「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A film forming process of supplying a processing gas into a vacuum processing chamber 2, generating decomposition seeds through a heating catalyst 6, and depositing a deposit on a board 5, an etching process of dry- etching a thin film, and a cleaning process of cleaning the inside of the chamber are carried out.例文帳に追加

真空のプロセスチェンバー２内にプロセスガスを供給し、加熱触媒体６により分解種を生成して、基板５上に堆積物を堆積する成膜プロセス、薄膜をドライエッチングするプロセス又はチェンバー内をクリーニングするプロセスを実施する。 - 特許庁

Conventional structures of the ceiling portion of a plasma processing chamber are so reconsidered with respect to the places and portions in the processing chamber whereto reaction products are stuck especially easily and a plasma is concentrated easily as to provide a ceiling-board outer-periphery ring made of a resin-based raw material in the outer-periphery portion of the ceiling board.例文帳に追加

処理室内の特に反応生成物の付着しやすい場所及びプラズマの集中しやすい箇所に対し従来の天板部の構造を見直し天板の外周部に樹脂系素材からなる天板外周リングを設ける。 - 特許庁

An insulating screen 250 and an insulating gate wall 251 are provided inside the gate 205 containing the gate valve 244, and the electrical impedance of the gate 205 is set higher from the viewpoint of plasma P than that of the processing chamber 201 where the insulating processing chamber wall 280 is provided.例文帳に追加

ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 - 特許庁

The exhaust regulator of tea processing machine is equipped with an exhaust regulation plate at the upper opening of a kneading/drying chamber of a fixed barrel type tea processing machine and slides the exhaust regulation plate by drive means to open and close the upper opening of the kneading chamber.例文帳に追加

本発明の製茶機械の排気調整装置は、固定胴型製茶機械の揉乾室の上部の開口に排気調整板を設け、駆動手段により該排気調整板をスライドして前記揉乾室の上部の開口を開閉する。 - 特許庁

An epitaxial growth device 10A of a sheet form type processes semiconductor wafers or silicon wafers W sheet by sheet and is equipped with a processing chamber 12 of quartz glass and a wafer support susceptor 14A arranged in the processing chamber 12.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１０Ａは半導体ウェハであるシリコンウェハＷを一枚ずつ処理する枚葉式であり、例えば石英ガラスで構成された処理チャンバ１２と、この処理チャンバ１２内に配置されたウェハ支持用のサセプタ１４Ａとを備えている。 - 特許庁

An LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) device 1 is provided with: a processing chamber 11; and a reaction cooling means 25 which is arranged outside the processing chamber 11, produces hydrogen fluoride gas by reacting hydrogen gas with fluorine gas, and cools the hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

ＬＰＣＶＤ装置１において、処理チャンバー１１を設け、処理チャンバー１１の外部に配置され、水素ガスとフッ素ガスとを反応させてフッ化水素ガスを生成すると共に、このフッ化水素ガスを冷却する反応冷却手段２５を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor processing apparatus and a diagnostic method for the semiconductor processing apparatus capable of diagnosing a defect of reassembling of a process chamber after wet cleaning or a state of the process chamber such as deposition of reaction products and shaved components.例文帳に追加

ウエットクリーニング後の処理室再組み立ての不都合、あるいは反応生成物の堆積、部品の削れ等の処理室の状況を診断することのできる半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法を提供する。 - 特許庁

The clean air is supplied into the processing chamber 3 from the air supply units 41 and 42 to forcibly exhaust the inside of the exhaust unit 51, and then a spiral air flow which moves down while flowing around a cup 5 is formed in the processing chamber 3.例文帳に追加

給気ユニット４１，４２から、処理チャンバ３の内部にクリーンエアが供給されるとともに、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus where an IP address of a device controller is automatically assigned without the need for the device controller for a processing chamber to set again the IP address and the IP address uniquely decides a connected position of the processing chamber.例文帳に追加

