「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

The existence of the trouble state is judged by subjecting electromagnetic wave emission radiated by plasma discharge upon a plasma emission processing in a reaction chamber to photoelectric conversion to obtain a voltage value 31, and comparing this voltage value 31 with a predetermined non-changing fixed value Th1 along a time axis.例文帳に追加

反応室内でのプラズマ発光処理時にプラズマ放電により発生する電磁波発光を光電変換して電圧値３１を取得し、この電圧値３１を時間軸に沿って非変化の所定の固定値Ｔｈ１と大小比較するなどして、異常状態の有無を判断する。 - 特許庁

For performing maintenance work for the thermal processing apparatus 1, the translucent board is removed from the chamber body 6, and the holding section 7 is elevated by the holding section elevator 4 to a level where the lower surface 77 of the holding section 7 is higher than the upper surface 69 of the edge of the upper opening 60.例文帳に追加

熱処理装置１のメンテナンスを行う際には、透光板がチャンバ本体６から取り外された後、保持部昇降機構４により保持部７が上昇し、保持部７の下面７７が上部開口６０のエッジの上面６９よりも高い位置へと移動される。 - 特許庁

Upon determination that the substrate S is stagnating at the position of the opening 15 based on the detection of the transport state of the substrate S by the detection mechanism 7, the controller 60 operates the outflow prevention device 20 in order to prevent the developing solution from leaking out from the development processing chamber 121 along the surface of the substrate S.例文帳に追加

コントローラ６０は、検出機構７による基板Ｓの搬送状態の検出に基づき基板Ｓが開口部１５の位置で停滞していると判断した場合には、基板Ｓを伝って現像液が処理室１２１から漏出するのを防止すべく流出阻止装置２０を作動させる。 - 特許庁

A cleaning device which cleans the flexible substrate 9 before an IC chip is mounted on the substrate 9 is provided with a chamber 12 in which plasma is generated and a gas intake pipe 125 which supplies processing gas containing one or more kinds of water vapor, alcohol vapor, and fluorocarbon-based gas.例文帳に追加

可撓性を有する基板９にＩＣチップを実装する前に、基板９の洗浄を行う洗浄装置において、プラズマを発生させるチャンバ１２と、水蒸気、アルコール蒸気およびフロロカーボン系ガスのうち１種類以上のガスを含む処理ガスを供給するガス導入管１２５を設ける。 - 特許庁

The modem part 32 is provided with a bi-directional filter 41; a demodulation part 42 for demodulating the control instruction; a modulation part 43 for modulating a reply signal corresponding to the control instruction; a CPU 44 for performing camera control and reply processing corresponding to the control instruction from the monitor chamber; and a serial I/F 48.例文帳に追加

モデム部３２は、双方向フィルタ４１、制御命令を復調する復調部４２、制御命令に対する応答信号を変調する変調部４３、監視室からの制御命令に応じたカメラ制御及び応答処理を行なうＣＰＵ４４、シリアルＩ／Ｆ４８を備えている。 - 特許庁

To improve the slag taking-out apparatus for a waste melt processing furnace, for taking out molten slag generated by heat melting to be processed inside a main chamber, to enable to take out slag particles which are usable as the replacement of cement aggregate requiring no re-crushing and having enough strength.例文帳に追加

主室２内で被処理物を加熱溶融して、生成した溶融スラグＭｓを取り出す廃棄物溶融処理炉１のスラグ取出装置１０を、再粉砕の必要がなく、しかも、十分な強度を有して、セメント骨材の代替品としても使用可能なスラグ粒子Ｇｓを取り出し得るようにする。 - 特許庁

During a process, in which the boat unit 300 holding the wafers is transferred into the processing chamber 201, the ring unit 400 is scooped up at the boat unit 300 and integrated, thus the ring-shaped plate 413 is provided, substantially horizontally at a predetermined space from the wafer 200 held in the boat unit 300.例文帳に追加

ウェハを保持したボート部３００を処理室２０１内に搬入する過程で、ボート部３００でリング部４００をすくい上げて一体化することで、リング状プレート４１３がボート部３００に保持されるウェハ２００に対して所定の間隔で略水平に設けられるようにする。 - 特許庁

To provide wafer holder including wafer stage on which the wafer is loaded and wafer stage outer-ring surrounding said wafer stage used in the plasma processing chamber for reducing edge exclusion (EE) while preventing wafer backside contamination.例文帳に追加

