「processing chamber」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

Air from a clean room 1 and return air from a high temperature high humidity chamber R are mixed in a processing chamber 21, heated by means of an electric heater 23, and humidified in the humidifying section 25a of an electric heating steam humidifier 25 before being supplied to the high temperature high humidity chamber R through a HEPA filter 27.例文帳に追加

クリーンルーム１からの空気と高温高湿室Ｒからの還気を処理チャンバ２１内で混合し，この混合空気に対して電気式ヒータ２３によって加熱し，電熱式蒸気加湿器２５の加湿部２５ａで加湿して，ＨＥＰＡフィルタ２７を介して高温高湿室Ｒに供給する。 - 特許庁

In a processing chamber including a chamber 2 and an electrode flange 4, with sandwiching an insulating flange 81 between them so as to have a reaction chamber α, a supporting means 15 mounted with an object to be processed 10, a rising/falling mechanism for moving the supporting means up and down, and a shower plate 5 for supplying process gas toward the object to be processed are accommodated.例文帳に追加

反応室αを有するように、絶縁フランジ８１を挟んでチャンバ２と電極フランジ４から構成される処理室内に、被処理体１０を載置する支持手段１５と、これを上下移動する昇降機構と、被処理体に向けてプロセスガスを供給するシャワープレート５を収容する。 - 特許庁

Pressure of a processing chamber (or called as a printing chamber) for forming an EL layer by using a printing method in a pixel part of a light-emitting device is put in a pressurizing state of atmospheric pressure (normal pressure) or more than the atmospheric pressure, and the inside of the printing chamber is filled with inert gas or put in a solvent atmosphere.例文帳に追加

本発明では、発光装置の画素部に印刷法を用いてＥＬ層を形成するための処理室（または、印刷室と呼ぶ）の圧力を大気圧（常圧）又は大気圧以上の加圧状態にし、さらに印刷室内を不活性気体で充填したり、溶媒雰囲気とすることを特徴とする。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

Then the external transfer device 30 moves the finger assy 32 to a first processing chamber 16a while holding the wafers 1 and 1 with the upper finger 32a and lower finger 32b, and stops above a first processing section 36.例文帳に追加

次に、外側移載装置３０は上フィンガー３２ａおよび下フィンガー３２ｂによってウエハ１、１を保持したまま、フィンガーアッシー３２を第一処理室１６ａに移動させ、第一処理部３６の上方にて停止する。 - 特許庁

To provide a processing refrigerator capable of refrigerating directly and rapidly by cold air from an evaporator even if temperature of the whole refrigerating chamber does not reach refrigerating temperature and performing refrigerating processing at low cost in a short time.例文帳に追加

本発明は冷凍室内全体を冷凍温度にならなくても、エバポレータからの冷風で直接急速に冷凍することができる、短時間で低コストで冷凍加工が可能な加工冷凍装置を得るにある。 - 特許庁

Elastomer masterbatch is processed in a continuous compounder (100) having multiple parallel elongate rotors (106) axially oriented in an elongate processing chamber (104) for processing and controlling moisture level and the Mooney Viscosity.例文帳に追加

エラストマーマスタバッチは、水分レベル及びムーニー粘度の処理及び制御のために、細長い処理室（１０４）内で軸方向を向く多数の平行な細長いローター（１０６）を有する連続的な混合機（１００）内で処理される。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a patch antenna opposed to a holding means of an element to be processed in a plasma processing chamber to generate the plasma, and a shower plate disposed between the holding means of the element and the patch antenna to diffuse a gas.例文帳に追加

プラズマ処理室内に、被処理体保持手段と対向させて、プラズマを発生させるためのパッチアンテナを配置し、且つ、該被処理体保持手段とパッチアンテナとの間に、ガス拡散用のシャワープレートを配置する。 - 特許庁

At a lower position, wafers 1219 may be transferred to and from the processing station 1201, and at an upper position, the pedestal 1215 forms an annular pumping passage with a lower circular opening in a processing chamber 1204.例文帳に追加

下部位置では、処理ステーション１２０１との間でウェーハ１２１９が搬送されることができ、上部位置で、ペデスタル１２１５は、処理チャンバ１２０４にある下部円形開口とともに環状排気通路を形成する。 - 特許庁

