「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

This includes flowing a halogen precursor from a halogen-precursor source to a substrate processing chamber, forming a high-density plasma from the halogen precursor, and terminating flowing the halogen precursor after the portion has been etched back.例文帳に追加

これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。 - 特許庁

The movable ground ring 400 is configured to fit around a fixed ground ring 340 of the movable substrate support assembly 310 in capacitively-coupled plasma processing chamber 300 having an adjustable gap to provide an RF return path to the fixed ground ring 340.例文帳に追加

可動接地リング４００は、ギャップ調節可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００において、可動基板支持アセンブリ３１０の固定接地リング３４０の周囲に嵌合され、固定接地リング３４０に対するＲＦリターンパスを提供する。 - 特許庁

To perform film deposition processing with high in-plane uniformity in an ALD in which a plurality of semiconductor wafers are arranged along the circumferential direction of a table in a vacuum chamber and two reactant gases are sequentially supplied to the surface of the substrates for film deposition.例文帳に追加

真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。 - 特許庁

In an arithmetic processing circuit of a frequency matching unit, relationship data between supply power and a plasma resonance frequency and relationship data between the electric property of a vacuum chamber and an oscillation frequency on a power supply side are previously stored by utilizing a storage part.例文帳に追加

周波数整合器の演算処理回路には、記憶部を利用し、供給電力とプラズマの共振周波数の関係データ、および、真空チャンバーの電気的特性と電源側の発振周波数の関係データが予め記憶される。 - 特許庁

The substrate processing system 1 is provided with a process module 2 to apply plasma to a wafer W, an atmosphere conveyance apparatus 3 to take out a wafer W from a hoop 5, and a load lock module 4 as an intermediate conveyance chamber to ship in/out the wafer W.例文帳に追加

基板処理システム１は、ウエハＷにプラズマ処理を施すプロセスモジュール２と、フープ５からウエハＷを取り出す大気系搬送装置３と、ウエハＷを搬出入する中間搬送室としてのロード・ロックモジュール４とを備える。 - 特許庁

In a processing chamber 1 including a lid 12 and a base substance 11, a wafer W is loaded on a stage 21 provided in the base substance 11 and a solvent support 3 is provided so as to face the wafer W, in which a solvent is absorbed.例文帳に追加

蓋体１２と基体１１とにより構成された処理チャンバ１内において、前記基体１１に設けられたステージ２１にウエハＷを載置し、このウエハＷと対向するように、溶剤が吸収された溶剤保持具３を設ける。 - 特許庁

In a processing system and a method for chemical treatment of a substrate, the system comprises: a chemical treatment chamber placed under temperature control; and a substrate holder for supporting the substrate placed under the temperature control independent of the chemical treatment.例文帳に追加

化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。 - 特許庁

The plasma processing device guides the microwaves M transmited inside a wave guide 3 from first and second slot antennas provided to a magnetic field surface H, forms a surface wave S, produces surface wave excitated plasma P by exciting process gas inside a chamber 4 by the surface wave S and processes a processing object by the plasma P.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、導波管２内を伝播するマイクロ波Ｍを磁界面Ｈに設けられた第１および第２のスロットアンテナからマイクロ波導入窓３に導き、表面波Ｓを形成し、表面波Ｓによってチャンバー４内のプロセスガスを励起して表面波励起プラズマＰを生成し、このプラズマＰにより被処理物を処理する。 - 特許庁

A liquid processing apparatus 10 includes: a processing chamber 20 where a substrate holding part 21 holding a substrate W and a cup 40 disposed around the substrate holding part 21 are provided; a nozzle 82a for supplying a fluid to the substrate W held by the substrate holding part 21; and a nozzle support arm 82 for supporting the nozzle 82a.例文帳に追加

液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および当該基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４０が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２とを備えている。 - 特許庁

A nitrogen-containing chromium film is deposited on a base material 20 via a chromium film by performing the sputtering by using a chromium target for a target 22 in a vacuum processing chamber 12 of a processing apparatus 10, and then, sputtering is performed by using a carbon target for the target 22 to deposit a DLC film on the nitrogen-containing chromium film.例文帳に追加

処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成した後、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

To maintain very stable and accurate carrying property for a long time by improving the mechanical durability of the rubber roller of a pair of nip rollers provided in the respective processing tanks and a stabilizing treatment chamber of an automatic developing machine, and to stably obtain a high-quality print by attaching the rubber roller to the respective processing parts of the automatic developing machine.例文帳に追加

