「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a canned motor for submerged pump assuring simple mounting works for its stator by introducing such a double cylindrical continuous structure that the stator chamber and rotor chamber are formed in a single piece through a sheet metal processing where no welding process is resorted to.例文帳に追加

キャンドモータのステータ室とロータ室とを一体の板金加工した二重円筒連続構造体で構成し、溶接作業を省略し、ステータの取付けが簡単な水中ポンプ用キャンドモータを提供すること。 - 特許庁

In a transfer system for performing transfers between an atmosphere side and a processing chamber 2 via an intermediate chamber 7, substrates are transferred by moving a substrate-holding tool 92 for holding two substrates 9 in a substantially vertically erected state.例文帳に追加

大気側と処理チャンバー２との間で中間チャンバー７を経由して搬送する搬送系は、２枚の基板９を垂直に近い角度に立てて保持する基板保持具９２を移動させて基板９を搬送する。 - 特許庁

To provide a structure forming device for processing the surface of a substrate, which is provided with a substrate chamber for placing the substrate therein and a reaction chamber for enabling gas reaction at a given operation pressure.例文帳に追加

基板（ＳＢ）を取付ける基板チャンバ（ＶＣ）および所与の動作圧力でガス反応を可能にする反応チャンバ（ＧＣ）から成る基板（ＳＢ）の表面を加工する構造形成装置（ＳＤ）を提供することを目的とする。 - 特許庁

The UV processing apparatus is provided with a chamber 20 provided with an air suction port 16 and an air exit 17 and low-pressure mercury lamp 14 which is arranged in this chamber 20 and emits UV rays to form ozone.例文帳に追加

紫外線処理装置には、吸気口１６及び排気口１７が設けられたチャンバ２０及びこのチャンバ２０内に配置され紫外線を発光してオゾンを生成する低圧水銀灯１４と、が設けられている。 - 特許庁

When the plasma-processed substrate is transferred from a vacuum plasma processing chamber to an another vacuum chamber, the substrate is moved while inert gas and H_2O gas are introduced so that it becomes constant pressure.例文帳に追加

プラズマ処理された基板を、真空プラズマ処理室から別の真空室へ移載する場合、一定の圧力になるように不活性ガスとＨ_２Ｏガスを導入しながら前記基板を移動させることで解決できる。 - 特許庁

By introducing the metal melt into the suction-out chamber 15, after the passage via the settlement passage 14 time required for settlement of the metal melt processed in the processing chamber 13 is secured to secure separation of impurities from the metal melt.例文帳に追加

この沈静通路１４を経由して金属溶湯を汲み出し室１５に導くことで、処理室１３で処理された金属溶湯の沈静化のための時間を確保し、金属溶湯からの不純物分離を確実ならしめる。 - 特許庁

The device for processing a substrate includes: a processing chamber; a plurality of susceptors for incorporating a substrate to be processed; a moving device for moving the plurality of aligned susceptors by a constant distance inside the processing chamber; a heating device for heating the susceptors that are moved by the moving device; and a gas feeding device for feeding a reactant gas into the inside of the susceptor.例文帳に追加

処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置を有する。 - 特許庁

The substrate processing method of performing surface processing on the glass substrate arranged in the chamber is characterized in that: the glass substrate 10 stored in a recessed substrate holding case 20 having an opening on the top is carried into the chamber; and the surface processing is performed on the glass substrate 10 while being stored in the substrate holding case 20.例文帳に追加

本発明の基板処理方法は、チャンバ内に配置されたガラス基板に表面処理を施す基板処理方法であって、上方が開口された凹状の基板保持ケース２０にガラス基板１０を収容した状態でチャンバ内に搬送し、かつ、該基板保持ケース２０に収容した状態でガラス基板１０に表面処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

This substrate processing apparatus includes a processing chamber 36, a carrier roller 42 to horizontally carry the substrate W in the processing chamber, a spray nozzle 44 to discharge etching liquid 48 to the top of the substrate carried by the carrying roller, and a gas discharge nozzle 52 to discharge cold air or warm air to a required region on the top of the substrate carried by the carrier roller.例文帳に追加

