「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor manufacturing system in which there exists no possibility that processing chambers are polluted by exhaust gas from another exhaust path even when another exhaust path is simultaneously exhausted together with the processing chambers of each kind such as a film-forming chamber, and to provide a maintenance method of the semiconductor manufacturing system as the case may be.例文帳に追加

成膜室などの各種の処理室とともに他の排気経路を同時に排気する場合でも、他の排気経路からの排気ガスによって処理室が汚染される恐れのない半導体製造装置、或いは、半導体製造装置のメンテナンス方法を提供する。 - 特許庁

When the transport robot in a transport chamber transports a substrate by holding the substrate by means of the front ends of its arms, sensors 71 installed to the arms monitor whether or not the substrate is held at a correct position and a signal processor 73 provided on the outside of the transport chamber judges whether or not the substrate is at the correct position by processing the signals from the sensors 71.例文帳に追加

搬送チャンバー内の搬送ロボットが、アームの先端で基板を保持しながら搬送する際、アームに設けられたセンサ７１が、基板が正しい位置で保持されているか監視し、搬送チャンバー外に設けられた信号処理部７３が、センサ７１からの信号を処理して基板が正しい位置であるかどうか判断する。 - 特許庁

The ion current reference sensor device is positioned near the chamber(s) of the engine and fuel provided to the chamber(s) is routed to provide a diffusion flame and the resultant ion current from the flame is measured and provided to the processing module at discrete intervals during the combustion process.例文帳に追加

イオン電流基準センサ装置はエンジンの燃焼室近傍に位置決めされ、燃焼室に供給される燃料は拡散火炎を提供すべく流路指定され、当該火炎からの結果としてのイオン電流が測定され、燃焼プロセスの間に離散的な間隔において処理モジュールに対して提供される。 - 特許庁

The method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus having a process chamber for processing silicon wafers is characterized in that the process chamber interior is heat treated in a halogenous gas atmosphere, then in a reductive gas atmosphere and finally in an oxidative gas atmosphere.例文帳に追加

シリコンウェハに加工処理を施す加工処理室を具備する半導体製造装置のクリーニング方法であって、前記加工処理室内を、ハロゲン系ガス雰囲気下で熱処理し、次いで還元性ガス雰囲気下で熱処理した後に、酸化性ガス雰囲気下で熱処理することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法である。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus having the substrate delivery chamber provided between two vacuum chambers, the substrate delivery chamber is equipped with a lift pin for supporting a substrate, a buffer arm where the substrate is temporarily placed, and a substrate stage on which the substrate is placed, and the lift pin is lifted and lowered in an oblique direction.例文帳に追加

２つの真空チャンバ間に設けられた基板受け渡しチャンバを有する真空処理装置において、前記基板受け渡しチャンバが、基板を支持するリフトピンと、基板を仮置きするバッファーアームと、基板を載置する基板ステージとを具備し、前記リフトピンが、斜め方向に昇降することを特徴とする。 - 特許庁

The arc detecting device includes an RGB sensor 200 including an RGB module measuring red, green and blue hues of light generated from plasma in a chamber 100, and a master board 300 processing signals generated from the RGB sensor 200, controlling the operation of the chamber 100 and externally displaying the process state.例文帳に追加

チャンバ１００内部のプラズマから発生する光を赤色、緑色及び青色の色相別にそれぞれ測定するＲＧＢモジュールを含むＲＧＢセンサ部２００と、ＲＧＢセンサ部２００から発生した信号を処理し、チャンバ１００の動作を制御したり、工程状態を外部に表示するマスターボード３００とを備える。 - 特許庁

To provide an air conditioner which precisely adjusts return air to a set temperature by quickly reacting with the load fluctuation of a refrigerant evaporation coil of a heat exchanger due to temperature change of the return air from the chamber in which various precise processing devices are installed, and returning the air into the chamber as feed air.例文帳に追加

各種の精密加工装置が設置されているチャンバー内からの還り空気の温度変化による熱交換器の冷媒蒸発コイルの負荷変動に迅速に反応して、還り空気を設定温度に精密に調整し、送り空気としてチャンバー内に戻すことができる空調機を提供する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of a semiconductor device includes a chamber 10 for bake processing a substrate 2 to be processed, a plurality of gas supply ports 12 provided on an internal surface of the chamber 10, and a moisture control unit 14 capable of supplying inert gases which differ in humidity, respectively to the plurality of gas supply ports 12.例文帳に追加

