「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of depositing a film, plasma is generated in a processing chamber 2 by applying a high frequency power for source to coils 12t and 12s.例文帳に追加

成膜処理を行うときは、コイル１２ｔ，１２ｓにソース用高周波電力を印加して、処理チャンバ２内にプラズマを発生させる。 - 特許庁

To control a circuit board, which is arranged in a processing chamber and heated by constant heat radiation by a radiation heat source, to a specific temperature.例文帳に追加

処理チャンバの内部に配置して輻射熱源の一定の熱輻射により加熱する回路基板を所定温度に制御する。 - 特許庁

The organic material keeping the film forming constituent is deposited on the surface of the substrate W in the processing chamber 11 to form the organic thin film.例文帳に追加

そして、処理室１１内の基板Ｗ表面に、成膜成分を保った有機材料を堆積させ、有機薄膜を形成する。 - 特許庁

The apparatus comprises a feed block disposed on top of the processing chamber and a support block disposed over the feed block.例文帳に追加

該装置は、処理チャンバの上部に配置された給送ブロックと、この給送ブロックの上方に配置された支持ブロックとを備えている。 - 特許庁

The separated etching gas is circulated to the processing chamber 11, via a circulating/accumulating mean 60 and a flow path control part 71 for reuse.例文帳に追加

分離されたエッチングガスは、循環・蓄積手段６０、流路制御部７１を経て処理室１１に循環させて再利用する。 - 特許庁

A surface processing device 20 is provided with a tightly closed chamber 21, in which a silicon wafer 22 is placed on its floor surface.例文帳に追加

前記表面処理装置２０は、密閉空間である室２１を有しており、当該室２１の床面側にシリコンウエハ２２を配置している。 - 特許庁

To provide substrate processing equipment capable of preventing decrease in temperature around a terminal part of a heating body in the inside of a chamber to improve temperature uniformity across the entire circumference of the heating body.例文帳に追加

炉内端子部付近の発熱体の温度低下を防ぎ、発熱体全周に亘って温度の均一性を向上させる。 - 特許庁

A GaN film is formed by performing a carrying-in step of carrying a substrate into a processing chamber, an initial film formation step of supplying an organic metallic compound gas containing a gallium atom and an ammonia gas into the processing chamber to form an initial film, and an epitaxial film formation step of simultaneously supplying a gallium chloride gas and the ammonia gas into the processing chamber to form an epitaxial film after the initial film formation step.例文帳に追加

基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 - 特許庁

The conveyance box 1 used to convey the workpiece W from a first processing system 220 to a second processing system 230 in two or more processing systems 200 that process the workpiece W includes an accommodation chamber 4 that accommodates the workpiece W internally, a volume adjusting mechanism that changes the volume of the accommodation chamber 4, and a sealing means 11 that seals the accommodation chamber 4 openably and airtightly.例文帳に追加

ワークＷに対して処理を行う複数の処理システム２００における第１処理システム２２０から第２処理システム２３０へワークＷを搬送するために使用される搬送ボックス１であって、ワークＷを内部に収容する収容室４と、収容室４の容積を変化させる容積調整機構と、収容室４を開閉可能且つ気密に封止する封止手段１１と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Anticorrosive processing is applied to a part contacting with the transfer liquid, and a pressure reducing chamber 44 is arranged between the impeller 14 and the mechanical seal 50.例文帳に追加

移送液が接する部分には耐食性処理を施し、羽根車１４とメカニカルシール５０との間には減圧室４４を設ける。 - 特許庁

There are provided, outside the heat exchanging and processing chamber 2, sliding mechanisms 16, 17 capable of drawing out at least one of the plurality of conveyors 8a, 8b, 8c and 8d.例文帳に追加

熱交換処理室２の外に、複数のコンベヤ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの少なくとも１個を引出し可能にするスライド機構１６，１７を設ける。 - 特許庁

A plurality of wafers 200 as a substrate are mounted and stored on a boat 217 in a processing chamber 201 formed inside a reaction tube 11.例文帳に追加

反応管１１内に形成される処理室２０１に、複数の基板としてのウェハ２００がボート２１７上に積載収容される。 - 特許庁

A second electrode (18) is also provided in the inside of the chamber, and is so configured as to support at least one semiconductor work piece for processing it.例文帳に追加