To provide a liquid processing apparatus which can surely advance a holding member into a chamber for liquid processing in the apparatus for moving the holding means which holds a substrate to liquid process the substrate.例文帳に追加

基板を保持した保持手段をチャンバへ移動させて液処理を行う液処理装置において、保持手段を液処理が行われるチャンバへ確実に進入させることを可能とした液処理装置を提供する。 - 特許庁

The openings 7 capable of passing only the garbage processing material and fine undecomposed matter are provided in the partition 4, and the garbage processing material and fine undecomposed matter passed through the openings 7 are accumulated in the lower chamber.例文帳に追加

中仕切り４に生ごみ処理材及び細かい未分解物のみを通過させることができる孔７を設けて下室部６が孔７を通過した生ごみ処理材及び細かい未分解物のみが溜まる部分とする。 - 特許庁

A dummy load device 1 is provided with a coil spring 40 that compresses a positive electrode plate 70 and a ground electrode plate 60 to each of two electrodes of a plasma processing apparatus, when it is arranged within a chamber of the plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内に配置されたときに、正電極板７０およびグランド電極板６０をプラズマ処理装置の２つの電極にそれぞれ押し付けるコイルばね４０を、模擬負荷装置１に設けた。 - 特許庁

A processing gas including C4F8, CO, and Ar is introduced into the processing chamber 102 of an etching device 300 and then plasma is produced to etch a SiO2 film layer formed on a wafer W on a bottom electrode 106.例文帳に追加

エッチング装置３００の処理室１０２内にＣ_4Ｆ_8とＣＯとＡｒから成る処理ガスを導入した後にプラズマを生成し，下部電極１０６上のウェハＷに形成されたＳｉＯ_2膜層２０２をエッチングする。 - 特許庁

For a filter 40 mounted inside an auxiliary chamber 38 formed at a bottom of a processing liquid tank main body, a pleat type filter body 202 is used which is small-sized, yet has a large filtering area and little processing liquid passing resistance.例文帳に追加

処理液槽本体の底に形成した補助室３８内に装着するフィルタ４０には、小型であっても濾過面積を大きくとることができ、処理液の通過抵抗が少ないプリーツ型濾過体２０２を用いる。 - 特許庁

This food material-cooling and processing device characterized by comprising a blowing means 6 for blowing cooling air in a cooling chamber 3 and a control means 15 for controlling the operation of the blowing means 6 in response to the progress state of the food material-cooling and processing treatment.例文帳に追加

冷却室３内に冷却風を発生させる送風手段６と、この送風手段６の作動を食材の冷却加工の進行状況に応じて制御する制御手段１５とを備えている。 - 特許庁

In the decompression processing mechanism 44 on the gas discharge path 85 connected to a chamber 40 of the COR processing apparatus 5 from upstream toward down stream, a dry pump 83 and a trap unit 87 are arranged in this sequence.例文帳に追加

排気ガス処理機構４４は、ＣＯＲ処理装置５のチャンバー４０に接続された排気路８５上に、上流側から下流側へ向けて、ドライポンプ８３およびトラップ装置８７がこの順に配設されている。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device includes a step (S1) of placing a wafer having a processed film in a processing chamber and a step (S2) of measuring an initial film thickness of the processed film before processing.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程（ステップＳ１）と、処理前における被処理膜の初期膜厚を測定する工程（ステップＳ２）とを有する。 - 特許庁

This device for cooling and processing a food material, characterized by comprising an ozone-supplying means for supplying ozone into a cooling chamber 3 and a control means 15 for controlling the operation of the ozone- supplying means 7 in response to the operation state of the cooling and processing device.例文帳に追加

冷却室３内にオゾンを供給するオゾン供給手段７と、このオゾン供給手段７の作動を、冷却加工装置の運転状況に応じて制御する制御手段１５とを備えている。 - 特許庁

In a specific embodiment, a fluid control and processing system for controlling fluid flow among a plurality of chambers comprises a body including a fluid processing region coupled fluidically with a fluid displacement chamber 50.例文帳に追加

特定の実施例では、複数チャンバ間の流体の流れを制御する流体制御処理システムは、流体移動チャンバ５０と流体工学的に結合された流体処理領域を含む本体を備える。 - 特許庁

In the case of oxidizing processing of a substrate 200 with a mixed gas of vapor and oxygen, helium and argon are supplied, together with vapor molecules and hydrogen molecules, in the horizontal direction from a gas introduction port 13 into a processing chamber 11.例文帳に追加