被処理基板２をベーク処理するチャンバー１０と、チャンバー１０の内面に設けられた複数のガス供給口１２と、複数のガス供給口１２のそれぞれに、湿度が異なる不活性ガスを供給可能な湿度制御部１４と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

This prober device includes a cleaning chamber 5 including a mechanism for cleaning a probe of a probe unit 4 of the prober device by dry processing using ion or the like in vacuum, and a measuring mechanism (a preparation chamber 3, a conveyance device 12, a test wafer 13, and a gate valve 6) for confirming electrical measurement of the probe of the probe unit 4 in vacuum.例文帳に追加

真空中内で、イオン等を用いたドライ処理で、プローバ装置の探針ユニット４の探針をクリーニングする機構を備えたクリーニング室５と、真空中内で、探針ユニット４の探針の電気的測定を確認する測定機構（仕込み室３、搬送装置１２、試験ウエハ１３、ゲート弁６）を備える。 - 特許庁

The adhesion preventing plate 130 is used in the vacuum processing apparatus 100 for forming a film by adhering particles released from a material source 120 on an object P in a chamber 104 of a vacuum atmosphere, and prevents the formation of an adhered film containing particles on the inner surface of the chamber 104.例文帳に追加

真空雰囲気のチャンバー１０４内において材料源１２０から放出される粒子を対象物Ｐに付着させることで成膜を行う真空処理装置１００に用いられる、チャンバー１０４の内面に粒子を含む付着膜が形成されるのを防止する防着板１３０である。 - 特許庁

A pressure transmitting plate 2 receives a pressure P1 from the circumference 5 and transmits the pressure P1 to a sensitive and processing chamber 3 and the pressure signal generating section 6 of the chamber 3 generates an internal pressure P2 based on the pressure P1 and, at the same time, an analog pressure signal SP2 indicating the internal pressure P2.例文帳に追加

圧力伝達板２は、周囲５からの圧力Ｐ１を受け、圧力Ｐ１を感応及び処理室３に伝達し、感応及び処理室３の圧力信号生成部６は、圧力Ｐ２に基づいて内圧Ｐ２を発生するとともに、内圧Ｐ２を表すアナログ圧力信号ＳＰ２を生成する。 - 特許庁

To avoid the influence of attenuation of output of an integration circuit caused due to discharge of a capacitor, in a combustion state detecting device wherein a signal processing circuit integrates an output value of a sensor corresponding to change speed of pressure in a combustion chamber with the capacitor and the pressure in the combustion chamber is obtained based thereon.例文帳に追加

信号処理回路が燃焼室内の圧力の変化速度に応じたセンサの出力値をコンデンサで積分し、これに基づいて燃焼室内の圧力を得る燃焼状態検出装置において、コンデンサの放電による積分回路の出力の減衰の影響を回避することである。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiation processing device allowing accurate measurement of the quantity of electron beam emitted from an electron beam tube by reducing generation of the abnormal plasma inside a chamber due to introduction of a power supply line, which is used for supplying electric power to a power driving part such as a heater, into the chamber.例文帳に追加

ヒータ等の電力駆動部に電力を供給するための電力供給線をチャンバー内に導入したことによって生ずるチャンバー内の異常プラズマの発生を抑制し、電子線管から出射される電子線量を正確に測定することを可能にした電子線照射処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the substrate processing apparatus comprising a load lock chamber 7 for sending and receiving substrates 2 in different atmospheres, at least two substrate supporting stages 200a, 200b in the upper and lower portions and a substrate alignment device 6 for the positioning of the substrates 2 are provided in the load lock chamber 7.例文帳に追加

異なる雰囲気間で処理する基板２の授受を行うロードロック室７を具備する基板処理装置において、ロードロック室７内に、上下少なくとも２段以上の基板支持部２００ａ、２００ｂと、ロードロック室７内で基板２の位置合わせを行う基板アライメント装置６とを設けた基板処理装置。 - 特許庁

