「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Plasma is generated in the processing chamber 2 by supplying microwaves from a microwave supply device 37 and the surface of the article T is subjected to radical oxidation with oxygen radicals generated from the plasma.例文帳に追加

マイクロ波供給装置３７の供給によって，処理容器２内にプラズマを発生させ，それによって発生した酸素ラジカルによって被処理体Ｔの表面にラジカル酸化処理を行う。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can uniformly process even a large-sized substrate by eliminating a difference in etching speed generated between a center region and a peripheral region in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

真空処理チャンバ内の中央領域と周辺領域とにおいて生じ得るエッチング速度の差をなくして、大型の基板でも均一に処理できるようにしたドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that also fixes the evacuation rate to a root exhaust pipe although the pressures in an antiscatter cup and a chamber surrounding the cup are fixed.例文帳に追加

飛散防止カップおよび飛散防止カップを包囲するチャンバ内の圧力が一定でありながら、大元の排気管への排気量をも一定とする基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of both plasma-dicing and bonding with a die attach film, and also preventing the inside of a vacuum chamber for plasma processing from getting smeared.例文帳に追加

プラズマダイシングとダイアタッチフィルムによるボンディングを両立させることができ、併せてプラズマ処理用の真空チャンバ内の汚損も抑えることができる半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁

A hydrophobic organic high polymer film, comprising a polyimide resin film containing a fluorine atom is formed on the surface of a member 1 exposed to vacuum in a vacuum processing chamber by deposition polymerization reaction.例文帳に追加

真空処理室の真空中に露出される部材１の表面に、フッ素原子を含有するポリイミド樹脂膜から成る疎水性有機高分子膜を蒸着重合反応により形成する。 - 特許庁

In the chamber of the film formation furnace 8b of the processing apparatus 8, a conductive film 89 for an electrode grows on an exposed surface of the p-type contact layer 35 to form a third substrate product E3.例文帳に追加

処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。 - 特許庁

The apparatus 10 is configured so that the pump 32 and the flow rate control valve 42 of the inert gas supply means 38 is controlled, and the concentration in an atmosphere in the processing chamber 7 becomes desired concentration.例文帳に追加

ポンプ３２と不活性ガス供給手段３８の流量制御弁４２とが制御されて処理室７内の雰囲気における水蒸気の濃度が所望の濃度となるよう構成されている。 - 特許庁

As the result, the hot air 8 of high temperature necessary for heating processing can be jetted even when the temperature of air inside the heating chamber 2 is low, on condition that the amount of heating of the heaters 4 is made sufficiently large.例文帳に追加

この結果、加熱器４の加熱量を充分に大きくしてやれば、加熱室２内部の空気温度が低くても加熱処理に必要な高温の熱風８を噴出することが可能である。 - 特許庁

The substrate processing equipment is configured such that after peeling liquid is supplied to a substrate S that is brought-in a treating chamber 1 from the bring-in port 2a, the substrate S is brought-out from a bring-out port 3a.例文帳に追加

基板処理装置は、搬入口２ａから処理室１に搬入される基板Ｓに対して剥離液を供給した後、基板Ｓを搬出口３ａから搬出するように構成される。 - 特許庁

When liquid crystal charged in a liquid crystal device 1 is subjected to isotropic processing, the liquid crystal is changed into an isotropic phase first at a heating section and then quenched in a quenching chamber 65a to be re-arrayed.例文帳に追加

液晶装置１に封入した液晶の等方処理を行うに際し、先ず加熱部で液晶を等方相へ転移させ、次いで冷却室６５ａで急冷して液晶を再配列する。 - 特許庁

To provide a method of cleaning a semiconductor manufacturing device capable of reducing a use amount of a cleaning gas used in removing a coat adhered to an inner wall of a processing chamber compared with a conventional art.例文帳に追加

処理室の内壁に付着した被膜を除去する際に使用するクリーニングガスの使用量を従来に比して削減することができる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