本発明は、処理チャンバ用装置コントローラ側でＩＰアドレスを再設定することなく、装置コントローラのＩＰアドレスが自動割付され、ＩＰアドレスによって処理チャンバの連結位置が一意に決まる半導体製造装置の提供を目的とする。 - 特許庁

Thus, the germs distributed inside the processing chamber (2) are gradually captured by the filtering mechanism (14) as the gas inside the processing chamber (2) is circulated by the circulation path (32) and the captured germs are processed by the sterilizing gas which has flown into the circulation path (32).例文帳に追加

これにより、処理室（2）内のガスを循環通路（32）で循環させるのに伴い、処理室（2）内に分散している菌が徐々にフィルタ機構（14）に捕捉されていき、捕捉された菌が循環通路（32）へ流入した滅菌ガスによって処理される。 - 特許庁

A plasma processing unit has a function in which microwaves are introduced into a vacuum chamber 4 through the intermediary of a microwave transmission window member 3, processing gas existing in the vacuum chamber 4 is irradiated with microwaves to generate plasma, and a work is processed by the use of the plasma.例文帳に追加

マイクロ波透過窓部材３を介して真空容器４の内部にマイクロ波を導入し、真空容器４内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物７を処理する装置である。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a reaction chamber which can be decompressed, and a shower head having a gaseous diffusion plate 9 in which through holes 10, 11' and 11 are formed to supply processing gas to the interior of the reaction chamber, and a substrate supporting part for installing the substrate.例文帳に追加

基板処理装置は、減圧可能な反応室と、貫通孔１０、１１’、１１が形成されたガス拡散プレート９を有し、反応室の内部に処理ガスを供給するシャワーヘッドと、基板を設置するための基板支持部とを備えている。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of preventing the occurrence of a pattern defect by suppressing deformation of a resist pattern due to substitution of a solvent atmosphere in a chamber, in reflow processing for dissolving the resist pattern in the chamber to form a desired resist pattern.例文帳に追加

チャンバ内でフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、チャンバ内の溶剤雰囲気置換に伴うレジストパターンの変形を抑制し、パターン不良の発生を防止することのできる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing system comprises a processing chamber for forming a silicon nitride film on the surface of an article to be processed, having a silicon oxide film on a silicon substrate by plasma processing, a susceptor contained in the processing chamber and mounting the article to be processed, and a temperature regulator connected with the susceptor and sustaining the temperature thereof at about 250-350°C.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置は、シリコン基板上にシリコン酸化膜を有する被処理体の表面にシリコン窒化膜をプラズマ処理によって形成する処理室と、処理室に収納されて被処理体を載置可能なサセプタと、サセプタに接続されてサセプタの温度を約２５０乃至約３５０℃に維持する温度調節装置とを有する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

A substrate holder 5 having a hook 6 for holding a susceptor 11 for housing the substrate 10 and an elevator part 2 for holding the susceptor 11 carried in from an outside and moving the held susceptor 11 to the position of the hook 6 of the substrate holder 5 are provided in the vacuum processing chamber 200 of the substrate processing device having the vacuum processing chamber 200 for processing the substrate 10.例文帳に追加

基板１０の処理を行う真空処理室２００を有する基板処理装置の該真空処理室２００内に、基板１０を収納したサセプタ１１を保持するフック６を有する基板ホルダ５と、外部から搬入されたサセプタ１１を保持し、保持したサセプタ１１を前記基板ホルダ５のフック６の位置まで移動する昇降部２とを設ける。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method which prevent a cleaning liquid accumulated in an accumulation part in a cleaning part from evaporating and also prevent the atmosphere of the evaporated cleaning liquid from entering into a processing chamber when a substrate is carried in or carried out to/from the processing chamber and a cup outer peripheral cylinder is in a lower position.例文帳に追加

処理室内に基板を搬入したり処理室から基板を搬出したりする場合においてカップ外周筒が下方位置にあるときに、洗浄部における貯留部分に貯留された洗浄液が蒸発してこの洗浄液の雰囲気が処理室内に入り込むことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。 - 特許庁