処理チャンバ３６と、処理チャンバ内で基板Ｗを水平方向へ搬送する搬送ローラ４２と、搬送ローラによって搬送される基板の上面へエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４と、搬送ローラによって搬送される基板上面の所要領域に対して冷風または温風を吐出する気体吐出ノズル５２とを備える。 - 特許庁

Pressure values in a chamber at a plurality of time points T1, T2, T3 during the reduced-pressure drying processing when the reduced-pressure drying processing is properly executed, are taken out from RAM as pressure values in properly executing the reduced-pressure drying processing.例文帳に追加

ＲＡＭから、減圧乾燥処理が適切に実行されるときの、減圧乾燥処理中の複数の時点Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３におけるチャンバー内の圧力値を、減圧乾燥処理が適切に実行されるときの圧力値として取得する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 for executing the exposure processing by baking a pattern on a substrate W coated with a photosensitive agent is provided with an exposure section 20 for executing liquid-immersion exposure processing for the inside of an exposure chamber 11, a cleaner 40, and a conveying mechanism 60.例文帳に追加

感光剤が塗布された基板Ｗにパターンを焼き付けて露光処理を行う基板処理装置１は、露光チャンバー１１の内部に液浸露光処理を行う露光部２０と、洗浄部４０と、搬送機構６０とを備えて構成されている。 - 特許庁

To prevent a plasma electrode installed at an opening of a vacuum vessel from being deformed, by being pressed with a pressure difference between the outside and the inside of a vacuum chamber, thereby improving the uniformity of plasma processing, in a plasma processing apparatus for processing a meter-class large area substrate.例文帳に追加

メートル級の大面積基板を処理するプラズマ処理装置において、真空槽内外の圧力差で押されることによって真空容器の開口部に設置されたプラズマ電極が変形することを防ぎ、プラズマ処理の均一性を向上する。 - 特許庁

The thin film forming apparatus includes a transfer chamber in which a transfer arm transferring a processed substrate supported by a first susceptor is installed, multiple processing chambers which connect to the transfer chamber and perform the processing on the processed substrate transferred by the transfer arm, and a susceptor changing chamber which connects to the transfer chamber and mounts or removes a second susceptor, which covers an exposed surface of the first susceptor, on or from the first susceptor.例文帳に追加

薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 - 特許庁

A gas jetting port 23 is formed extending along the side wall 11a of the processing chamber 11, opposite to the opening 26 in the circumferential direction.例文帳に追加

加工室１１の側壁１１ａに沿って開口部２６に対して円周方向反対側の底部にはガス噴出口２３が開口している。 - 特許庁

A shield 81 is provided inside a processing chamber 2D covering a plasma forming space, where the shield 81 is equipped with an open side and a closed side.例文帳に追加

処理チャンバー２Ｄ内のプラズマ形成空間を覆うようにして設けられたシールド８１は、一端が閉じていて他端が開口である。 - 特許庁

An upper inner wall surface 26a of an upper container 26 of the processing chamber 1 opposing the substrate 8 is configured so as to incline to the substrate 8.例文帳に追加

基板８と対向する処理室１の上容器２６の上部内壁面２６ａが基板８に対して傾斜するよう構成されている。 - 特許庁

As the processed material exits the stirring chamber of the friction stir processing tooling device, it reconsolidates as an extremely homogeneous structure having ultra-fine grain structure.例文帳に追加

処理済み材料が摩擦攪拌処理装置の攪拌室から出ると、再固化して、超細粒の構造を有する極度に均質的な構造となる。 - 特許庁

To improve processing cycle time for measurement by suppressing temperature deterioration of an object to be measured due to adiabatic expansion of air generated when decompressing a vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバーを減圧する際に生じる空気の断熱膨張による被測定物の温度低下を抑制し、測定タクトの向上を図る。 - 特許庁

A plurality of processing chambers 30 in each of which a substrate is vacuum processed are arranged around a vacuum conveyance chamber 13 maintained in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

