「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a reduced-pressure dryer capable of shortening the processing time by preventing the occurrence of a low temperature part which can cause the dew condensation formed on the inside of a chamber or the inside of exhaust pipe with a simple structure and control.例文帳に追加

簡易な構成および制御によって、チャンバ内部や排気管内部に結露の原因となり得る低温部が発生することを防止することにより処理時間を短縮することが可能な減圧乾燥装置を提供する。 - 特許庁

To surely prevent double feeding without breaking a paper money and to enable normal dispensing operation or reject processing by exactly determining the denomination of the paper money, even when the paper money is not carried straight from s storage chamber.例文帳に追加

紙幣を破くことなく、確実に重送を防止すると共に、紙幣が収納室からまっすぐに搬送されない場合でも、紙幣の種類を正確に判断して、正常な出金動作あるいはリジェクト処理を可能とする。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.例文帳に追加

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

A pressure gage 6 and a vacuum gage 7 measure the supply pressure value of a gas bomb 1-side and a pressure value in the vacuum processing chamber 2 of a semiconductor manufacture device in a state where a stop value 4 is opened and a stop valve 5 is closed.例文帳に追加

開閉弁４が開き開閉弁５が閉じた状態で、ガスボンベ１側の供給圧力値と半導体製造装置の真空処理室２内の圧力値をそれぞれ圧力計６及び真空計７により測定する。 - 特許庁

The end of etching can be stably detected without reducing the passing quantity of plasma light, even if a product produced by an etching reaction is deposited on the inside of the vacuum processing chamber, by detecting the plasma light passing through a base material layer 61.例文帳に追加

基体層６１を透過するプラズマ光を検出することによって、エッチング反応生成物が真空処理室１内に付着しても、プラズマ光の透過光量が低下すること無く、安定した終点検出を行なう。 - 特許庁

Yet another embodiment of the RF grounding apparatus comprises a plurality of low impedance flexible straps, which are electrically connected to the grounded chamber wall, and to one or more low impedance blocks, which make contacts with the substrate support during substrate processing.例文帳に追加

高周波接地装置の別の実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する複数の低インピーダンス可撓性ストラップを備える。 - 特許庁

Branch piping 18 is disposed which is branched from the upstream side of opening/closing valves 13d and 14d arranged near the entrance of the processing chamber 11 of a gas supply system supplying raw gas and is connected to exhaust piping 17.例文帳に追加

処理ガスを供給するガス供給系の処理室１１の入口近傍に設けられた開閉弁１３ｄ，１４ｄの上流側から分岐し、排気配管１７に接続された分岐配管１８が設けられている。 - 特許庁

When the semiconductor substrate 30 is carried into the semiconductor manufacturing apparatus or the semiconductor substrate 30 is treated in the treatment chamber 3, sticking of the foreign matters can be reduced, and a processing malfunction or sudden increase of the foreign matters can be restrained.例文帳に追加

半導体装置内での半導体基板３０の搬送時、若しくは処理チャンバー３内での半導体基板３０の処理時に異物付着を低減でき、加工不良や突発的に発生する異物増加を抑えることができる。 - 特許庁

To promote diffusion of evaporated fuel and prevent blowoff of the evaporated fuel to the atmosphere by disposing a flow regulation plate in an adsorption chamber for regulating a flow of the evaporated fuel in a canister for processing a gasoline vapor.例文帳に追加

ガソリンペーパを処理するキャニスタであって、蒸発燃料の流れを規制する整流板を吸着室に配することによって、蒸発燃料の拡散を促進すると共に、蒸発燃料の大気中への吹き抜けを防止する。 - 特許庁

A lower heating element 4 which heats the semiconductor wafer W arranged in the processing chamber 2 from below is not area-divided and forms a single lower heating zone 41, and a lower heater 6 is arranged in the lower heating zone 41.例文帳に追加

処理室２に配置された半導体ウエハＷを下方から加熱する下加熱体４には、当該加熱体４を領域分割することなく単一の下加熱ゾーン４１を形成し、下加熱ゾーン４１に下ヒータ６を配置する。 - 特許庁

