「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

In this substrate processing apparatus for performing substrate processing by discharging two fluids obtained by mixing a gas and a liquid in a substrate processing chamber to store the substrate toward the substrate, an internal mixing means to mix the two fluids inside a nozzle and discharge it to the outside, and an external mixing means to mix the two fluids in the outside by separately discharging them to the outside are provided.例文帳に追加

本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 - 特許庁

The substrate processing apparatus 1 includes: the substrate processing vessel 30 having a chamber 30a inside for storing a substrate W to be processed; a first conveyance unit 40 for delivering the substrate W to the substrate processing vessel 30; and a second conveyance unit 14 for delivering the substrate W to the first conveyance unit 40 and receiving the substrate W from the first conveyance unit 40.例文帳に追加

基板処理装置１は、被処理基板Ｗが収容されるチャンバー３０ａを内部に有する基板処理容器３０と、基板処理容器３０に対して被処理基板Ｗの受け渡しを行う第１搬送ユニット４０と、第１搬送ユニット４０への被処理基板Ｗの受け渡しおよび第１搬送ユニット４０からの被処理基板Ｗの受け取りを行う第２搬送ユニット１４とを備えている。 - 特許庁

The neutral particle beam processing apparatus 10 is provided with an ion generating means for generating ions 70 inside an ion generating chamber 14; an extracting means for extracting the ions 70 in the chamber 14; a neutralizing means for neutralizing the extracted ions 70 to generate neutral particle beams 72; and a holding pedestal 48 for holding the work 18 to be irradiated with the beams 72.例文帳に追加

中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオン７０を生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオン７０を引き出す引出手段と、引き出されたイオン７０を中性化して中性粒子ビーム７２を生成する中性化手段と、中性粒子ビーム７２が照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。 - 特許庁

A thermal reaction chamber for semiconductor wafer processing operations comprises: a susceptor 36 for supporting a semiconductor wafer 38 within the chamber 32, provided with a plurality of via holes 68 formed vertically therethrough; a displacing means 34 for displacing the susceptor vertically between a first and a second position; and a plurality of wafer support elements 66, each of which is suspended to be vertically moveable within said holes 68.例文帳に追加

半導体ウエハ処理操作の為の熱反応チャンバであって、チャンバ３２内には半導体ウエハ３８を支持し、垂直に形成された複数の貫通孔６８を有するサセプタ３６と、このサセプタを第１と第２の位置間で垂直に変位させる変位手段３４と、複数のウエハ支持要素６６があって、各々が前記孔６８内で垂直に移動自在に吊り下げられている。 - 特許庁

The reduced pressure drying device for placing a substrate 10 in a reduced pressure environment to dry it, is provided with a pressure reducing chamber 4 forming a processing space for drying the substrate 10 under reduced pressure, and a conveyor 7 arranged inside the pressure reducing chamber 4 for conveying in/out the substrate 10 to/from a conveying passage.例文帳に追加

本発明にかかる減圧乾燥装置は、減圧雰囲気下に基板１０を配置して乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板１０を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバー４と、減圧チャンバー４内に設けられ、搬送経路からの基板１０の搬入、及び搬送経路に対して基板１０の搬出を行うコンベア７と、を備えるものである。 - 特許庁

This instrument is constituted of a gas purity measuring chamber provided with a gas inlet and a gas outlet, positive and negative electrodes provided in a gas flow passage inside the measuring chamber, a radiation source for emitting the radiation toward the gas passing through a space between the electrodes, an ammeter provided in a circuit connected to both electrodes, and a measured purity processing circuit connected to the ammeter.例文帳に追加

ガス入口及びガス出口が設けられたガス純度測定室、測定室内のガス流路に設けられた陽極電極及び負極電極板、電極板間を通過するガスに放射線を照射するための放射線源、両電極板を結合した回路に設けられた電流計、並びに電流計に結合された計測純度処理回路から構成されている。 - 特許庁

A drying furnace in which some organic items are dried and carbonized is operated such that the organic items to be processed are heated indirectly with heating gas generated at a combustion chamber 6 to perform a drying and carbonization processing of the items to be processed and either the vapor or gas generated from the organic items to be processed is guided into the combustion chamber 6 to perform a high temperature combustion.例文帳に追加

有機系の処理物を乾燥炭化処理する乾燥炉において、燃焼室６で生成した加熱ガスで有機系の処理物を間接加熱することによって処理物の乾燥炭化処理を行い、間接加熱の際に有機系の処理物から発生した蒸気やガスを前記燃焼室６内に導いて高温燃焼させることを特徴とする。 - 特許庁