Since the first connector and the second connector are connected to each other, blood flowing in from the blood inlet 392 is circulated in the blood processing chamber 352 to flow out of the first blood outlet 520.例文帳に追加

第１のコネクタと第２のコネクタとが結合されているので血液入口３９２から流入した血液は、血液処理室３５２内を環流して第１血液出口５２０から流出する。 - 特許庁

A first material gas A and a second material gas B are alternately supplied to a processing chamber housing a substrate without allowing the mixture of the gases A and B, thereby forming a desired thin film on the substrate.例文帳に追加

基板を収容した処理室に、第１の原料ガスＡと第２の原料ガスＢとを互いに混合させることなく交互に供給して、基板上に所望の薄膜を形成させる。 - 特許庁

A labeling processing part 36 separates the plurality of voxels other than the voxels of a heart chamber which is the object region into a plurality of isolated voxel groups and imparts a labeling number to each of the plurality of isolated voxel groups.例文帳に追加

ラベリング処理部３６は、対象領域である心腔のボクセル以外の複数のボクセルを、複数の孤立ボクセル群に分離し、複数の孤立ボクセル群の各々にラベリング番号を付与する。 - 特許庁

Outer insertion bodies 9 permitting passage of the evaporated metal atoms are arranged side by side in the processing chamber 7, and one or more ring magnets (s) are arranged to be surrounded by the outer insertion bodies 9.例文帳に追加

処理箱７に前記蒸発した金属原子の通過を許容する外挿体９を並設し、前記外挿体９で囲繞されるようにその内側に少なくとも１個のリング磁石ｓ配置する。 - 特許庁

The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.例文帳に追加

また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁

A plasma generated between an upper electrode 18 and the lower electrode 19 acts on the mount to process the mount including many of the lead frame members at once in the closed state of the processing chamber 17.例文帳に追加

処理室１７が閉鎖された状態で、上部電極１８と下部電極１９との間に発生されるプラズマの作用により、多数のリードフレーム部材の実装部は一度に処理される。 - 特許庁

To improve crystallization of a semiconductor substrate and a semiconductor layer formed thereon by preventing the surface of the semiconductor substrate from being exposed as much as possible to the atmosphere inside a processing chamber.例文帳に追加

半導体基板の表面が処理室内の雰囲気にさらされることを可及的に防止することにより、半導体基板およびその表面に形成される半導体層の結晶性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a surface melting furnace capable of unifying and increasing a surface temperature by generating swirl flow of a combustion gas in a combustion chamber, increasing processing efficiency and preventing blockage of a slag port.例文帳に追加

燃焼室内で燃焼ガスの旋回流を発生させて炉内温度の均一化および高温化を図り、処理効率を高め、併せてスラグポートの閉塞を防止できる表面溶融炉を提供する。 - 特許庁

Then a hydrofluoric acid vapor as a corrosive gas or vapor for corroding the substrate W is supplied from a gas or vapor nozzle 12 into a processing chamber C1 that is a sealed space where the substrate W is contained.例文帳に追加

そして、基板Ｗが収容された密閉空間である処理室Ｃ１内に、基板Ｗを腐食させる腐食性のガスまたは蒸気であるフッ酸の蒸気をガス／蒸気ノズル１２から供給する。 - 特許庁

A high-density plasma is formed from the season precursors by applying at least 7,500 W of source power distributed with greater than 70% of the source power at a top of the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。 - 特許庁

Gas in the exhaust chambers 20, 30 is sucked and exhausted by an exhaust means 5, so that the internal pressure of the exhaust chambers 20, 30 will be lower than the external pressure, and the internal pressure of the processing chamber 10.例文帳に追加

排気手段５によって、排気チャンバー２０，３０の内圧が外部の圧力及び処理チャンバー１０の内圧より低圧になるよう、排気チャンバー２０，３０内のガスを吸引して排気する。 - 特許庁

