「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma processing device with a high plasma controllability that stably forms a surface wave plasma in a chamber.例文帳に追加

プラズマの制御性が高く、チャンバー内で安定的に表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A chamber 14 is formed parallel to these wafer processing devices A-Z, in which a guide rail 11 is placed.例文帳に追加

これらのウェハ処理装置と平行にチャンバ１４が形成されており、チャンバ１４内に案内レール１１が敷設されている。 - 特許庁

The TAC film 3 sent out of the tenter part 5 is sent to a dew condensation prevention processing chamber 120 which is full of dry air.例文帳に追加

テンタ部５から送り出されたＴＡＣフィルム３は、乾燥空気が充満する結露防止処理室１２０へ送られる。 - 特許庁

The conversion processing circuit 4 is stored in a storage chamber formed of an insulating material whose periphery comprises a nano-crystal silicon layer.例文帳に追加

変換処理回路４は、その周囲がナノクリスタルシリコン層からなる断熱材で形成された収納室に収納される。 - 特許庁

Next, the hydrogen is exhausted from the processing chamber, and a dehydrogenating step of conducting the dehydrogenating step is conducted by heating the alloy.例文帳に追加

次に、処理室内から水素を排気し、合金を加熱することによって脱水素処理を行う脱水素工程を行う。 - 特許庁

To reduce a reaction gas remaining in a chamber, after ending a plasma processing using a rotary electrode.例文帳に追加

回転電極を用いたプラズマ処理において、プラズマ処理終了後にチャンバ内に残存する反応ガスを低減することができる。 - 特許庁

To eliminate reaction of oxidation by controlling flow of oxygen in the atmosphere, into a substrate processing chamber when the substrate is transferred.例文帳に追加

基板搬送時、基板処理室へ大気中の酸素が流入するのを抑制して、酸化反応を無くすことを可能とする。 - 特許庁

To enable to arrange a combustion pressure sensor for detecting combustion pressure inside a cylinder without making a processing for installing it in the combustion chamber.例文帳に追加

筒内の燃焼圧を検出する燃焼圧センサを、燃焼室に取り付け用の加工を行うことなく配置可能にする。 - 特許庁

A halogen supply device 22 gasifies the by-products reduced as above by supplying halogen gas into the processing chamber 51.例文帳に追加

ハロゲン供給装置２２は、ハロゲンガスを処理チャンバ５１内に供給することにより、還元された副生成物をガス化する。 - 特許庁

To provide blasting technology capable of processing a surface of a work piece in a plazma treatment chamber with high accuracy of roughness.例文帳に追加

プラズマ処理室等の被加工物表面の粗面度を精度よく加工することができるブラスト処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device efficiently controlling a pressure in a chamber to the predetermined pressure regardless of the installation circumstances.例文帳に追加

設置環境にかかわらずチャンバ内を効率よく所定の圧力に制御することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A pipe 4 is buried in a floor face 11 of a port opening 10 of the gas processing chamber 3 in a state of approximately being flush with the floor face 11.例文帳に追加

ガス取扱室３の出入口１０の床面１１に、この床面１１と略面一にパイプ４を埋設する。 - 特許庁

The determination section 100 changes the reference concentration in gas leakage determination processing according to the amount of ventilation V in the storage chamber 10.例文帳に追加

判定部１００は、収容室１０の換気量Ｖに応じてガス洩れ判定処理における基準濃度を変化させる。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 10 is provided, in a chamber 11, with processed object holding means and plasma generation means.例文帳に追加

実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。 - 特許庁

On the processing chamber 11, a glass plate 15 is arranged, and a lamp plate 16 is also arranged on the glass plate 15.例文帳に追加

処理室１１の上部には、ガラスプレート１５が配置されており、ガラスプレート１５上には、ランププレート１６が配置されている。 - 特許庁

The processing pressure in the chamber 101 is set to a pressure range of -50 to 50 KPa when atmospheric pressure is represented as 0 KPa.例文帳に追加