水蒸気と酸素の混合気体により、基板２００を酸化処理する場合に、ヘリウムとアルゴンとを水蒸気分子と酸素分子と共に処理室１１内にガス導入口１３より水平方向に供給する。 - 特許庁

A scanning apparatus arranged within the common processing chamber can be operated so that a workpiece holder gets across each of multiple ion beam lines to selectively move in one or more directions in the processing region.例文帳に追加

共通処理チャンバー内に配置された走査装置は、加工物ホルダーが、処理領域中を複数のイオンビームラインのそれぞれを横切って１以上の方向に選択的に移動するように動作可能である。 - 特許庁

A glass workpiece 32 processed in a vacuum plasma processing chamber 10 is dechucked by gradually reducing the chucking voltage during processing while maintaining the voltage high enough to clamp the workpiece.例文帳に追加

真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２は、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによりデチャッキングされる。 - 特許庁

When at least two plasma processing steps are performed in the same plasma reaction chamber, CW AC power or pulse modulated AC power is selected properly as plasma processing power at each step.例文帳に追加

少なくとも２のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてＣＷ交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。 - 特許庁

According to a specified embodiment, a fluid control processing system for controlling the flow of a fluid between two or more chambers, is provided with a body including a fluid processing region coupled fluidicly with a fluid displacement chamber 50.例文帳に追加

特定の実施例では、複数チャンバ間の流体の流れを制御する流体制御処理システムは、流体移動チャンバ５０と流体工学的に結合された流体処理領域を含む本体を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method, capable of quickly and surely removing a material attached to an end section of a processing subject, such as a wafer and preventing damages due to plasma to each component inside a chamber.例文帳に追加

ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes the steps of: accommodating the reflecting optical member deposited with the carbon contamination and reflecting an extreme ultraviolet ray having a wavelength of 100 nm or shorter in a processing chamber; and exposing the reflecting optical member to an atmosphere containing an active species generated by reacting unsaturated hydrocarbon with ozone gas in the processing chamber.例文帳に追加

炭素汚染物が付着し、波長が１００ｎｍ以下の極端紫外線を反射する反射光学部材を、処理室内に収容する工程と、前記処理室内において前記反射光学部材を不飽和炭化水素とオゾンガスとを反応させて発生させた活性種を含む雰囲気中に曝す工程とを設ける。 - 特許庁

The flow rate load of gas is detected by the mass flow controllers, presence/absence of the plasma generated in the processing chamber is detected by the monochrometer, these detection signals are transmitted to the CPU and a control valve is controlled so that pressure of the processing chamber is at a specified level based on a control signal from the CPU.例文帳に追加

マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をＣＰＵに伝達すると共に、ＣＰＵからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。 - 特許庁

In the semiconductor manufacture system 10, a first material A is thrown in from a first carrier unit 11 and carried via a positioning unit 15 to a first processing chamber unit 13, whereas a second material B is thrown in from a second carrier unit 12 and carried through a positioning unit 15 to a second processing chamber unit 14.例文帳に追加

半導体製造装置１０において、第１材料Ａは、第１キャリアユニット１１から投入され位置決めユニット１５を経由して第１処理室ユニット１３に搬送され、第２材料Ｂは、第２キャリアユニット１２から投入され位置決めユニット１５を経由して第２処理室ユニット１４に搬送される。 - 特許庁

This gas-sealing mechanism 11 is used in a processing chamber 1 in the manufacturing process of a printed wiring board, and the processing chamber 1 sprays chemical D to printed wiring board material C so as to perform chemical treatment, and also herein, a chemical vessel 2 for letting flow down, recovering, and storing the sprayed chemical D is made below.例文帳に追加

このガス封止機構１１は、プリント配線基板の製造工程の処理室１において用いられ、処理室１は、プリント配線基板材Ｃに対し薬液Ｄを噴射して化学処理を行うと共に、噴射された薬液Ｄを流下，回収，貯留せしめる薬液槽２が下部に形成されている。 - 特許庁

A shaft seal 7 seals a shaft 5 which connects a support 4 and a rotary driving body 6 together, a processing chamber 2 and the rotary driving body 6 are isolated from each other across the shaft seal 7, and the discharge opening 9A of a discharging means 9A is provided through a communication path 11 between the processing chamber 2 and shaft seal 7.例文帳に追加

