「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide favorable low foam cereal and low foam miscellaneous cereal products by installing a processing chamber of cereals and miscellaneous cereals, for passing the raw material cereals and raw material miscellaneous cereals in a 200-320°C temperature zone of high temperature humidified hot wind from a hot wind generator, and heating for 20-200 s.例文帳に追加

この発明は、原料穀物・原料雑穀を熱風発生機からの高温加湿熱風２００℃〜３２０℃の温度帯で通過させる穀物類・雑穀類の処理室を設け、２０秒〜２００秒間加熱することによって好適な低発泡穀物類及び低発泡雑穀類製品を得ようとするものである。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the pressure inside the processing chamber during plasma discharge is monitored, and when a pressure detected result exceeds an upper limit P3 preset as the pressure with the possibility of abnormal discharge, the operation of a plasma generation means is stopped, a pressure abnormality signal is outputted to report it.例文帳に追加

そしてプラズマ放電中の処理室内の圧力を監視し、圧力検出結果が予め異常放電発生の可能性がある圧力として設定される上限圧力Ｐ３を超えたならば、プラズマ発生手段の作動を停止させるとともに圧力異常信号を出力しその旨報知する。 - 特許庁

In a hybrid type power output device including a motor generator device, control is performed to start an increase in the quantity of the air to be fed to a combustion chamber (figure (b)) after a certain period passed after starting a processing for delaying ignition timing in an ignition plug in comparison with the ignition timing in the latest condition (figure (a)).例文帳に追加

モータジェネレータ装置を含むハイブリッド型の動力出力装置において、点火プラグにおける点火のタイミングを従前の状態より遅らせる処理を開始した後に（図７（ａ）参照）、ある一定の期間経過後、前記燃焼室に送り込まれる空気の量の増大を開始する（図７（ｂ）参照）ような制御を行う。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has a heating chamber 2 for carrying a substrate 9 therein, a heating mechanism 3B for heat-treating the substrate 9, an ion generating mechanism 4 for ionizing a supplied gas to generate ions 12, and a dust collecting plate 5 for electrifying a dust to be charged to the opposite polarity of the ions 12.例文帳に追加

本発明の例に関わる基板処理装置は、基板９が搬送される加熱チャンバ２と、基板９に対して加熱処理を施す加熱機構３Ｂと、供給されるガスをイオン化して、イオン１２を発生させるイオン発生機構４と、イオン１２と反対の極性に帯電される集塵板５とを備える。 - 特許庁

Besides, since the cross sectional area of the gas supply opening 35 is much larger than the cross sectional area of the gas inlet opening 33, the IPA gas does not form gas flow of ejecting from the gas supply opening 35, and the atmosphere containing the IPA vapor in the upper part of the processing chamber 20 has no danger of being disturbed.例文帳に追加

また、ガス導入口３３の断面積よりもガス供給口３５の断面積の方が著しく広いため、ガス供給口６５からはＩＰＡの蒸気が吐出してガス流を形成することはなく、処理槽２０の上方に形成されたＩＰＡの蒸気を含む雰囲気がガス流によってかき乱されるおそれもない。 - 特許庁

There is provided the incinerator for the cremation of small animals, including: a primary combustion furnace; a secondary combustion furnace disposed in the downstream of the primary combustion furnace; and an ashes and dust separator connected also with the primary combustion chamber through a bypass and used for the circulation processing of the exhaust gas containing ashes and dust inside the incinerator, which are integrally arranged.例文帳に追加

一次燃焼炉と、この一次燃焼炉の下流に設けた二次燃焼炉と、二次燃焼炉の下流にあって、灰塵類を含む排ガスを焼却炉内で循環処理する為にバイパスによって前述一次燃焼室とも繋がる灰塵分離装置とを一体的に配設してなる小動物火葬用焼却炉。 - 特許庁

To provide a connection structure of a connector terminal and a connector housing in which the engaging part of a plurality of connector terminals connected electrically to the flat conductor on an insulating plane is inserted in the terminal housing chamber of the connector housing, wherein connection work and processing of the insulating plane are easy with low cost.例文帳に追加