A plasma is generated by applying high frequency electric power to a processing gas supplied into a reaction chamber S, and a film is formed on a substrate 7 held in the reaction chamber S using the plasma, The plasma is generated under such conditions that may easily cause plasma discharging, and then the conditions are changed to such ones required for film formation to form the film.例文帳に追加

反応室Ｓ内に導入した処理ガスに高周波電力を印加することでプラズマを生成し、該生成したプラズマを利用することで、反応室Ｓ内に保持した基板７に成膜処理を施す半導体製造方法において、予めプラズマ放電し易い条件下でプラズマを生成し、その後、成膜に必要な条件に変更して成膜を行う。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes an upper electrode 3 which is installed in a vacuum chamber 2 and which can hold a substrate 10, a gas supply port 14 installed so that it may counter with the upper electrode 3 in the vacuum chamber 2, and a lower electrode 4 having gas suction ports (gas suction ports 24a and 24b) of the number more than the number of the gas supply ports 14.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、ガス供給口１４と、ガス供給口１４の数よりも多くの数のガス吸引口（ガス吸引口２４ａおよび２４ｂ）とを有する下部電極４とを備えている。 - 特許庁

This cleaning processor for carrying out the cleaning processing of a substrate is provided with a chamber 16 to which the substrate is supplied, a nozzle body 28 for supplying fluid generating solid particles, by carrying out adiabatic expansion to the substrate in the chamber, and a moisture-control means 36 and a temperature control means 37 for controlling the particle diameters of the solid particles to be supplied by the nozzle body.例文帳に追加

基板を洗浄処理するための洗浄処理装置であって、 基板が供給されるチャンバ１６と、断熱膨張させることで固体粒子を生成する流体をチャンバ内の基板に向けて供給するノズル体２８と、ノズル体によって供給される固体粒子の粒径を制御する湿度制御手段３６及び温度制御手段３７を具備する。 - 特許庁

The cart elevation mechanism moves a substrate cart to the carry-in opening and carry-out opening while holding other substrate carts in the unload chamber to avoid an influence on the processing tact such as stagnation of operation caused by interference with other substrate carts.例文帳に追加

カート昇降機構は、基板カートの搬入口、搬出口への移動を、他の基板カートをアンロード室内に保持した状態のままで行い、他の基板カートの干渉によって動作が停滞するといった処理タクトへの影響を回避する。 - 特許庁

A laser beam 11 emitted from an excimer laser oscillator 10 is shaped to a pattern of a projection mask 20 through a total reflection mirror 12 and an optical system 13, and then is reductively projected by a lens 14 to be cast on a substrate 17 in a processing chamber 16.例文帳に追加

エキシマレーザ発振器１０から発せられたレーザ光１１は、全反射ミラー１２や光学系１３を通り、投影マスク２０のパターンに従って成形され、レンズ１４により縮小投影されプロセスチャンバ１６内の基板１７に照射される。 - 特許庁

A substrate processing device is constituted by a chamber (10) providing an internal space in which a substrate is located, a plasma generation unit for generating plasma in the internal space to perform a step of the substrate, and an end point detection unit for detecting a step end point.例文帳に追加

基板が置かれる内部空間を提供するチャンバー（１０）と、内部空間にプラズマを生成し、基板に対する工程を行うプラズマ生成ユニットと、工程の終点を検出する終点検出ユニットとを含んで基板処理装置を構成する。 - 特許庁

A plasma source electrode and a wafer, which are processed, are disposed opposite to each other in a chamber and means for supplying etching gas is disposed between the plasma source electrode and the wafer being processed in order to plasma processing, e.g. plasma etching, the wafer being processed.例文帳に追加

チャンバ内にプラズマソース電極と被処理基板とを対向配置するとともに、これらプラズマソース電極と被処理基板との間にエッチングガスを導入するためのガス供給手段を配置し、被処理基板をプラズマ処理、例えばプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a vacuum pump with a high safety capable of speedily making a device to a re-usable state by exchanging the vacuum pump without damaging a chamber and a product during processing by broken pieces even in the case where a rotor is destroyed by any chance.例文帳に追加

万一ロータが破壊した場合でも、ロータの破片でチャンバや処理中の製品を傷つけることなく、真空ポンプを交換することで速やかに装置を再使用可能な状態にすることが可能な安全性の高い真空ポンプを提供する。 - 特許庁

Since the bonding regions are pressed and bonded with each other in the cleaned processing chamber, bonding of firm and high durability can be performed while preventing oxidation and degradation caused by pollution of the cleaned surface of the bonding regions.例文帳に追加

