「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cleaning for removing deposited aluminum substance, a mixed gas of Cl_2/N_2 is supplied to a processing chamber 1 as the cleaning gas from a gas supplying system 15.例文帳に追加

アルミニウム系の堆積物の除去を行うクリーニングでは、ガス供給系１５からクリーニングガスとして、Ｃｌ_2／Ｎ_2の混合ガスを処理チャンバー１内に供給する。 - 特許庁

By a plasma generated inside the processing chamber 102, the contact hole of the prescribed shape is formed in an interlayer insulation film layer, consisting of the organic low dielectric constant material of the wafer W.例文帳に追加

処理室１０２内で生成されたプラズマにより，ウェハＷの有機系低誘電率材料から成る層間絶縁膜層に所定形状のコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

The bulk deposit layer can be deposited in such a way that it covers the above nucleation layer by allowing a second process gas containing tungsten hexafluoride and reductant to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

バルク堆積層はその後、六フッ化タングステンおよび還元剤を含む第２の処理ガスを基板処理チャンバ内へ流すことによって、核生成層を覆って堆積される。 - 特許庁

The first oxygen pump 12 is constituted of the first internal electrode 18a, a solid electrolyte 16a and the first external electrode 20a in the first processing chamber 36a.例文帳に追加

第１処理室３６ａに、第１内部電極１８ａと固体電解質１６ａと第１外部電極２０ａによって第１酸素ポンプ１２が構成されている。 - 特許庁

A thermal process for cleaning equipment surfaces having deposition of undesired silicon nitride in a semiconductor processing chamber by using a thermally activated source of pre-diluted fluorine is provided.例文帳に追加

半導体処理チャンバーにおいて、望まれていない窒化ケイ素が推積した装置表面を、熱的に活性化した、予備希釈したフッ素源を用いてクリーニングするサーマルプロセス。 - 特許庁

To provide a droplet discharging device equipped with a chamber device which provides the optimum working atmosphere in accordance with gas environment in a space in which a discharge processing unit is arranged.例文帳に追加

吐出処理部を配置する空間のガス環境に応じて最適な作業環境を提供できるチャンバ装置を備えた液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁

A pressure compensating section 7 is supplied with a pressure compensating signal SDP2 and compensates the internal pressure P2 by generating a new pressure DP2 in the sensitive and processing chamber 3.例文帳に追加

圧力補償部７は、圧力補償信号ＳＤＰ２が供給され、感応及び処理室３内に新たな圧力ＤＰ２を生じさせて、内圧Ｐ２を補償する。 - 特許庁

Selected pressure data is broken down with a resolution selected, depending on the pressure in the processing chamber 102 to obtain pressure data of a specified data density.例文帳に追加

さらに，選択された圧力データを処理室１０２内の圧力に応じて選択された分解能により分解し，所定のデータ密度の圧力データを求める。 - 特許庁

For the carrying chamber 2 connected to the processing chambers 13, 15 and 17 and load lock chambers 9 and 11, a gas composition and a gas partial pressure are measured by a mass spectrometer 36.例文帳に追加

処理室１３、１５、１７とロードロック室９、１１とが接続されている搬送室２について、ガス組成、ガス分圧を質量分析器３６にて測定する。 - 特許庁

To keep liquid level by which processing liquid is stably fed to a squeeze roller by keeping the liquid level constant by preventing the liquid level of a liquid chamber from lowering when the squeeze roller rotates.例文帳に追加

スクイーズローラの回転時に液室の液面が低下することを防止して液面を一定に保ち処理液がスクイーズローラへ安定供給する液面を保つ。 - 特許庁

Further the pressure in the processing chamber 4 is gradually increased by controlling the pressure-recovering valve 20 in recovering the pressure in the impregnating operation and vacuum cooling operation.例文帳に追加