Energy is given to gas introduced into the processing chamber 1 by a first gas introduction system 2 by a plasma forming means 3 to form plasm P_1, and a substrate 9 retained by a substrate holder 4 is treated.例文帳に追加

処理チャンバー１内に第一のガス導入系２により導入されたガスにプラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰ_１を形成し、基板ホルダー４に保持された基板９が処理される。 - 特許庁

In the system and method for processing a substrate, a substrate is disposed within a treatment space in the treatment chamber, and a material layer, such as titanium-containing layer, is deposited on the substrate by PECVD.例文帳に追加

基板を処理する装置及び方法であって、処理室の処理空間内に基板を位置し、チタン含有層のような材料層をプラズマ励起化学気相成長を用いて基板上に成膜する。 - 特許庁

The plasma processing method provides a plurality of plasma sources of different types to one process chamber, and proceeds the process by changing the used plasma sources in the process progress.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法によれば、一つの工程チャンバに互いに異なっている種類の複数のプラズマソースを提供し、工程進行の時、用いられるプラズマソースを変化させて工程を進行する。 - 特許庁

The manufacturing method and the manufacturing apparatus of a semiconductor device are provided, wherein for forming a silicon oxide film uniform and conformal at a low processing temperature of ≤500°C triethoxysilane and active oxygen such as ozone are alternately supplied into a processing chamber to form the silicon oxide film on the substrate.例文帳に追加

500℃以下の低温の処理温度で均質かつコンフォーマルなシリコン酸化膜を形成するために、トリエトキシシランと、オゾンなどの活性な酸素を交互に処理室に供給して、基板にシリコン酸化膜を成膜する半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

Each of multiple processing chambers 5a-5d having a lid 52 on top are connected to one of the sides not having a maintenance region 6, and a lid conveyance chamber 7 conveys the lids 52 between the processing chambers 5a-5d and the maintenance region 6.例文帳に追加

上部に蓋体５２を有する複数の処理室５ａ〜５ｄは前記複数の側面のうち、外側にメンテナンス領域６を備えた側面を除いた側面に接続され、蓋体搬送機構７は前記処理室５ａ〜５ｄとメンテナンス領域６との間にて、前記蓋体５２を搬送する。 - 特許庁

In a single-wafer processing apparatus 1, provided with a placing table 3 for placing the work W in a processing chamber 2, a plurality of grooves 30 are formed on the upper surface of the placing table 3, and a plurality of vents 31 piercing the placing table 3 so as to communicate with the grooves 30 are provided.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する載置台３を備えた枚葉式処理装置１において、前記載置台３の上面に複数の溝３０を形成すると共に、その溝３０と連通して載置台３を貫通する複数の通気孔３１を設けている。 - 特許庁

To relieve incurring of an energy loss due to cooling by a refrigerating machine and heating by a heater by providing an individual chamber, where a precision measuring apparatus or a precision processing machine, etc., is installed, in a room air-conditioned in a specified temperature range when precise measurement or precision processing is carried out.例文帳に追加

精密測定あるいは精密加工などをおこなう際、一定の温度範囲内に空調された部屋の中に、精密測定器あるいは精密加工機などを設置する個別の部屋（チャンバ）を設け、冷凍機で冷却し、ヒータで加熱することで生ずるエネルギーロスを軽減する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device that performs plasma processing using gas containing SF_6 in a chamber having a member comprising alumite, wherein a reducing agent is allowed to contact the member comprising the alumite after plasma processing is performed by using the gas containing SF_6 and the like.例文帳に追加

アルマイトからなる部材を備えたチャンバー内でSF_6含有ガスを用いたプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、前記SF_6含有ガスを用いたプラズマ処理後に、前記アルマイトからなる部材に還元剤を接触させることを特徴とする半導体装置の製造方法など。 - 特許庁

