「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, a force going to the outside of the processing chamber 100 is applied to the coaxial tube 315 by a spring member 515, thereby closely contacting the plurality of electric plates 305 to an inner wall of a cover 300.例文帳に追加

さらに、同軸管３１５は、バネ部材５１５により処理容器１００の外側へ向かう力を与えられ、これにより、複数の誘電体板３０５を蓋体３００の内壁に密着させることができる。 - 特許庁

To provide a steam sterilizer by which the inside of a chamber is surely made into a sealed state without relying on the work precision of an inner lid and a sterilizing processing is safely and surely executed without generating an uncomfortable air leakage sound.例文帳に追加

内蓋の加工精度に頼ることなくチャンバ内を確実に密閉状態とすることができ、不快なエア漏れ音を発生させることなく、安全で確実な滅菌処理が可能である蒸気滅菌器を提供する。 - 特許庁

Once in response thereto a delete key is operated for input, the 0 point adjustment is executed (S5: YES, S6), a display (S8) and a sound message (S9) corresponding to idle burning in a chamber that is the next initial processing are outputted.例文帳に追加

これに応じて取り消しキーが入力操作されると、０点調節を実行し（Ｓ５：ＹＥＳ，Ｓ６）、次の初期処理である庫内のから焼きに対応する表示（Ｓ８）及びメッセージを音声出力する（Ｓ９）。 - 特許庁

By using a plasma processing device 100 for introducing a microwave into a chamber 1 by a flat antenna 31 having a plurality of holes, the surface of silicon is oxidized to form a silicon oxide film (step S1) and then a silicon oxide film is deposited thereon as an insulating film by CVD (step S4).例文帳に追加

複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

To improve the uniformity of the thickness of a deposition film and of the characteristics of the same by preventing the deformation of a long band-shaped member, the deformation being caused when it passes through the inside of a processing chamber and by stabilizing plasma discharge upon deposition film formation.例文帳に追加

長尺帯状部材が処理室内を通過する際に起こる変形を防止し、堆積膜形成時のプラズマ放電を安定させ堆積堆積膜の膜厚や特性の均一性を向上させる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which receives less amount of a radiation heat influence from a substrate having a higher temperature on a substrate having a lower temperature when plural substrates are cooled in one cooling chamber thereby suppressing reduction in cooling rate of the substrate having the lower temperature.例文帳に追加

冷却室内で複数枚の基板を冷却する際に、温度の高い基板の輻射熱の影響を温度の低い基板が受けにくくなり、温度の低い基板の冷却速度の低下を抑える。 - 特許庁

The IPA with moisture concentration 0.01 weight% or less is supplied from the intermediate tank 6 to a processing chamber 11, where a wafer W is processed with the IPA being in a high temperature and highly pressurized.例文帳に追加

中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 - 特許庁

In periphery of the processing chamber gate valve 26, there is provided a vacuum seal body 54 which carries out a vacuum seal of a clearance G between the gate valves 26, 30 which are expandable and contractible and are mutually approached during expansion.例文帳に追加

処理室ゲートバルブ２６の周縁部には、膨張および収縮可能であって、膨張時に、互いに接近しているゲートバルブ２６、３０間の隙間Ｇを真空シールする真空シール体５４が設けられている。 - 特許庁

When a substrate (W) is carried to a flaking processing chamber 2, by using a roller conveyer 1, a pump 19 of a liquid feeding mechanism 10 is driven under control by a control unit 21 to feed an organic flaking agent containing amine.例文帳に追加

基板Ｗがローラコンベア１により剥離処理室２内に搬入されると、制御装置２１は液供給機構１０のポンプ１９をインバータ２０を介して駆動制御し、アミンを含む有機剥離液を供給する。 - 特許庁

A plasma formed in a remote plasma generator (27) flows through a tube (62) to a plenum (60) where it is diluted to form a plasma mixture before the plasma mixture flows into a processing chamber (15).例文帳に追加

遠隔プラズマ発生器（２７）内で生成したプラズマは、チューブ（６２）を経てプレナム（６０）へ流し込まれ、そこで希釈されてプラズマ混合物を生成した後にそのプラズマ混合物が処理チャンバ（１５）へ流し込まれる。 - 特許庁