また、含浸運転および真空冷却運転における復圧時、復圧弁２０を制御して処理４室内の圧力を徐々に上昇させることを特徴とする。 - 特許庁

The display means displays the images 25 of a plurality of chambers for processing the article being processed, and an icon W in the form of the article being processed on the image 25 of the chamber.例文帳に追加

この表示手段に被処理体を処理する複数のチャンバのイメージ２５、及び被処理体に見立てたアイコンＷをチャンバのイメージ２５上に表示する。 - 特許庁

To provide a pressure control apparatus for executing pressure control capable of continuously responding to a great variation of a processing gas flow rate or a processing gas pressure in a chamber in a short time; a pressure control method; and a substrate processing apparatus for continuously executing a plurality of processing steps (processes) and including the pressure control apparatus.例文帳に追加

複数の処理工程（プロセス）を連続して行う基板処理装置において、チャンバー内の処理ガス流量や処理ガス圧力の大幅な変動に対して短時間で連続的に応答可能な圧力制御を行う圧力制御機器、圧力制御方法および該圧力制御機器を備える基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The method of eliminating volatile residues from a substrate includes a step of preparing a processing system with a vacuum-tight platform, a step of processing a substrate through a chemistry including halogen in a processing chamber of the platform, and a step of processing the processed substrate in the platform and discharge volatile residues from the processed substrate.例文帳に追加

一実施形態において、基板から揮発性残渣を除去する方法は、真空気密プラットフォームを持つ処理システムを準備するステップと、プラットフォームの処理チャンバ内で基板をハロゲンを含む化学で処理するステップと、処理された基板をプラットフォーム内で処理して、処理された基板から揮発性残渣を放出させるステップと、を含む。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus 100 is characterized in that a 1st vacuum processing chamber 10 and a 2nd vacuum processor 30 which process a work are longitudinally connected in a freely linked state and a load lock chamber 509 equipped with a carrying mechanism 52 for carrying in and out the work between the vacuum processing chambers 10 and 30 is longitudinally coupled with the 2nd vacuum processors 30 in a free linked state.例文帳に追加

真空処理装置１００は、被処理体を処理する第１の真空処理室１０と第２の真空処理装置３０とが連通自在且つ縦列に連結されており、さらに、被処理体を真空処理室１０，３０のそれぞれの間で搬入し、搬出する搬送機構５２を備えたロードロック室５０が第２の真空処理装置３０に連通自在に縦列に連結されている。 - 特許庁

A substrate processing apparatus according to this invention comprises: at least a processing chamber including a microwave supply part supplying microwaves to a surface of a substrate and a gas supply part supplying an inactive gas to the surface of the substrate; and conveyance chambers which respectively include a cooling mechanism cooling the substrate that has been subjected to processing in the processing chamber and a conveyance mechanism conveying the substrate cooled by the cooling mechanism.例文帳に追加

本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給するマイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少なくとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくとも備える搬送室とより少なくとも構成される。 - 特許庁

This exhaust gas processing device A has an exhaust gas supply passage 2 divided into an exhaust gas introduction passage 5 and a combustion chamber introduction passage 8 communicated with the combustion chamber 1, and the exhaust gas introduction passage 5 and the combustion chamber introduction passage 8 are connected through a connection passage 9 communicatable with the passages 5, 8 by being connected and disconnected.例文帳に追加

排ガス処理装置Ａの排ガス供給路２が排ガス導入路５と燃焼室１に通じる燃焼室導入路８とに分割され、該排ガス導入路５と燃焼室導入路８とを該排ガス導入路５と燃焼室導入路８とに対して着脱して連通可能な接続路９を介して接続した構成であることを特徴とする。 - 特許庁

When transferring the board to a vacuum processing chamber connected to the transferring chamber by the transferring arm supported by the base susbtance provided at a bottom of the vacuum transferring chamber, for instance, an inclination of the transferring arm is detected with the use of sensors and adjusted by an inclination-adjusting mechanism on the basis of the detected result.例文帳に追加

