「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent damage to a shaft member, etc., to achieve long life by eliminating deposition of a byproduct in a housing, etc. and to eliminate the need for making a housing and other element apparatuses into structure capable of resisting high temperature by further preventing generation of the byproduct not by temperature control but by pressure control in a processing apparatus by which gas is generated in a processing chamber.例文帳に追加

処理室内においてガスが生成される処理装置において、副生成物がハウジング等に堆積することを無くすことにより、軸部材等の損傷を防止し、長寿命を達成し、さらに温度制御でなく圧力制御により副生成物の発生を防止することにより、ハウジングその他の要素機器を高温に耐え得る構造にする必要を無くす。 - 特許庁

This multiple sample processing apparatus is provided with a plurality of axially aligned processing chambers and expressor chambers, each chamber comprising an axial opening, in a fixed arrangement, and a plurality of central hubs disposed in the axial openings, and the central hubs connecting between the chambers and a fluid supply and arranged to define passages for fluid communication therebetween.例文帳に追加

固定された配置で軸方向に整列した複数の処理チャンバおよび圧出チャンバを備え、各チャンバは軸開口部を有し、そして複数の中心ハブがこれらの軸開口部内に配置されており、これらの中心ハブは、これらのチャンバと流体供給源との間を接続し、そしてこれらの間の流体連絡のための通路を規定するよう配置されている。 - 特許庁

The process of a plurality of substrates 221 in an inner vessel of a batch processing chamber includes steps of: positioning the plurality of the substrates 221 disposed substantially in parallel whose device side 222 of at least part of the plurality of substrates is directed downwards; and feeding more than one kind of processing gas all over the plurality of the substrates.例文帳に追加

バッチ処理チャンバの内部容積に複数の基板２２１を位置決めするステップであって、該複数の基板が略平行に配列されており、また該複数の基板の少なくとも一部が、デバイス側面２２２を下方に向けて位置決めされているステップと、１つ以上の処理ガスを該複数の基板全体に流すステップとを備える、該複数の基板を処理するための方法。 - 特許庁

Furthermore, by using the plasma processing device 100, processing gas containing rare gas and oxygen is introduced into the chamber 1 and a microwave is introduced by the flat antenna 31, plasma is generated under pressure conditions in the range of 6.7-267 Pa and the insulating film is modified by the plasma (step S6).例文帳に追加

この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 - 特許庁

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film.例文帳に追加

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope that can concurrently perform SEM observation and sample processing in a single instrument, automatically return the specimen holder to its home position after the processing, and rapidly introduce it into the sample chamber.例文帳に追加

本発明は走査電子顕微鏡に関し、更に詳しくは試料加工室を持つ走査電子顕微鏡に関し、一つの装置でＳＥＭ観察と試料加工を同時進行で行なうことができ、かつ処理後の試料ホルダの位置を自動的にホームポジションに戻すことができ、試料室への導入を速やかに行なうことができる走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁

A plasma blocking means 12 formed of conductive and shape-memory member is provided to the processing chamber 1 side (inside) of the O ring 4 so as to restrain active seeds produced from plasma and processing gas from reaching the O ring 4, impurities are prevented from being discharged out or the O ring 4 is protected against deterioration, and a substrate 9 to be processed is protected against contamination.例文帳に追加

本発明は、復元性を有する形状の導電性部材からなるプラズマ遮断手段１２をＯリング４の処理チャンバー１側（内側）に設けて、プラズマ及び処理ガスにより生成された活性種がＯリング４へ到達することを遮断して、不純物の放出やＯリング４の劣化を防止すると共に、処理される被処理基板９への汚染を防止する。 - 特許庁

An exhaust control mechanism 19 is provided in which an inert gas is flowed to the exhaust side before an etching gas is introduced into the chamber 10 and before the etching gas is introduced, the damage removing unit 16 detects an exhaust pressure by the inert gas and starts a damage removing processing (exciting plasma).例文帳に追加