自動現像機の各処理槽や安定化処理室に設けた、ニップローラ対のゴムローラの機械的耐久性を向上させて十分安定した正確な搬送性が長時間維持できるようにし、また、前記ゴムローラを自動現像機の各処理部に装着することによって高品質のプリントが安定して得られるようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus provided with a transmission line for transmitting high frequency power of large power which is stably phase controlled for an electrode installed in a vacuum chamber, especially to carry out a film manufacturing process for a large area substrate using plasma, and to provide a high frequency power supplying method in the vacuum processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、特にプラズマを用いて大面積基板に対して製膜処理を行うために真空室内部に設置される電極に対して安定的に位相制御された大電力の高周波電力を伝送する伝送線路を備えた真空処理装置、真空処理装置における高周波電力供給方法を提供することである。 - 特許庁

The reticle handler of the lithography interchanges the reticle to be exposed as specified by the user of the lithography tool and includes a vacuum compatible robot, a vacuum chamber for housing the robot, a load rock which loads the reticle and transfers the reticle from an atmospheric pressure to a vacuum, a processing station for processing the reticle, and a reticle library to accumulate at least one exterior reticle.例文帳に追加

リソグラフィツールの、レチクルハンドラーは、リソグラフィツールのユーザによって規定されたように露光されるレチクルを交換し、真空コンパチブルロボット、ロボットをハウジングする真空室、レチクルを入力して、レチクルを大気圧から真空に搬送するロードロック、レチクルをプロセッシングするプロセッシングステーション、少なくとも１つの外部レチクルを蓄積するためのレチクルライブラリを含む。 - 特許庁

A processing apparatus 1 includes an ozone decomposition device 22 that controls the ozone concentration of an ozone containing gas with ozone concentration of 80 vol% or more, which is supplied to a high temperature processing chamber 24 from an ozone supply device 21 through an ozone supply line 11 at a constant flow rate, by controlling the supply of an ozone decomposition factor to the ozone containing gas.例文帳に追加

プロセス装置１はオゾン供給装置２１からオゾン濃度８０ｖｏｌ％以上のオゾン含有ガスが一定の流量で高温処理チャンバ２４に供されるオゾン供給ライン１１に前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置２２を備える。 - 特許庁

By contriving the structure of a flow rate control valve for adjusting adjust a gas flow rate installed at the upper part of the turbo molecular pump of the processing chamber of the vacuum processing device, the particulates are prevented from flowing back.例文帳に追加

真空処理装置の処理室のターボ分子ポンプの上部に設置されているガス流量を調節するために流量制御弁の構造を工夫することにより、微粒子が逆流するのを防止するようにすることで跳ね返り異物の低減ができ、かつ衝立を別途設置した場合の新たな異物発生源や新たな衝立部の清掃などの課題の解決が可能となる。 - 特許庁

To realize a plasma processing device which has a high selective ratio and is capable of carrying out fine processing, by a method wherein a plasma generating means that generates plasma through a capacitive coupling discharge and a means which radiates electromagnetic waves into a plasma generating chamber are provided.例文帳に追加

本発明は容量結合放電プラズマと、高周波による電磁波放射によるプラズマの複合放電により、プラズマ中の電子のエネルギレベルをプラズマ発生とは独立に制御し、目的とする活性種を目的とする量、生成することでより高性能なプラズマ処理を実現するとともに、電磁波放射、磁場を制御し大口径基板を均一に処理するものである。 - 特許庁

Since an interface surface 28a joined to a joining flange 27a of the breather chamber body 27 and a joining flange 28b joined to an inner surface of the head cover 13 are formed on the plate-like cover plate 28, processing cost can be further reduced by applying processing (such as the formation of a welding rib) to be joined to its cover plate 28 side.例文帳に追加

また板状のカバープレート２８に、ブリーザチャンバ本体２７の接合フランジ２７ａ接合される接合面２８ａと、ヘッドカバー１３の内面に接合される接合フランジ２８ｂとを形成したので、そのカバープレート２８側に接合のための加工（溶着リブの形成等）を施すことで、加工コストを更に削減することができる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device constituted of an enclosure with a plurality of separated chambers formed inside, a gas distribution assembly arranged at each process chamber, a gas source connected to the separated chambers, and a power source device connected to each gas distribution assembly.例文帳に追加