To provide a carbonization treatment furnace capable of achieving heat source application control and save energy by making circulating use of combustion heat and waste heat in heat circulation standard cycle during furnace chamber preheating, waste heat, furnace temperature cooling, and raw processing carbonization material drying.例文帳に追加

炉室の予加熱時、排熱時、炉温冷却時、並びに生加工炭化素材乾燥時の熱循環基準サイクルにおいて、燃焼熱や排熱を循環利用し、熱源応用制御と省エネルギー化を計る炭化処理炉を提出する。 - 特許庁

To set an appropriate material load factor (member surface area/chamber volume) for various samples without processing the samples, and to enable collection of VOC by reproducing the dissipation speed of the VOC in a state close to a using aspect.例文帳に追加

試料を加工することなく、種々の試料に対し適切な材料負荷率（部材表面積／チャンバー容積）を設定でき、ＶＯＣの放散速度を使用態様に近い状態で再現してＶＯＣを捕集することを可能にする。 - 特許庁

A substrate W is immersed into the rinse liquid rC dissolving carbon dioxide stored in a processing tank 20 to clean the surface, and then the substrate W is pulled up into a chamber 10 under IPA gas atmosphere and dried.例文帳に追加

二酸化炭素溶解リンス液ｒＣを貯留した処理槽２０内に基板Ｗを浸漬して表面洗浄を行った後に、ＩＰＡガス雰囲気下におかれているチャンバ１０内に引き上げて基板Ｗを乾燥する。 - 特許庁

The film deposition apparatus 10 includes a processing chamber 12 for housing a substrate S, a stage 14 for holding the substrate S, and a vapor deposition head 18c having a plurality of nozzles 16c for blowing gas G containing a vapor deposition material onto the substrate S.例文帳に追加

成膜装置１０は、基板Ｓを収容する処理チャンバ１２と、基板Ｓを保持するステージ１４と、蒸着材料を含むガスＧを基板Ｓに噴き付ける複数のノズル１６ｃを有する蒸着ヘッド１８ｃとを備える。 - 特許庁

This constitution can constantly and stably supply the air whose oxygen concentration is controlled, into the processed foods 2a in the food processing chamber 2 and provide the processed foods with high dissolved oxygen concentration.例文帳に追加

これにより、酸素富化デバイス５を駆動することで、酸素濃度を調整した空気を常に安定して食品加工室２内の加工食品２ａ中に供給し、溶存酸素濃度の高い加工食品を得ることができるものである。 - 特許庁

A first pump element control circuit 56 controls a current-carrying voltage to a first pump element 3, and controls an oxygen partial pressure level in a first processing chamber 9 so that an output voltage of an oxygen concentration detection element becomes approximately constant.例文帳に追加

第一ポンプ素子制御回路５６は、第一ポンプ素子３に対する通電電圧を制御して、酸素濃度検出素子の出力電圧がほぼ一定となるように第一処理室内９の酸素分圧レベルを制御する。 - 特許庁

One embodiment of the RF grounding apparatus comprises one or more low impedance flexible curtains, which are electrically connected to the grounded chamber wall, and to one or more low impedance blocks, which make contacts with the substrate support during substrate processing.例文帳に追加

高周波接地装置の一実施形態は、接地されたチャンバ壁および１つ以上の低インピーダンスブロックに電気的に接続されることで、基板処理中、基板支持体と接触する１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える。 - 特許庁

A shield 46 in a PVD (physical vapor deposition) vacuum processing chamber 30 is constituted so that generation of particles due to peeling off from the shield 46 and from arcing between a biased target and surrounding grounded pieces is reduced or prevented.例文帳に追加

シールド４６からおよび、バイアスのかかったターゲットと周囲の接地部材との間のアークからの剥離による粒子の発生を低減または防止する構成を有する、ＰＶＤ真空プロセスチャンバ３０内のシールド４６を開示する。 - 特許庁