チャンバー１０内にエッチングガスが導入される以前に排気側に不活性ガスが流される排気制御機構１９が設けられ、エッチングガスが導入される前に不活性ガスにより除害処理装置１６で排気圧力を検出させ、除害処理（プラズマ励起）を作動させておく。 - 特許庁

A tendency for discontinuity to occur in the amount of power reflected back to the high-frequency bias source of a vacuum plasma processor is overcome by controlling the high-frequency bias source output power so that the power delivered to plasma 50 in a vacuum processing chamber remains substantially constant.例文帳に追加

真空プラズマ処理装置の高周波バイアス電源への反射電力量に不連続が起こる傾向を、高周波バイアス電源の出力電力を制御して、真空処理チャンバ内のプラズマ５０に供給される電力が実質的に一定になるようにして抑える。 - 特許庁

To enable to easily realize low oxide concentration in the atmosphere of a processing chamber, and to adequately heat treat especially an organic material of a coating film in a low permittivity (Low-k) interlayer insulating film formed on a substrate, which has been conventionally impossible to perform.例文帳に追加

半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率（Low-k）層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。 - 特許庁

Since reaction between the etching gas and the radical takes place on the surface of the substrate 15, and intermediate products of reaction between the etching gas and the radical react quickly on the etching object, the intermediate products are not discharged excessively from the processing chamber 12 and high etching efficiency is ensured.例文帳に追加

また、エッチングガスとラジカルとの反応は基板１５表面で起こるため、エッチングガスとラジカルとの反応により生成される中間生成物は速やかにエッチング対象物と反応するため、中間生成物が過剰に処理室１２から排気されることなく、エッチング効率が高い。 - 特許庁

The sample piece is collected by a removable sample piece probe 7, the sample piece probe 7 is mounted on an observation sample holder 10, then the observation sample holder 10 is extracted from a sample processing chamber 1 by an air lock mechanism, thereby the sample is generated simply and quickly.例文帳に追加

次に、脱着可能な試料片プローブ7によって試料片15を採取し、試料片プローブ7を観察用試料ホルダ10に移載した後、試料処理室1からエアーロック機構を用いて観察用試料ホルダ10を抜き取ることによって、簡便かつ迅速な試料作成を行なう。 - 特許庁

A workpiece 18 is processed with a plasma in a vacuum plasma processing chamber 10 by exciting the plasma at three or more frequencies 52, 54, and 56 such that the excitation of the plasma by the three or more frequencies simultaneously causes several different phenomena to occur in the plasma.例文帳に追加

３以上の周波数５２，５４，５６でプラズマを励起し、それによって、その前記３以上の周波数によるプラズマの励起がプラズマ中でいくつかの異なる現象を同時に発生させることにより、加工物１８が真空プラズマ処理チャンバ１０内のプラズマで処理される。 - 特許庁

The exhausted tool 12 made of quartz glass supplied from a user 10A is subjected to the regeneration treatment comprising removing impurities by remelting the tool by flame treatment at a high temperature not lower than a prescribed temperature in a flame processing chamber 30, and the regenerated tool 22 made of quartz glass is delivered to a user 10B as a product.例文帳に追加

ユーザー１０Ａから供給された消耗石英ガラス製冶工具１２を火炎加工室３０内で所定温度以上の高温の火炎処理にて再溶融して不純物を取り除く再生処理を行い、再生石英ガラス製冶工具２２の製品としてユーザー１０Ｂに納入される。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device and a method by preventing the inside gas from mixing in the mutual vacuum interior of a room so as not to pollute a mutual vacuum chamber, when a processed object is carried-in/out between two vacuums chambers divided with an opening and closing means.例文帳に追加

開閉手段で仕切られた２つの真空室間で被処理物を搬出入する際に、それぞれの真空室の内部のガスが互いの真空室内で混じり合うことを防止し、互いの真空室を汚染することのない真空処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

In a low-pressure cell and device for thermally processing steel parts, the cell includes a heating means, which is composed of a few radiation gas tubes distributed around the effective capacity of a hermetically sealed chamber, and a control means which is equipped with at least one pulse adjusting mode of the heating means.例文帳に追加