真空雰囲気とされる移載室の底部に設けられた基体に支持された移載アームにより当該移載室に接続された真空処理室への基板の受け渡しを行うにあたり、例えばセンサを用いて移載アームの傾きを検知し、この検知結果に基づいて傾き調整機構により移載アームの傾きを調整する構成とする。 - 特許庁

After a chamber lid 51 is made to descend to hermetically close a processing chamber 55, two air cylinders 72 are actuated to fit fixing pins 73 mounted on the tips of their rods into the pin insertion hole 78 of a first pin guide 74, and the pin insertion hole 77 of a second pin guide 71 fixed to the chamber lid 51 respectively.例文帳に追加

チャンバー蓋５１が下降動作されて処理室５５が密閉状態となった後、２つのエアシリンダー７２が駆動し、各エアシリンダー７２のロッドの先端に取り付けられた各固定ピン７３が、第１のピンガイド７４のピン挿入穴７８、およびチャンバー蓋５１に固設された第２のピンガイド７１のピン挿入穴７７にわたってそれぞれ挿入される。 - 特許庁

The PFC decomposition apparatus is equipped with a chamber in the PFC decomposition apparatus 14 into which the PFC gas discharged from a processing apparatus 10 such as a semiconductor manufacturing apparatus is introduced, a mechanism for generating plasma in the PFC decomposition chamber and a mechanism 16 for supplying an oxidizing gas into the PFC decomposition chamber.例文帳に追加

本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製造装置等のプロセス装置１０から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分解装置１４内のチャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャンバーに酸化反応ガスを供給するための供給機構１６と、を具備する。 - 特許庁

In a hydrogen annealer equipped with a pipe 51 for supplying hydrogen gas to a treatment chamber 36 of a wafer 1, a main exhaust line 40 for exhausting the processing chamber 36, and a combustion exhaust line 47 connected with the main exhaust line 40, an oxygen analyzer 61 for detecting oxygen concentration in the treatment chamber 36 and transmitting the detection results to a controller 62 is provided.例文帳に追加

ウエハ１を処理する処理室３６に水素ガスを供給する水素ガス供給管５１と、処理室３６を排気するメイン排気ライン４０と、メイン排気ライン４０に接続された燃焼用排気ライン４７とを備えた水素アニール装置において、処理室３６の酸素濃度を検出してコントローラ６２に送信する酸素濃度計６１を設置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor workpiece processing system capable of easily completing operations of loading, unloading and replacement of a semiconductor workpiece only by the movement of a transfer apparatus without requiring the vertical movement of a loadlock chamber or a processing chamber, and capable of loading, unloading and replacement the workpiece rapidly and inexpensively, thereby improving production efficiency.例文帳に追加

ロードロック室や処理チャンバが垂直方向に運動する必要がなく、移載装置の運動のみにより、半導体ワークピースのローディング・アンローディングや交換の動作が容易に完成でき、更に迅速且つ低コストでワークピースをローディング・アンローディングし交換することができ、生産能率を高めることができる半導体ワークピース処理システムを提供する。 - 特許庁

To perform a suction recovery processing with high efficiency without enlarging a pump or increasing vacuum period of a pressure chamber in an inkjet recorder which performs the suction recovery processing by giving a negative pressure which is stored in the pressure chamber to a discharge port by driving the pump in order to eject an ink compulsorily from the discharge port.例文帳に追加

インクを吐出口から強制的に排出するために、ポンプの駆動により圧力室に貯めた負圧を吐出口に付与することで吸引回復処理を行うインクジェット記録装置において、ポンプの大型化や圧力室の減圧時間の増大を来たすことなく、効率の高い吸引回復処理を行うことができるようにする。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

This concentrating method for obtaining the concentrated solution of organic useful components comprises using an electrodialyser which has a positive electrode, a negative electrode and a processing chamber in which the positive electrode is divided with an anion exchange membrane and the negative electrode is divided with an cation exchange membrane, and supplying marine alga extracted solution to the processing chamber to perform deionizing treatment by electrodialysis.例文帳に追加