チャンバー１０１内は、大気圧を０ＫＰａとして−５０乃至５０ＫＰａの範囲内の処理圧力に設定される。 - 特許庁

The surface wave excited plasma processing device 100 is provided with a shower plate 10 for introducing material gases into a chamber.例文帳に追加

表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ内へ材料ガスを導入するためのシャワープレート１０が設けられている。 - 特許庁

Halogen lamps 20 are arranged radially in the upper and lower region of the processing chamber 12.例文帳に追加

また、処理チャンバ１２の上側領域及び下側領域には、それぞれ複数本のハロゲンランプ２０が放射状に配置されている。 - 特許庁

To solve a problem that a precise real time dose measurement is required in a plasma processing chamber such as high frequency plasma immersion ion implantation reactor.例文帳に追加

高周波プラズマ浸漬イオン注入リアクタのようなプラズマ処理チャンバにおいて精密な実時間ドーズ計測が必要とされる - 特許庁

Removing process is progressed through reaction of cleaning gas plasma (F*: fluorine radical) and a deposited substance within the processing chamber 1 (substance to be cleaned).例文帳に追加

クリーニングガスのプラズマ（Ｆ＊：フッ素ラジカル）と処理チャンバ１内の堆積物（被クリーニング物）とが反応して除去処理が進行する。 - 特許庁

An oxidation catalytic electrode (11) is placed in a gas processing chamber (3) and a voltage (31) (0.4 V) is applied between the electrode (11) and a counter electrode (12).例文帳に追加

ガス処理室（３）内に酸化触媒電極（１１）を配し、対極（１２）との間に電圧（３１）（０．４Ｖ）を印加させる。 - 特許庁

The system for processing the biomass comprises a chamber, a biomass input device, a fluid input device, and a retrieval device.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、バイオマスを処理する装置は、チャンバ、バイオマス投入器、流体投入器、及び回収器を有する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 includes the electrostatic chuck 20 installed in a chamber 3 and having a surface 20a for supporting a substrate W.例文帳に追加

基板処理装置１は、チャンバ３内に設置され、基板Ｗを支持する表面２０ａを有する静電チャック２０を備える。 - 特許庁

At melting of a solid semiconductor material in the crucible 2, a processing chamber 5 is evacuated by a vacuum pump 25.例文帳に追加

るつぼ２中で固体の半導体材料を溶融させる際には、真空ポンプ２５によって、処理室５の真空排気が行われる。 - 特許庁

To provide a load lock and dry vacuum pump assembly for performing low pressure exhaustion of a load lock chamber at low cost without depending on batch processing.例文帳に追加

バッチ処理によらないで、ロードロック室内を低コストで低圧排気するロードロックとドライ真空ポンプの組立体の提供。 - 特許庁

An excimer laser emitting apparatus 4 located outside the chamber 1 inputs a processing laser beam L to the substrate W via the window 2.例文帳に追加

チャンバ１外に配置されたエキシマレーザ出射装置４が、窓２を通して基板Ｗに処理用レーザ光Ｌを入射させる。 - 特許庁

This is constructed to have a structure in which primary processed item heated and processed within the kiln main body 11 is further heated and processed at a secondary processing chamber 16.例文帳に追加

キルン本体内で加熱処理された一次処理物は二次処理室で、さらなる加熱処理される構造にされている。 - 特許庁

Since the body 11 is held therein in vacuum and can be conveyed, the container can be used also as a processing chamber.例文帳に追加

容器本体１１は、内部を真空に保持され、搬送可能であるので、基板搬送容器と処理室とを兼ねることができる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus in which invasion of dust into a process chamber is prevented and the size of an automatic pressure regulator is made small.例文帳に追加

処理室へのゴミの混入を防ぎ、自動圧力調節器を小型化することができる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress adhesion of aluminum particles, generated as contaminations in a processing chamber, to the surface of a substrate, e.g. a silicon wafer.例文帳に追加