鋼鉄部品を熱処理するための低圧力セル及び装置において、該セルは、密閉したチャンバの有効な容積の周りに分布するいくつかの放射ガスチューブから成る加熱手段と、加熱手段の少なくとも一つのパルス調整モードを備える制御手段を含む。 - 特許庁

A control section controls operation of a first suction device 220 such that the pressure in the interruption space AT1 becomes highest by comparing the pressures in the chamber outer space CLS, the interruption space AT1 and the processing space AT2 obtained by pressure sensors p1, p2 and p3.例文帳に追加

制御部は、圧力センサｐ１，ｐ２，ｐ３により得られるチャンバ外部空間ＣＬＳ、遮断空間ＡＴ１および処理空間ＡＴ２の圧力を比較して、遮断空間ＡＴ１の圧力が最も高くなるように、第１の吸引装置２２０の動作を制御する。 - 特許庁

When the processing chamber 1 is closed and the wafer W on the stage 21 is heated to a temperature higher than a dew-point temperature of the solvent and lower than a boiling point, the solvent evaporates from the whole area of the solvent support 3 to form a saturated vapor atmosphere of the solvent between the wafer W and the solvent support 3.例文帳に追加

処理チャンバ１を閉じて、ステージ２１上のウエハＷを溶剤の露点温度よりも高く、沸点よりも低い温度に加熱すると、溶剤保持具３の全面から溶剤が蒸発し、ウエハＷと溶剤保持部３との間に溶剤の飽和蒸気雰囲気が形成される。 - 特許庁

A rotary coupler 32 to be turned by a motor is arranged in a processing chamber, there are fixed on it a spot type direct plasma electrode unit U11, a line type direct plasma electrode unit U12, a spot type remote plasma electrode unit U13, and a line type remote plasma electrode unit U14.例文帳に追加

処理室内にモータにて回動する回転カプラ３２を配置し、その回転カプラ３２にスポット型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１１、ライン型ダイレクトプラズマ電極ユニットＵ１２、スポット型リモートプラズマ電極ユニットＵ１３、ライン型リモートプラズマ電極ユニットＵ１４を固着した。 - 特許庁

A lower second conveyance path 71 continuous to a cutting processing section is arranged at an upper portion in a sheet roll containing chamber 6 and constituted of an upper surface guide panel 72, and lower guide panels 73 and 74 divided in two by the right side and the left side wherein the central part of the lower surface in the width direction is opened.例文帳に追加

カッティング処理部に連続する下側の第二搬送路71は、シートロール収容室6内の上部に配置されており、上面のガイドパネル72と、右側と左側とに二分割された下側のガイドパネル73，74とによって構成されていて、下面の幅方向の中央部は開放されている。 - 特許庁

A substrate processing system comprising a vacuum deposition process chamber 133 having an exhaust port 152 arrange to discharge one or more particle during a deposition cycle and a cleaning gas reactive species during a cleaning cycle, and an insitu particle monitor 190 coupled with the exhaust port 152 is employed.例文帳に追加

排気口１５２が堆積サイクルの間に１つ以上の粒子と洗浄サイクルの間に洗浄ガス反応種を排出するように構成された真空堆積プロセスチャンバ１３３と、排気口１５２に結合したインサイチュ粒子モニタ１９０とを含む基板処理システムを用いる。 - 特許庁

This device is made up of an interference light source part 10, a measuring part 20, and a signal processing part 30, and the measuring part 20 is provided with a hemispheric prism 21 made of Ge. an incident angle varying device 22, and a detector 23 for sensing totally reflected light from a surface of a sample, in a closed sample chamber.例文帳に追加

上記装置を干渉光源部１０、測定部２０及び信号処理部３０で構成し、測定部２０では、密閉した試料室内にＧｅからなる半球状プリズム２１と、入射角度可変装置２２と、サンプル表面からの全反射光を感知するディテクタ２３とを設ける。 - 特許庁