Interdigital grooves 19a for supporting upright many of the flat plate shaped lead frame members are formed to a lower electrode 19 for plasma production arranged in a processing chamber 17, and both sides of each groove 19a are opened.例文帳に追加

処理室１７内に配置されたプラズマ生成用の下部電極１９に、略平板状のリードフレーム部材を多数、起立保持するための櫛歯形状の溝１９ａを形成し、その溝１９ａの両側部は開口とする。 - 特許庁

To provide a microwave processing device source in which a plurality of power feed parts are installed, and based at least on reflected power information from each of the power feed parts, the operating frequency for supplying the generated power of a microwave generation means to a heating chamber at a high efficiency is selected.例文帳に追加

複数の給電部を設け、それぞれの給電部からの少なくとも反射電力情報に基づいて、マイクロ波発生手段の発生電力を高効率に加熱室に供給する動作周波数を選択する。 - 特許庁

This plasma apparatus includes particle removing electrodes 40 consisting of a negative voltage-applied conductor around a processing electrode 20 in a vacuum treatment chamber 10 of the plasma apparatus and a thin surface insulator for covering the surface of the conductor.例文帳に追加

プラズマ装置の真空処理室１０内の加工電極２０の周囲に、負の電圧が印加される導電体と、当該導電体の表面を覆う薄い表面絶縁物とからなるパーティクル除去電極４０を配置する。 - 特許庁

The plasma CVD apparatus 1 comprises a processing chamber 11, wherein a processed substrate 10 is set up, a gas supply 16a, a gas pressure controller 16b, and a plasma discharge generator 13 which is so arranged as to face the processed substrate 10.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１は、被処理基板１０が装入される処理室１１と、ガス供給部１６ａと、ガス圧調整部１６ｂと、被処理基板１０に対向位置するように設けられたプラズマ放電発生部１３とを有する。 - 特許庁

In the single-wafer processing apparatus, having an electrically insulative mount 3 for mounting a work w in a process chamber 2, the mount 3 has a conductive film 10 on the surface for relieving charged static electricity.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０を形成してなる。 - 特許庁

By performing Ar/H2 plasma processing before filming the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming, residual gases in a reaction chamber are removed and the concentration of impurity in the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming is reduced.例文帳に追加

３層連続成膜で、非晶質シリコン膜の成膜前にＡｒ／Ｈ_2プラズマ処理を行うことにより、反応室中の残留ガスを取り除き、３層連続成膜時の非晶質シリコン膜中の不純物濃度を減少させる。 - 特許庁

In this manner, the lens barrel is directly mounted to the observation target, and therefore, even the observation target that cannot be housed in the sample chamber of a conventional electron microscope can be observed as it is without processing it.例文帳に追加

こうして鏡筒を観察対象物に対し直接マウントすることで、従来では試料室に入りきらない観察対象物であっても加工を施すことなく現状状態そのままで観察を行うことができるようになる。 - 特許庁

In the process of removing the resist layer for the atmosphere of the gaseous mixture, the volume ratio (steam/ozone gas) of the steam to the ozone gas is 1 to 4 and the temperature inside the processing chamber is 95°C to 140°C.例文帳に追加

前記レジスト層を除去する工程において、前記混合気体の雰囲気は、前記オゾンガスに対する前記水蒸気の体積比（水蒸気／オゾンガス）が１ないし４であり、前記処理室内の温度は９５℃ないし１４０℃である。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus eliminating the problem of the generation of a gas from cables and capable of supplying power to a driving source in a vacuum chamber without adopting a complicate structure such as a movable cable duct.例文帳に追加

ケーブル類からのガスの発生の問題をなくし、また、可動性のケーブルダクト等の複雑な構造を採用することなく、真空室内の駆動源に電力を供給することができる真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus for semiconductor device including an infrared spectroscopic analyser exhibiting small analysis errors for measured values of gas concentration of an exhaust gas exhausted from a gas processing chamber, and a gas concentration analysis method using the apparatus.例文帳に追加

ガス処理チャンバーから排出される排出ガスのガス濃度の測定値に関して、分析誤差が少なくなる赤外分光分析装置含む半導体装置の製造装置及びそれを用いたガス濃度分析方法を提供する。 - 特許庁