A control apparatus 42 opens a switching valve 38 and supplies the processing gas to the processing chamber 12, when the inside of the processing chamber 12 is evacuated with a detection signal of a pressure sensor 44, and the average free path of the processing gas including active seeds sent from the discharge unit 20 becomes longer than the distance from the gas inlet port 22 up to the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

制御装置４２は、圧力センサ４４の検出信号から処理室１２の内部が減圧され、放電ユニット２０から送られてくる活性種を含む処理ガスの平均自由行路が、ガス導入口２２から半導体基板１までの距離より大きくなると、開閉弁３８を開放して処理ガスを処理室１２に供給する。 - 特許庁

To reduce a carbon-based material deposited inside of a processing chamber which is produced during a ultra-violet processing of a semiconductor substrate, and to attain processing properties of long-term stability and a good yield of products.例文帳に追加

半導体基板などを紫外光処理する際に生成する炭素系物質の処理室内部での固着を低減し、長期にわたって安定した処理特性と良好な製品歩留りを実現できるようにする。 - 特許庁

To securely pass the whole of gas to be processed through the lowest temperature required for removal of any component to be processed even without providing a large processing chamber in a heat storage type gas processing apparatus, and hereby ensure a high processing efficiency.例文帳に追加

蓄熱式気体処理装置において、大きな処理室を備えなくても被処理気体全体が被処理成分除去に必要な最低温度を確実に経ることができるようにし、高い処理効率を得る。 - 特許庁

In the unit 2, the substrate W is housed in a processing space of a processing chamber 21, and the liquid film is freezed with the temperature in the processing space lowered to the temperature lower than a freezing point of the pretreatment liquid.例文帳に追加

凍結処理ユニット２では、基板Ｗは処理室２１内の処理空間に収容され、処理空間の温度が前処理液の凝固点よりも低い温度に低下されることで液膜が凍結される。 - 特許庁

The plasma processing device conducts processing using plasma and detects the condition of plasma generating in a processing chamber or the adhesive quantity of a reactive product adhered to exhaust piping by using a frequency-measuring device.例文帳に追加

プラズマを用いた処理を行うプラズマ処理装置であって、処理室内に発生するプラズマの状態あるいは排気配管に付着した反応性生成物の付着量を、周波数測定装置を用いて検出する。 - 特許庁

Each processing chamber 30 has a feeding port 33 for feeding therethrough a processing liquid, an exhausting port 34 for exhausting therethrough an exhausting liquid, and a processing space 32 whose surface corresponding to the region to be processed is opened.例文帳に追加

処理チャンバー３０は、処理液を供給するための供給口３３、処理液を排出する排出口３４、および処理すべき領域に対応する一面が開放された処理空間３２を備える。 - 特許庁

The vacuum processing device 1 has a plurality of treatment chambers 3, 4 for performing a prescribed vacuum processing, and the first processing chamber 3 of the treatment chambers 3, 4 has substrate carrying mechanisms 6 on both sides thereof.例文帳に追加

本発明の真空処理装置１は、所定の真空処理を行うための複数の処理室３、４を有し、この処理室３、４のうち第１の処理室３の両側部に基板搬送機構６が設けられている。 - 特許庁

To provide an inspection method of substrate processing equipment in which inspection of the substrate processing equipment can be carried out at a desired timing while preventing a substrate for product from being thrown into a substrate processing chamber of inspection object.例文帳に追加

検査対象の基板処理室に製品用基板が投入されるのを防止すると共に、基板処理室の検査を所望のタイミングで行うことができる基板処理装置の検査方法を提供する。 - 特許庁

The vacuum processing chamber 2 is constituted, such that the surface of the processing object (polysilicon) layer 9b on the sheet base material 9a is conveyed, while facing the planar discharge portion 17a of the processing electrode 17.例文帳に追加

真空処理槽２内において、シート基材９ａ上の処理対象物（多結晶シリコン）層９ｂの表面が、処理用電極１７の面状放電部１７ａと対向して搬送されるように構成されている。 - 特許庁