絶縁平面上のフラット導体と電気的に接続された複数のコネクタ接続端子の嵌合部をコネクタハウジングの端子収容室に挿入してなるコネクタ接続端子とコネクタハウジングの接続構造に関して接続の作業、絶縁平面の加工が容易でしかもコストの安いものを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing equipment, where a gap is restrained from occurring between a heat block fixed to a temperature detection work and a thermocouple for eliminating the influence of gas interposed between the thermocouple and the thermal block, so as to stably measure the inner temperature of a processing chamber provided inside the semiconductor manufacturing equipment, and a processed product can be improved in quality.例文帳に追加

半導体製造装置に於いて、被温度検出体に固着される熱ブロックと熱電対との間に間隙の発生を抑制し、又熱電対と熱ブロック間に介在する気体の影響を除去し、半導体製造装置の処理室内に於ける安定した温度測定を可能とし、処理品質の向上を図る。 - 特許庁

To provide a structure for a combination pump of small size, enabling pumping to be performed from 1,000 mbar down to 10^-8 mbar normally required in some kinds of industries, and suitable for being integrated into vicinity of a vacuum enclosure or a processing chamber.例文帳に追加

真空エンクロージャまたは処理チャンバのすぐ近傍に統合することが可能になるように充分小型であり、また、常圧（１０００ｍｂａｒ）から、ある種の工業で通常必要となる高度真空（１０^−８ｍｂａｒ）へとポンピングする能力がある複合ポンプ用の新規の構造物を考案すること。 - 特許庁

In a processing chamber 1 capable of introducing outside air, a film of water is formed gradually upward along the periphery of a rotor and also is scattered, by soaking and rotating the lower part of this rotor 3 whose diameter increases upward in water, and the scattered water is collided against a screen which has meshes 4 arranged around this rotor.例文帳に追加

外気を導入可能な処理室１内において、上方に向かって径が増大する回転体３の下方を水中に浸漬して回転することにより、この回転体の外周に沿って水の薄膜を上方に向かって順次形成すると共に飛散させ、飛散させた水をこの回転体の周囲に配された網目４を有するスクリーンに衝突させる。 - 特許庁

The light processing module includes the spectral element, a light modulator with a liquid crystal display panel for making a light beam separated by the spectral element incident, the wavelength plate provided between the spectral element and the light modulator and having a phase leading axis and a phase delay axis and a dust protection means in which a dust protection chamber is formed in cooperation with the light modulator and the wavelength plate.例文帳に追加

光処理モジュールは、分光素子と、分光素子により分離された光を入射する液晶パネルを有する光変調素子と、分光素子と光変調素子との間に設けられ、進相軸と遅相軸とを有する波長板と、光変調素子と波長板と協働して塵除け室が形成される塵除け手段とをそなえる。 - 特許庁

The method is constituted so that it may include a process of putting the equipment surface in the semiconductor material processing chamber into contact with an atmosphere including a proton donor, and causing it to react with the porogen deposited on the equipment surface, and a process of putting the equipment surface into contact with an atmosphere including a fluorine donor, and causing it to react with a thin film deposited on the equipment surface.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁

The electro-chemical deposition system comprises a mainframe 214 having a mainframe wafer transfer robot, a loading station 210 disposed connecting with the mainframe 214, a rapid thermal anneal chamber 211 disposed adjacent to the station 210, one or more processing cells 240 disposed relating to the mainframe 214, and an electrolyte supply fluidly coupled to the cells 240.例文帳に追加

電気化学堆積システムは、メインフレームウェハ移送ロボットを有するメインフレームと、メインフレームと接続して配置されたローディングステーションと、ローディングステーションに隣接して配置された急速熱アニールチャンバと、メインフレームと関連付けて配置された１つ又はそれ以上の処理セルと、１つ又はそれ以上の処理セルと流体接続した電解質供給源とを備える。 - 特許庁

When the illuminance of light from a region to be detected in a combustion chamber 1 is lowered due to the adhesion of soot and organic or inorganic dirt to the surface of a lens 7 provided for a tip part 3 of the optical sensor 2, an image processing processor 16 of a control unit 15 energizes a heater electrode 10 provided for the tip part 3.例文帳に追加

制御装置１５の画像処理用プロセッサ１６は、光センサ２の先端部３に設けられたレンズ７の表面に煤や有機物あるいは無機物の汚れが付着することにより燃焼室１における検出対象領域からの光の照度が低下した場合は、先端部３に設けられたヒータ電極１０に通電する。 - 特許庁