To reduce electric charges on the surface of a substrate accompanying ion beam irradiation, without deteriorating the vacuum level in a beam line or a substrate processing chamber, by generating a large number of low energy electrons and utilizing them for neutralization.例文帳に追加

ビームラインや基板処理室の真空度悪化を惹き起こすことなく、低エネルギーの電子を大量に発生させてそれを中和に利用して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁

In a hybrid vehicle 10 where gasoline and alcohol are injected into an intake port 213 and a combustion chamber via a port injector 214 and a direct injector 219, respectively, an ECU 100 executes injection control processing.例文帳に追加

ポートインジェクタ２１４を介してガソリンが、また直噴インジェクタ２１９を介してアルコールが、夫々吸気ポート２１３及び燃焼室に噴射されるハイブリッド車両１０において、ＥＣＵ１００は噴射制御処理を実行する。 - 特許庁

NF_3 gas 33 supplied to the gas supply line 23 is activated by active gas 32 for which the mixed gas 31 of H_2 and N_2 is activated by a plasma 24 and supplied to a processing chamber 12 as natural oxide film removing gas 34.例文帳に追加

ガス導入管２３に供給されたＮＦ_3 ガス３３はＨ_2 とＮ_2 の混合ガス３１がプラズマ２４で活性化された活性ガス３２で活性化されて自然酸化膜除去ガス３４として処理室１２に供給される。 - 特許庁

When the wafer W is placed on the cooling plate 60 and cooled, the cover 66 is moved down to form a processing chamber S, and the cover 66 at the low temperature is brought near to the wafer W to facilitate the cooling of the wafer W.例文帳に追加

ウェハＷが冷却板６０上に載置され，冷却される際に，蓋体６６を下降させて，処理室Ｓを形成すると共に，低温の蓋体６０をウェハＷに近づけて，ウェハＷの冷却を促進させる。 - 特許庁

Furthermore, the inflow of air from the outside can be suppressed when the vacuum pump P1 is abnormally stopped and so on, and thereby a necessary countermeasure such as the maintenance of a work in processing can be taken before air pressure in the process chamber P is raised.例文帳に追加

又、排気ポンプＰ１が異常停止したときなど、外部からの大気の流入を抑制することができるので、プロセス室Ｐの気圧が上昇する前に、処理中のワークの保全などの必要な措置を講ずることができる。 - 特許庁

To provide a workpiece releasing method which not only unnecessitates double releasing sheets but also can certainly and quickly perform the releasing of the workpiece from the upper chamber after the heat processing is conducted, and to provide a mechanism to execute the method.例文帳に追加

二重の剥離シートが不要であるのみならず、加熱加工が実施された後のワークと上チャンバとの剥離を確実かつ速やかに行うことができるワーク剥離方法と、この方法を実施するための機構を提供すること。 - 特許庁

In this apparatus, when the low-pressure arc discharge 5 is caused between a target 1 and a striker 4, plasma 11 is generated and is made to irradiate the surface of a treated substrate 7 inside a processing chamber 6 through a first magnetic field duct 14 and a second magnetic field duct 15.例文帳に追加

ターゲット１とストライカ４との間で低圧アーク放電５が行なわれると、プラズマ１１が発生し、第１の磁場ダクト１４，第２の磁場ダクト１５内を通って処理室６内の被処理基板７の表面に照射される。 - 特許庁

An amorphous processing chamber consists of a container 1, a specimen table 2 provided in the container 1, a window 3 provided oppositely to the table 2, and five Xe lamps 4 as an ultraviolet light source opposite to the table 2 across the window 3.例文帳に追加

非晶質処理室は、容器１と、容器１内に設けられた試料台２と、試料台２と対向して設けられた窓３と、窓３を挟んで試料台２に対向した紫外線光源としての５本のＸｅランプ４とからなる。 - 特許庁

In the security system 10, joints 11a, 12a, 13a of fluid pipes 11, 12, 13 constituting food processing or manufacturing facilities are disposed in a joint chamber 15 isolated by a partition wall 14.例文帳に追加