正極、負極及び処理室を備え、且つ該処理室が、アニオン交換膜によって正極と区画され且つカチオン交換膜によって負極と区画されている電気透析装置を使用し、該処理室に海藻抽出液を供給して電気透析による脱イオン処理を行うことにより有機有効成分の濃縮液を得ることを特徴とする。 - 特許庁

In the substrate producing apparatus where a crystal substrate is formed on a seed substrate 20 in the crucible 10 placed at the inside of a pressurized and heated processing chamber 6 by immersing the seed substrate 20 into the melt 30, the bottoms 6a1, 6b1 of the processing chamber 6 can place the crucible 10 on and can be removed downward.例文帳に追加

加圧及び加熱された処理容器６の内部に載置された坩堝１０内において種基板２０を融液３０に浸漬することによって上記種基板２０上に結晶基板を形成する基板製造装置であって、上記処理容器６の底部６ａ１，６ｂ１が、上記坩堝１０を載置可能であると共に下方に向けて取り外し可能とする。 - 特許庁

In an ECU 3 receiving an output signal of the signal processing circuit 2, a multiplier value obtained by multiplying a previous sampling value by a coefficient is subtracted from a current sampling value of the output signal, and processing for defining this value as change quantity of the pressure in the combustion chamber is executed so as to obtain the change quantity in the combustion chamber without being influenced by the attenuation.例文帳に追加

信号処理回路２の出力信号を受けるＥＣＵ３で、前記出力信号の今回のサンプリング値から前回のサンプリング値に係数を乗じた乗数値を減じて、これを前記燃焼室内圧力の変化量とする処理を実行し、減衰の影響のない燃焼室内圧力の変化量を得るようにする。 - 特許庁

In the beginning when the substrate W has been carried in a processing chamber 12 of a washing process part 10, the rinsing liquid is supplied from an entrance nozzle 20 and an upper spray nozzle 22 to the substrate, and after that, the rinsing liquid is supplied from the upper spray nozzle 22 and a lower spray nozzle 24 to the substrate until the substrate is carried out of the processing chamber 10.例文帳に追加

基板Ｗが水洗処理部１０の処理チャンバ１２内へ搬入されてきた当初においては入口ノズル２０と上部スプレイノズル２２とからリンス液を基板へ供給し、それ以後、基板が処理チャンバ１０内から搬出されるまでは上部スプレイノズル２２と下部スプレイノズル２４とからリンス液を基板へ供給する。 - 特許庁

A Co film formation method includes the steps of, while performing vacuum drawing in a processing chamber after disposing a base material S in the processing chamber 10, heating the base material at a predetermined temperature, vaporizing an organometallic material L in which ions or molecules having an alkyl group coordinate on cobalt, supplying the vaporized organometallic material onto the base material surface, and performing thermal decomposition of the organometallic material to deposit a Co film.例文帳に追加

基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。 - 特許庁

This multi-wire saw for cutting a workpiece while supplying slurry to a wire traveling between a plurality of rollers comprises a slurry delivery part for delivering the slurry, a processing chamber for covering at least the slurry delivery part and the workpiece, and a humidity adjusting mechanism for maintaining humidity in the processing chamber at approximate saturated vapor pressure.例文帳に追加

複数のローラ間で走行するワイヤにスラリを供給しながら被加工物を切断するマルチワイヤソーにおいて、前記スラリを吐出するためのスラリ吐出部と、少なくとも前記スラリ吐出部と前記被加工物とを覆う加工室と、前記加工室内の湿度を飽和蒸気圧に近い状態に保持するための湿度調節機構とを備えているマルチワイヤソーである。 - 特許庁

When the pump 56 is driven and the switching valve 52 is closed, the gas in the chamber 10 and a processing liquid contained in the chamber 10 are discharged out of the substrate processor 1 via the exhaust port 15, the first exhaust tube 51 and the second exhaust tube 54.例文帳に追加