That is, in the material, a tensile stress is low, a step coverage is good, the integrity is maintained when a subsequent processing is applied, the material does not significantly and/or adversely impact the performance characteristics of the mechanical structures in a chamber (in the case of not being coated with the material during attaching) and/or facilitates the integration with the high performance integrated circuits.例文帳に追加

即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。 - 特許庁

To provide an ion implanter comprising a beam current measuring unit which can measure the value of a substantial beam current, with which a target is irradiated, depending on the pressure variation in a processing chamber changing every moment, and can measure an accurate beam current without being affected by a fluctuation caused by the charge up of a target.例文帳に追加

時々刻々と変化する処理室内での圧力変動に応じて、ターゲットに照射されている実質的なビーム電流の値を算出可能にするとともに、ターゲットのチャージアップに起因するゆらぎの影響を受けずに正確なビーム電流の測定を可能とするビーム電流測定器を備えたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

An upper heating element 3 which heats a single semiconductor wafer W arranged in a processing chamber 2 of the single wafer type heat treatment apparatus 1 from above is area-divided into a plurality of first to third upper heating zones 31a to 31c, and first to third upper heaters 5a to 5c which are brought individually under temperature control are arranged in the first to third upper heating zones 31a to 31c.例文帳に追加

枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。 - 特許庁

An internal-combustion engine, operating under a controlled self-ignition state, is constituted such that the combustion state of air/fuel mixture in a combustion chamber is measured, a signal sent to a processing unit 46 is processed for measurement, and at least one combustion control parameter is controlled, in order to obtain the desirable combustion for the next cycle.例文帳に追加

制御された自己点火状態下で動作する内燃エンジンは、燃焼室１４内の空気／燃料混合気の燃焼状態が測定され、処理ユニット４６に送られた信号を測定する処理を行った後に、少なくとも１つの燃焼制御パラメータが次のサイクル用の所望の燃焼を得るために調節されるように構成されている。 - 特許庁

This compound microscope comprises: a sample chamber, in which a sample stage for holding a sample to be observed is arranged; the electronic microscope which picks up an electronic microscope image of the sample; the confocal microscope which picks up a confocal point image of the sample; and a signal processing device which receives output signals from the electronic microscope and the confocal microscope and outputs various image signal.例文帳に追加

観察すべき試料を保持する試料ステージが配置される試料室と、試料の電子顕微鏡画像を撮像する電子顕微鏡と、試料の共焦点画像を撮像する共焦点顕微鏡と、電子顕微鏡及び共焦点顕微鏡からの出力信号とを受取り種々の画像信号を出力する信号処理装置を具える。 - 特許庁

The present polishing equipment of semiconductor wafer forms a processing chamber which is arranged extendedly in an aperture of head body and in partition from exterior between it and the head body, comprises a roughly circular membrane holding the semiconductor wafer with an inner circumference lower surface, and prepares an air temperature controlling means for controlling a temperature of air directly pressurizing the membrane with air pressure.例文帳に追加

本半導体ウェーハの研磨装置は、ヘッド本体の開口部に張設されてヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で半導体ウェーハを保持するほぼ円形のメンブレンとを有し、メンブレンを直接空気圧により加圧する空気の温度を制御する空気温度制御手段を備える。 - 特許庁

Under a condition that a wear protecting material constituted of a given small-piece or sphere-shaped material with comparatively small mass is introduced and accumulated in a chamber at a degree that at least the device constituting member is embedded, abrasive coating is sprayed to a processing object on the wear protecting material, so as to solve wear of the device constituting member due to abrasive coating.例文帳に追加

チャンバー内に比較的小質量の小片もしくは球状の任意材質で構成する磨滅防護材を、少なくとも装置構成部材が埋没する程度に導入堆積させせた状態で、磨滅防護材上の処理対象物に砥粒を吹き付けることで、装置構成部材を砥粒による磨滅解消を提供するもの。 - 特許庁

An inter-back type apparatus for carrying in a substrate 9 from one inlet, rotating therein, returning to the same inlet and carrying it therefrom wherein a plurality of vacuum chambers including processing chambers 21, 22 and 23 are vertically arranged and a transfer mechanism transfers the substrate 9 along transfer lines 94, 95L and 95R arranged through the each vacuum chamber.例文帳に追加