A circulation path (32) whose intake port and blow-off port are both connected to the processing chamber (2) is provided, and a filtering mechanism (14) for capturing germs included in a gas distributed through the circulation path (32) is provided in the circulation path (32) further.例文帳に追加

吸入口と吹出口とが共に処理室（2）に接続された循環通路（32）を設け、さらに循環通路（32）にその循環通路（32）を流通するガスに含まれる菌を捕捉するフィルタ機構（14）を設ける。 - 特許庁

Generally, the method makes use of an electrically conductive elastomeric member or members to effectively ground the chamber isolation valve and/or an isolation valve door while avoiding metal-to-metal contact between moving parts in the processing system.例文帳に追加

一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び／又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus where maintenance can easily be performed without damaging adhesiveness of a substrate supporter and a heater even when a chamber is cleaned with gas containing a fluorine element.例文帳に追加

フッ素元素を含有するガスにより、チャンバクリーニングが実施される場合であっても、基板支持部と加熱部の密着性が損なわれることがなく、かつ、容易にメンテナンスを行うことができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.例文帳に追加

連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To generally provide a heating apparatus for providing a relatively uniform temperature distribution to a substrate in a semiconductor-processing chamber or for heating a metal or ceramic mold for press forming glass lenses.例文帳に追加

本発明は、全体的に半導体処理チャンバ内の基板に比較的均一な温度分布をもたらし、或いはプレス形成ガラスレンズ用の金属金型又はセラミック成形型を加熱するための加熱装置に関する。 - 特許庁

That is, processes from processing of the conductive film to the etching by using the semiconductor etching gas are continuously performed in the same chamber and the etching by using the semiconductor etching gas is performed before removing the etching mask.例文帳に追加

すなわち、導電膜の加工から半導体エッチング用のガスで行うエッチングまでを同一チャンバー内で連続して行い、半導体エッチング用のガスで行うエッチングはエッチングマスクを除去する前に行う。 - 特許庁

In this case, the purge gas for peeling the particles is preferably supplied at the flow rate greater than the flow rate of the purge gas for pressure control, before the purge gas for pressure control is supplied into the substrate processing chamber.例文帳に追加

この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。 - 特許庁

To provide an apparatus for processing a surface of a substrate in physical vapor deposition (PVD) chamber that has an increased anode surface area to improve the deposition uniformity on large area substrates, and to provide a method therefor.例文帳に追加

本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The gas supply hole of a shower plate is arranged in the region of low electric field in which the electric field is equal to or lower than a predetermined electric field strength on the basis of electromagnetic field distribution in the shower plate surface of an electromagnetic field introduced in the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室内に導入される電磁界のシャワープレート面内における電磁界分布に従い、所定の電界強度以下となる電界の弱い領域にシャワープレートのガス供給孔を配置する。 - 特許庁

A first to third compartments 21 to 23 in which the heater 16, the heat exchanger 18 and the circulating fan 10 are disposed in order are formed in a path connecting the cooling processing chamber 8 to the circulating fan 10.例文帳に追加

冷却処理室８から循環ファン１０を結ぶ経路には、ヒータ１６、熱交換器１８および循環ファン１０がそれぞれ順に配置された第１ないし第３の区画室２１〜２３が形成される。 - 特許庁

By partially removing a polymer film deposited on the inner wall of a reaction chamber, using oxygen plasma after processing of a fixed lot, maintenance cycle can be prolonged and as a result, the manufacturing cost of a semiconductor device can be lowered.例文帳に追加

一定のロットを処理した後、酸素プラズマを用いて反応室内壁に堆積したポリマー膜を一部除去することによりメンテナンスサイクルを長くし、これによって半導体装置の製造コストを下げる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device, wherein a substrate is prevented from being contaminated with particles from a sticking-preventive plate or substrate holding member, while the stick-preventive plate and the substrate holding member and the substrate are housed in the same chamber.例文帳に追加