支持体４と回転駆動体６とを連結する軸部５をシールする軸シール部７を備え、この軸シール部７を介して、処理室２と回転駆動体６とが隔離されており、前期処理室２と軸シール部７との間の連通路１１を介して排出手段９の排出口９Ａを備えている。 - 特許庁

A method and device comprise the steps of: blocking a cooling fluid flow into a channel in a support member in a processing chamber; lifting the support member so as to be within about 0.1 inch from a gas distribution plate; heating the gas distribution plate; and introducing a heat-transfer gas to the processing chamber through the gas distribution plate.例文帳に追加

処理チャンバ内の支持部材の中のチャネルへの冷却流体フローを遮断するステップと、支持部材をガス分配プレートの約０.１インチ以内であるように上昇させるステップと、ガス分配プレートを加熱するステップと、熱伝導ガスをガス分配プレートを通って処理チャンバに導入するステップと、を含む前記方法及び装置。 - 特許庁

The peeling device 1000 comprising a processing chamber 10 for peeling a film formed on a wafer 1, a water vapor generating unit 26a for generating water vapor which is supplied to the processing chamber 10, and a carrier gas supply unit 28 for supplying a carrier gas to the water vapor generating unit 26a.例文帳に追加

本発明の膜剥離装置１０００は、ウエハ１上に形成された膜の剥離処理を行なう処理室１０と、前記処理室１０に供給する水蒸気を発生させる水蒸気発生装置２６ａと、前記水蒸気発生装置２６ａに、キャリアガスを供給するキャリアガス供給装置２８と、を含む。 - 特許庁

This processor transfers the mask between a mask supplying section held at atmospheric pressure and a decompressed or vacuum processing chamber, and has a transfer means which sucks and holds the protective mechanism 100 for protecting a pattern surface PT in a non-contact manner, and transfers the mask MK held by the protective system between the mask supplier and the processing chamber.例文帳に追加

大気圧に維持されたマスク供給部と減圧または真空の処理チャンバとの間でマスクを搬送する処理装置であって、パターン面ＰＴを非接触に保護する保護機構１００を吸着し、保護機構に保持されたマスクＭＫをマスク供給部と処理チャンバとの間で搬送する搬送手段とを有する。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of symmetrically and uniformly generating a plasm density distribution throughout the center part and an outer periphery by forming openings for entering a processing gas at the center part of the lower part in a reaction chamber and a side surface thereof and by providing fan-shaped antennas below the reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の下部中央部及び側面に処理ガスの流入口を形成し、反応チャンバ下部に扇形アンテナを具備することでプラズマ密度分布を中央部と外郭にかけて対称的でかつ均一に発生させることができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Further, the apparatus A comprises a plasma region increasing/reducing means 21 for increasing or reducing a plasma region formed in the processing chamber, and cleaning means 23 and 28 for performing plasma cleaning in the processing chamber by using plasma of the plasma region which has been increased or reduced by the plasma region increasing/reducing means 21.例文帳に追加

そして、処理室の内部に形成されるプラズマ領域を増大又は減少させるプラズマ領域増減手段２１と、プラズマ領域増減手段２１により増大又は減少されたプラズマ領域のプラズマにより、処理室の内部をプラズマクリーニングするクリーニング手段２３，２８とを備えている。 - 特許庁

This water quality simulation system has a warming-up processing section 4 which sets the stable water quality data of a reaction chamber and an initial value setting section 12 which sets the initial value of the water quality data to be outputted to each of the warming-up processing section 4, a reaction chamber water quality data setting section 8 and an automatic model parameter setting section 13.例文帳に追加

本発明の水質シミュレーション装置は、反応槽の安定した水質データを設定するウォーミングアップ処理部4と、このウォーミングアップ処理部4と反応槽水質データ設定部８と自動モデルパラメータ設定部13のそれぞれに出力する水質データの初期値を設定する初期値設定部12とを備えている。 - 特許庁

Also, after the syringe containing the medicine is stored in a chamber which is a sterilization apparatus and the sterilization processing is executed by repeating the operation of supplying the hydrogen peroxide gas into the chamber with the reduced pressure of 10-30 torr for two or more times, the degassing processing of the hydrogen peroxide gas from the inside of the packaging container is executed while heating is executed.例文帳に追加