To provide a scroll compressor in which noise due to a back-flow of compressed fluid remaining in a central compression chamber including a discharge port can be reduced by changing the shape of the discharge port, and which facilitates processing thereof, and to provide a method for processing the discharge port.例文帳に追加

吐出ポートの形状を変えることにより、吐出ポートを含む中央圧縮室に残留している圧縮流体の逆流による騒音を低減できるとともに、その加工を簡易化できるスクロール圧縮機およびその吐出ポート加工方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus, an electrode which prevents degradation of electrostatic attraction force and reduces the leakage of helium gas used for heat transfer of an electrode is provided by providing a level difference which is higher than the inside and capable of maintaining electrostatic attraction force on the outer periphery of the surface of electrode in the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理室内の電極表面の外周部に、内側よりも高く、静電吸着力を維持できる段差を設けることで、静電吸着力低下の抑制と電極の熱伝達に用いるヘリウムガスのもれを低減する電極を備えた。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus in which substrate chucking operation for fixing a substrate onto a substrate placing surface of a substrate holder can be performed only by reciprocally moving the substrate holder by combination with conveying operation of a substrate conveying mechanism, consequently the constitution of a vacuum processing chamber is simplified and the manufacturing cost is reduced.例文帳に追加

基板搬送機構の搬送動作との組合せにより、基板ホルダを往復動させるだけで、基板を基板ホルダの基板搭載面に固定する基板チャック動作も可能になり、真空処理室の構成が簡素化され、製作コストを低減できる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

The shower head 100 is provided on a processing chamber 201 for processing a substrate in the inside so as to face a placing table 202 for placing the substrate and supply a gas like shower toward the substrate from a plurality of gas jetting holes 11 equipped on the opposite surface facing the placing table.例文帳に追加

内部で基板を処理する処理チャンバー２０１に、基板を載置するための載置台２０２と対向するように設けられ、載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔１１から基板に向けてガスをシャワー状に供給するためのシャワーヘッド１００である。 - 特許庁

This plasma processing device is provided with: an upper electrode arranged in a processing chamber; a mounting base 3 having a lower electrode 4 installed to face the upper electrode; and a means supplying high-frequency power between the lower electrode 4 and the upper electrode.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置では、処理室内に設けられた上部電極と、この上部電極と対向するように設置された下部電極４を有する載置台３と、下部電極４と上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備えている。 - 特許庁

To suppress that, in a vertical tube processing device, a reaction gas ejected from a gas supply port provided to an uppermost part of a gas supply nozzle flows into a space above an upper surface of a wafer boat, which causes the change in the flow rate and the flow quantity of the reaction gas in a processing chamber.例文帳に追加

縦型チューブ処理装置において、ガス供給ノズルの最上部にあるガス供給口から噴出された反応ガスがウェハボートの上面より上の空間にも流れてしまい処理室内で反応ガスの流速や流量が変わってしまうことを抑制する。 - 特許庁

The gas processing apparatus has electrodes 4a, 4b, 4c, 5a, 5b for inducing the discharge with the application of voltage, dielectric members 6a, 6b, 6c, 6d formed to pass a gas G1 to be processed and provided with among the electrodes and a plasma processing chamber 1b in which the electrodes and the dielectric members are mounted inside.例文帳に追加

ガス処理装置は、電圧印加下で放電を誘起させる電極４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂと、被処理ガスＧ１が流通可能な形態に形成され電極間に備えられた誘電体部材６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄと、電極及び誘電体部材が内部に設置されるプラズマ処理室１ｂを有する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a processing chamber in which plasma is formed, a rotating body which is rotated around a shaft facing the plasma, and a space which is arranged on the side facing the plasma of a bearing part of the shaft, and has a step larger than a space between a bearing surface of the bearing part and the shaft.例文帳に追加