防着板や基板保持部材と基板とを同一の部屋に収容しつつ、防着板や基板保持部材からのパーティクルによる基板の汚染を防止することができるような真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel structural magnetic processing device which extremely improves a fuel consumption rate in comparison with the conventional magnetic processing device and in its return, can realize the effective reduction of an exhaust gas amount in a magnetic processing device of combustion air which is arranged in an air pipe line for introducing combustion air to the cylinder chamber of an internal combustion engine and magnetically processes combustion air.例文帳に追加

内燃機関のシリンダ室に燃焼用空気を導く空気管路に配設されて、該燃焼用空気を磁気処理する燃焼用空気の磁気処理装置において、従来の磁気処理装置に比して、燃料消費率を飛躍的に向上せしめ、ひいては排気ガス量の効果的な軽減を実現する新規な構造の磁気処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus capable of generating plasma and controlling the incident energy of ions impinging on a specimen simultaneously, a film is formed on the surface of a part contacting plasma in a plasma processing chamber so as to improve the part in plasma-resistant properties, and the plasma processing device has a temperature adjusting function so as to keep the film at a prescribed temperature of 160°C or below.例文帳に追加

プラズマ生成と試料へのイオンの入射エネルギ制御とを独立におこなうプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面には耐プラズマ性を向上させるために皮膜が形成され、かつ前記皮膜の温度が所定の１６０℃以下に制御出来るように温度調節機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

A plasma processing device according to the invention comprises: a chamber; a gas supply part for supplying required gas to inside the chamber; a first electrode which is disposed in the chamber and to which high frequency power is applied; capacitor parts formed above the first electrode and electrically connected with the first electrode; and a plurality of second electrodes formed above the capacitor parts and electrically connected with the capacitor parts.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

To provide a displacement type energy recovery apparatus used for a sea water desalination system or an apparatus therefor wherein excessive processing accuracy to an energy recovery chamber constituting the apparatus is not needed, long processing is not needed, loss due to sliding resistance does not occur as a solid piston does not exist, and friction loss generated in the energy recovery chamber can be reduced.例文帳に追加

海水淡水化システムや同装置に利用される、容積形エネルギー回収装置において、該装置を構成するエネルギー回収チャンバーに過大な加工精度が要求されず、かつ長尺加工も必要とされることがなく、固体ピストンが存在しないため摺動抵抗による損失が発生することがなく、またエネルギー回収チャンバー内で発生する摩擦損失を低減することができる容積形エネルギー回収装置を提供する。 - 特許庁

To provide a control system for making a multi-chamber system to a chamber group capable of realizing the highly adaptable system corresponding to the user's requirement in a film forming device, etc., furnished with plural processing chambers, by using a highly functional controller, realizing the optimum number of controllers and their arrangement, reducing the number of necessary controllers and improving the performance of the whole device.例文帳に追加

多数処理チャンバを備える成膜装置等で、高機能制御器を用い、制御器の最適な個数と配置を実現し、必要な制御器の個数を低減し、装置全体として性能の向上を図り、ユーザの要望に応じた融通性の高いシステムを実現できるマルチチャンバシステムのチャンバグループ化制御システムを提供する。 - 特許庁

A method of etching a chromium layer comprises the steps of providing a substrate having a chromium layer partially exposed from a patterned carbon hard mask into a processing chamber; providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into an etching chamber; maintaining plasma of the process gas; and etching the chromium layer through the hard mask layer.例文帳に追加

クロム層をエッチングする方法は、パターン化された炭素ハードマスクから部分的に露出するクロム層を有する基板を処理チャンバ内に提供するステップと、塩素および一酸化炭素を含有するプロセスガスをエッチングチャンバの中に提供するステップと、プロセスガスのプラズマを維持するステップと、クロム層を炭素ハードマスク層を介してエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of improving a solvent concentration by generating solvent steam in a depressurized atmosphere, further improving drying efficiency for a substrate and highly accurately controlling the pressure in a chamber in depressurization by supplying not so much carrier gas such as nitrogen gas into the chamber.例文帳に追加

