下チャンバの離反接合作業で、電極と電源との切離し、接続を容易にする。 - 特許庁

The mixed gas of these gases introduced into the processing chamber 11 is gradually separated, while flowing within the processing chamber 11 to form a helium area 25 in the highest side, a vapor area 26 under the highest side, an oxygen area 27 under the vapor area, and an argon area 28 in the lowest side.例文帳に追加

処理室１１内に導入されたこれらのガスの混合気体は処理室１１内を流れる間に次第に分離して、最上方の軽いヘリウムの領域２５と、その下の水蒸気の領域２６と、その下の酸素の領域２７と、最下方のアルゴンの領域２８とに分離する。 - 特許庁

A control section 67 supplies a pure water as a treatment liquid to a processing tank 1, and processes a substrate W at a processing position with the pure water, and then it reduces pressure within a chamber 27 by an evacuation pump 52 and supplies solvent vapor into the chamber 27 through a solvent nozzle 33.例文帳に追加

制御部６７は、処理槽１に純水を処理液として供給して、処理位置にある基板Ｗを純水で処理した後、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を減圧するとともに溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に溶剤蒸気を供給する。 - 特許庁

The plasma processing system 100a performing specified processing of a substrate 11 comprises a chamber 1 in which a plasma generation region 13 is formed and the substrate 11 is introduced, and an electron generating member 201 disposed in the chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００ａは、基板１１に所定の処理を施すためのプラズマ処理装置であって、プラズマ生成領域１３を発生させ、基板１１を導入するチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、電子を発生させることが可能な電子発生部材２０１とを備える。 - 特許庁

The device for forming the carbon nanotube comprises at least a processing chamber, a base material holding means to arrange a base material at a specified position in the processing chamber, a carbon nanotube forming material supplying means to supply a carbon nanotube forming material and a plasma source for plasma irradiation on the base material.例文帳に追加

処理チャンバと、該処理チャンバ内の所定位置に基材を配置するための基材保持手段と、カーボンナノチューブ形成材料を供給するためのカーボンナノチューブ形成材料供給手段と、前記基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むカーボンナノチューブ形成装置。 - 特許庁

In the method of forming the silicon oxide film on a surface of a substrate mounted in a pressure-reducible processing chamber, a silane gas and oxygen atoms are repeatedly and alternately supplied into the processing chamber to form the silicon oxide film on the surface of the substrate.例文帳に追加

減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。 - 特許庁

A temperature of the semiconductor substrate arranged in the processing chamber 10 is acquired based on the relationship of emissivity which is previously acquired in accordance with the measured temperature of the sidewall 1 and an actual temperature of the semiconductor substrate disposed in the processing chamber 10.例文帳に追加

次いで、測定された側壁１の温度に対応してあらかじめ取得されている上記放射率と処理室１０内に設置された半導体基板の実温度との対応関係に基づいて、処理室１０内に設置された半導体基板の温度が取得される。 - 特許庁

This etching method for etching an org. film layer, formed on a wafer in a hermetic processing chamber with a process gas fed into the process chamber, uses a processing gas contg.例文帳に追加

気密な処理室内に処理ガスを導入し，処理室内に配置されたウェハＷに形成された有機膜層に対するエッチング方法において，処理ガスはＮ_２とＨ_２とを含み，真空処理室内の圧力は実質的に５００ｍＴｏｒｒ〜８００ｍＴｏｒｒであることを特徴とする。 - 特許庁

A linear transport chamber includes linear tracks and robot arms riding on the linear tracks to linearly transfer substrates along the sides of processing chambers for feeding substrates into a controlled atmosphere through a load lock and then along a transport chamber as a way of reaching processing chambers.例文帳に追加

線形搬送チャンバは、線形トラックと、線形トラックに乗せられて、処理チャンバの側面に沿って基板を線形に搬送するロボットアームとを含み、処理チャンバに到達させる方法として、基板を、制御された雰囲気中にロードロックを介してフィードし、次いで搬送チャンバに沿ってフィードする。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