This processor is equipped with an airtight door 115 and a retort 115c as interface for taking out the gas-form excreta including the evaporated matter from the object being the target of processing heated in decompressed condition within a second airtight chamber 103 while keeping the condition within the second airtight chamber.例文帳に追加

本発明の処理装置は、第２の気密室１０３内で減圧状態で加熱されている処理対象物体からの蒸発物を含むガス状排出物を、第２の気密室内の条件を維持しながら外部へ取り出すためのインターフェースとして、気密扉１１５ｂとレトルト１１５ｃとを備える。 - 特許庁

In one embodiment, a method for forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer comprises: dynamically ramping up a silane gas supplied in a gas mixture to a surface of a substrate disposed in a processing chamber; dynamically ramping down an RF power applied in the gas mixture supplied to the processing chamber to form a plasma in the gas mixture; and forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate.例文帳に追加

一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 - 特許庁

This substrate processing apparatus comprises a processing chamber; a substrate holder disposed in the chamber for holding a substrate; a high-frequency power source for supplying a high-frequency power to the substrate holder; a matching box, electrically located in between the substrate holder and the high-frequency power source; and a movement mechanism for making g the substrate holder and the matching box move integrally.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 - 特許庁

To reduce the restriction in accuracy in dimension in designing and processing, in a refrigerant flow divider provided with a refrigerant whirling passage from a refrigerant distributing chamber to a refrigerant flow dividing port, and to improve the flow dividing performance.例文帳に追加

冷媒分配室から冷媒分流口に至る間に冷媒旋回通路を設けた冷媒分流器における設計、加工上の寸法精度の制約を小さくし、かつ分流性能の向上を図る。 - 特許庁

In toast course processing, the temperature of a range baking dish which is installed in a heating chamber and on which a food is placed is detected at starting heating and a preheating time Y:TM for the range baking dish is determined in accordance with the detected temperature (S302).例文帳に追加

トーストコース処理では、加熱開始時に、加熱室内に設置され食品を載置するレンジ焼き皿の温度が検知され、当該検知温度に基づいてレンジ焼き皿の予熱時間Ｙ：ＴＭが決定される（Ｓ３０２）。 - 特許庁

To provide a temperature adjustment controller wherein, related to substrate processing equipment comprising a plurality of process chambers, the temperature adjustment process for all chambers are controlled by one unit, while easily coping with addition of a chamber and specification change.例文帳に追加

複数の処理チャンバをもつ基板処理装置において、全チャンバの温度調節プロセスを１台で制御でき、かつチャンバの増設や仕様変更にも容易に対応できる温度調節コントローラを提供する。 - 特許庁

A processing chamber 100 comprises a ceiling section 110 arranged with an upper electrode 112, and a container section 120 arranged with a lower electrode 122 disposed oppositely to the upper electrode 112 and can mount an article to be processed.例文帳に追加

処理室１００は，上部電極１１２が配置された天井部１１０と，上部電極１１２に対向配置され被処理体を載置可能な下部電極１２２が配置された容器部１２０とを備える。 - 特許庁

Since a piezoelectric film can be formed on the diaphragm while bonding the diaphragm to the ink storage chamber, damage on the diaphragm can be lessened even if the PZT layer is formed under severe processing conditions.例文帳に追加

このため、インク貯溜室に振動板を接合した状態で圧電体膜を振動板上に形成することができ、ＰＺＴ層を形成する処理条件が厳しくとも、振動板のダメージを軽減することができる。 - 特許庁

Namely, each processing gas is introduced from a lower portion of a reaction chamber, and is adapted to rise vertically at a high speed and is prevented from passing through the position of the substrate supported below the boat before the mixing.例文帳に追加

すなわち、それぞれの処理用ガスが反応室の下方から導入され、高速で垂直方向に上昇してしまい、混合される以前にボートの下部に支持されている基板の位置を通過することを防止する。 - 特許庁

To provide a surface structure capable of preventing residual impurity in vacuum, in particular, remaining water molecules from being produced, while keeping acid resistance and heat resistance, in a vacuum processing chamber, such as an ALD apparatus or a CVD apparatus.例文帳に追加