一方の側から基板９を搬入して装置内で反転させて同じ側に戻して搬出するインターバック型の装置であり、処理チャンバー２１，２２，２３を含む複数の真空チャンバーが気密に縦設され、各真空チャンバーを通して設定された搬送ライン９４，９５Ｌ，９５Ｒに沿って搬送系が基板９を搬送する。 - 特許庁

This processor is equipped with a 1st filter 27 which is connected between a susceptor 21 and the ground and has variable impedance, a sensor 28 which detects an electric signal based upon the state of plasma produced in a processing chamber 11, and a control means 36 which controls the impedance of the 1st filter 27 according to the detection result outputted by the sensor 28.例文帳に追加

サセプタ２１と接地との間に接続されインピーダンスが変更自在な第１のフィルタ２７と、処理室１１内で生成されたプラズマＰの状態に基づく電気信号を検出するセンサ２８と、このセンサ２８から出力される検出結果により第１のフィルタ２７のインピーダンスを制御する制御手段３６とを備える。 - 特許庁

This sample holder provided with a cartridge supporting body 51 arranged at the tip and constructed for allowing attachment/detachment of the sample supporting cartridge 51 to it is constructed of a holder main body 50 attached removably to a mirror body in an electronic microscope or a processing chamber in a focused ion beam device by means of a holder driving mechanism 52 and the holder driving mechanism 52.例文帳に追加

試料ホルダーは、先端部に、試料支持用カートリッジ５７が着脱可能に構成されたカートリッジ支持体５１を有し、ホルダー駆動機構５２によって、電子顕微鏡の鏡体及び集束イオンビーム装置の加工室に取り付けたり、該鏡体及び加工室から外したり出来るようになっているホルダー本体５０と、ホルダー駆動機構５２から成る。 - 特許庁

To provide a method for controlling the circulation fan of a banana maturity processing chamber, capable of eliminating a labor work for measuring and adjusting a temperature difference at banana flesh in a box during banana maturity operation, making a maturity degree of the whole bananas uniform and enabling a banana maturity operation to give a higher commercial value to the bananas.例文帳に追加

本発明はバナナ熟成加工中に、箱中のバナナ位置における果肉温度差を測定したり修正したりする手間を省略し、バナナ全体の熟成度を均一化させて商品価値のより高いバナナの熟成加工が可能となるバナナ熟成加工室の循環ファン制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the illuminance of light from a region to be detected in a combustion chamber 1 is lowered due to the adhesion of soot and organic or inorganic dirt to the surface of a lens 4 provided for a tip part 3 of the optical sensor 2, an image processing processor 12 of a control unit 11 energizes an interdigital electrode transducer 6 formed in the surface of the lens 4.例文帳に追加

制御装置１１の画像処理用プロセッサ１２は、光センサ２の先端部３に設けられたレンズ４の表面に煤や有機物或いは無機物の汚れが付着することにより燃焼室１における検出対象領域からの光の照度が低下した場合は、レンズ４の表面に形成された櫛歯状電極トランスデューサ６に通電する。 - 特許庁

In the evaporated fuel processing device 10, evaporated fuel introduced into adsorbent chambers 17 and 18 of the case 12 is adsorbed by adsorbents 42; the evaporated fuel is desorbed from the adsorbents 42 by air flowing inside the adsorbent chambers 17 and 18; and a heating device 50 generating heat with electrification is provided in the adsorbent chamber 18.例文帳に追加

蒸発燃料処理装置１０は、ケース１２の吸着材室１７，１８内に導入される蒸発燃料を吸着材４２に吸着させ、吸着材室１７，１８内を流れる空気により吸着材４２から蒸発燃料を脱離させるように構成され、かつ、吸着材室１８内には通電により発熱する加熱装置５０が設けられる。 - 特許庁

In a step of forming a conductor film as an electrode to the first principal surface S1 and the second principal surface S2 located in the opposite side along the thickness direction of a semiconductor wafer 1 on which an element is formed, the semiconductor wafer 1 is accommodated in the manner that the entire part of at least the second principal surface S2 of the semiconductor wafer 1 is stored within a processing chamber 4.例文帳に追加