本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。 - 特許庁

To provide an exhaust emission control device 30 for controlling exhaust emission by an electromagnetic wave plasma generated by irradiating an electromagnetic wave to a gas processing chamber in which the controlling effect of the exhaust emission is enhanced by suppressing the energy of the electromagnetic wave absorbed by the plasma from reducing by dew condensation water.例文帳に追加

ガス処理室に電磁波を放射して生成した電磁波プラズマにより排気ガスを浄化する排気ガス浄化装置１００において、プラズマに吸収される電磁波のエネルギーが結露水により低減することを抑制して、排気ガスの浄化効率を向上させる。 - 特許庁

The actual valve clearance quantity can be estimated in response to an operation condition by calculating the actual valve clearance quantity by being associated with the exhaust gas temperature just after being exhausted from a combustion chamber, and an arithmetic operation load and memory capacity can also be reduced by simplifying arithmetic processing.例文帳に追加

燃焼室から排出されて直ぐの排気ガス温度に関連付けて実バルブクリアランス量を算出することにより、運転条件に応じた実バルブクリアランス量の推定を可能とし、さらに、演算処理を簡略化して演算負荷及びメモリ容量の軽減を実現することができる。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus 1 includes at least a vacuum chamber 3, an substrate holding means 4 arranged in the vacuum chamber 3 and having an electrode for the electrostatic chuck configured to electrostatically attract a substrate S and a heating mechanism configured to heat the substrate, and a UV irradiation means 90 of irradiating the attraction surface of the substrate holding means with UV light to remove the impurity sticking on the attraction surface.例文帳に追加

本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This multiple sample processing apparatus for the continuous flow centrifuge includes a plurality of axially aligned processing chambers and expressor chambers, each chamber comprising an axial opening, in a fixed arrangement and a plurality of central hubs disposed in the axial openings of the respective processing chambers and the respective expressor chambers, the central hubs constructed and arranged to define passages for fluid communication between the chambers and a fluid supply.例文帳に追加

連続フロー遠心分離のための複数サンプル処理装置は、固定された配置で軸方向に整列した複数の処理チャンバおよび圧出チャンバであって、各チャンバは軸開口部を備える、処理チャンバおよび圧出チャンバ；ならびに複数の中心ハブであって、各ハブは、それぞれの処理チャンバまたはそれぞれの圧出チャンバの軸開口部内に配置されており、中心ハブは、該チャンバと流体供給源との間の流体連絡のための通路を規定するよう構築および配置されている中心ハブを備える。 - 特許庁

In this plasma processing apparatus 10, the electronic energy distribution of the plasma generated in the plasma generating chamber 12 can be controlled by just moving the operation bar 171 with the moving mechanism 172 in a longitudinal direction to adjust the distance between the high-frequency antenna 16 and the plasma controlling plate 17; therefore, the plasma processing in accordance with the kind of gas molecules to be dissociated or its dissociation energy can be easily performed.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１０では、移動機構１７２により操作棒１７１を長手方向に動かし、高周波アンテナ１６とプラズマ制御板１７の間の距離を調整するだけで、プラズマ生成室１２内で生成されたプラズマの電子エネルギー分布を制御することができるため、解離させるガス分子の種類やその解離エネルギーに応じたプラズマ処理を容易に行うことができる。 - 特許庁

In a device for performing a chemical vapor deposition on a substrate 18 placed in a processing chamber by supplying a processing gas to the substrate 18 from a shower head electrode 20 and by generating a plasma trenches 74 having a large aspect ratio are made on the insulating surface 72 of the outside surface of an insulating member 70 supporting the shower head electrode 20.例文帳に追加

処理室１０内に配置された基体１８に対し、絶縁状態で配置されたシャワーヘッド電極２０から処理ガスを分散供給して発生したプラズマによる化学蒸着処理によって基体１８を蒸着する装置において、本発明はシャワーヘッド電極２０を支持する絶縁部材７０の外面である絶縁面７２に高いアスペクト比を有する溝のような造作７４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The system for fabricating an electronic device comprises a processing chamber employing a fluorine based gas for removing an insulating film between interconnect line layers and oxides on the contact surface of a semiconductor, a conveyor for conveying the semiconductor in order to remove fluorine remaining on the contact surface after the insulating film is removed, equipment for heat treating the semiconductor, and a system performing hydrogen based plasma processing of the semiconductor.例文帳に追加