処理室内にアルミニウム粒子がコンタミネーションとして発生し、シリコンウエーハなどの基板の表面に付着することを抑制する。 - 特許庁

This load lock is provided with a transfer chamber 102, one or more processing chambers 106 connected to the transfer chamber, a substrate handling robot 103 arranged in the transfer chamber 102, and at least one load lock chamber 112 connected to the transfer chamber 102 which is equipped with one or more substrate supporting members for supporting one or more stacks of only two substrates per stack.例文帳に追加

移送チャンバと、移送チャンバ１０２に接続した1つ以上の処理チャンバ１０６と、移送チャンバ１０２の中に配置される基板ハンドリングロボット１０３と、移送チャンバ１０２に接続され、一つ以上の基板を有することは、スタック1つあたり基板2枚のスタック1つ以上を支持するための1つ以上の基板支持部材を有する少なくとも1つのロードロックチャンバと１１２を有する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of completing substrate processing in a single processing chamber by absolutely preventing accidental mixing of chemical liquids, even if a combination of a plurality of kinds of chemical liquids to be used for substrate processing may involve danger of accidental mixing.例文帳に追加

基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing an article with a high density fluid for processing in a processing chamber while applying an ultrasonic wave during processing in order to maintain and improve an economical yield at the time of manufacturing a smaller and more complex microelectronics system.例文帳に追加

より小さくてより複雑なマイクロエレクトロニクスシステムを製造する際の経済的な歩留まりを維持し、向上させるために、処理中に超音波を適用しながら、処理用チェンバー内で物品を処理用高密度流体で処理するための方法を提供する。 - 特許庁

To decrease patterning defects by preventing the drying and crystallizing of a processing liquid when separating and removing the processing liquid sticking to a substrate by an air knife and preventing the increase of the concentration of the cyclically used processing liquid by the waste gas of a processing chamber.例文帳に追加

基板に付着した処理液をエアナイフで分離除去する際に処理液が乾燥して結晶化するのを防止するとともに、処理室の排気によって循環使用している処理液の濃度が上昇するのを防止し、パターニング不良を低減する。 - 特許庁

In a shower plate 105 arranged in the processing chamber 102 of plasma processing equipment and discharging plasma excitation gas in order to generate plasma in the processing chamber 102, a porous gas circulator 114 having pores communicating in the direction of gas circulation is attached to a longitudinal hole 112 becoming the discharge passage of plasma excitation gas.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる縦孔１１２に、ガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体１１４を装着した。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 24 in which a substrate is processed, the gas nozzle 3 supplying a gas to the processing chamber, a nozzle support unit portion 23 covering and supporting the gas nozzle, a nozzle holder 2 fixed to the nozzle support portion to hold the gas nozzle, and a position shifting tool for shifting the gas nozzle held by the nozzle holder from the nozzle support portion.例文帳に追加

基板を処理する処理室２４と、該処理室にガスを供給するガスノズル３と、該ガスノズルを覆い支持するノズル支持部２３と、該ノズル支持部に固定され、前記ガスノズルを保持するノズル保持具２と、該ノズル保持具に保持された前記ガスノズルを前記ノズル支持部からずらす為の位置ずらし治具とを有する。 - 特許庁

After performing dry etching of a substrate which is electrostatically attracted onto a stage in a processing chamber, He gas is supplied as a neutralization gas into the processing chamber and plasmatized thus performing neutralization processing for reducing a residual electrostatic attraction force generated in a substrate by performing dry etching.例文帳に追加

処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Ｈｅガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Ｈｅガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。 - 特許庁

The adhesion preventive plate 15 used for an adhesion preventive member removably mounted on an inner face of a processing chamber to prevent adhesion of contaminants onto the processing chamber in the vacuum processing apparatus is configured to be a laminated structure formed by laminating a plurality of thin plates 15a each comprising aluminum for a principal material via a thin film adhesive.例文帳に追加

真空処理装置において処理室への汚染物の付着を防止するために、処理室内面に着脱自在に装着される防着材に使用される防着板１５を、アルミニウムを主材質とする薄板１５ａを薄膜状の接着剤を介して複数枚積層した積層構造で構成する。 - 特許庁