素子を形成した半導体ウェハ１の第１主面Ｓ１と厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第２主面Ｓ２に電極としての導体膜を形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１のうち少なくとも第２主面Ｓ２の全部が処理室４内に収まるように、半導体ウェハ１を収容する。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でＧｅを含む第１前駆体、Ｓｂを含む第２前駆体及びＴｅを含む第３前駆体間の化学反応により基板の表面にＧｅＳｂＴｅ薄膜を形成する第１ステップ及び前記ＧｅＳｂＴｅ薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第２ステップを含むＧｅＳｂＴｅ薄膜の製造方法である。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁

To provide a dielectric element of a structure, where voids and seams will not to generated, a Pt electrode having superior electrical characteristics can be formed simply and at the same time, the problems of contamination or the like a processing chamber are not generated and the formation of a microscopic pattern is possible in the dielectric element using a Pt layer as an electrode material, and the manufacturing method of the element.例文帳に追加

電極材料としてＰｔを用いた誘電体素子において、ボイドやシームが生じることがなく、電気特性に優れたＰｔ電極を簡便に形成することができるとともに、処理室内汚染等の問題がなく、かつ、微細パターンの形成が可能な誘電体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the gathering portion 303 in the one part of the exhaust system for exhausting the atmosphere in the processing chamber and having a plurality of exhaust pipes 20, 22 each coupled to the manifold 11, the exhaust pipes 20, 22 are each connected to the manifold 11 in a state where they each extend over inner wall surfaces 14, 15 in the manifold 11.例文帳に追加

処理室内の雰囲気を排気する排気系の一部に設けられ、複数の排気配管２０、２２がマニホールド１１にそれぞれ接続される集合部３０３において、複数の排気配管２０、２２のそれぞれは、マニホールド１１の内壁面１４、１５をそれぞれ越えて延在した状態で、マニホールド１１にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The method is comprised of contacting the equipment surfaces in the semiconductor material processing chamber with a proton donor containing an atmosphere to make it react with the porogen deposited on the equipment surfaces; contacting the equipment surfaces with a fluorine donor containing atmosphere, to make it react with the thin film deposited on the equipment surfaces.例文帳に追加

半導体材料処理室の装置表面をプロトン供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられたポロゲンと反応させることと、装置表面をフッ素供与体含有雰囲気と接触させてその装置表面に堆積せしめられた薄膜と反応させることとを含んでなるように構成する。 - 特許庁

The matching circuit 30 is used in a semiconductor plasma processing system for feeding high frequency electric power to an electrode in a chamber through a power feeding path.例文帳に追加

整合器３０は、チャンバ内に設けられた電極に給電線路を介して高周波電力を供給する半導体プラズマ処理装置に用いられるものであって、２つの可変容量コンデンサ２２，２３と、コンデンサ２３の電極と給電線路の内部導体１６の端部との間に接続された銅板３１〜３３などで構成された分布定数回路とを備えたものである。 - 特許庁

In another aspect, the substrate is radiatively heated; the radiation is received from the substrate and an intensity signal representative of the intensity of the received signal is produced; an indication of the rate at which the substrate is being heated is computed based upon the intensity signal; and when the substrate is arranged on a substrate support part inside the processing chamber is controlled based upon the computed heating rate indication.例文帳に追加

別の形態によれば、基板は放射加熱され、放射線を基板から受け、受けた信号の強度を代表する強度信号を生成し、その強度信号に基づいて基板の加熱速度の示値を計算し、計算された加熱速度の示値に基づき処理チャンバ内の基板支持部上に基板を配置する時間を制御する。 - 特許庁

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam.例文帳に追加

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

Before shifting to a production process of a substrate in apparatus startup or in resuming operation after maintenance, a substrate processing chamber is exhausted while supplying a gas containing at least gaseous nitrogen therein; plasma discharge is carried out by setting power higher than high-frequency power in plasma discharge after shifting to the production process; and thereafter the substrate is processed by placing the substrate on a substrate mounting base.例文帳に追加

装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 - 特許庁

A pair of main electrodes 50 are arranged outside of a process tube 31 defining a processing chamber 32 to be opposed to each other and be vertically extended, and a pair of first auxiliary electrodes 51 and a pair of second auxiliary electrodes 52 are arranged at both sides of electrodes 50a and 50b in the main electrode pair 50 to be vertically extended respectively.例文帳に追加