A coating device includes at least a processing chamber, a base material holding means to arrange a base material for an electronic device at a predetermined position in the processing chamber, a coating material supplying means to supply the coating material, and a plasma source to irradiate plasma to the base material for an electronic device.例文帳に追加

処理チャンバと、 該処理チャンバ内の所定位置に電子デバイス用基材を配置するための基材保持手段と、前記コーティング材料を供給するためのコーティング材料供給手段と、前記電子デバイス用基材をプラズマ照射するためのプラズマ源とを少なくとも含むコーティング装置。 - 特許庁

A non-contact detour seal is formed of: an inside cap 1, with a front end attached to a periphery of a jig 25 faced toward a processing chamber 29, and an outside cap 2, with a front end attached to an inner peripheral part of an opening part of a processing chamber cover 28 facing the inside cap 1.例文帳に追加

治具２５の周囲に取り付けられ先端が加工室２９内に向くようにされた内側キャップ１と、加工室カバー２８の開口部の内周部に取り付けられ先端が内側キャップ１内に臨むようにされた外側キャップ２とで、非接触の迂回シールを形成したものである。 - 特許庁

In the operating state, when the thin plate 15a being the surface layer exposed in the processing chamber is contaminated by contaminants, the adhesion preventive member is removed, the surface layer thin plate 15a to which the contaminants are adhered is exfoliated, and the succeeding layer is exposed and re-mounted in the processing chamber.例文帳に追加

使用状態においては、処理室内で露呈状態となっている表層の薄板１５ａが汚染物によって汚染されたならば防着部材を取り外し、汚染物が付着した表層の薄板１５ａを剥離して次層を露呈させた後に処理室内に再装着する。 - 特許庁

To maintain the state where there is little dusting of foreign substances from the inside of an etching processing chamber, and the reproducibility of etching performance is secured, by efficiently removing sediment accumulated by etching in the inside of the etching processing chamber, in the cleaning method of the etching device for etching a metal film.例文帳に追加

金属膜をエッチングするエッチング装置のクリーニング方法において、エッチング処理室内部に堆積するエッチングによって生じた堆積物を効率良く除去して」、エッチング性能の再現性が有り、エッチング処理室内部から異物の発塵が少ない状態を維持する。 - 特許庁

The interior processor comprises a vacuum processing chamber 3 housing a container 2, an exhausting means 4, a microwave generating means 6, a connecting means 15 for connecting a mouth 11 to the exhausting means 4 independent of the vacuum processing chamber 3, and a feed gas introducing means 16 for introducing a feed gas into the container 2.例文帳に追加

容器２を収容する真空処理室３と、排気手段４と、マイクロ波発生手段６と、口部１１を真空処理室３３と独立に排気手段４に接続する接続手段１５と、原料ガスを容器２の内部に導入する原料ガス導入手段１６とを備える。 - 特許庁

Since the foreign matters adhered or sucked to the exhaust port and the exhaust pipes are prevented from flowing back to the processing chamber by supplying the nitrogen gas while evacuating and exhausting the processing chamber in the standby step, harmful effects such as re-adhesion of the foreign matters which flow back to the wafer can be prevented.例文帳に追加

待機ステップにおいて処理室を減圧排気しつつ窒素ガスを供給することで、排気口や排気管に付着ないし吸着した異物が処理室に逆流するのを防止できるため、逆流した異物のウエハへの再付着等の弊害を未然に防止できる。 - 特許庁

In another embodiment, a method monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing chamber includes monitoring a metric indicative of current passing through the ground member during processing, and setting a flag in response to the metric exceeding a predefined threshold.例文帳に追加

別の実施形態において、プラズマ処理チャンバ内で基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法は、処理中に接地部材を流れる電流を示す計量値をモニタし、所定の閾値を越えた計量値に応答してフラグを設定することを含む。 - 特許庁