そして、滅菌装置としてのチャンバーに薬剤入り注射器を収容し、１０〜３０ｔｏｒｒに減圧したチャンバーに過酸化水素ガスを供給する操作を複数回繰り返すことによって滅菌処理した後、加温しつつ包装容器の内部から過酸化水素ガスを脱ガス処理する。 - 特許庁

A voltage is applied to a resistance wire 7 arranged in a processing chamber 3, the resistance of the resistance wire is calculated from the value of a current flowing through the resistance wire, and then the timing of cleaning is determined in accordance with the correlation of the resistance value of the resistance wire with the thickness of a film attached to the inner wall of the processing chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ３内に配置された抵抗線７に電圧を印加し、抵抗線に流れる電流値から抵抗線の抵抗値を算出した後に、抵抗線の抵抗値とプロセスチャンバ内部に付着した膜の膜厚との相関関係に従ってクリーニング処理のタイミングを決定する。 - 特許庁

A pneumatic powder transport system 400 connected to a process chamber in the apparatus for supplying the powder into the process chamber, a supply line to the apparatus for transporting a virgin powder to a powder processing unit and a powder non-processing unit, and the powder processing unit in which build process for each layer to manufacture the three-dimensional article is carrier out.例文帳に追加

三次元物品を製造するための層毎の構築プロセスがその中で行われる、装置内のプロセス・チャンバ；プロセス・チャンバ中に粉末を供給するための、装置への供給ライン；供給ラインに連結された粉末処理ユニットレおよび粉末処理ユニットにバージン粉末を搬送するための、粉末処理ユニットに連結された空気圧粉末搬送システム４００を備える。 - 特許庁

The plasma processing system comprising a vacuum processing chamber 101, a means for supplying gas into the vacuum processing chamber 101, a plasma generating means 107, and an electrode 103 for mounting a wafer 104 is further provided with a supporting shaft 121 having a structure for making the electrode 103 movable, a structure for supplying a bias power to the electrode, and a structure for transporting a temperature conditioning medium of the electrode.例文帳に追加

真空処理室１０１と、真空処理室１０１内にガスを供給する手段と、プラズマ生成手段１０７と、ウエハ１０４を載置する電極１０３とを備えるプラズマ処理装置において、電極１０３の移動を可能とする構造と、該電極にバイアス電力を供給する構造と、電極を温調する媒体を輸送する構造とを有する支持軸１２１を備える。 - 特許庁

In this case, the internal pressure of the chamber 111 is raised, so that the internal temperature and the internal pressure (processing pressure) of the chamber 111 keep a relation of "(internal pressure)=(atmospheric pressure)×(273+internal temperature)/(273+initial temperature)".例文帳に追加

このとき、処理室１１１の内部温度と処理室１１１の内部圧力（処理圧力）とが、「内部圧力＝大気圧×（２７３＋内部温度）／（２７３＋開始温度）」で示される関係が保持されるように、処理室１１１の内部圧力を上昇させる。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a plasma substrate processing apparatus which suppresses the deposition of a film on a hole and near the hole, the hole connecting a buffer chamber with a reaction chamber, prevents the formation of particles by the deposited film, and can process a substrate without degrading quality of the substrate.例文帳に追加

バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a canister for processing a vaporized fuel and for suppressing spreading of the vaporized fuel by communication, of a main chamber and a sub-chamber, with air chambers in which the vaporized fuel is difficult to spread to prevent blowing of the vaporized fuel to the atmosphere.例文帳に追加

蒸発燃料を処理するキャニスタであって、主室と副室との間に蒸発燃料が拡散しにくい空気室を連通させることによって、蒸発燃料の拡散を抑制し、蒸発燃料の大気中への吹抜けを防止する。 - 特許庁

An exhaust plate 90b is provided inside a lid 90 so as to form a dispersion chamber 90a in an upper part of the lid 90, and an exhaust vent 90c is bored in the exhaust plate 90b at its center to exhaust gas from the processing chamber S.例文帳に追加

蓋体９０の内部には，蓋体９０内の上部に分散室９０ａを形成する排気板９０ｂが設けられ，この排気板９０ｂの中央部には，処理室Ｓ内の気体を排気する排気口９０ｃが設けられる。 - 特許庁