To ensure the smooth transfer operation of a substrate including a hollow telescopic member for isolating a space in a transfer chamber and the drive of a substrate transfer apparatus, in a substrate processing apparatus such that the deformation of the hollow telescopic member is prevented from being transmitted to the drive of the substrate transfer apparatus.例文帳に追加

基板処理装置に於いて、移載室内の空間と基板移載装置の駆動部とを隔離する中空伸縮材を有し、該中空伸縮材の変形が基板移載装置の駆動部に伝達されない様にし、基板の円滑な移載動作を保証するものである。 - 特許庁

This device is used for depositing magnetic material on a board 12, so as to form a magnetic film, where the device is equipped with a cleaning mechanism which cleans the film-forming surface and/or the rear of a board 12 in a cleaning processing chamber 13.例文帳に追加

基板１２の上に磁性材料を堆積し、磁性膜を形成する装置であり、磁性膜形成室１１で磁性膜を形成する前の段階等で、クリーニング処理室１３で基板１２の膜形成面と裏面の両方またはいずれか一方をクリーニングする機構を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus so that a position of a substrate can be accurately detected without obstruction by the upper electrode inside a chamber, and capable of effectively removing particles and deposits that are present not only on upper and lower edges and a side surface of the substrate but also on an entire backside of the substrate.例文帳に追加

チャンバー内部の上部電極の妨げなしに基板の位置を正確に知ることができ、また、基板の上下エッジ及び側面だけではなく基板の背面の全体に存在するパーチクルと堆積物を効率よく除去することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a plasma processing chamber 100 configured to generate a plasma includes a bottom electrode assembly which comprises an inner bottom electrode 131 configured to receive a substrate and an outer bottom electrode 133 disposed outside of the inner bottom electrode.例文帳に追加

一実施形態において、プラズマを生成するよう構成されたプラズマ処理チャンバ１００は、基板を受けるよう構成された内側下部電極１３１と、内側下部電極の外側に配置された外側下部電極１３３とを備えた下部電極アセンブリを備えている。 - 特許庁

A gas supply system for processing a semiconductor substrate includes a plurality of gas supplies 16, 18, and 20, a mixing manifold 30 in which gas from the plurality of gas supplies is mixed together, a plurality of gas supply lines 12 and 14 delivering the mixed gas to different zones in the chamber, and a control valve 34.例文帳に追加

半導体基板処理のためのガス供給システムであって、複数のガス供給部１６，１８，２０と、複数のガス供給部からのガスを混合する混合マニホールド３０と、混合ガスをチャンバー内の異なったゾーンへ送る複数のガス供給ライン１２，１４と、コントロールバルブ３４とを含む。 - 特許庁

When the system is used in clean environment, even if one transfer robot 4 gets out of order, the failed transfer robot 4 can be replaced while the other transfer robot 4 continues to perform transfer processing on the pieces of work W by separating the inside of the transfer chamber 2.例文帳に追加

クリーン環境下で使用する場合、一方の搬送用ロボット４が故障しても、搬送室２内を分離することにより、他方の搬送用ロボット４によるクリーン環境下でのワークＷの搬送処理を継続しつつ、故障した搬送用ロボット４の交換等を行うことができる。 - 特許庁

The microwave processing device can heat the heated objects having various shapes, various kinds, and various volumes at a desired state for a short period by controlling with the optimal heating conditions while the arrangement of the heated object is detected from the phase difference which minimizes reflective power returned from the heating chamber 8, and can efficiently operate at the same time.例文帳に追加

加熱室８から戻る反射電力を最小にする位相差より被加熱物の配置を検知して、最適な加熱条件で制御することで、さまざまな形状・種類・量の異なる被加熱物を短時間で所望の状態に加熱し、同時に効率よく動作させることができる。 - 特許庁

If accidental mixing of first, second and third chemical liquids may be caused in a processing chamber 2 in such a case that the supply of the first chemical liquid to the substrate is followed by the supply of the second chemical liquid, the valve is prohibited from being newly opened.例文帳に追加

そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。 - 特許庁

When a decision is made that the concentration of chemical contaminants measured by a contaminant concentration sensor 17 is not higher than a specified level, a controller 21 supplies clean air taken in from a clean room 10 to both a wafer processing chamber 11 and a clean air storage tank 19.例文帳に追加

制御装置２１は、汚染物質濃度センサ１７が測定した化学汚染物質の濃度が所定値以下であると判定すると、クリーンルーム１０から取り込んだ清浄な空気をウェハ処理室１１及び清浄空気貯留タンク１９の両方に供給する。 - 特許庁

High-frequency energy is given to a gas introduced into the processing chamber 2D by a gas inlet means 6 from a high-frequency power supply 71 through the intermediary of a matching device 72 to produce a plasma P, and the surface of a substrate 9 held by the substrate holder 5 located at a closing position is subjected to pre-process etching.例文帳に追加

ガス導入手段６が導入したガスに、基板ホルダー５と一体に移動する整合器７２を介して高周波電源７１から高周波エネルギーが与えられてプラズマＰが形成され、閉位置にある基板ホルダー５に保持された基板９の表面が前工程エッチング処理される。 - 特許庁

In another mode, the method includes a step for providing the liquid supply containing the liquid precursor, a step for delivering the liquid precursor to the ampoule, a step for vaporizing a portion of the liquid precursor in the ampoule, and a step for flowing the vaporized precursor to the processing chamber.例文帳に追加

他の態様においては、本方法は、液体前駆物質を含有する液体供給源を設けるステップと、該前駆物質をアンプルへ送るステップと、該液体前駆物質の一部をアンプル内で気化させるステップと、気化した前駆物質が処理チャンバへ流れるステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The method of manufacturing the carbon fiber is provided by which the carbon nanotube having high quality and few structural defects caused by carbon-based impurities is manufactured by controlling the partial pressure of acetylene gas in a vacuum processing chamber to ≤2,000 Pa thereby suppressing the formation of the carbon-based impurities.例文帳に追加

本カーボンファイバ製造方法は、真空処理室内におけるアセチレンガスの分圧を２０００Ｐａ以下に制御することで気中でのカーボン系不純物の生成を抑制して、このカーボン系不純物に起因した構造欠陥が少ない品質に優れたカーボンナノチューブを基板上で製造する。 - 特許庁

To achieve high selective etching which enables SiO_2 and Si to be etched simultaneously at very different etching rates in a state where plasma is efficiently generated, in an etching apparatus where a substrate as a processing target is etched with plasma extracted from a plasma generating chamber where the plasma is generated by a high-frequency induction field or the like.例文帳に追加

高周波誘導電場などによりプラズマ生成室で生成したプラズマを引き出して処理対象の基板をエッチングするドライエッチング装置において、効率よくプラズマが生成される状態で、ＳｉＯ_2／Ｓｉの高選択比エッチングが実現できるようにする。 - 特許庁

An SOI substrate 20 is placed on the projections 3b, etching gas is introduced into the processing chamber 2, high-frequency power is applied to the lower electrode 3 to generate plasma, and an oxide film is dry-etched, in a state in which the surface of the SOI substrate facing the lower electrode 3 is exposed to the plasma.例文帳に追加

そして、突出部３ｂ上にＳＯＩ基板２０を配置して、処理室２内にエッチングガスを導入すると共に、下部電極３に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、ＳＯＩ基板２０の下部電極３側の面もプラズマに曝した状態で、酸化膜をドライエッチングする。 - 特許庁

When the plurality of substrates W are immersed in the storage vessel 72 in replacement processing of deionized water by IPA, the vapor of the IPA is supplied from the exhaust nozzles 87 into the drying chamber 71, and a liquid film 80c of the IPA is formed on a liquid surface 80b of the deionized water 80a.例文帳に追加

ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。 - 特許庁

To provide a temperature measuring method and a measurement device, capable of precise measuring the surface temperature of an object to be measured and the like and of continuously supervising the measured temperature, concerning the thermometry of an object to be measured, such as a semiconductor wafer under the special environment in a processing chamber.例文帳に追加