複数の分離されたチャンバが内部に形成されたエンクロージャと、各処理室に配置されたガス分配アセンブリと、分離チャンバに接続されたガス源、および各ガス分配アセンブリに接続された電源装置によって構成される真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A processing gas is introduced into the vacuum chamber 10, plasma is generated by an electric field between the RF electrode 30 and the grounding electrode 12, and the translucent member 22 charged to a negative auto-bias potential Vf is cleaned by ions in the plasma.例文帳に追加

真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 - 特許庁

A vacuum evacuation device 94 such as a vacuum pump is connected to a downstream side of an exhaust pipe 86 opposite to a connection side for a manifold through a gas cooling body 90 which cools gas exhausted from a processing chamber and a pressure control unit 92.例文帳に追加

排気管８６のマニホールドとの接続側と反対側である下流側には、処理室から排気されたガスを冷却するガス冷却体９０および圧力調整装置９２を介して真空ポンプ等の真空排気装置９４が接続されている。 - 特許庁

The oil mist amount measuring device 50 includes a pressure sensor 60 that detects a pressure in the crank chamber 13 housing the crankshaft 16 of an engine body 10, and a signal processing circuit 70 that processes an output signal of the pressure sensor 60.例文帳に追加

オイルミスト量計測装置５０は、エンジン本体１０のクランクシャフト１６を収容するクランク室１３内の圧力を検出する圧力センサ６０と、圧力センサ６０の出力信号に対する信号処理を行う信号処理回路７０とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion beam irradiation device capable of uniformly irradiating ion beams to the whole surface of a large-scaled substrate and restraining upsizing of an ion beam supply device and upsizing of a processing chamber while making a dimension of the ion beam smaller than a dimension of the substrate.例文帳に追加

大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。 - 特許庁

This processing system comprises a batch type thermal decomposition furnace 1 for thermally decomposing the discarded automobile 10 to separate a thermal decomposition gas and a thermal decomposition residue 11, and a cooling chamber 7 formed separately from the thermal decomposition furnace 1 and cooling the thermal decomposition residue 11 generated in the thermal decomposition furnace 1.例文帳に追加

廃自動車１０を熱分解して熱分解ガスと熱分解残さ１１とに分離するバッチ式の熱分解炉１と、熱分解炉１と別体に設けられ、熱分解炉１で生じた熱分解残さ１１を冷却する冷却室７とを備えている。 - 特許庁

To provide an inexpensive expansion valve, and a refrigerating unit using this expansion valve, by forming a muffling chamber before and after an orifice part without largely increasing processing manhours and the number of part items in a body itself of the expansion valve.例文帳に追加

膨張弁の本体自体の大幅な加工工数の増加や、部品点数の増加を招くことなく絞り部の前後に消音室を形成することにより安価な膨張弁を提供すること、及び、この膨張弁を用いた冷凍装置を提供すること。 - 特許庁

At the time of drying, the residue of food processing is thrown into the inner space of the rotary drum 11, and hot air is circulated along a hot air supply chamber 30, the ventilation path 35, the inner space of the rotary drum 11 and a hot air exit 31 in order while rotating the rotary drum 11.例文帳に追加

乾燥時には、回転ドラム１１の内部空間に食品加工残渣を投入し、回転ドラム１１を回転させつつ、熱風を、熱風供給室３０→通風経路３５→回転ドラム１１の内部空間→熱風出口３１に沿い流通させる。 - 特許庁

Each of a plurality of liquid materials is supplied in the equal flow rate, thereby mixing the liquid materials in a mixing ratio to provide the required predetermined ratio for the process in the amount of substances of a plurality of materials to be supplied to a processing chamber 22 per unit time.例文帳に追加

複数の液体材料の各々は、等しい流量で供給されることにより、単位時間当たりに処理室２２に供給する複数の材料の物質量が処理に要求される所定の比率となるような混合比で混合される。 - 特許庁

The feed machine, the take-up machine and the processing part are disposed in interiors of vacuum chambers having openings capable of passing the film 10, and the opening has the gate valve 18 capable of sealing the vacuum chamber by carrying out sealing while clamping the film 10.例文帳に追加