セキュリティシステム１０においては、食品の加工設備や製造設備を構成する流体配管１１，１２，１３に設けられた継手１１ａ，１２ａ，１３ａが、隔壁１４によって周囲から隔離された継手室１５内に配置されている。 - 特許庁

Impulse wave is generated by introducing the gas for processing timely and intermittently into the plasma producing chamber 1 from the gas introducing unit 101 to remove the reaction product stagnated on the surface of the workpiece 6 by the impulse wave.例文帳に追加

ガス導入部１０１からプラズマ生成室１内に時間的に間欠的に加工用ガスを導入することによって衝撃波を発生させ、この衝撃波によって被加工物６表面に滞留する反応生成物を除去する。 - 特許庁

In the vacuum processing system 11 comprising first and second vacuum chambers 13, 15 independently, a cup-like structure 33 is provided upside down in the second vacuum chamber while surrounding the surface 27a of a substrate 27 to be treated.例文帳に追加

この互いに独立した第１及び第２真空室１３及び１５を具える真空処理装置１１では、第２真空室内に、椀を伏せた状態に基板２７の被処理面２７ａを囲い込む椀状構造体３３を有している。 - 特許庁

To provide a method and device for eliminating the conventional drawback of a chemical vapor deposition that a vaporized metal film is deposited on an insulating member in a processing chamber to degrade insulation to reduce instability of the plasma.例文帳に追加

化学蒸着において、処理室内部の絶縁部材に蒸着金属のフィルムが蒸着して絶縁性を悪化し、プラズマのあって性を低下させるという従来の欠点を解消する方法および装置を提供する。 - 特許庁

After the saturation steam pressure (P), the saturation temperature (t) and the temperature (T) in the processing chamber 19 are settled at specified levels (H2), annealing work is started while sustaining the saturation temperature (t) and the saturation steam pressure (P) at constant levels.例文帳に追加

次に、飽和蒸気圧力（Ｐ）と、飽和温度（ｔ）と、処理室１９内の温度（Ｔ）と、が所定の値になった後（Ｈ２）に、飽和温度（ｔ）と、飽和蒸気圧力（Ｐ）と、を一定の値に維持しながらアニール処理作業に入る。 - 特許庁

When a stand-by time is completed and ignition of the plasma is completed, the control part 85 opens the opening/closing valve 73 of the gas transport part 70 and closes the opening/closing valve 84 of the bypass part 80, and the gas passage is on a vacuum processing chamber 30 side.例文帳に追加

待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。 - 特許庁

A calculating and processing unit 4 calculates and displays the free residual chlorine contained in test water in the measurement chamber based on the oxidizing or reducing current detected in the electrode unit 2 and the flow rate signal outputted from the flow rate sensor 3.例文帳に追加

演算処理ユニット４は、電極ユニット２で検出された酸化・還元電流と流量センサ３から出力される流量信号とに基づいて測定室内の検水に含まれる遊離残留塩素を算出し、表示する。 - 特許庁

The body M of a machine tool is surrounded by a cover 47 to constitute a machine body chamber 57, which is furnished internally with a splash guard 21 to surround the processing region of the machine tool body M for preventing the chips from splashing.例文帳に追加

工作機械本体Ｍをカバー４７で取り囲み、機械本体室５７を構成し、この機械本体室５７内に、工作機械本体Ｍの加工領域を取り囲み切屑の飛散を防止するスプラッシュガード２１を設ける。 - 特許庁

After a Ti film 6 is formed on the semiconductor wafer 1, a first film-forming gas containing TiCl4 and NH3 as a main component is introduced into a processing chamber, a first TiN film 7 is formed on the Ti film by a thermal CVD method.例文帳に追加

半導体ウェハ１上にＴｉ膜６を成膜した後、処理チャンバ内にＴｉＣｌ_4とＮＨ_3を主成分とする第１の成膜ガスを導入し、Ｔｉ膜上に第１のＴｉＮ膜７を熱ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