A MMT (Modified Magnetron Type) device 100 includes: a processing chamber 201 for processing a wafer 200; a susceptor 300 provided in the processing chamber 201 and holding the wafer 200; a heater 310 provided in the susceptor 300 and heating the wafer 200; and a spacer 320 disposed forming a space between the susceptor 300 and heater 310.例文帳に追加

ＭＭＴ装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、ウエハ２００を保持するサセプタ３００と、サセプタ３００内に設けられ、ウエハ２００を加熱するヒータ３１０と、サセプタ３００とヒータ３１０との間に空間が形成されるように配置されたスペーサ３２０とを有する。 - 特許庁

In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film.例文帳に追加

気密な処理室１０４内に処理ガスを導入し，処理室内に配置された基板上に形成されたエッチング対象膜に対するエッチング方法において，処理ガスはＣＦ_４とＮ_２とＡｒとからなり，エッチング対象膜は，上層の有機ポリシロキサン膜及び下層の無機ＳｉＯ_２膜からなる。 - 特許庁

Further the aligning processing method is characterized by containing an aligning processing chamber 4 in which a liquid crystal substrate 5 having the alignment film is arranged and a dry ice injecting mechanism for injecting snow-shaped dry ice 12 together with an accelerating gas 13 from a nozzle 6 provided toward the liquid crystal substrate arranged in the aligning processing chamber.例文帳に追加

また本発明の配向処理方法は、配向膜を有する液晶基板５を配置する配向処理室４と、該配向処理室に配置された該液晶基板に向けて設けられたノズル６から加速用ガス１３とともにスノー状ドライアイス１２を噴射するドライアイス噴射機構とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The plasma processing system comprises an antenna and a radiation port for supplying a high frequency of VHF or UHF band to a processing chamber, and means for forming a magnetic field in the processing chamber wherein the ratio of the radius of the antenna and the effective length of the radiation port is set in the range of 0.4-1.5.例文帳に追加

プラズマ処理装置として、ＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するアンテナ及び放射口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有し、前記アンテナ半径と放射口の実効長との比が０.４以上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備する。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus 400 and the method of cleaning the substrate processing chamber 410, the lift pin 440 is made to go down without a substrate 10s; and fluorine radical is generated inside of the substrate processing chamber 410 in a state that the hole 433 for inserting the lift pin is sealed with a head 443 of the lift pin 440.例文帳に追加

基板処理装置４００および基板処理室４１０のクリーニング方法では、基板１０ｓが無い状態でリフトピン４４０を下降させ、リフトピン挿通用穴部４３３をリフトピン４４０の頭部４４３によって塞いだ状態で、基板処理室４１０の内部にフッ素ラジカルを発生させる。 - 特許庁

The chamber 30 has a gas introduction port 34a for introducing the processing gas into the chamber so that the processing gas flows approximately in a horizontal direction and a gas ehxaut port 34b for exhausting the processing gas outward, and a stage 33 with proximity pins 44 for supporting the wafer W provided on its surface and an upright wall 33a formed on its rim.例文帳に追加

チャンバ３０は、処理ガスが略水平方向に流れるように処理ガスを内部に導入するガス導入口３４ａおよび処理ガスを外部へ排気するガス排出口３４ｂと、ウエハＷを支持するプロキシミティピン４４が表面に設けられ、周縁に立起壁３３ａが形成されたステージ３３を有する。 - 特許庁

In a cleaning processing of the semiconductor substrate formed with the fine patterns on the surface thereof, the semiconductor substrate is held with the pattern surface thereof facing down in a cleaning processing chamber, vapor is supplied into the cleaning processing chamber to cause water drops to be condensated, and foreign substances between the fine patterns are removed.例文帳に追加

表面に微細パターンが形成された半導体基板を洗浄する処理において、洗浄処理チャンバー内で半導体基板のパターン面を下向きにして保持するとともに、洗浄処理チャンバー内に蒸気を供給して半導体基板表面で液滴を結露させて微細パターンの間の異物除去を行う。 - 特許庁