In a process chamber in which a processing plasma is generated adjacent to a substrate 215 held on a substrate holder 216, free-standing, electrically insulative liners 220 to 223 are disposed adjacent to metallic walls 212 of the process chamber facing the processing plasma.例文帳に追加

内部で、基板ホルダ２１６上に保持された基板２１５に隣接して、処理プラズマが発生する処理チャンバであって、自立型の電気絶縁性のライナー２２０〜２２３が、処理プラズマに面する処理チャンバの金属壁２１２に隣接して配置されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

A wafer processing apparatus 42 comprises peripheral chambers 111, 112 for performing peripheral exposure processing, an inspection chamber 113 for inspecting defects of a wafer W, and a transportation chamber 114 provided with a transportation arm 130 for transporting the wafer W in a vertical direction.例文帳に追加

ウェハ処理装置４２は、周辺露光処理を行う周辺露光室１１１、１１２と、周辺露光処理後のウェハＷの欠陥を検査する検査室１１３と、ウェハＷを鉛直方向に搬送する搬送アーム１３０を備えた搬送室１１４とを有している。 - 特許庁

The impurity reducing method includes a step of supplying two kinds of gas selected out of hydrogen, oxygen, chlorine, and fluorine into a processing chamber 201, and a step of exposing a quartz member 278 in the processing chamber 201 to gas activated with plasma in a low-temperature atmosphere.例文帳に追加

本発明の不純物低減方法は、水素、酸素、塩素及びフッ素から選択される少なくとも２種類の気体を処理室２０１内に供給する工程と、プラズマにより活性化した気体を低温雰囲気にて処理室２０１内の石英部材２７８に曝す工程とを有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: loading a substrate on which a high dielectric film is formed into a processing chamber; heating and modifying the high dielectric film by irradiating the substrate with microwave; and taking out the substrate from the processing chamber.例文帳に追加

高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、基板にマイクロ波を照射することにより、高誘電体膜を加熱して改質する工程と、基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

At this point, the number of the semiconductor substrates 1 introduced into the processing chamber 3 and processed is three or less, the processing chamber can be lessened in size, so that a time required for raising the semiconductor substrate 1 in temperature by a heating lamp can be much shortened, and a semiconductor device can be enhanced in productivity.例文帳に追加

この際、処理室３に設置して処理する半導体基板１は３枚以下と少なく、処理室３を小さくすることができるため、ランプ加熱などを用いて基板１の昇降温に要する時間を非常に短くすることができ、生産性が改善される。 - 特許庁

The lower surface of an insulating window 30 is formed such that a distance between the lower surface and a horizontal surface formed by a chuck in a processing chamber becomes larger in a region where the density of a plasma formed within the processing chamber is high than in a region where the density of the plasma is low.例文帳に追加

絶縁窓３０の下部面の形状が、下部面と工程チャンバーの内部のチャックが形成する水平面の間の離隔距離が工程チャンバーの内部に形成されるプラズマの密度が低い領域よりもプラズマの密度が高い領域でさらに遠くなるように形成されている。 - 特許庁

The load lock apparatus is provided with at least a pair of storing chambers, and when one storing chamber (105) of the pair stores wafers before joining processing to be supplied to a predetermined wafer joining apparatus, the other storing chamber (103) stores the wafers after joining processing received from the predetermined wafer joining apparatus.例文帳に追加

ロードロック装置は、少なくとも一対の格納室を備え、一対の格納室の一方（１０５）が、所定のウェハ接合装置へ供給する接合処理前のウェハを格納する場合に、他方（１０３）が、所定のウェハ接合装置から受け取った接合処理済のウェハを格納する。 - 特許庁

Under a state where a chamber cover 3 is mounted on a gas supply mechanism 2 mounted on a mounting base 1 provided with a surface 1a for mounting a wafer W, processing gas is supplied to a processing space 10 formed between the mounting surface 1a and the facing surface 3a of the chamber cover 3.例文帳に追加