巻き出し機、巻き取り機、及び、処理部は、フィルム１０が通過することが可能な開口部を有する真空室の内部に配置され、開口部には、フィルム１０を挟みながら封止することにより真空室を密封可能とするゲートバルブ１８を有する。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus 1 includes: two process chambers PC1, PC2 and three load-lock chambers LL1, LL2, LL3 which are alternately connected in series; and a transferring device which transfers a plurality of carriers, only between the process chamber PC1(PC2) and the load-lock chambers LL1(LL2, LL3) which are adjacent to each other.例文帳に追加

真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。 - 特許庁

When a high frequency power is supplied to a lower electrode 104 for plasma generation after the internal pressure of the chamber 104 reaches the initial pressure, the pressure dropped after the plasma generation becomes substantially equal to the processing pressure, and thus stable plasma can be realized.例文帳に追加

処理室１０４内圧力が初期圧力値に達した後，下部電極１０４に高周波電力を印加してプラズマを生成すれば，プラズマ生成後に低下した圧力と処理圧力とが実質的に同一になり，安定したプラズマが生成される。 - 特許庁

A processing chamber 2, which is installed inside a vertical heater 1 and stores a workpiece 20, is built up of separable two side plates 2a and 2a and two side plates 2b and 2b, and one rectangular top plate 2c, each made of quartz glass, high heat-resisting glass ceramic, or the like.例文帳に追加

縦型ヒータ１内に配置されて被処理物２０を収納するプロセスチャンバ２を、石英ガラス板又は高耐熱結晶化ガラス等を素材とする各２枚の側面板２ａ，２ａ及び２ｂ，２ｂと１枚の長方形の天板２ｃとに分割して構成した。 - 特許庁

To provide a method and a device for monitoring an etching capable of detecting the correct end of etching of a product substrate without reducing the quantity of light of a light emitting spectrum of plasma, even if deposits are produced in a vacuum processing chamber by etching.例文帳に追加

エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なエッチングモニター方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 11 manufacturing the organic electroluminescent device includes a plurality of fixed chambers 15a-15f adjusted to have atmospheres different from the air, and a substrate conveying chamber 14 conveying a substrate 1 to be processed to the plurality of fixed chambers 15a-15f.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス装置などを製造するための基板処理装置１１は、大気と異なる雰囲気に調整された複数の固定チャンバ１５ａ〜１５ｆと、複数の固定チャンバ１５ａ〜１５ｆに被処理基板１の搬送を行う基板搬送室１４とを有している。 - 特許庁

To enable transfer of a wafer to a boat, without being restricted by the accuracy of a wafer transfer device and a ring-shaped plate, and to prevent the wafer temperature stabilization from becoming affected by the increase in heat capacity, after inserting a boat which holds the wafer into a processing chamber.例文帳に追加

ウェハ移載機の移載精度やリング状プレートの制約を受けずにボートに対してウェハ移載が行え、ウェハを保持したボートを処理室へ挿入した後ウェハ温度を安定化する際にリング状プレートによる熱容量アップの影響を受けないようにする。 - 特許庁

When an adhesive sheet with a release paper entering the second conveyance path 71 from the cutting processing section causes jamming, the jammed adhesive sheet with a release paper is removed from between the guide panels 73 and 74 on the underside of the second conveyance path 71 by putting a hand in the sheet roll containing chamber 6.例文帳に追加

カッティング処理部から第二搬送路71内へ進入した剥離紙付粘着シートが詰まった場合は、シートロール収容室6の内部へ手を入れて第二搬送路71の下側のガイドパネル73，74の間から詰まった剥離紙付粘着シートを除去することができる。 - 特許庁

When saturated steam, remaining air and water drops or the like which invade to a part between the recessed part 8 and the packing 7 are heated during the sterilizing processing and expanded after changing into steam, the steam is discharged to the chamber through the notched grooves 10 by way of the ring shape groove 9.例文帳に追加

前記凹部８とパッキン７との間に浸入した飽和蒸気や残留空気，水滴等が滅菌処理中に加熱されて蒸気となり膨張した場合、その蒸気は前記環状溝９を経て切込み溝１０を通ってチャンバ内に放出される。 - 特許庁

A support member 26 is formed into nearly a cylinder, its upper edge is hermetically jointed to the rear of a mounting pad 24 in a solid state bonding manner, and its lower edge is hermetically joined to the base plate 10b of a processing chamber 10 through the intermediary of a lower cooling jacket 90 and O-rings 92 and 96.例文帳に追加