内部にプラズマが形成される処理室と、前記プラズマに面して軸周りに回転する回転体と、前記軸の軸受部の前記プラズマに面する側に配置され、前記軸受部の軸受面と軸との間の隙間より大きくされた段差を有する空間とを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide a method for controlling a circulation fan of a banana aging and processing chamber, capable of uniformising a banana's flesh temperature in a case during an aging processing, uniformising the aging degree of the whole bananas, and obtaining the bananas with a higher commercial value.例文帳に追加

本発明はバナナ熟成加工中に、箱中のバナナ位置における果肉温度差を修正し、バナナ全体の熟成度を均一化させて商品価値のより高いバナナの熟成加工が可能となるバナナ熟成加工室の循環ファン制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The inner wall of an reactor is heated up to optimal temperature by plasma discharging prior to etching processing, and while taking a period of etching operation stoppage (idling) into account, the generation of plasma 402 is intermittently repeated during idling, so as to keep the surface temperature of inner wall of a vacuum processing chamber.例文帳に追加

エッチング処理に先立ってプラズマ放電による加熱によってリアクタ内壁温度を最適な温度にまで加熱し、エッチング処理動作停止（アイドリング）中を判断して、アイドリング中にも間欠的にプラズマ生成４０２を繰り返して、真空処理室の内壁表面温度を維持する。 - 特許庁

The excavated soil generated by the excavation of the slurry-type shield machine 1 is mixed with the processing water in the chamber 5 by an agitator 8, but by virtue of aggregation effect of the nonionic thickening agent contained in the processing water, the viscous soil contained in the excavated soil does not dissolve into the water.例文帳に追加

泥水式シールド機１の掘進により生じる掘削土砂は、撹拌装置８によりチャンバー５内で加工水と混合されるものの、加工水に含まれている非イオン系増粘剤の凝集効果により、掘削土砂に含まれている粘性土が水に溶け出さない。 - 特許庁

Furthermore, a wafer transfer device 24 for transferring a wafer W from the upstream side is disposed in each processing unit 11, and the wafer transfer device 24 for transferring the wafer W to the load lock chamber 2b from the processing unit 11 on the downstream end is disposed in the transfer module 12.例文帳に追加

また、各々の処理ユニット１１内に上流側からウエハＷを移載するためのウエハ搬送装置２４を配置すると共に、下流端の処理ユニット１１からロードロック室２ｂにウエハＷの移載を行うためのウエハ搬送装置２４を搬送モジュール１２内に設ける。 - 特許庁

To obtain the structure of the vacuum chamber that can vacuum seal easily by a plate-like material and a seal material solving the problems for the waste of material in the machined method by the machine processing from a block, the heat distortion removal work by the weld heating and the high cost as the finish processing is required.例文帳に追加

ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業や、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単に真空シールできるようにした真空用容器の構造を得る。 - 特許庁

The mounting mechanism comprises an O-ring 21 surrounding a plurality of through holes including pipes 15 between the electrostatic chuck 11 and the power supply plate 12, and a vacuum insulation layer 12D outside of the O-ring 21 connected to a processing space in a vacuum processing chamber.例文帳に追加

本発明の載置機構１０は、静電チャック１１と給電板１２の間に配管１５を含む複数の貫通孔を囲むＯリング２１を設けると共にＯリング２１の外側に真空処理容器内の処理空間と連通する真空断熱層１２Ｄを設けことを特徴とする。 - 特許庁

Outside the high-vacuum chamber 11, an ultra-violet light irradiation device 13 which can apply an ultra-violet light on the sample 8 and, as a recording mechanism of images displayed on the fluorescent screen 7, a video camera 16, a video deck 17, a video monitor 18, and a computer processing system including image processing are provided.例文帳に追加

高真空チャンバー１１の外部には、試料８へ紫外線光を照射できる紫外線照射装置１３と、蛍光板７に表示された像の録画機構として、ビデオカメラ１６、ビデオデッキ１７、ビデオモニター１８、画像処理システムを含むコンピューター処理系１９が備えられている。 - 特許庁