ウエハＷを載置させる載置面１ａを備えた載置台１に設けられたガス供給機構２にチャンバ蓋部３を載置させた状態で、載置面１ａとチャンバ蓋部３の対向面３ａとの間に形成される処理空間１０に処理ガスを供給する。 - 特許庁

A plasma processing device for subjecting the electrostatic chucking device with a photoconductive film having photoconductivity formed on the surface of its insulating material to a plasma processing has the steps of introducing a processing gas for a plasma processing chamber, generating plasma in the plasma processing chamber, and the light of the plasma to be irradiated on the photoconductive film.例文帳に追加

静電吸着装置の絶縁性材料の表面に、光導電性を有する光導電膜を設けた静電吸着保持装置に対してプラズマ処理をするプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内に処理用ガスを導入する工程と、該プラズマ処理室内のガス圧力を1Torr以上にする工程と、該プラズマ処理室内にプラズマを発生する工程と、該プラズマの発光を該光導電膜に照射する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A limiting plate 91 is disposed between an inner wall of a processing chamber 31 and a microwave guide window 34, and the plate 91 is formed therein with an opening 81 through which the window 34 is exposed to the chamber 31.例文帳に追加

処理室３１の内壁とマイクロ波導入窓４の間には限定プレート９１が介在し、かつ限定プレート９１にはマイクロ波導入窓４を処理室３１に露出させる開口８１が形成されている。 - 特許庁

To provide a blast treatment device of a vacuum chamber which can perform easily a prescribed concavo-convex processing by restricting to the inner end surface of a radiation light channel which is an irradiation surface of the radiation light in a hook shape vacuum chamber.例文帳に追加

鍵形の真空チャンバにおける放射光の照射面である放射光チャンネルの内端面に限定して所定の凹凸加工を容易に行い得る真空チャンバのブラスト処理装置を提供する。 - 特許庁

Temperature in a reaction chamber for processing silicon wafer in the furnace is kept at a prescribed film-forming temperature and a gas for forming film is introduced into the reaction chamber and prescribed films, such as Poly-Si film on the wafer are formed.例文帳に追加

炉内部でシリコンウェハを処理する反応室内の温度を所定の成膜温度に維持し、反応室内に成膜用ガスを導入してウェハの上に所定のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜などの膜を形成する。 - 特許庁

A heater 9 of a resistance heating type is provided around the outer periphery of a processing chamber 3 to heat an atmosphere within the chamber 3 and to increase the temperature of the entire semiconductor substrate 1 to a level nearly corresponding to the temperature (HF: 50°C) of the chemical solution.例文帳に追加

処理チャンバー３の外周に抵抗加熱方式のヒーター９を配置し、処理チャンバー３内の雰囲気を熱し、半導体基板１全体を薬液温度（ＨＦ：５０℃）と同じ５０℃相当にまで上昇させる。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

The plasma treatment device comprises at least a treatment chamber for performing plasma treatment for a treatment body, a gas supply means for supplying gas to the treatment chamber and a high-frequency supply means for processing the gas to plasma.例文帳に追加

被処理体にプラズマ処理を行うための処理室と、該処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、該ガスをプラズマ化するための高周波供給手段とを少なくとも含むプラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide a sputter target assembly (18, 20) particularly useful for a large panel plasma sputter reactor having a target assembly sealed both to the main processing chamber (14) and a vacuum pumped chamber (32) housing a moving magnetron (30).例文帳に追加

主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。 - 特許庁

To provide a flat heat pipe and its manufacturing equipment which is pressure-welded and is bonded in an inside of a vacuum chamber, and is simultaneously subjected to heat pipe processing while operating fluid vapor density of the inside of the vacuum chamber is kept low.例文帳に追加

真空チャンバーの内部の作動液蒸気密度を低い状態にしつつ、真空チャンバーの内部で圧接、接合し、同時にヒートパイプ加工を行うことが可能な平面型ヒートパイプ及びその製造装置を提供する。 - 特許庁