A pressure control device 70 controls a pressure of processing gas in a processing chamber 90 of a plasma processing device 1, and comprises a detection part 20; an exhaust pipe 30; a control valve 40; and pressure control parts 42, 43.例文帳に追加

プラズマ処理装置１の処理室９０内における処理ガスの圧力を制御する圧力制御装置７０であって、検知部２０と、排気管３０と、調整弁４０と、圧力制御部４２、４３とを備える。 - 特許庁

This method for manufacturing of a semiconductor device includes: a first step of carrying a silicon substrate into a processing chamber; a second step of supplying at least a first silane-based gas and a first etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate; and a third step of supplying at least a second silane-based gas and a second etching gas into the processing chamber while heating the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第三のステップと、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a processing chamber wherein a substrate 4 to be processed, a gas inlet 6 to introduce a gas into the inside of the chamber, and a plasma discharge generator 15 to form a plasma area in an area away from the substrate 4 by generating plasma discharge within the chamber, and it is used to apply plasma processing to the substrate 4.例文帳に追加

プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室と、処理室の内部にガスを導入するガス導入口６と、処理室の内部にプラズマ放電を発生させることにより、被処理基板４から離れた領域にプラズマ領域を形成するプラズマ放電発生部１５とを備え、被処理基板４にプラズマ処理を施すように構成されている。 - 特許庁

This etching method selectively etches a silicon nitride film, and this uses a reactive ion etching device including a processing chamber 1 which holds a substrate 4 as the target of etching, a gas supply means 7 which supplies reactive gas into the processing chamber 1, and an upper electrode 2 and a lower electrode 3 which are provided inside the processing chamber and to which high-frequency currents are applied.例文帳に追加

この発明によるエッチング方法は、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング方法であって、エッチング対象である基板４を内部に保持する処理室１と、処理室１の内部に反応ガスを供給するガス供給手段７と、処理室内部に設けられ、高周波電流が印加される上部電極２および下部電極３とを含む反応性イオンエッチング装置を用いる。 - 特許庁

Furthermore, since the drain chamber 22 is opened toward an engine E side and a transmission T side, the opening of the drain chamber 22 is blocked by sandwiching the casing 21 between the engine E and the transmission T, while easily processing the drain chamber 22 and the casing 21 having the labyrinth 23 in the drain chamber.例文帳に追加

しかもドレイン室２２はエンジンＥ側およびトランスミッションＴ側に開口するので、ドレイン室２２およびその内部のラビリンス２３を有するケーシング２１を容易に加工することを可能にしながら、ケーシング２１をエンジンＥおよびトランスミッションＴ間に挟持することでドレイン室２２の開口を閉塞することができる。 - 特許庁

To provide a hydraulic damper to shut an air chamber behind a free piston from air chamber in a reserver, capable of enhancing the shutting performance of the air chamber behind the free piston and the effectiveness in processing a cylinder tube and the free piston while it is made practicable for a working oil having intruded from the reserver into the cylinder tube to be released to the reserver through a sub-tank chamber.例文帳に追加

フリーピストンの背後の空気室をリザーバの空気室に対して遮断する油圧緩衝器において、リザーバからシリンダチューブに侵入した作動油をサブタンク室からリザーバに解放可能にしながら、フリーピストンの背後の空気室の遮断性、シリンダチューブ及びフリーピストンの加工性を向上すること。 - 特許庁

A manufacturing facility 60 of organic EL panels has a storage 34 for organic materials, a storage 36 for metal electrode materials, a storage 38 for sealing materials, a storage 40 for substrates, a chamber 42 for pre-processing of substrates, a chamber 44 for evaporation of light emitting materials, a chamber 46 for evaporation of metal, a chamber 48 for sealing in a clean room 32.例文帳に追加