支持部材26は、略円筒状の形体を有し、その上端部にて載置台24の裏面に固相接合により気密に接合し、その下端部にて下部冷却ジャケット90およびＯリング92、96を介して処理室10の底板部10ｂに気密に接続されている。 - 特許庁

An integrated circuit device 64 for processing a signal from the CCD image sensor 20 is attached to one end 57a of a second thermal conductor 57 through an insulating sheet 69, and the other end 57b of the second thermal conductor 57 is exposed to the inside of a battery housing chamber 55.例文帳に追加

ＣＣＤイメージセンサ２０からの信号を処理する集積回路装置６４は絶縁シート６９を介して第２熱伝導体５７の一端５７ａに取り付けられ、第２熱伝導体５７の他端５７ｂはバッテリ収容室５５内に露呈している。 - 特許庁

This method comprises a first process where three semiconductor substrates 1 or less are introduced into a processing chamber 3, a second process where the semiconductor substrates 1 are heated up to a prescribed temperature, and a third process where a natural oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate 1 is completely removed in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

３枚以下の半導体基板１を処理室３に設置する工程と、半導体基板１を所定の温度に加熱する工程と、所定の温度の水素雰囲気中で半導体基板１の表面の自然酸化膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To convey card media to an information processing means by means of a simple conveyance system even when a plurality of storage parts for storing card media in an accumulated state are disposed, and recover a card medium left at a ticket outlet to a recovery chamber by means of a simple guide structure.例文帳に追加

カード媒体を集積状態で収納する収納部を複数配置しても、カード媒体を簡単な搬送系で情報処理手段に搬送でき、しかも、発券口に放置されたカード媒体を簡単なガイド構成で回収庫へ回収できるようにする。 - 特許庁

In a system performing plasma processing by exciting plasma in an enclosed vacuum chamber, beveling amount at the corner part of a lower electrode for mounting a substrate being processed is set higher than that at the corner part of the substrate being processed.例文帳に追加

密閉された真空槽内にプラズマを励起させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板を載置する下部電極の角部の面取り量が前記被処理基板の角部の面取り量よりも大きくなるように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

Since a part of exhaust gas is circulated to the processing chamber 11 through the circulation passage 17, effective radicals contained in the exhaust gas can be used for treating the article 13 and the treatment speed is enhanced as compared with a case where the exhaust gas is not circulated.例文帳に追加

還流経路１７を通して処理室１１へと排出ガスの一部を還流させることにより、排出ガス中に含まれている有効ラジカルを、被処理物１３の処理に使用することができ、還流を行わない場合に比べて、処理速度が向上する。 - 特許庁

In the chemical vapor deposition method, a dielectric material is formed in a trench formed on a substrate, where the method includes a step of generating water vapor by bringing hydrogen gas and oxygen gas into contact with a water vapor generation catalyst, and providing the water vapor to a processing chamber.例文帳に追加

基板上に形成されたトレンチ内に誘電体材料を形成する化学気相堆積法であって、水素ガス及び酸素ガスを水蒸気生成触媒と接触させることにより水蒸気を生成して、水蒸気を処理チャンバに提供するステップを含む。 - 特許庁

The substrate carrying mechanism 6 has a storage case partitioned from the first processing chamber 3 by a partitioning valve 63 and a substrate supporting arm 68 moving between the first and second treatment chambers 3, 4 is provided in the storage case 60.例文帳に追加

基板搬送機構６は、仕切りバルブ６３によって第１の処理室３に対して仕切られるように構成された収容ケース６０を有し、この収容ケース６０内に、第１及び第２の処理室３、４の間を移動可能な基板支持アーム６８が設けられている。 - 特許庁

The tracking regulator directs hydraulic fluid from the piston pressure chamber to the source of pressurized hydraulic fluid when the tracking regulator detects a drop in the pressure of the process fluid flow, and the tracking regulator directs additional hydraulic fluid from the source of pressurized hydraulic fluid to the piston pressure chamber of the processing column when the tracking regulator detects an increase in the pressure of the process fluid flow, thereby regulating the set bed pressure.例文帳に追加

追跡調整器は、処理流体流れの圧力の降下を検出すると、ピストン圧力室からの水圧流体を、加圧された水圧流体の供給源へ向かわせ、処理流体流れの圧力の上昇を検出すると、加圧された水圧流体の供給源からの追加の水圧流体をピストン圧力室に向かわせることにより、基材床の圧力を調節する。 - 特許庁