真空雰囲気に維持された真空搬送室１３の周囲に、基板に対して真空処理が行なわれる複数の処理室３０を設ける。 - 特許庁

To provide a ring assembly used in a substrate processing chamber, the ring assembly resisting deformation, warping and erosion even after numerous process cycles.例文帳に追加

種々な処理サイクルの後でも変形や反りに耐え且つ浸食に耐えるような、基板処理チャンバにて使用されるリングアセンブリを提供する。 - 特許庁

A cleaning tool is installed inside a processing chamber provided with the suction face 9a for sucking and supporting a substrate to clean the suction face 9a.例文帳に追加

基板を吸着保持する吸着面９ａを備えた処理室の内部に洗浄用治具を設置して、吸着面９ａを洗浄する。 - 特許庁

A device is provided with a contact member, which is exposed to a plasma forming region in a semiconductor wafer processing chamber 116 and which floats electrically.例文帳に追加

装置は、例えば半導体ウェーハ処理チャンバ１１６内のプラズマ形成領域に曝され、電気的に浮いているコンタクト部材を備えている。 - 特許庁

A reference table 20 wherein an actual step difference measured groove 21 is provided is prepared on a placement table 12 within a processing chamber 11 as a dry-etching device.例文帳に追加

ドライエッチング装置としての処理室１１内の載置台１２に、実段差測定済みの溝２１が設けられた基準盤２０が準備される。 - 特許庁

Clean air which flows horizontally along the side wall 2 is supplied into the processing chamber 3 from an air supply port 43 of the air supply unit 41.例文帳に追加

給気ユニット４１の給気口４３からは、側壁２に沿って水平方向に流れるクリーンエアが、処理チャンバ３内に供給される。 - 特許庁

To provide a vacuum reaction chamber and its processing method to solve a problem of an electric field intensity ununiformity (edge effect) in an edge part of up and down electrodes.例文帳に追加

上下電極のエッジ部分における電界強度不均一（エッジ効果）を解決する真空反応室及びその処理方法の提供。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that eliminates the need of taking a large-scale measure to prevent corrosion of a normal-pressure transportation chamber and avoids involvement of reduction in throughput.例文帳に追加

常圧搬送室に大掛かりな腐食対策をする必要がなく、またスループットも低減することのない基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the fluctuation in atmospheric temperature inside a chamber over the entire processing step period, from starting of reduced-pressure drying process to the completion of purging.例文帳に追加

減圧乾燥処理の開始からパージング終了までの全処理工程時間を通してチャンバ内の雰囲気温度の変動を小さくすること。 - 特許庁

Next, the cover 62 is slide moved holizontally along guide rails 201, 202 arranged at different heights on both sides of a processing chamber 60.例文帳に追加

次に、蓋体６２を、処理チャンバ６０の両側部に段違いに配備されたガイドレール２０１，２０２に沿って、水平方向にスライド移動させる。 - 特許庁

In a processing chamber, patterning of a processed film is performed, by etching the uncovered region of the processed film with an etching mask.例文帳に追加

処理室内において、被処理膜のうち、エッチングマスクによって覆われていない領域をエッチングすることにより、被処理膜のパターニングを行なう。 - 特許庁

To provide a thermal storage type gas treatment furnace which suppresses an excessive rise of the temperature of a combustion chamber without lowering a processing amount and hardly causes troubles.例文帳に追加

処理量を低下させず、燃焼室の温度の過度の上昇を抑制でき、故障の少ない蓄熱式ガス処理炉を提供する。 - 特許庁

The semiconductor wafer is cleaned by dipping the carbon dioxide fluid in the supercritical state or liquid state into the processing chamber.例文帳に追加

上記半導体ウェハーは、超臨界状態または液体状態の二酸化炭素の流体を処理チャンバーに浸漬させることにより洗浄される。 - 特許庁

The preliminary reaction plasma processing chamber is constituted so as to generate reaction radicals, by subjecting to chemical reaction based on the plasma of a reaction substance.例文帳に追加