処理室３２を形成したプロセスチューブ３１の外側において主電極対５０を互いに対峙した状態で垂直方向に延在させて配置し、主電極対５０の両方の電極５０ａと５０ｂとの両脇に第一補助電極対５１と第二補助電極対５２とを垂直方向に延在させて配置する。 - 特許庁

To materialize operation control technology for suppressing enlargement of a size and a cost increase, by lessening processing ability of a desulfurizer and the like as far as possible, even when external environment conditions for an installation place substantially fluctuate, in an engine to obtain shaft power by burning mixed air in a combustion chamber.例文帳に追加

本発明は、燃焼室５において混合気を燃焼させ軸動力を得るエンジン１００において、設置場所の外部環境条件が大幅に変動する場合でも、脱硫装置等の処理能力を出来るだけ小さくして、大型化及び高コスト化を抑制することができる運転制御技術を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pre-processing method to a nozzle needle seat formed on a nozzle body in a fuel injection device for making the nozzle needle seat to cooperate with a tip of a nozzle needle for controlling injection of fuel into a combustion chamber in an internal combustion engine, in which fuel injection quantity drift can be reduced in initial operation time.例文帳に追加

燃料噴射装置のノズルボディに形成されたノズルニードル座を前処理する方法であって、ノズルニードル座がノズルニードル先端と協働し、これにより、内燃機関の燃焼室内への燃料の噴射が制御される方法において、特に最初の運転時間において燃料噴射量ドリフトを減じることのできる方法を提供する。 - 特許庁

The pressure sensor is provided with: a connector housing which has a head side which has arranged a pressure sensitive element 20; a sensor housing constituted so that the connector housing is inserted; a pressure chamber formed between the head side of the connector housing and the sensor housing; and a correction circuit 21 for processing, calculating and outputting the measured signal by the pressure sensitive element 20.例文帳に追加

圧力センサは、感圧素子２０を配置した先端面を有するコネクタハウジングと、コネクタハウジングを挿入するよう構成したセンサハウジングと、コネクタハウジングの先端面とセンサハウジングとの間に形成された圧力室と、感圧素子２０の計測信号を加工、演算して出力するための補正回路２１とを有するセンサである。 - 特許庁

The plasma processing apparatus further includes an electromagnetic wave supply mechanism for supplying the electromagnetic wave such as infrared light, for controlling the temperature of the substrate to be processed to surfaces of the substrate to be processed or into the processing chamber.例文帳に追加

被処理基板を戴置する基板電極を備えた処理室と、該処理室に所定量のガスを供給するガス供給機構と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気系と、該処理室内に電磁波を供給してプラズマを発生する機構と、該電磁波を該処理室内に供給するための電磁波透過窓と、を備えたプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を制御するため赤外線等の電磁波を被処理基板の表面または処理室に供給する電磁波供給機構を備える。 - 特許庁

A second pipe 13 for replenishing liquid hydrogen fluoride or mixed liquid containing liquid hydrogen fluoride into the container body 3a connected to the interior of a substrate processing chamber 2 through a first pipe 11 is connected to the inside of the container body 3a, and the second pipe 13 is provided with an opening and closing valve 19 opened and closed according to the detection result of liquid storing amount detecting means 20, 21.例文帳に追加

基板処理室２内と第１の配管１１を介して接続された容器本体３ａ内に液体フッ化水素又は液体フッ化水素を含む混合液を補充する第２の配管１３を容器本体３ａ内に接続すると共に、第２の配管１３に、貯液量検出手段２０、２１の検出結果に基づいて開閉される開閉弁１９を設けた。 - 特許庁

A plasma processing apparatus 100 includes a plasma generating means for generating plasma in a chamber 1, a measuring portion 60 for measuring an integrated value of the number of particles of active species in the plasma moving toward a workpiece (wafer W), and a control portion 50 which so controls as to terminate plasma treatment when the measured integrated value of the number of particles has reached a set value.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、チャンバー１内でプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、被処理体（ウエハＷ）へ向けて移動するプラズマ中の活性種の粒子数の積算値を計測する計測部６０と、計測された粒子数の積算値が設定値に達した場合に、プラズマ処理を終了させるように制御する制御部５０と、を備えている。 - 特許庁