第２電極（１８）も室の内部に設けられ、処理のため少なくとも一つの半導体ワークピースを支持するように構成される。 - 特許庁

To provide a showerhead, a substrate treatment apparatus, and a substrate manufacturing method in which high density plasma can be stably generated in a processing chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズマを発生させることができるシャワーヘッド、基板処理装置、基板製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, accidental mixing of the first, second and third chemical liquids in the processing chamber 2 can be prevented absolutely.例文帳に追加

そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device with heightened uniformity of plasma density in a chamber without generating abnormal discharge or undesirable stationary wave.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、異常放電や不所望な定在波を発生させることなく、チャンバ内のプラズマ密度の均一性を高める。 - 特許庁

The processing apparatus with an electric heating device is installed in a chamber capable of controlling atmosphere and the sheet metal is processed immediately after heating.例文帳に追加

雰囲気制御できる室内に、通電加熱装置を備えた加工装置を設置し、シート状金属を加熱した直後に加工を行う。 - 特許庁

A processing gas supply source 62 is connected to the inside of the first upper electrode 84 or a gas chamber through a gas supply tube 60.例文帳に追加

また、第１上部電極８４の内部またはガス室にはガス供給管６０を介して処理ガス供給源６２が接続される。 - 特許庁

Consequently, ignition does not occur even when the components are released to the atmosphere from the vacuum chamber 101 to perform removal processing of the metal film.例文帳に追加

これにより、真空チャンバー１０１から構成部品を大気中に出して金属膜の除去処理を行っても発火しなくなる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus for holding differential pressure between the pressure of a clean room and the internal pressure of a substrate transfer chamber constant.例文帳に追加

クリーンルームの圧力と基板移送チャンバの内部圧力の間の差圧を一定に保持するための基板加工装置を提供する。 - 特許庁

By filtering the particles, the filter removes the source of contamination, thereby allowing high quality processing to be performed on wafers in the process chamber.例文帳に追加

フィルタが粒子を濾過することにより汚染源が取り除かれるので、処理室内においてウエハに高品質の処理を行い得る。 - 特許庁

To provide the double folding device of a dual-chamber container, which improves processing ability in an entire device without increasing the scale of the device.例文帳に追加

装置を大型化させることなく装置全体の処理能力を高めることができる複室容器の二つ折り装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device capable of suppressing intrusion and scattering of fine powders in pipings into a processing chamber.例文帳に追加

配管内の微粉体が処理室の内部に進入し、飛散することを抑制することが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV (extreme ultraviolet) light source apparatus that can reduce changes in specifications of an EUV chamber corresponding to specifications of different processing units.例文帳に追加

異なる処理装置の仕様に対してＥＵＶチャンバの仕様変更を少なくすることができるＥＵＶ光源装置を提供する。 - 特許庁

To effectively eliminate deposits even at a narrow place without damaging an exposure surface in a processing chamber by plasma.例文帳に追加

処理チャンバー内の露出面をプラズマで損傷することなく狭い場所でも効果的に堆積物を除去することができるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of surely and easily controlling the distribution of plasma formed in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空チャンバ内に形成されるプラズマの分布を確実且つ容易に制御できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A bell jar 8 is provided above the processing chamber 2, and a helicon coil 9 and a magnetic field coil 11 are provided in its outer periphery.例文帳に追加

処理室２の上方にはベルジャー８が設けられ、その外周部分には、ヘリコンコイル９と磁場コイル１１がそれぞれ配設されている。 - 特許庁

Then, hydrogen fluoride gas cooled by the reaction cooling means 25 is supplied to the inside of the processing chamber 11 as cleaning gas.例文帳に追加

そして、反応冷却手段２５によって冷却されたフッ化水素ガスを、クリーニングガスとして処理チャンバー１１の内部に供給する。 - 特許庁

To provide a gas flow-out preventing device capable of preventing the flow-out of a gas from a gas processing chamber without disturbing the work.例文帳に追加

作業の邪魔になることなく、ガス取扱室からのガスの流出を防止することができるガス流出防止装置を提供する。 - 特許庁

To prevent depositions from sticking on a gate valve communicating with a processing chamber of a plasma etching apparatus, etc., and prevent valve leakage and the generation of particles.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理チャンバにつながるゲートバルブでのデポ付着を防止し、バルブリーク及びパーティクル発生の防止を図る。 - 特許庁