これにより、清浄化した同じ処理室内において接合部位どうしを圧接して接合するので、接合部位の清浄化された表面の酸化や汚染による劣化を防ぎつつ、強固で耐用性の高い接合を行うことができる。 - 特許庁

A method includes: flowing a pre-coat gas mixture into a plasma processing chamber, where the pre-coat gas mixture has an affinity for an etchant gas mixture; irradiating a substrate with a first plasma from the pre-coat gas mixture; and introducing the substrate comprising the substrate material.例文帳に追加

本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。 - 特許庁

The sensor controller executes such drive processing as to adjust the concentration of oxygen of a gas to be detected, introduced to a first measuring chamber, by the energization of a first oxygen pump cell provided for a gas sensor and apply a normal voltage to a second oxygen pump cell (S55).例文帳に追加

センサ制御装置において、ガスセンサが備える第一酸素ポンプセルへの通電により第一測定室に導入された検知対象ガスの酸素濃度を調整し、第二酸素ポンプセルへ通常電圧を印加する駆動処理が実行される（Ｓ５５）。 - 特許庁

In the processing system and method for chemical treatment of substrate, the system includes a chemical treatment chamber placed under temperature control, and a substrate holder for supporting the substrate placed under the temperature control independent of chemical treatment.例文帳に追加

化学的に基板を処理するための処理システムおよび方法であって、この処理システムは、温度制御される化学的処理チャンバと、化学的処理に対して独立して温度を制御される、基板を支持するための基板ホルダとを備えている。 - 特許庁

The fuel in a certain cylinder in an operating phase is ignited, and then the fuel is injected to a combustion chamber of another cylinder in an intake phase by a piston immediately thereafter to ignite the injected fuel even though it is still in the intake phase, in further processing of the starting process.例文帳に追加

始動過程のさらなる経過において、作動フェーズにある気筒の燃料を点火した直後に、ピストンが吸気フェーズにある別の気筒の燃焼室へ燃料を噴射し、噴射された燃料をまだ吸気フェーズであっても点火する。 - 特許庁

To provide: a gas control device capable of preventing gas from rushing into a chamber where a mass flow controller is securely in a completely closed state at time of an open processing; a method of controlling the gas control device; and an ion implantation device using them.例文帳に追加

開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To restrain reduction in an engine speed and the occurrence of a stall in an internal combustion engine, when combustion of an air-fuel mixture becomes unstable in a combustion chamber, after resuming fuel injection, when abnormality determining processing is interrupted in response to stopping of a fuel cut.例文帳に追加

フューエルカットの停止に伴い異常判定処理が中断され、燃料噴射が再開された後、燃焼室内での混合気の燃焼が不安定になり、内燃機関に回転速度低下やストール等が生じることを抑制する。 - 特許庁

To provide a technique concerning a method for successfully cleaning the inside of an air suction pipe that sucks gas from a processing chamber by use of a vacuum pump, with respect to a cleaning method for a film forming device or a crystal growing device carrying out a process under a reduced pressure.例文帳に追加

減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。 - 特許庁

The space inside a chamber is supplied with processing gas containing nitrogen gas, and the atmosphere of the space is controlled to a state in which pressure falls within the range of 50 Torr or above to normal pressure or below and the partial pressure of the nitrogen gas falls within the range of ≤50% of the whole pressure.例文帳に追加

チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が５０Ｔｏｒｒ以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の５０％以下となる状態に調整される。 - 特許庁

When fluorescent X-ray analyzing processing is performed, the air in the analyzing chamber 1a and the air in the space between the X-ray transmitting window material 54 of the sample cell 5 and the X-ray transmitting window material 23 held by the cell holder 2 are replaced with the substitution gas.例文帳に追加

蛍光Ｘ線の分析処理を行なう場合、分析室１ａ内の空気と、試料セル５のＸ線透過窓材５４及びセルホルダ２が挟持するＸ線透過窓材２３の間の窓材間空間内の空気とを置換ガスに置換する。 - 特許庁

The cooling part C includes a heat exchanger 18 for cooling air, a circulating fan 10 feeding the cooled air through a heat resisting filter 14 to a cooling processing chamber 8 to circulate the air, and a heater 16 for heating the air to perform drying and sterilization.例文帳に追加

冷却部Ｃは、エアを冷却する熱交換器１８と冷却されたエアを耐熱フィルタ１４を介して冷却処理室８に送りエアを循環させる循環ファン１０とエアを加熱して乾燥滅菌を行うヒータ１６とを備えている。 - 特許庁

The processing chamber includes a substrate support assembly 238 having a first plate 320 for receiving one or more heating elements 232 and a second plate 360 in which a groove is placed, and a power supply for heating the substrate support assembly 232.例文帳に追加