予備反応プラズマ処理チャンバは、反応物質のプラズマに基づく化学反応を行って反応基を生成するように構成されている。 - 特許庁

To certainly suppress the fluctuation of the rate of conveying a liquid caused by the driving pattern of a pressure chamber without applying a special processing to a piezoelectric actuator.例文帳に追加

圧電アクチュエータに特別な加工を施すことなく、圧力室の駆動パターンによる液体の移送速度の変動を確実に抑えること。 - 特許庁

The ring assembly 20 is provided for a substrate support used in the substrate processing chamber, the substrate support comprising an annular ledge and an inner perimeter sidewall.例文帳に追加

基板処理チャンバにおいて使用され、環状棚及び内側周辺側壁を備える基板支持体のためのリングアセンブリ２０が提供される。 - 特許庁

To lower the processing temperature in a heat treatment while uniform treatment is secured by preheating a process gas in a heating section provided outside a treatment chamber.例文帳に追加

処理室の外部に設けられた加熱部で処理ガスを予備加熱し、処理の均一性を確保しながら、プロセス温度の低温化を図ること。 - 特許庁

To provide a paper sheet processing device capable of properly delivering paper sheets by adequately coping with friction caused between the paper sheets and a storage chamber.例文帳に追加

紙葉類と収納室との間に生じる摩擦に善処して適切な紙葉類の繰り出しを行える紙葉類処理装置を提供する。 - 特許庁

The processing system 1 comprises a means 63 for supplying a removal liquid, a means 64 for supplying pure water, and an enclosed chamber 86 for containing a wafer W.例文帳に追加

基板処理装置１は、除去液供給手段63と純水供給手段64とを有し、基板Wを収容する密閉チャンバ８６を有する。 - 特許庁

A carrier base 124 disposed within the preliminary processing chamber 120 is raised or lowered by vertical movement of an elevator shaft 128 together with an elevator plate 126.例文帳に追加

予備処理室１２０内に配置される載置台１２４は，昇降軸１２８の上下動により昇降プレート１２６とともに昇降する。 - 特許庁

The bellows 279 allow a straight axis movement of the support body 376, while sealing an insertion part 378 into the processing chamber 201 of the support body 376.例文帳に追加

ベローズ２７９は、支持体３７６の直線軸運動を許容しつつ、支持体３７６の処理室２０１への挿入部３７８をシールする。 - 特許庁

Each of the processing chambers 13a to 13e can deliver and receive the substrate 12 to and from the conveyance chamber 14 through first gate valves 15.例文帳に追加

処理室１３ａ〜１３ｅのそれぞれは、第１ゲートバルブ１５を介して、搬送室１４と被処理基板１２の授受が可能になっている。 - 特許庁

A plasma film forming apparatus 1 has a processing chamber 2, a pedestal 7, a means for introducing a process gas, coils 12, 17, and a magnetic shield 35.例文帳に追加

プラズマ成膜装置１は、処理チャンバ２と、ペデスタル７と、プロセスガスを導入するための手段と、コイル１２、１７と、磁気シールド３５とを備える。 - 特許庁

Chlorinated members 14A, 14B to be welded are stacked on a welding table 36 provided in the chamber 34 of a welding processing part 30.例文帳に追加

塩素化した被接合部材１４Ａ、１４Ｂとは、接合処理部３０のチャンバ３４内に設けた接合テーブル３６の上に重ねて配置される。 - 特許庁

The sample storage device 1 includes a main case 2 fixed and attached to a processing chamber 21 of a sample preparing device 20 and a detachable case 10.例文帳に追加

試料保存装置１は、試料作製装置２０の加工室２１に固定して取り付けられたメインケース２と、脱着型ケース１０とからなる。 - 特許庁

The valve element 26a has a hermetic sealing member 26d which is abutted on and pressed against an outer side of the processing chamber 1 to provide the hermetic seal.例文帳に追加

弁体２６ａには、処理チャンバー１の外側に当接、押圧されて気密封止を行うための気密封止部材２６ｄが設けられている。 - 特許庁