有機ＥＬパネルの製造設備６０は、クリーンルーム３２内に有機材料保管ストッカ３４、金属電極材料保管ストッカ３６、封止材料保管ストッカ３８、基板保管ストッカ４０、基板前処理室４２、発光材料蒸着室４４、金属電極蒸着室４６、封止室４８などを有する。 - 特許庁

By repeatedly lifting and turning the transfer stage 22, the substrate processing apparatus 10 delivers a substrate group on every port into and from the above chamber at identical timing, and transfers the substrate groups on the ports in the order of the LL chamber 12A, the etching chamber 13A, and the cooling chamber 15A.例文帳に追加

そして、基板処理装置１０は、搬送ステージ２２の上動と回動とを繰り返すことにより、全てのボートにある基板群を同じタイミングで直上の処理室に搬入及び搬出し、かつ、各ボートにある基板群をそれぞれＬＬ室１２Ａ、エッチング室１３Ａ、冷却室１５Ａの順に搬送する。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus including an etching chamber 140 and an ashing chamber 150 in a vacuum conveyance chamber 130, a vacuum vessel provided with a coating film of a heat shrinkage sheet formed on the inner surface thereof is used as the vacuum conveyance chamber 130, and generation of contamination due to microcrack is suppressed, to improve production efficiency.例文帳に追加

真空搬送室１３０にエッチング室１４０とアッシング室１５０を備えた真空処理装置において、真空容器の内面に熱収縮シートによる被膜を備えたものを真空搬送室１３０として用い、マイクロクラックによる異物の発生を抑え、生産効率の向上が図れるようにした。 - 特許庁

Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.例文帳に追加

エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁

To provide an aluminum chamber of various processing devices with a precision workability and durability which is exposed to various high temperatures at a reasonable price by actively cooling the high-temperature gas in the chamber and a chamber body at a high temperature to eliminate deformation due to distortion from the thermal expansion of the chamber.例文帳に追加

高温下にあるチャンバ内の高温ガスの冷却とチャンバ本体の冷却とを積極的に行い、チャンバの熱膨張に基づく歪みによる変形をなくし、高精度の加工性と耐久性とが得られる各種の高温下に曝される各種加工機のアルミニウム製チャンバを合理的な価格で提供する。 - 特許庁

To provide an evacuation device that prevents significant variations in the pressure, in a processing chamber due to the fluctuations in the atmospheric pressure.例文帳に追加

本発明は大気圧の変動によって処理室の圧力が大幅に変化することを防止する排気装置を提供する。 - 特許庁

In a chamber of a substrate processing apparatus, a flow straightener plate 63 on which a plurality of apertures 630 are formed is arranged above a substrate.例文帳に追加

基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口６３０が形成された整流板６３が、基板の上方に配置される。 - 特許庁

The cooling and processing device blows the cooling air in the chamber to cool and process the food material.例文帳に追加

そして、冷却加工装置は、冷却室３内に冷却風を流して庫内を冷却することで、食材を冷却加工する。 - 特許庁

By having the substrate further carried to a UV irradiation chamber, by a substrate transfer device and is irradiated with UV to perform film forming processing.例文帳に追加

基板は更に基板輸送装置によりＵＶ照射室へ輸送され、ＵＶ照射されることで成膜処理が行われる。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a plasma processor for easily removing a reactant in a reaction chamber, after a plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method capable of quickly collecting glass fragments when a glass substrate is broken in a chamber.例文帳に追加

チャンバ内でガラス基板が割れたときにガラス破片を速やかに回収することができる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 10 includes: a heating plate 11; a heat insulating material 12 constituting an upper lid of a chamber; and a soaking plate 13.例文帳に追加

基板処理装置１０は、加熱プレート１１と、チャンバーの上蓋を構成する断熱材１２と、均熱プレート１３とを有する。 - 特許庁

A calculation unit detects the filling level of the liquid in the processing space (22) which depends on the filling level of the liquid inside the chamber (34).例文帳に追加

計算ユニットが、該室（３４）内の液体の充填レベルに依存し、プロセス空間（２２）内の液体の充填レベルを検出する。 - 特許庁