ＡＬＤ装置やＣＶＤ装置等などの真空処理室において、耐酸性や耐熱性を保ちながら、真空中の残留不純物、特に残留水分子の発生を防止した表面構造を提供する。 - 特許庁

An antenna 30 supplying a high frequency to a processing chamber includes two dipole antennas 31, 32 which are supplied with the high frequency in a way that the two dipole antennas 31, 32 are intersected orthogonally each other to make the high frequency a circularly polarized wave.例文帳に追加

処理容器内に高周波を供給するアンテナ３０として、互いに直交するように配置されて高周波が円偏波となるように給電される２つのダイポールアンテナ３１，３２を有する。 - 特許庁

When the lock releasing processing of the cartridge chamber cover 6 is performed, a D5 gear 59 and a D6 gear 60 constituting a delay mechanism are not engaged each other, so that rotation from a feeding motor is not transmitted to the spool 42.例文帳に追加

カートリッジ室蓋６のロック解除処理が行われるとき、遅延機構を構成するＤ５ギヤ５９とＤ６ギア６０が係合しなくなり、給送用モータからの回転はスプール４２に伝達されない。 - 特許庁

Accordingly, an adhered matter generated when irradiating the ultraviolet light on the silicon compound gas to process the substrate and adhered to a structure such as an inner wall of the processing chamber can be processed with the excited oxygen-containing gas to modify it.例文帳に追加

これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 - 特許庁

The processing column system 10 includes an inlet, an outlet, a piston head 16 and a piston pressure chamber 26 for providing a controlled bed pressure to the piston head and thus to a substrate bed 36 positioned within the column.例文帳に追加

処理塔システム１０は、入口と、出口と、ピストンヘッド１６と、制御された床圧力をピストンヘッドに、ひいては塔内に配置されている基材床３６に提供するためのピストン圧力室２６と、を含んでいる。 - 特許庁

This purge gas flows into the processing chamber, and attains a flow with high uniformity at a carry-in port of a substrate W provided at a position confronting a gas inlet port 9, and flows outwardly of the substrate heating apparatus.例文帳に追加

そして、このパージガスは、処理室内に流れ込み、ガス導入口９に対向する位置に設けられている基板Ｗの搬入口において均一性の高い流れとなって、基板熱処理装置の外部に流出する。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of obtaining a desired field-strength distribution by properly controlling a field strength even when the field-strength distribution is changed in a processing chamber by the effect or the like of standing waves.例文帳に追加

定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

Negative ions, consisting of single atom ions containing oxide ions and/or oxygen negative ion radicals, are supplied into the processing chamber 5 and are made to react on the organic substances decomposed by UV-rays.例文帳に追加

そして、処理室５内に、酸素マイナスイオンラジカルまたは酸化物イオンと酸素マイナスイオンラジカルを含む単原子イオンから成るマイナスイオンを供給して、マイナスイオンを紫外線により分解された有機物と反応させる。 - 特許庁

An X-ray control chamber R2 is provided with a portable console 1 which controls the entire X-ray image photographing system and performs the control of X-ray image photographing and the image processing of acquired X-ray images.例文帳に追加

Ｘ線制御室Ｒ２には、Ｘ線画像撮影システム全体を制御し、Ｘ線画像撮影の制御や取得したＸ線画像の画像処理を行う可搬性を備えた携帯型のコンソール１が設けられている。 - 特許庁

The flow of gases can be regulated by a controller and a series of gas control valves to form and introduce the preselected gaseous mixture into the processing chamber as plasma to be exposed to the semiconductor wafer surface.例文帳に追加

ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。 - 特許庁

A microwave produced by a microwave power supply 1 is introduced into a microwave radiator 6 through an impedance matching device 4 and a matching transformer 5 and radiated into a plasma processing chamber 7 via a vacuum-sealed quartz window 11.例文帳に追加

マイクロ波電源１により発生したマイクロ波は、インピーダンス整合器４、整合用変成器５を通りマイクロ波放射器６に導入され、真空封じの石英窓１１を介してプラズマ処理室７に放射される。 - 特許庁

The cover means is constituted by combining together a plate type shield portion which shields the weld zone from the gas chemical reaction by quartz and a cylindrical insert portion inserted into a gas intake opening in the processing chamber.例文帳に追加

カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。 - 特許庁

When a substrate placement detection signal T is input from the hot plate 1, the correction processing unit 29 calculates a correction value S from the chamber temperature acquired when the substrate 17 to be heat-treated is heat-treated and its correction function.例文帳に追加

補正処理部２９は、ホットプレート１からの基板載置検出信号Ｔが入力されると、被熱処理基板１９の本加熱処理時に得られたチャンバー温度とその補正関数から補正値Ｓを算出する。 - 特許庁

The lid 32 is provided with a held part 5, and a lid holding mechanism 7 arranged on the lid opening/closing mechanism 6 is lifted at the opening/closing position so as to raise the lid 32 from the processing chamber 30.例文帳に追加

前記蓋体３２には被保持部５が設けられており、蓋体開閉機構６に設けられた蓋体保持機構７を前記開閉位置にて上昇させることにより、処理室３０から蓋体３２を持ち上げる。 - 特許庁

When the pressure in the chamber 27 is reduced, pure water stored in a processing tank 1 evaporates and since evaporation heat is taken from the pure water and the temperature of pure water falls off, temperature of the substrate W can be lowered.例文帳に追加

チャンバ２７内を減圧すると、処理槽１に貯留している純水が蒸発し、その時に純水から気化熱が奪われて純水の温度が低下するので、基板Ｗの温度を低くさせることができる。 - 特許庁

The baffle plate 90 includes a plurality of openings 91, 92, 93 for the exhausting, and is formed with irregular shapes on a face in a processing chamber side, to form a height difference in heights of peripheral edges of the openings.例文帳に追加

バッフル板９０は、排気を行うための複数の開口部９１，９２，９３を有し、かつ、前記開口部の周縁部の高さに高低差が形成されるように、前記処理空間側の面に凹凸が形成されている。 - 特許庁

To provide an oil passage structure capable of securing an oil passage for making a hydraulic fluid flow to a cylinder chamber, with a simple constitution for minimizing processing of a large part, in a double piston type continuously variable transmission mechanism.例文帳に追加

ダブルピストン型の無段変速機構において、大型部品の加工を少なく抑えた簡単な構成でありながら、シリンダ室に作動油を流通させるための油路を確保できる油路構造を提供する。 - 特許庁

The heat treatment apparatus has: a hot plate 50 for placing a substrate W and heating it; a lid 60 for covering the substrate W placed on the hot plate 50 and forming a processing chamber 41; and a temperature sensor 100 for measuring the temperature of the lid 60.例文帳に追加

基板Ｗを載置し加熱する熱板５０と、熱板５０上に載置された基板Ｗを覆い処理室４１を形成する蓋体６０と、蓋体６０の温度を計測する温度センサ１００とを有する。 - 特許庁

For instance, a typical structure in a processing chamber 140E is displayed in a first display region 311a of the display panel 301, and a plurality of parts A1-A8 are displayed in colors different from each other on a part basis.例文帳に追加

表示パネル３０１の第１の表示領域３１１ａに例えば処理室１４０Ｅ内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位Ａ１〜部位Ａ８を部位ごとに異なる色で表示する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment device and a substrate treatment method which can ensure stable processing uniformity even when a temperature detection means which is disposed inside a treatment chamber and is used for temperature control is attached/detached.例文帳に追加

処理室内に配置され、温度制御に使用される温度検出手段の着脱を行った場合でも、安定した処理均一性を確保することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In the second etching process, after measuring the intensities of the light component having the selected wavelength among the wavelengths of the lights emitted from the activated species present in the processing chamber, the etching is stopped, based on a change of the intensity of the light component.例文帳に追加

第２エッチング工程では、処理室内に存在する活性種から生じた光のうち、選択された波長を有する光成分の強度を測定し、その強度の変化に基づいてエッチングを停止する。 - 特許庁

A heat treatment chamber 15 for regulating the coated electric wire 11 drawn out from the extruder 3 to a crystallization promoting temperature for the polyethylene terephthalate resin is disposed on the downstream side of the extruder 5 in an extrusion processing line.例文帳に追加

押出機３から引き出された被覆電線１１を、ポリエチレンテレフタレート樹脂の結晶化促進温度に調整するための熱処理室１５が、押出製造ラインにおける押出機５の下流側に備えられている。 - 特許庁