A showerhead 10A for introducing material gas into the chamber 1 is provided in a surface wave exiting plasma processing device 100.例文帳に追加

表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ１内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド１０Ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of attaining compatibility between the decrease for the number of foreign particles deposited on a sample in a lock chamber and improvement of the throughput.例文帳に追加

ロック室で被処理体に付着する異物粒子数の低減とスループットの向上を両立させる真空処理装置の提供。 - 特許庁

A second exhaust port 42 is drawn out from the processing chamber 10, is equipped with a variable throttle 45 and is connected to the flow-regulating valve 60.例文帳に追加

処理室１０から第２排気路４２を引き出し、可変絞り弁４５を設けるとともに流量調整弁６０に接続する。 - 特許庁

A processing chamber 10 holds wafers Waf inside and is connected to a discharge gas feed system 11 and an exhaust system 12.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部にウェハＷａｆを収容し、少なくとも放電ガスの供給系１１及び排気系１２が繋がる。 - 特許庁

Air in the processing chamber 10 flows through the exhaust passages 12, mist trap 20, and exhaust pipe 22 to be discharged out of the exhaust unit to the outside.例文帳に追加

処理室１０内の空気は、排気用通路１２、ミストトラップ２０及び排気管２２を通って、排気装置から外部へ排出される。 - 特許庁

The blade 12a of the cutter is in a plane perpendicular to a rotary axis 12d, and is adapted to be rotated along the side wall 11a of the processing chamber.例文帳に追加

カッタの刃１２ａは、旋回軸１２ｄに対して垂直な平面内にあり、加工室の側壁１１ａに沿って旋回する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおいて基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a component delivery mechanism for distributing a component inside a process chamber for producing uniform processing on a surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。 - 特許庁

The equipment for cleaning a semiconductor substrate such as a wafer (W) comprises a processing chamber 100, a rotatable supporting section 200 arranged in the processing chamber 100 and being arranged with the semiconductor substrate, a nozzle 400 for supplying organic solvent, and a dry gas supply nozzle 500 for supplying organic solvent in vapor state into the processing chamber.例文帳に追加

ウェーハ（Ｗ）などの半導体基板を洗浄する装置であって、処理室１００と、前記処理室内１００に配置され、前記半導体基板を配置するための回転可能な支持部２００と、有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ノズル４００と、前記処理室内に蒸気状態の有機溶剤を供給するための乾燥ガス供給ノズル５００と、を含むことを特徴とする洗浄装置。 - 特許庁

According to the excavated soil disposal method, processing water obtained by adding a nonionic thickening agent to water is fed into a chamber 5, according to excavation of a slurry-type shield machine 1.例文帳に追加

泥水式シールド機１の掘進とともに、水に非イオン系増粘剤を加えた加工水をチャンバー５内に供給する。 - 特許庁

In addition, a radical control means 49 for controlling the radical quantity of processing gas is provided between the radical-supplying device 40 and the chamber 31.例文帳に追加

さらに、ラジカル供給装置４０とチャンバ３１との間に処理ガスのラジカル量を制御するラジカル制御手段４９を設ける。 - 特許庁

An etching apparatus 100 has a lower and upper electrodes 106, 108 arranged opposed in a processing chamber 102.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内には，ウェハＷを載置する下部電極１０６と上部電極１０８が対向配置される。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition method for depositing a tungsten film on a substrate arranged in a substrate processing chamber while preventing fluorine contamination.例文帳に追加

基板処理チャンバに配置される基板上にフッ素汚染を防止しながらタングステン膜を堆積させるための化学気相成長法。 - 特許庁

The substrate W carried into a processing chamber 1 is held in a spin chuck 2 in a state where its substrate front surface Wf faces upward.例文帳に追加

処理チャンバー１内に搬入された基板Ｗは、基板表面Ｗｆを上方に向けた状態でスピンチャック２に保持される。 - 特許庁

The kiln 10 comprises a cylindrical kiln main body 11 and an outer cylinder 17 having an annular secondary processing chamber 16 at its outer circumference.例文帳に追加

キルンは円筒状のキルン本体１１と、この外周に環状の二次処理室１６を有して組付けられた外筒１７とよりなる。 - 特許庁