ポンプ５６が駆動させられるとともに、切換弁５２が閉鎖されると、チャンバ１０内の気体およびチャンバ１０内に含まれる処理液は、排出口１５、第１排出管５１、および第２排出管５４を介して基板処理装置１外部に排出される。 - 特許庁

This plasma processing device includes many boards 7 arranged at a desired interval in an insulating state in a metal chamber 1 and many ground-side electrode plates 9 arranged near to both surfaces of each board 7 such that their electric potential is equal to that of the metal chamber 1.例文帳に追加

金属製チャンバ−１内に絶縁状態で多数の被処理基板７を所要の間隔で配置し、その各被処理基板７の両面には金属製チャンバ−１と同電位となるように近接配置した多数のグランド側電極板９を配装する。 - 特許庁

This device is equipped with a substrate temperature fluctuation reducing means for reducing ascending or descending fluctuation in the temperature of a film substrate 10 heated in an upstream processing process, in one or more portions of a roll transfer process between an unwinding chamber of a film substrate and a winding chamber.例文帳に追加

フィルム基板の巻出し室と巻取り室との間のロール搬送処理工程上の少なくとも一部に、上流の処理工程において加熱されたフィルム基板１０の上昇または降下の温度差を低減させる基板温度差低減手段を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a member with plasma resistance, which improves corrosion resistance to plasma, and can be suitably used for members such as a chamber, a chamber liner, a shower plate, a baffle plate, and an electrode, which are used for a dry processing apparatus for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal.例文帳に追加

プラズマに対する耐食性の向上を図り、半導体または液晶製造のためのドライプラセス装置に用いられるチャンバー、チャンバーライナー、シャワープレート、バッフル板、電極等の部材に好適に用いることができる耐プラズマ性部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, by a simple processing, the amount of oil returned is reduced following an increase in discharge capacity, and the amount of lubricating oil fed to the swash plate chamber 20, regardless of the discharge capacity, including the amount of lubricating oil mixed in blowby gas from a compression chamber 27, is substantially held fixed.例文帳に追加

これにより、簡単な加工によって、吐出容量の増大に伴い還油量が減少し、圧縮室２７からのブローバイガス中に混在する分も含めて、吐出容量に関わらず斜板室２０に送られる潤滑油の量はほぼ一定となる。 - 特許庁

Further, the chamber component has a flow channel extending through the chamber element from the supply side to the processing side, and the flow channel has an inflow port formed to receive the process fluid and an outflow port formed to deliver the process fluid.例文帳に追加

さらに、チャンバー部品は、供給側から処理側までチャンバー素子を貫通して延在する流路を有し、この流路は、プロセス流体を受け入れるように構成された流入口と、このプロセス流体を分配するように構成された流出口とを有する。 - 特許庁

Before opening a gate valve G between a substrate processing chamber 2 and a substrate transferring chamber 3, the gate valve G is opened on conditions that the inner pressures of both of the chambers are lower than 66.5 Pa and that the higher one of detected pressure values is less than twice the lower one.例文帳に追加

基板処理室２と基板搬送室３の間のゲートバルブＧを開く前に両方の室内の圧力が６６．５Ｐａよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の２倍よりも小さいことを条件にゲートバルブＧを開くようにする。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with the three-dimensional microwave circuit for introducing an oscillated microwave to a vacuum chamber 1, and a microwave introducing part 25 which is connected to an end of the three-dimensional microwave circuit to form a boundary between the end of the three-dimensional microwave circuit and the inside of the vacuum chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、発振されたマイクロ波を真空チャンバ１に導くためのマイクロ波立体回路と、マイクロ波立体回路の端部に接続され、真空チャンバ１の内部との境界を形成するためのマイクロ波導入部２５とを備える。 - 特許庁

To extend a life of a member that comes into contact with reductive plasma, especially a plasma generating chamber member by preventing deterioration in the function of a plasma processing device caused by reduction of the plasma generating chamber by reductive plasma that is generated from a process gas to be introduced.例文帳に追加