半導体のコンタクト表面の配線層間絶縁膜と酸化物を除去するためのフッ素系ガスを用いた処理チャンバと、絶縁膜を除去した後、コンタクト表面に残留するフッ素を除去するために前記半導体を搬送する搬送装置と、前記半導体を加熱処理するための加熱処理装置と、前記半導体を水素系のプラズマ処理をするためのプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

A plasma processing device has a sealable chamber in which reactive gas is introduced, a discharging unit that has a cathode electrode and an anode electrode disposed so as to face each other in the chamber and generates plasma discharge between the cathode electrode and the anode electrode, a power source for supplying power to the cathode electrode, a conductor for electrically connecting the power source and the cathode electrode, and an air cooling means for cooling the conductor.例文帳に追加

反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

A substrate processing apparatus has a processing chamber 201 for processing a wafer 200, a boat rotating mechanism 267 to rotate a wafer 200, and a gas supplying part to supply gas to the wafer 200, enabling at least two types of gases A, B to be alternately supplied a plurality of times so that a desired film is formed on the wafer 200.例文帳に追加

基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、ウエハ２００を回転させるボート回転機構２６７と、ウエハ２００に対しガスを供給するガス供給部と、を有し、少なくとも２種のガスＡ、Ｂを交互に複数回供給し、ウエハ２００上に所望の膜を形成する基板処理装置であって、ガスＡを流してから次にガスＡを流すまでの時間で規定されるガス供給周期Ｔと、基板の回転周期Ｐとが、次の数式（１）を満たすように回転周期Ｐまたはガス供給周期Ｔを制御するコントローラ３２１を備える。 - 特許庁

The apparatus is a liquid delivery system including a liquid supply 120, a vaporization assembly 130 which is fluidally coupled to the liquid supply and consists essentially of an ampoule 140 and a mass flow controller 150 connected with he ampoule, and the processing chamber 160 fluidally coupled to the vaporization assembly.例文帳に追加

態様においては、本装置は、液体供給源１２０と、該液体供給源に流体的に結合している、実質的にアンプル１４０と該アンプルに接続されたマスフローコントローラ１５０からなる気化アセンブリ１３０と、該気化アセンブリに流体的に結合している処理チャンバ１６０と、を含む液体配送システムである。 - 特許庁

To solve such a problem that a deposition material jetted from a vapor deposition head recoils between a processed substrate and a processing chamber or another vapor deposition head, adheres to a part different from the part of evaporation coating, or vapor from respective deposition material jetting sections is mixed and enter an adjoining film as impurities.例文帳に追加

蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入する。 - 特許庁

To solve a problem that the damage to a wall surface is increased due to the increased sputter rate in the case of impressing two kinds of high frequency power simultaneously compared with the case of impressing a single frequency, when a potential difference occurs between a plasma potential and the ground potential of the wall surface of a processing chamber 1 and the wall surface is eroded by sputter of ion components in the plasma.例文帳に追加

プラズマ電位と処理室１の壁面の接地電位間に電位差が生じ、壁面がプラズマ中のイオン成分によるスパッタにより壁面が侵食され、二種類の高周波電力を同時に印加する場合には、単周波を印加する場合と比較してスパッタレートが上昇し壁面の損傷が大きくなる。 - 特許庁

During processing, the opening commands are output to the conductance valve 1 (18) and the conductance valve 2 (20) in accordance with a value for a vacuum gage (12) and the exhaust property data 3 so as to maintain a degree of vacuum as set for controlling the pressure of a process chamber 11 to be a preset value and the exhaust amount of an exhaust line to be the same value.例文帳に追加

プロセス処理の際は、設定された真空度となるように、真空計（１２）の値と排気特性データ３から、コンダクタンスバルブ１（１８）とコンダクタンスバルブ２（２０）に開度指令を出力し、プロセスチャンバ１１の圧力をあらかじめ設定された値に制御すると共に排気ラインの排気量を同じ値に制御する。 - 特許庁

When the substrate is dried, after being immersed in a processing liquid and processed, a control section reduces pressure in a chamber and switches the operating speed of a bellows pump 87, based on the measurement temperature from a temperature detector 37, the measurement pressure from a pressure detector 39, and the data of saturated steam curve.例文帳に追加