減圧環境下で溶剤蒸気を発生させることにより、溶剤濃度を高くすることができ、基板に対する乾燥効率をより向上させることができるとともに、チャンバ内への窒素ガス等のキャリアガスの大量供給を行わないことにより、減圧時のチャンバ内圧力を精度よく制御することができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

Provided on either or both of the plasma chamber and processing chamber is a gas inlet, that can introduce an oxidizing gas, such as air, H2O gas, O2 gas or the like from the exterior at any time.例文帳に追加

所定の物質をプラズマ中で励起してイオンを発生させるプラズマ室と、イオンビームを試料に衝突させて試料にイオンを注入する処理室とを有するイオン注入装置において、プラズマ室及び処理室の少なくとも一方に、その外部から空気、Ｈ_2Ｏガス、Ｏ_2ガス等の酸化性ガスを随時導入することが可能なガス導入口を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

In a probe device having an ion beam system for irradiating an ion beam, and a probe control device for driving the probe arranged in a vacuum sample chamber, a zone for processing the probe with ion beams is arranged in the sample chamber, and sputter particles of the probe and ion beams passing through in the vicinity of the probe are captured in the zone.例文帳に追加

本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing equipment is equipped with a chamber provided with a slit-like window for processing a substrate on which a semiconductor film is formed, a moving means which moves the substrate in a certain direction, a means for introducing gas which introduces gas containing dopant into the chamber, and a laser beam irradiating means which irradiates laser rays.例文帳に追加

半導体装置の製造装置は、半導体膜が設けられた基板を処理するためのスリット状の窓が開けられたチャンバーと、前記基板を一方向に移動させる移動手段と、前記チャンバーにドーパントを含んだガスを導入するためのガス導入手段と、レーザー光を照射するレーザー光照射手段とを備えている。 - 特許庁

A plasma enhanced CVD system for processing one or more flat panel display substrate comprises a process chamber 133 arranged to contain gas, a residual gas analyzer 63 arranged to analyze and feed back gas in the process chamber, and a controller 250 for monitoring feedback from the gas analyzer.例文帳に追加

１枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、ガスを含有するように構成されたプロセスチャンバ１３３と、プロセスチャンバ内のガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器６３と、ガス分析器からのフィードバックをモニタするためのコントローラ２５０を備えている。 - 特許庁

The initial pressure is found by processing the wafer W having a coverage ratio (of an area of an SiO2 divided by an area of an Si film layer) varying depending on the flow rate of Cl2, finding a difference between internal pressures of the chamber 104 before and after plasma generation, and adding a value obtained from the coverage ratio and pressure difference to a processing pressure value.例文帳に追加

初期圧力値は，Ｃｌ_2の流量に応じて，被覆率（ＳｉＯ_2膜層の面積／Ｓｉ膜層の面積）が異なるウェハＷに処理を施し，プラズマ生成前後の処理室１０４内の圧力差を求め，それら被覆率と圧力差から求められた値を処理圧力値に加算して求める。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device which recognizes an abnormality such as cracks, chips, displacements or the like of a glass substrate to be processed in a processing chamber using plasma without installing a special sensor, decreases a downtime of the processing device, and prevents a tarnsferring of the chipped glass substrate to a post-process.例文帳に追加

本発明は、プラズマを用いる処理室内において、被処理ガラス基板の割れ、欠け、位置のずれ等を異常を特別のセンサーを設置することなしに認識し、処理装置のダウンタイムの縮小や、欠けたガラス基板が後工程に搬送されてしまわないようにするための、半導体製造装置を提供するものである。 - 特許庁

A wafer 1 provided, on the lower non-processing surface side thereof, with a protective film 21 is mounted on a base plate 25 and a tubular frame 26 having a packing 29 for sealing the outer circumferential fringe part on the upper surface of the wafer 1 is set and suction-fastened by means of a cylinder 28 thus forming a processing chamber 30 in an etching pot 22.例文帳に追加

ベース板２５上に下面側の非処理面に保護膜２１を設けたウエハ１を載置し、ウエハ１の上面外周縁部をシールするパッキン２９を有した筒状枠体２６をセットし、シリンダ２８により吸引締結することにより、エッチングポット２２の内部に処理室３０を構成する。 - 特許庁