処理チャンバ内等の特殊な環境下にある半導体ウェハー等の被測定物の温度測定に関し、被測定物の表面温度等の温度を正確に測定し、その測定温度を連続的に監視できる温度測定方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

A vacuum processing device generally constituted of an enclosure with a plurality of separated chambers formed inside, a gas distribution assembly arranged at each process chamber, a gas source connected to the plurality of separated chambers, and a power source device connected to each gas distribution assembly are provided.例文帳に追加

内部に形成された複数の分離された処理室を有するエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、複数の分離された処理室に接続されたガス源と、各ガス分配アセンブリに接続された電源とによって一般に構成される真空処理装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the image processing section 20 bakes picture patterns based on the image data on the slice of bread within the roasting chamber by mutually changing the temperature of each of the exothermic segments in the corresponding position according to the luminance values of the image data or by changing the distance of each of the exothermic segments from the slice of bread.例文帳に追加

さらに画像処理部２０は、その画像データの輝度値に応じて対応する位置における各発熱セグメントの温度を相互に異ならせ、又は各発熱セグメントのパン片との距離を異ならせることにより、焙焼室内のパン片に画像データに基づく画像パターンを焼き付ける。 - 特許庁

A standard mode wherein the attack time / recovery time suitable for recording a conversation, a conference, and comparatively quiet music (chamber music or the like) or the like is selected, and a music mode, wherein the attack time / recovery time suitable for recording music such as rock is selected, can selectively be set as to the AGC processing.例文帳に追加

ＡＧＣ処理に関して、会話、会議や比較的静かな音楽（室内楽等）などの録音に適したアタックタイム／リカバリタイムとされる標準モードと、ロック等の音楽の録音に適したアタックタイム／リカバリタイムとされる音楽モードとが選択的に設定できるようにする。 - 特許庁

After a thin film is formed on the filming surface of a wafer W and the wafer W is carried out from a processing chamber 2 by means of a carrying arm (not shown), a clamp 11 is lowered to a clamp heating position (III) and heated by touching a protrusion 30 formed on the lower surface of the clamp 11 onto a susceptor 9.例文帳に追加

ウエハＷの被成膜面に薄膜を形成し処理チャンバ２内から図示しない搬送アームで搬出した後、クランプ１１をクランプ加熱位置（ＩＩＩ）に下降させクランプ１１の下面に形成された接触突起３０をサセプタ９上に接触させてクランプ１１を加熱する。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus for manufacturing the organic EL device, a belt 53 is extended between a pair of rollers 54a and 54b in a substrate conveyance chamber 32 connecting fixed chambers 15b and 15d to each other, and a substrate mounting portion 51 is constituted integrally with the belt 53.例文帳に追加

有機ＥＬ装置などを製造するための基板処理装置において、固定チャンバ１５ｂ、１５ｄを接続する基板搬送室３２の内部には、一対のローラ５４ａ、５４ｂの間にベルト５３が張架され、かかるベルト５３には基板搭載部５１が一体に構成されている。 - 特許庁

For this plasma processor, an electrostatic chuck 108 is provided on a lower electrode 106 arranged inside the processing chamber 102 of an etching device 100, and a conductive inner side ring body 112a and an insulating outer side ring body 112b are arranged so as to surround the periphery of a wafer W mounted on a chuck surface.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内に配置された下部電極１０６上には，静電チャック１０８が設けられ，チャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように導電性の内側リング体１１２ａと絶縁性の外側リング体１１２ｂが配置される。 - 特許庁

The chamber 10 has an outlet 11 for the chemical liquid in a part of its inner bottom portion, and a filter member 20 having a larger filtering area than the outlet 11 is disposed between the outlet 11 and a processing position of a substrate S (i.e., a position of a carrying roller 16).例文帳に追加

チャンバ１０には、その内定部の一部に薬液の排出口１１が設けられ、さらに排出口１１と基板Ｓの処理位置（搬送ローラ１６の位置）との間の部分には、前記排出口１１よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材２０が配備されている。 - 特許庁