制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。 - 特許庁

A plurality of light sources 30, a plurality of light guide rods 31 for respectively leading light emitted from the light sources 30 to the substrate 2, and a plurality of reflectors 32 and shutters 33 for respectively collecting the light emitted from the respective light sources 30 for leading to the light guide rods 31, are provided above a processing chamber 10.例文帳に追加

処理室１０の上方に複数の光源３０と、これらの光源３０から出射した光を基板２にそれぞれ導く複数の導光ロッド３１と、各光源３０から出射した光をそれぞれ集光し導光ロッド３１に導く複数のリフレクタ３２とシャッタ３３を配設する。 - 特許庁

Both an intake valve and an exhaust valve close in an automatic stopping state by a series of processing of Steps S550 to S590, and fuel is injected into a combustion chamber of the cylinder in a state of passing through the fuel injection timing at automatic starting time and existing before the ignition timing at automatic starting time so as to become an air-fuel mixture of the theoretical air fuel ratio.例文帳に追加

ステップＳ５５０〜Ｓ５９０の一連の処理により、自動停止状態で、吸気弁と排気弁とが共に閉じ、自動始動時の燃料噴射タイミングを経過しかつ自動始動時の点火タイミング以前にある状態のシリンダの燃焼室内に理論空燃比の混合気となるように燃料を噴射している。 - 特許庁

While rotating an interruption plate 5, washings are supplied to the upper surface of the interruption plate 5 from a washing nozzle so that the treating solution adhering to the interruption plate 5, the inner surface of a partition wall 11 of the processing chamber 1, a moving nozzle 4, an arm 41, and an arm supporting shaft 43, etc. may be washed away with washings.例文帳に追加

遮断板５を回転させながら、その遮断板５の上面に洗浄ノズルから洗浄液を供給することによって、遮断板５、処理室１の隔壁１１の内面、移動ノズル４、アーム４１およびアーム支持軸４３などに付着している処理液が洗浄液で洗い流される。 - 特許庁

The vacuum processing device 11 is provided with: a rotary shaft 14 of rotating a substrate supporting stand 13 arranged at the inside of a vacuum chamber 12; and a current collector 17 for feeding required electric power to the substrate supporting stand 13, wherein the current collector 17 is arranged at the inside of the rotary shaft 14.例文帳に追加

本発明に係る真空処理装置１１は、真空チャンバ１２の内部に配置された基板支持台１３を回転させる回転軸１４と、基板支持台１３に対して所要電力を供給するための集電装置１７とを備え、集電装置１７は、回転軸１４の内部に配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

Two transfer chambers 11 and 12 equipped with transfer robots 51 and 52, which transfer substrates 9 inside respectively are connected together direct through the intermediary of a gate valve between the processing chambers 21, 22, 23, 24, and 25 and a load chuck chamber 3, where mooring pieces 61 and 62 which moor the substrates 9, are provided inside the transfer chambers 11 and 12 respectively.例文帳に追加

複数の処理チャンバー２１，２２，２３，２４，２５及びロードロックチャンバー３との間で基板９を搬送する搬送ロボット５１，５２を内部に有する二つの搬送チャンバー１１，１２がゲートバルブ４を介して直接接続され、双方の搬送チャンバー１１，１２内には基板９を係留する係留具６１，６２が設けられている。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, capable of executing film deposition processing, while reducing the distance between a flow-straightening plate and a wafer without opening a reaction chamber and varying a space volume of the upper part of the flow straightening plate, thereby improving the productivity and uniformity of film thickness.例文帳に追加

反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

In a bake furnace used for PEB, through an exhaust path from a dispersed exhaust hole provided in the center of the top plate, a flow of dry air, entering a bake processing chamber, from a periphery of the wafer toward the center of the wafer and a flow of dry air from nearby the center of the wafer toward a peripheral part are formed, so that the dry air is exhausted to the outside.例文帳に追加

ＰＥＢで使用するベーク炉では天板の中央に設けられた分散排気孔から排気通路を介して、ウエハの周辺からベーク処理室に入ったドライエアがウエハの中心方向に向かう流れ、およびウエハの中心近傍から周辺部へ向かう流れを形成して、外部に排出される。 - 特許庁

This dry processing device has a light excitation section 3 for irradiating light with appropriate wavelength in the middle of a gas supply path 2 interlocked to a pressure-reduced treatment chamber 1 for introducing an appropriate gas into the gas supply path 2, thus generating a desired radical at the light excitation section 3.例文帳に追加