処理チャンバは、１つ以上の加熱要素２３２を受け取るための、第１のプレート３２０とその中に溝が配置されている第２のプレート３６０とを有する基板支持アセンブリ２３８と、基板支持アセンブリ２３２を加熱するための電源とを含む。 - 特許庁

When purge gas is fed to a combustion chamber 16 by an evaporating fuel processing system 60 through an intake air passage 32 during stratified combustion, the pressure of fuel fed to the fuel injection 40 is reduced by the amount of fuel pressure reduction Pd.例文帳に追加

成層燃焼中に蒸発燃料処理機構６０によってパージガスが吸気通路３２を介して燃焼室１６に供給されるとき、燃料噴射弁４０に供給される燃料の圧力が燃圧低下量Ｐｄ分だけ低下される。 - 特許庁

In the case of coating the surface of a susceptor, a susceptor 10 in a processing chamber is supported perpendicular by support pins 11, 12, 13, and held by fall-preventive pins 21, 22 across the susceptor so that the susceptor is not fallen toward the main surface side.例文帳に追加

サセプタの表面コーティングの処理を行う際に、処理室の中でサセプタ１０を支持ピン１１，１２，１３で垂直に支持するとともに、サセプタの主表面側に倒れないように、倒れ防止ピン２１，２２によってサセプタを挟むように保持する。 - 特許庁

To reduce a material cost, a processing cost and a weight and to secure the volume of an accumulation chamber, while preventing a cylinder from ballooning generated at the time of lost motion mainly concerning a nailing device which drives a nail to be used for construction.例文帳に追加

本発明は、主として建築業に使用する釘を打込む釘打機に関するものであり、その目的は、空打ち時に発生するシリンダの浮き上がりを防止しながら、材料費、加工費、質量の低減を図り、蓄圧室の容積を確保することである。 - 特許庁

The L-shape long nozzle 232 has a sufficient large bore diameter at a riser portion, to such an extent as no pressure difference is not produced at the riser portion, by which the nozzle is constituted so that a pressure in the riser portion may be almost the same as that in the processing chamber.例文帳に追加

Ｌ字型のロングノズル２３２は、立上り部分内に圧力差が生じない程度に、立上り部分に十分大きな口径を持ち、それにより立上り部分内の圧力が処理室内の圧力と略同等となるように構成される。 - 特許庁

The load/unload chamber 11 can be switched between a state released to atmosphere and a vacuum enclosed state, and it is provided with conveying equipment 110 having a plurality of systems of conveyance line which can be switched for the processing chambers 12 and 13.例文帳に追加

ロード／アンロード室１１は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能であり、ロード／アンロード室１１には、処理室１２，１３に対して切り換えることができる複数系統の搬送ラインを有する搬送装置１１０が設けられている。 - 特許庁

When a decision is made that the concentration of chemical contaminants measured by the contaminant concentration sensor 17 exceeds the specified level, the controller 21 supplies clean air stored in the clean air storage tank 19 to the wafer processing chamber 11.例文帳に追加

また、制御装置２１は、汚染物質濃度センサ１７が測定した化学汚染物質の濃度が所定値を超えていると判定すると、清浄空気貯留タンク１９に貯留されている清浄な空気をウェハ処理室１１に供給する。 - 特許庁

The microwave divided by E distribution interferes at the opposite portion in the inlet portion 104, strengthens electric field across a slot 106 at the interval of half the wavelength inside the waveguide, and is introduced into a plasma processing chamber 101 by transmitting a dielectric 102 via the slot 106.例文帳に追加

Ｅ分岐されたマイクロ波は導入部１０４の対向部で干渉し、管内波長の１／２毎にスロット１０６を横切る電界を強め、スロット１０６を介し誘電体１０２を透してプラズマ処理室１０１に導入される。 - 特許庁

After the flaking process, the substrate (W) is carried to the cleaning processing chamber 4 and pump 30 is driven to feed the surface of the substrate (W) with pure water dissolved with carbon dioxide and stored in a pure water feed source 29.例文帳に追加

剥離処理が終ると基板Ｗは洗浄処理室４へ搬送され、ポンプ３０が駆動されて純水供給源２９内に貯溜されている二酸化炭素を溶存させた純水がノズル２４から基板Ｗの表面に供給される。 - 特許庁

To provide a hot blast heating type heat treatment system which can improve the temperature distribution property within a heating chamber, and shorten the processing time, and prevent the breakdown of plate-shaped substance to be processed, and reduce cost, and improve clearness, without complicating the operation or the structure.例文帳に追加