導入されるプロセスガスから生成される還元性プラズマによってプラズマ発生室が還元されることによるプラズマ処理装置の機能の低下を防止し、プラズマ発生室部材をはじめとする還元性プラズマに接する部材の長寿命化を提供する。 - 特許庁

When the wafer W is carried into the measurement chamber S and measurement is performed for the wafer W, clean air is supplied toward the carrying opening 33 side from the air supply opening 50, and processing gas flowing from the carrying opening 33 into the measurement chamber S is diluted and put back.例文帳に追加

測定室Ｓ内に，ウェハＷを搬入し，ウェハＷに対する測定を行う際には，給気口５０から搬送口３３側に向けて清浄なエアが給気され，搬送口３３から測定室Ｓ内に流入する処理ガスを希釈化したり，押し戻す。 - 特許庁

A first transfer chamber 122 and a second transfer chamber 133 of an apparatus for processing 100 have a volume capacity capable of containing only one wafer W, respectively, and are connected with each other through a first and second load lock chambers 130 and 132 including cooling plates and heating lamps.例文帳に追加

処理装置１００の第１搬送室１２２と第２搬送室１３３は，一のウェハＷのみを収容可能な容積に設定され，かつ冷却プレート１３６と加熱ランプ１４２を備えた第１および第２ロードロック室１３０，１３２で接続される。 - 特許庁

When the coated substrate 5 is dried, the substrate conveyance unit 4 stops the conveyor belt 42 from moving once when the coated substrate 5 is carried in the decompression chamber 30, and the decompression drying processing unit 3 seals the decompression chamber 30 by using the conveyor belt 42.例文帳に追加

塗布済み基板５の乾燥を行うときは、基板搬送部４は、塗布済み基板５が減圧室３０内に搬入された時点で搬送ベルト４２の移動を停止し、減圧乾燥処理部３は、搬送ベルト４２を使用して減圧室３０を密閉する。 - 特許庁

In the cleaning method of semiconductor production equipment performing a predetermined production processing by supplying reactive gas into a chamber 10, matters adhering in the chamber are removed by exhausting the chamber 10 while supplying first inert gas heated at a first temperature and pressurized at a predetermined pressure, and second inert gas cooled to a second temperature lower than the first temperature and pressurized at a predetermined pressure alternately into the chamber.例文帳に追加

反応性ガスをチャンバー内に供給して所定の製造処理を行う半導体製造装置のクリーニング方法において，第１の温度に加熱され所定の圧力に加圧された第１の不活性ガスと，第１の温度より低い第２の温度に冷却され所定の圧力に加圧された第２の不活性ガスとを交互にチャンバー内に供給しながら，チャンバーを排気してチャンバー内に付着した付着物を除去する。 - 特許庁

Using a laser processing system comprising a carrying-in/out chamber for carrying in/out a substrate, a carring chamber including a robot arm, a heating chamber for heating the substrate, and a laser irradiating chamber for irradiating the substrate with a laser beam while heating the substrate, the crystalline semiconductor film is illadiated with the laser beam while moving the laser beam so as to epitaxial grow the crystalline semiconductor film.例文帳に追加

本発明によると、基板を搬入搬出するための搬入搬出室と、ロボットアームを有する搬送室と、前記基板を加熱する加熱室と、前記基板を加熱しながら前記基板にレーザー光を照射するためのレーザー照射室と、を有するレーザー処理システムを用いて、前記レーザー光を前記結晶性半導体膜に対して移動させながら照射することで、前記結晶性珪素膜はエピタキシャル成長することができる。 - 特許庁

A process gas is introduced into a processing chamber 1 from an introduction system 2 and a high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of VHF bands to a high frequency electrode 3 so that high frequency discharge take place to form a plasma for processing a substrate 9.例文帳に追加

処理チャンバー１内にプロセスガス導入系２によりプロセスガスが導入され、高周波電極３に高周波電源４がＶＨＦ帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板９が処理される。 - 特許庁