本発明によるドライプロセッシング装置は、減圧された処理室１に連結されたガス供給経路２の途中に、適切な波長の光を照射する光励起部３を備えており、ガス供給経路２内に適切なガスを導入することによって、光励起部３において所望のラジカルを生成する。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the RF power with plasma at a first VHF frequency f1 through one electrode of a chamber, and a step for providing an RF current flowing directly between a ceiling electrode and a workpiece support electrode with a grounded center return path at the frequency f1.例文帳に追加

この方法は、チャンバの電極の１つを介して、第１のＶＨＦ周波数ｆ１でＲＦ電力を、プラズマに結合する工程と、周波数ｆ１について、天井電極とワークピースサポート電極の間を直接流れるＲＦ電流に、中心接地リターンパスを提供する工程とを含む。 - 特許庁

The nucleation layer can be deposited by using a first process gas which contains tungsten hexafluoride, silane, molecular hydrogen and argon and has a flow ratio of molecular hydrogen to argon of about 1.5:1 and also a partial pressure of tungsten hexafluoride of 0.5 Torr or below and allowing the first process gas to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

核生成層は、六フッ化タングステン、シラン、分子水素およびアルゴンを含みアルゴンに対する分子水素の流量比が約１．５：１であり、また六フッ化タングステンの分圧が０．５トルに等しいかまったはそれ以下である第１の処理ガスを、前記基板処理チャンバ中へ流すことによって堆積される。 - 特許庁

To provide a measuring apparatus and a measuring method in which handling or measuring processing is facilitated while being hardly affected by wear or contamination by exactly measuring the parameters of medical fluids from a value depending on the extent of a measuring chamber for guiding the medical fluids such as extracorporeally circulating blood in hemodialytic treatment.例文帳に追加

血液透析治療における体外循環血液等の医療液体を案内する計測室の広がりに依存する値から医療液体のパラメータを正確に測定でき、摩耗や汚染の影響を受けにくく、取扱いや測定処理が容易な測定装置および測定方法を提供する。 - 特許庁

A return-block-process executing means 12 of the substrate processing device conducts multiple transferring processes on at least one chamber out of a plurality of chambers 11a, 11b to 11n when the substrate is transferred to the plurality of chambers 11a, 11b to 11n in accordance with the predetermined transfer sequence.例文帳に追加

基板が所定の搬送シーケンスに従って複数のチャンバ１１ａ，１１ｂ…１１ｎへ搬送されるとき、戻りブロック処理実行手段１２は、それらの複数のチャンバ１１ａ，１１ｂ…１１ｎのうち少なくとも一つのチャンバに対して複数回に亘って搬送処理を行う戻りブロック処理を実行する。 - 特許庁

In one embodiment, the method for low temperature aerosol deposition includes forming an aerosol of fine particles in an aerosol generator, dispensing the aerosol from the aerosol generator into a processing chamber toward a surface of a substrate, maintaining the substrate temperature at between 0 degrees Celsius and 50 degrees Celsius, and depositing a layer from a material in the aerosol on the substrate surface.例文帳に追加

一実施形態において、低温エアロゾル堆積方法は、エアロゾル発生器において微粒子エアロゾルを形成し、エアロゾル発生器から処理チャンバへ基板表面に向かってエアロゾルを分配し、基板温度を摂氏約０度〜摂氏５０度の間に維持し、エアロゾル中の材料から基板表面に層を堆積することを含む。 - 特許庁

In a cross section cut at a plane orthogonal to the axial direction, a threshing chamber cover 18 is gradually separated from the outer periphery of the threshing cylinder 13 as being more downstream in the rotation direction in the threshing cylinder 13 to form a space above the threshing cylinder 13 and above the cut-ears processing device 14.例文帳に追加

そして、前記軸方向と直交する平面で切断したときの断面において、扱室カバー１８は、扱胴１３の回転方向下流側に向かうに従って、扱胴１３の外周から徐々に離れていくように形成されることで、扱胴１３の上方及び穂切れ処理装置１４の上方に空間を形成している。 - 特許庁

First, chlorine ions or chlorine radicals are caused to react at depositions, i.e., aluminum component or fluorocarbon, in an etching chamber in order to remove the aluminum component by dry cleaning, and then fluorocarbon is caused to readhere to the remaining fluorocarbon by seasoning processing thus making uniform the deposition film.例文帳に追加