An internal combustion engine 10 executes the EGR valve 22 opening processing in the fuel cut and computes the storage quantity of air stored in the intake path 11 by execution of the valve opening processing, and computes the increased quantity of air flowing into a combustion chamber 12 based on the computed storage air quantity.例文帳に追加

内燃機関１０は、燃料カット中に、ＥＧＲバルブ２２の開弁処理を実行するとともに、この開弁処理の実行により吸気通路１１に蓄積される空気の蓄積量を算出し、算出された蓄積空気量に基づいて燃焼室１２に流入する空気の増加量を算出する。 - 特許庁

The vacuum chamber 2 of the large vacuum processing apparatus 1 includes an inner shell member 5, in which a processing space R is formed, and an outer shell member 6, arranged so as to surround the inner shell member 5 wherein the inner shell member 5 is formed from an anti-rust material, and the outer shell material 6 is formed from a low-cost steel material, or the like.例文帳に追加

大型の真空処理装置１の真空チャンバ２は、処理空間Ｒを内部に形成する内殻部材５と、内殻部材５を包囲するように配置された外殻部材６とを備え、内殻部材５は、防錆材料で形成されており、外殻部材６は、安価な鋼材等で形成されている。 - 特許庁

The heating scattering mechanism warms a purge gas supplied to the lower surface of the protective plate and uniformly scatters it to the periphery of the protective plate, and absorbs heat of the protective plate that is heated by heat transmitted to the lower side and the periphery among heat produced in the thermal processing section, by the purge gas, and returns it to the thermal processing chamber.例文帳に追加

この加熱分散機構は、保護板の下側面に供給されたパージガスを暖めて当該保護板の周囲に均等に分散させると共に前記熱処理部で発した熱のうち下側と周縁に伝わる熱を受けて熱せられた前記保護板の熱をパージガスで吸収して前記熱処理室に環流させる。 - 特許庁

In the method of performing high-pressure processing on a work 2 by the use of supercritical or subcritical fluid, the fluid is made to impinge on the surface 2a of the work 2 arranged in a high-pressure processing chamber 9 and then to flow outward from the work 2 along the surface 2a of the work 2.例文帳に追加

超臨界あるいは亜臨界状態の流体を用いて被処理体２に高圧処理をする高圧処理方法において、前記流体を、高圧処理室９に配置された被処理体２の表面２ａに衝突させた後、被処理体２の表面２ａに沿って被処理体２の外方に向けて流通させる。 - 特許庁

To provide a baking method capable of easily collectively baking a plurality of quartz products in removing metal contained in each of the quartz products by baking the quartz products as constituents of a heat processing apparatus for carrying semiconductor substrates into a reaction chamber to execute heat processing.例文帳に追加

半導体基板を反応容器内に搬入して熱処理する熱処理装置の構成部品である石英製品をベーク用の容器内にてベークし、石英製品に含まれる金属を除去するにあたって、複数の石英製品を容易に一括してベークすることができるベーク方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor, a plasma processing method and an apparatus, which can reduce peeling of substances formed at plasma generation adhered on a member and a processing chamber for suppressing generation of particles, thus improving product yield or productivity.例文帳に追加

プラズマ処理において、プラズマが発生している際に生成され、処理室内部の部材上に付着する堆積物質の剥離を低減してパーティクルの発生を抑制し、製品の歩留まりや生産性を向上できるようにした半導体の製造方法及びプラズマ処理方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The boat 100 for a vertical furnace being used in the processing chamber of a vertical furnace performing a specified processing of a substrate comprises supporting plates 24 for mounting/supporting a substrate respectively, and columns 22 for supporting the supporting plate wherein a plurality of supporting plates are arranged in parallel and the columns are arranged perpendicularly to the plurality of supporting plates.例文帳に追加

基板に所定の処理を施す縦型炉の処理室において用いられる縦型炉用ボート１００であって、基板を載置して支持する支持板２４と、支持板を支持する支柱２２とを備え、支持板は、複数枚平行に配置され、支柱は、前記複数の支持板に対して垂直になるように配置する。 - 特許庁