運転操作や構造を複雑化することなく、加熱室内の温度分布特性を向上し、処理時間を短縮し、板状被処理物の破損を防止し、コストを低減し、クリーン度を向上できる熱風加熱式熱処理システムを提供する。 - 特許庁

A manufacturing method for the vertical array type liquid crystal alignment layer according to the present invention includes a step of supplying a substrate 11 to a chamber 10, a step of forming a film 12 on the substrate 11, and a step of forming the vertical array type alignment layer by processing the film with plasma 13.例文帳に追加

本発明は基板１１をチャンバ１０に提供するステップと、フィルム１２を該基板１１上に形成するステップと、プラズマ１３で該フィルムを処理して垂直配列型液晶配向層を形成するステップとを備えてなる。 - 特許庁

A double cover assembly for covering a processing chamber incorporated therein groove rollers 18A to 18d for a wire saw is composed of an inner cover and an outer cover, a part of the inner cover is formed by a bracket 42 which carries the groove rollers 18A to 18D.例文帳に追加

本発明は、ワイヤソー１０のグルーブローラ１８Ａ〜１８Ｄが設置された加工室を覆うカバーを、内カバー６０と外カバー６２とで２重に構成し、グルーブローラ１８Ａ〜１８Ｄを支持するブラケット４２が前記内カバー６０の一部を形成する。 - 特許庁

In the optical device dehydrating method, an optical element is introduced into a processing chamber and irradiated with ultraviolet rays having wavelength of 180 nm or below, in an atmosphere of gas having a moisture content of 3 ppm or below to remove moisture and hydroxyl groups attached on the surface of the optical device.例文帳に追加

処理室に収められた光学素子に、水分濃度３ｐｐｍ以下の雰囲気ガス中で、波長１８０ｎｍ以下の紫外線を照射し、光学素子表面の水分・水酸基を除去することを特徴とする光学素子の脱水方法 - 特許庁

To obtain a picture correct in up and down sides by automatically applying upside-down inverting processing to image data corresponding to a difference in a film loading direction of a camera in use in an image pickup device of a film cartridge type where a case can be put in a cartridge chamber.例文帳に追加

フイルム用カメラのパトローネ室に装着可能な形態を有するフイルムパトローネ型撮像装置において、使用されるカメラのフイルム装着方向の違いに対応して画像データを自動的に上下反転処理し、上下の正しい画像を得る。 - 特許庁

A planar shower plate 15 made up of a conductor and a planar mesh member 16 made up of a conductor having the size and shape corresponding to the shower plate 15 are installed on the substrate side of a processing gas introduction chamber 14 in the radical emitter 10.例文帳に追加

ラジカル放出器１０の処理ガス導入室１４の基板側に、導電体からなる面状のシャワープレート１５と、シャワープレート１５に対応する大きさ及び形状の導電体からなる面状のメッシュ状部材１６が設けられる。 - 特許庁

For example, a wafer W having a part containing Si in its surface is put in the processing container 20 comprising a chamber 21 and a bell jar 22, and a natural oxide film formed on the surface of the part containing Si is removed by plasma etching.例文帳に追加

例えば、その表面部分にＳｉを含む部分を有するウエハＷを、チャンバ２１とベルジャ２２とからなる処理容器２０内に収容し、当該Ｓｉを含む部分の表面に形成された自然酸化膜をプラズマエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a vacuum indoor travelling control method of a carrier carriage of high through-put capable of speedily and smoothly carry a base plate without giving fatal vibration and impact to the base plate without dropping speed of the carriage in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理室内で台車の速度を落とすことなく、かつ基板に致命的な振動や衝撃を与えることなく、基板を迅速かつ円滑に搬送することができる高スループットの搬送台車の真空室内走行制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing a substrate which can supply a treating liquid to the substrate, without scattering the liquid, can thereby maintain a clean atmosphere in a chamber and can reduce the amount of the liquid used.例文帳に追加

処理液を飛散させることなく基板に供給することができ、これにより、チャンバー内の清浄雰囲気を維持することができると共に、処理液の使用量を減少させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In an embodiment of the high-frequency grounding apparatus 280, the substrate support 224 upwardly moves during a processing and is brought into contact with a coated pickup block 282 provided with at least one low-impedance flexible curtain and fixed on the grounded chamber wall 206.例文帳に追加

高周波接地装置２８０の一実施形態は、処理中、基板支持体２２４は上向きに移動し、接地されたチャンバ壁２０６に固定された１つ以上の低インピーダンス可撓性カーテンを備える被ピックアップブロック２８２と接触させる。 - 特許庁