エッチングチャンバー内に付着したデポジション物質であるアルミ成分およびフロロカーボンに対し、まず塩素イオンまたは塩素ラジカルを反応させてアルミ成分を除去するドライクリーニング処理を行ない、引き続き残ったフロロカーボンに対し新たにフロロカーボンを再付着させるシーズニング処理を行なって、デポジション膜質を均一化させる。 - 特許庁

To provide a small vacuum carburizing furnace capable of dispensing with large-scale disassembling work of a device in maintenance including replacement of a heat insulating material in a heating chamber, and replacement of an O-ring for a vacuum seal of an intermediate door and other mechanical components, with respect to a batch type small vacuum carburizing furnace in which the quantity of carburizing processing is comparatively small.例文帳に追加

比較的浸炭処理量が少量のバッチ型小形真空浸炭炉において、加熱室内の断熱材交換および中間扉の真空シール用Ｏリング、その他機械部品の交換を含むメンテナンス時において、装置の大きな分解作業を不要とした小形真空浸炭炉を提供。 - 特許庁

To provide an apparatus manufacturing inorganic spheroidized particles, which can efficiently obtain excellent inorganic spheroidized particles by keeping the ambient temperature in a flame formation region of a melting chamber within a prescribed temperature range, and cope with various processing conditions such as the type and particle size of inorganic raw material powder, and retention time.例文帳に追加

溶融室の火炎形成域における雰囲気温度を所定温度範囲内に維持して良好な無機質球状化粒子を効率よく得るとともに、無機質原料粉体の種類や粒径、滞留時間等の種々の処理条件に対応できる無機質球状化粒子製造装置を提供する。 - 特許庁

Plasma light 3 of a vacuum processing chamber 2 is spectrally dispersed using a plurality of spectral devices 7, and a plurality of spectrally dispersed light beams having a plurality of wavelengths are made incident on one photomultiplier 9 to detect etching end points without any alteration of a device control system when films of a plurality of specifies are successively etched.例文帳に追加

真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁

The ice making mechanism 10 starts water sprinkling to the water pan 16 by the water supply mechanism 24 simultaneously when operating the water pan 16 for separating from the ice making chamber 12 when switched to the ice removing operation from ice making operation, and intermittently repeats water sprinkling processing by the water supply mechanism 24 by a predetermined frequency in the predetermined timing.例文帳に追加

そして、製氷機構１０では、製氷運転から除氷運転に切替わった際に、水皿１６を製氷室１２から離間作動させるのと同時に、給水機構２４による水皿１６に対する散水を開始し、給水機構２４による散水処理が、所定タイミングで間欠的に所定回数繰返される。 - 特許庁

When a wafer W is processed, a downflow of clean air is formed in a processing chamber 2, and further, under an environment where inside of an exhaust liquid groove 37 is forcibly exhausted, the downflow of clean air taken in the downflow guide path 31 via an air gap 47 is guided to a side of the wafer W held by the spin chuck 3.例文帳に追加

ウエハＷの処理時には、処理室２内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝３７内が強制的に排気されている環境下において、空隙４７を介してダウンフロー導路３１に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック３に保持されたウエハＷの側方に導かれる。 - 特許庁

A nucleation layer is then deposited on the substrate surface in the same processing chamber by alternately pulsing a tungsten-containing compound (130) and a reducing gas (150) selected from the group consisting of silane (SiH_4), disilane (Si_2H_6), dichlorosilane (SiCl_2H_2), derivatives thereof and combinations thereof.例文帳に追加

交互にタングステン含有化合物（１３０）と、シラン（ＳｉＨ_４）、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、ジクロルシラン（ＳｉＣｌ_２Ｈ_２）、その誘導体、更に、これらの組合せから成る群から選択された還元性ガス（１５０）を律動的に送ることにより、その後、核形成層が同一の処理チャンバ内の基板表面上に堆積される。 - 特許庁

The processing agent kit for a silver halide color photographic sensitive material contains a composition containing a p-phenylenediamine-based coloring main agent in at least one chamber of the packaging container in which the interior of the packaging bag is divided into two or more chambers by the strippable fusion-bonded part, wherein a pH of the composition is ≤8.0.例文帳に追加

包装袋の内部が剥離可能な熱融着部によって２室以上に区分された包装容器の少なくとも１室に、パラフェニレンジアミン系発色現像主薬を含有する組成物が収納されており、該組成物のｐＨが８．０以下であることを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料用処理剤キット。 - 特許庁